CN102799072A - 多平台系统、用于多平台系统的控制方法以及光刻设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种多平台系统、用于多平台系统的控制方法以及光刻设备。多平台系统包括：定子，基本上平行于第一方向延伸；第一和第二平台，相对于定子是可移动的，这些平台设置有磁体系统用以产生磁场；和定子，设置有绕组用以与磁场相互作用以相对于定子定位平台，所述方法包括步骤：确定平台的位置；选择能够分别具有与第一和第二平台的磁场的不可忽略的相互作用的电绕组的第一和第二子组；激励两个子组的绕组，其中激励绕组包括：确定同时为两个子组的一部分的绕组；和排除同时为两个子组的一部分的绕组使其不受激励。

Description

多平台系统、用于多平台系统的控制方法以及光刻设备
技术领域
本发明涉及一种多平台系统、用于控制这种多平台系统的方法以及包括这种多平台系统的光刻设备。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单个的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。
为了定位物体，例如定位衬底台，通常使用所谓的平台系统。一种目前正在发展的平台系统类型是单平台系统，其包括：基本上平行于第一方向X和第二方向Y延伸的定子，其中第二方向Y垂直于第一方向X；和第一平台，第一平台在第一和第二方向上相对于定子是可移动的。这种单平台系统的示意示例在图2中示出。定子通过附图标记1示出，第一平台用附图标记3表示。
第一平台3设置有磁体系统。为了简单起见，可以假定在图2的示例中第一平台的整个底部区域由磁体系统占据。磁体系统产生在第一平台下面且在第一平台附近、从磁体系统延伸至定子的磁场。
定子设置有电绕组5的阵列，其中仅一部分用附图标记5表示，电绕组配置成与由第一平台的磁体系统产生的磁场相互作用以便产生在第一平台上的力以相对于定子在第一和第二方向上定位它们。
要注意的是，定子通常安装至框架或通过框架承载，因而作为固定的大地工作。第一平台能够相对于定子移动。平台系统因此是磁体移动类型，而不是更通常使用的绕组移动类型。
当使用基础控制相对于定子定位平台时，定子上的全部绕组被激励。然而，在这种配置情况下，大多数绕组不在具有其磁体系统的第一平台的附近并因此与所产生的磁场具有最小的相互作用。此外，这不允许可以相对于定子通过使用相同的绕组独立地定位的第二平台。
为了避免这种情形，仅激励绕组的子组，使得仅激励那些与磁场具有不可忽略的相互作用的绕组，其中不可忽略的相互作用可以通过第一平台的所需要的位置精确度来确定。绕组的子组的一个示例在图2中通过实心绕组5表示。如在该示例中示出的，仅激励那些直接在第一平台下面(即磁体系统下面)的绕组。直接在第一平台下面的绕组用阴影表示。
在图3中，示出多平台系统，其中两个平台，即第一平台3和第二平台7，相对于具有多个电绕组5的定子1是可移动的。为了定位第一平台3，选择并激励电绕组的第一子组(用实心绕组表示)。同时，通过选择并激励绕组的第二子组(用虚线绕组表示)来定位第二平台。
这种配置的优点在于，两个平台可以同时独立地相对于同一定子定位。然而，两个平台不能彼此靠近地接近，这使得某些类型的操作不能被执行。
发明内容
期望提供一种多平台系统，其中两个平台能够彼此靠近地接近。
根据本发明的一个实施例，提供一种多平台系统，包括：
定子，基本上平行于第一方向延伸；
第一平台，相对于定子沿第一方向是可移动的；
第二平台，相对于定子沿第一方向是可移动的；
其中第一和第二平台每一个设置有磁体系统以产生磁场，
其中定子设置有多个电绕组，所述电绕组配置成与由第一和第二平台的磁体系统产生的磁场相互作用以便产生对第一和第二平台的力以相对于定子定位它们，
多平台系统还包括：
传感器系统，用于相对于定子确定第一和第二平台的位置；
控制单元，用以沿第一方向相对于定子定位第一和第二平台，其中控制单元配置成：
-基于传感器的输出确定第一平台在第一方向上相对于定子的位置；
-选择电绕组的第一子组，所述电绕组的第一子组能够具有与在所确定的第一平台位置处的第一平台的磁体系统的磁场的不可忽略的相互作用；
-基于传感器系统的输出确定第二平台相对于定子在第一方向上的位置；
-选择电绕组的第二子组，所述电绕组的第二子组能够具有与在所确定的第二平台位置处的第二平台的磁体系统的磁场的不可忽略的相互作用；和
激励第一子组和第二子组中的电绕组以便相对于定子定位第一和第二平台，
其中控制单元配置成在激励第一和第二子组中的电绕组之前进行如下步骤：
-确定作为第一子组的一部分且作为第二子组的一部分的电绕组；和
-排除作为第一子组的一部分且作为第二子组的一部分的至少一个电绕组使其不受激励。
在本发明的另一实施例中，提供一种光刻设备，包括如本发明的一个实施例所述的多平台系统。
在本发明的还一个实施例中，提供一种包括多平台系统的光刻设备，多平台系统包括：
承载体，基本上平行于第一和第二方向延伸，其中所述第二方向垂直于第一方向；
第一平台，相对于承载体沿第一方向和第二方向是可移动的；
第二平台，相对于承载体沿第一方向和第二方向是可移动的；
其中第一和第二平台每一个设置有磁体系统以产生磁场，
其中承载体设置有电绕组阵列，所述电绕组配置成与由第一和第二平台的磁体系统产生的磁场相互作用以便产生对第一和第二平台的力以相对于承载体定位它们，
多平台系统还包括：
传感器系统，用于相对于承载体确定第一和第二平台的位置；
控制单元，用以沿第一方向和第二方向相对于承载体定位第一和第二平台，其中控制单元配置成：
-基于传感器系统的输出确定第一平台在第一和第二方向上相对于承载体的位置；
-选择电绕组的第一子组，所述电绕组的第一子组能够具有与在所确定的第一平台位置处的第一平台的磁体系统的磁场的不可忽略的相互作用；
-基于传感器系统的输出确定第二平台相对于承载体在第一和第二方向上的位置；
-选择电绕组的第二子组，所述电绕组的第二子组能够具有与在所确定的第二平台位置处的第二平台的磁体系统的磁场的不可忽略的相互作用；和
-激励第一子组和第二子组中的电绕组以便相对于承载体定位第一和第二平台，
其中控制单元配置成在激励第一子组和第二子组终的电绕组之前进行如下步骤：
-确定作为第一子组的一部分且作为第二子组的一部分的电绕组；和
-排除作为第一子组的一部分且作为第二子组的一部分的至少一个电绕组使其不受激励，
和其中，所述光刻设备还包括：
照射系统，配置成调节辐射束；
支撑结构，构造用以支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束；
第一衬底台和第二衬底台，每一个构造用以保持衬底；和
投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标位置上，
其中第一衬底台设置在第一平台上并且第二衬底台设置在第二平台上，使得能够通过第一和第二平台的合适的定位来定位第一衬底台和第二衬底台。
在本发明的另一实施例中，提供一种用于控制多平台系统的方法，所述多平台系统包括：
定子，基本上平行于第一方向延伸；
第一平台，相对于定子沿第一方向是可移动的；
第二平台，相对于定子沿第一方向是可移动的；
其中第一和第二平台中每一个设置有磁体系统以产生磁场，和
其中定子设置有多个电绕组，所述电绕组配置成与由第一和第二平台的磁体系统产生的磁场相互作用以便产生对第一和第二平台的力以相对于定子在第一方向上定位它们，
所述方法包括步骤：
-确定第一平台相对于定子在第一方向上的位置；
-选择电绕组的第一子组，所述电绕组的第一子组能够具有与在所确定的第一平台位置处的第一平台的磁体系统的磁场的不可忽略的相互作用；
确定第二平台相对于定子在第一方向上的位置；
选择电绕组的第二子组，所述电绕组的第二子组能够具有与在所确定的第二平台位置处的第二平台的磁体系统的磁场的不可忽略的相互作用；和
激励第一子组和第二子组中的电绕组以便相对于定子来定位第一和第二平台，
其中激励第一和第二子组中的电绕组的步骤包括：
-确定作为第一子组的一部分且作为第二子组的一部分的电绕组；和
-排除作为第一子组的一部分且作为第二子组的一部分的至少一个电绕组使其不受激励。
附图说明
现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中：
图1示出根据本发明一个实施例的光刻设备；
图2示出传统的单平台系统；
图3示出根据本发明一个实施例的多平台系统；
图4示出图3中的多平台系统，其中平台彼此靠近。
图5示出图3中的多平台系统，其中绕组被排除而不被激励以允许平台朝向彼此靠近；
图6示出图3的多平台系统，其中平台彼此接触。
图7示出图3的多平台系统，其中在实现接触之后，两个平台被作为较大的单个平台来控制；
图8更详细地示出根据本发明另一实施例的多平台系统中的两个平台的磁体系统。
图9示出根据本发明一个实施例的用以控制多平台系统的组件；和
图10示出根据本发明一个实施例的多平台系统。
具体实施方式
图1示意性地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或任何其他合适的辐射)；图案形成装置支撑结构或掩模支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连。所述设备还包括衬底台(例如晶片台)Wt或“衬底支撑结构”，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连。所述设备还包括投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或更多根管芯)上。
照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
所述图案形成装置支撑结构以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述图案形成装置支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置MA。所述图案形成装置支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述图案形成装置支撑结构可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统PS)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置MA可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，投影系统的类型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。
光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台或“衬底支撑结构”(和/或两个或更多的掩模台或“掩模支撑结构”)的类型。在这种“多平台”机器中，可以并行地使用附加的台或支撑结构，或可以在一个或更多个台或支撑结构上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台或支撑结构用于曝光。
光刻设备也可以是这种类型，其中衬底的至少一部分可以被具有相对高的折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充投影系统和衬底之间的空间。浸没液体还可以被提供至光刻设备内的其他空间，例如图案形成装置(例如掩模)和投影系统之间的空间。浸没技术可以用于提高投影系统的数值孔径在本领域是熟知的。这里所用的术语“浸没”并不意味着结构(例如衬底)必须浸入液体内，而仅意味着在曝光期间液体位于投影系统和衬底之间。
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源SO和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源SO为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源SO看成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源SO可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源SO是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器IL用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在图案形成装置支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经穿过图案形成装置(例如掩模)MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置或定位器PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如掩模)MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现图案形成装置支撑结构(例如掩模台)MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT或“衬底支撑结构”的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，图案形成装置支撑结构(例如掩模台)MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分C之间的空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置(例如掩模)MA上的情况下，所述图案形成装置对准标记可以位于所述管芯之间。
可以将所示的设备用于以下模式中的至少一种中：
1.在步进模式中，在将图案形成装置支撑结构(例如掩模台)MT或“掩模支撑结构”和衬底台WT或“衬底支撑结构”保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT或“衬底支撑结构”沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，在对图案形成装置支撑结构(例如掩模台)MT或“掩模支撑结构”和衬底台WT或“衬底支撑结构”同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT或“衬底支撑结构”相对于图案形成装置支撑结构(例如掩模台)MT或“掩模支撑结构”的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分C的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分C的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一模式中，将用于保持可编程图案形成装置的图案形成装置支撑结构(例如掩模台)MT或“掩模支撑结构”保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT或“衬底支撑结构”进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT或“衬底支撑结构”的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体或完全不同的使用模式。
虽然图1仅示出一个定位装置PW，但是光刻设备可以包括两个或可以包括更多个这种定位装置PW以便相对于框架FR定位相应的衬底台WT。定位装置PW可以替代地称为平台。替代地或附加地，其他定位装置，例如用于图案形成装置支撑结构(例如掩模台)MT的定位装置，可以被图示为单个的平台，其中实际上存在更多个这样的平台。
光刻设备的框架FR包括定子1，图3中示出定子的一个示意的示例。定子1沿第一方向X和第二方向Y延伸(见图1)。定子设置有多个电绕组5，其中仅一部分电绕组5用相应的附图标记表示。电绕组5因此被固定地安装在框架FR上。
图3中示出第一平台3以表示图1中的定位装置PW中的一个。第一平台在图中被示意地示出并是透明的以示出内部的电绕组，内部的电绕组用阴影表示。第一平台3相对于定子1沿第一方向X和第二方向Y是可移动的，并且包括第一磁体系统以生成第一磁场。虽然磁体系统在图3中为了简便起见而没有示出，但是可以假定图3中的第一平台3的外部轮廓也是磁体系统的外部轮廓，并且因此第一磁场也延伸至第一平台的外部。
由于电绕组5和第一磁场之间的相互作用可以施加力至第一平台3，其中每个电绕组对力的贡献依赖于第一磁场的距离和方向。
图3还示出第二平台7以表示图1中的另一个定位装置PW。与第一平台3类似，第二平台相对于定子1沿第一方向X和第二方向Y是可移动的，并且包括第二磁体系统以生成第二磁场。
由于电绕组5和第二磁场之间的相互作用可以施加力至第二平台7，其中每个电绕组对力的贡献依赖于第一磁场的距离和方向。在该实施例中，第一平台和第二平台是相同的并且因此是可以相互交换的。
为了控制图3中的多平台系统，使用图9中示意地示出的通用的控制方案。该控制方案示出第一平台3、第二平台7以及具有侧边电绕组5的定子1。通过传感器系统测量在第一和第二方向上的位置，在该实施例中传感器系统由两个干涉仪IF形成，但是传感器系统也可以包括例如编码器或编码器和干涉仪的组合。两个干涉仪的输出被提供给控制单元或控制器CU。要注意的是，第一和第二平台的位置还可以通过包括多个传感器的传感器系统来测量，其中多个传感器的输出被组合以得出第一和第二平台相对于定子的位置。这可以例如是当定子相对于框架是可移动的并且相对于框架来测量第一和第二平台的位置的情况。为了确定第一和第二平台相对于定子的位置，定子相对于框架的位置也必须被确定并且必须与第一和第二平台相对于框架的位置组合。
控制单元或控制器配置成：
-基于传感器系统的输出来确定第一平台3相对于定子在第一和第二方向上的位置；
-选择电绕组5的第一子组，所述电绕组5的第一子组能够具有与在所确定的第一平台3的位置处的第一平台3的第一磁体系统的第一磁场的不可忽略的相互作用；
-基于传感器系统的输出确定第二平台7相对于定子1在第一和第二方向上的位置；
-选择电绕组5的第二子组，所述电绕组5的第二子组能够具有与在所确定的第二平台7的位置处的第二平台7的第二磁体系统的第二磁场的不可忽略的相互作用；
-使用驱动信号DS激励第一和第二子组中的电绕组以便相对于定子1来定位第一平台3和第二平台7，
其中控制单元或控制器CU还配置成在激励第一和第二子组中的电绕组之前确定作为第一子组的一部分且作为第二子组的一部分的电绕组，并将作为第一子组的一部分且作为第二子组的一部分的至少一个电绕组排除以使其不被激励。
在图3的示例中，第一和第二子组之间没有交叠，使得全部电绕组可以通过控制单元或控制器CU激励。第一子组中的被选择的且被激励的绕组用实线表示，第二子组中的被选择的且被激励的绕组用虚线表示。
绕组和相应的磁场之间的不可忽略的相互作用在一个实施例中由所需要的位置精确度和/或所需要的力大小确定。对于这两个要求，保持电绕组越远离磁场，则满足这些要求的贡献越小。
在图3的示例中，全部电绕组可以对于第一和第二平台的给定的位置进行激励。因而，可以相对于定子以所需要的位置精确度和/或力的大小独立地定位第一和第二平台。然而，当两个平台彼此靠近时，例如当它们必须彼此靠近地执行或以有限间距通过彼此时，第一子组中的绕组也可以与第二磁场相互作用，第二子组中的绕组也可以与第一磁场相互作用。由于这种干扰并且由于绕组仅可以被激励用于定位一个平台且不能同时用于两个平台的事实，如果正常的控制方案没有改变，则第一和第二平台不可以彼此靠近。根据一个实施例的多平台系统的控制单元或控制器能够通过排除作为第一子组的一部分且作为第二子组的一部分的至少一个绕组来处理这个问题，由此消除对该绕组的其他平台的干扰，这允许第一和第二平台比现有技术的多平台系统彼此更加靠近地接近。下面将参照图4-6给出附加的解释。
图4示出在一情形中的图3中的多平台系统，在该情形中，第一平台3和第二平台7已经彼此靠近到通过使用第一和第二子组的全部绕组所尽可能达到的程度。在接下来的步骤中，第一平台3相对于定子1保持固定，第二平台7朝向第一平台3移动。在某个时刻，所需要的电绕组的第二子组应该包括第一子组的最右边一列的电绕组以便定位第二平台。然而，因为这还将影响第一平台的位置，因此这些电绕组没有被激励，如图5所示。
在图6中，甚至更多的电绕组没有倍激励以便让两个平台彼此接触。
在一个实施例中，控制器可以配置成使得当两个平台彼此到达一定距离时，第一和第二子组交叠，而仅激励直接地且完全地处在相应的磁体系统下方的电绕组。参照图10示出一个这样的示例，其中图3的两个平台通过彼此(沿由箭头指示的方向)并且在通过期间由控制单元确定的第一和第二子组交叠，结果仅直接地且完全地处在相应的平台下方的绕组被控制单元激励。
当控制多平台系统时，控制单元还可以配置成总是确保最少量的电绕组，例如9个电绕组，被激励以便确保仍然可以实现在所有自由度上的完全控制。
图7示出图6的情形，其中两个平台已经彼此接触，但是在该实施例中控制单元配置成通过激励第一和第二子组的全部电绕组(在图7中用实心绕组表示)将两个平台作为单个平台来定位，其中在第一和第二平台下方的绕组也被激励并且还通过阴影表示。由此导致第一和第二平台将一起移动。当需要时，控制单元可以进一步配置成增加小电流至绕组，使得产生附加的力，所述附加的力推动两个平台彼此抵靠，由此确保它们保持接触。例如在光刻设备是以下类型时这可以是有利的，即其中在投影系统和通过第一或第二平台支撑的衬底台之间存在浸没液体，并且第一和第二平台在投影系统下面移动以便将浸没液体从一个衬底台转移至另一个衬底台，这需要在承载各自的衬底台的两个平台之间的紧密接触。
为了允许图7的情形，磁体系统可能需要适应这种情形。在图8中，第一平台3和第二平台7被从下面示出使得相应的第一和第二磁体系统成为可见的。
两个磁体系统包括第一磁体9和第二磁体11，第一磁体9具有基本上垂直于定子且方向朝向定子的磁化方向，第二磁体11具有基本上垂直于定子且方向背向定子的磁化方向，第一和第二磁体根据行和基本上垂直于行的列的图案布置，使得第一和第二磁体交替地在每一行和每一列中布置，并且其中两个平台可以定位成彼此接触以使得第一平台的磁体系统的图案在第二平台的磁体系统中延续，如图8所示。
图8的磁体系统也具有奇数个行和奇数个列。此外，第一平台3的磁体系统具有在对角线上的第一磁体，并且第二平台7的磁体系统具有在对角线上的第二磁体。由此，平台可以围绕垂直于第一和第二方向的旋转轴线旋转而与另一磁体系统的图案相比不改变磁体系统的图案，使得平台可以从每一侧彼此接触。
此处特别注意的是，多平台系统不限于可以通过控制单元控制的自由度的数量，但是通常被控制的自由度的数量在3至6之间。在每个平台6个自由度的情形中，需要最少9个绕组使得能够完全实现6个自由度的控制。
本领域技术人员应该清楚，虽然这里没有提及，但是绕组和磁场之间的相互作用也可以用于沿垂直于第一和第二方向的第三方向产生力，使得平台也可以升高并沿所述方向定位。还应该清楚的是，相同的原理可以应用于第一和第二平台仅可以相对于定子沿第一方向移动的系统中。
虽然本申请详述了光刻设备在制造IC中的应用，但是应该理解到，这里描述的光刻设备可以有其他应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该看到，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、测量工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将这里公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
虽然上面详述了本发明的实施例在光学光刻术的情形中的应用，但是应该注意到，本发明可以有其它的应用，例如压印光刻，并且只要情况允许，不局限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如具有约365、248、193、157或126nm的波长)或极紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。
在允许的情况下术语“透镜”可以表示不同类型的光学部件中的任何一种或其组合，包括折射式的、反射式的、磁性的、电磁的和静电的光学部件。
尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实现。例如，本发明可以采用包含用于描述一种如上面公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的一个或更多个计算机程序的形式，或具有存储其中的所述一个或更多个计算机程序的一个或更多个数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。
上述说明书是示例性的而非限制性的。因此，本领域技术人员应当理解，在不脱离权利要求的保护范围的情况下，可以对本发明进行修改。

Claims (15)

1.一种多平台系统，包括：
定子，基本上平行于第一方向延伸；
第一平台，相对于定子沿第一方向是可移动的；
第二平台，相对于定子沿第一方向是可移动的；
其中第一平台和第二平台中每一个设置有磁体系统以产生磁场，
其中定子设置有多个电绕组，所述电绕组配置成与由第一平台和第二平台的磁体系统产生的磁场相互作用以便产生对第一平台和第二平台的力以相对于定子定位它们，
传感器，配置成相对于定子确定第一平台和第二平台的位置；
控制器，配置成沿第一方向相对于定子定位第一平台和第二平台，其中控制器配置成：
基于传感器的输出确定第一平台在第一方向上相对于定子的位置；
选择电绕组的第一子组，所述电绕组的第一子组能够具有与在所确定的第一平台位置处的第一平台的磁体系统的磁场的不可忽略的相互作用；
基于传感器的输出确定第二平台相对于定子在第一方向上的位置；
选择电绕组的第二子组，所述电绕组的第二子组能够具有与在所确定的第二平台位置处的第二平台的磁体系统的磁场的不可忽略的相互作用；和
激励第一子组和第二子组中的电绕组以便相对于定子定位第一平台和第二平台，
其中控制器配置成在激励第一子组和第二子组中的电绕组之前进行如下步骤：
确定作为第一子组的一部分且作为第二子组的一部分的电绕组；和
排除作为第一子组的一部分且作为第二子组的一部分的至少一个电绕组使其不受激励。
2.如权利要求1所述的多平台系统，其中定子基本上平行于第二方向延伸，其中所述第二方向基本上垂直于第一方向；
其中第一平台和第二平台相对于定子沿第一和第二方向是可移动的；和
其中控制器还配置成：
基于传感器的输出确定第一平台相对于定子在第二方向上的位置；和
基于传感器的输出确定第二平台相对于定子在第二方向上的位置。
3.如权利要求1所述的多平台系统，其中基于将要针对第一平台获得的所需要的定位精确度来选择第一子组，并且其中基于将要针对第二平台获得的所需要的定位精确度选择第二子组。
4.如权利要求1所述的多平台系统，其中至少激励直接地且完全地处在相应的磁体系统下面的电绕组。
5.如权利要求1所述的多平台系统，其中第一子组中的至少9个绕组和第二子组中的至少9个绕组被激励。
6.如权利要求1所述的多平台系统，其中控制器配置成通过排除电绕组使其不受激励来允许第一平台和第二平台彼此靠近。
7.如权利要求6所述的多平台系统，其中控制器配置成，当通过激励第一和第二子组中的全部电绕组而使第一和第二平台已经彼此靠近并且接触时，将第一和第二平台作为单个平台进行控制。
8.如权利要求7所述的多平台系统，其中每个磁体系统包括第一磁体和第二磁体，第一磁体具有基本上垂直于承载体并且方向朝向该承载体的磁化方向，第二磁体具有基本上垂直于承载体并且方向背向该承载体的磁化方向，第一和第二磁体根据行和基本上垂直于行的列的图案布置，使得第一和第二磁体交替地布置在每一行和每一列中，并且其中两个平台能够定位成使得当第一和第二平台彼此接触时，第一平台的磁体系统的图案在第二平台的磁体系统中延续。
9.如权利要求8所述的多平台系统，其中每个磁体系统具有奇数数量的行和奇数数量的列，并且其中第一平台的磁体系统具有布置在对角线上的第一磁体，第二平台的磁体系统具有布置在对角线上的第二磁体。
10.如权利要求7所述的多平台系统，其中控制器配置成激励第一和第二子组中的电绕组，使得产生力以在只要情况需要时就将两个平台保持在一起并使其彼此接触。
11.一种光刻设备，包括根据权利要求1所述的多平台系统。
12.一种光刻设备，包括根据权利要求2所述的多平台系统，并且还包括：
照射系统，配置成调节辐射束；
支撑结构，构造用以支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束；
第一和第二衬底台，每一个构造用以保持衬底；和
投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上，
其中第一衬底台设置在第一平台上并且第二衬底台设置在第二平台上，使得能够通过第一和第二平台的合适的定位来定位第一和第二衬底台。
13.一种用于控制多平台系统的方法，所述多平台系统包括：
定子，基本上平行于第一方向延伸；
第一平台，相对于定子沿第一方向是可移动的；
第二平台，相对于定子沿第一方向是可移动的；
其中第一和第二平台中每一个设置有磁体系统以产生磁场，和
其中定子设置有多个电绕组，所述电绕组配置成与第一和第二平台的磁体系统产生的磁场相互作用以便产生对第一和第二平台的力以相对于定子沿第一方向定位它们，
所述方法包括步骤：
确定第一平台相对于定子在第一方向上的位置；
选择电绕组的第一子组，所述电绕组的第一子组能够具有与在所确定的第一平台位置处的第一平台的磁体系统的磁场的不可忽略的相互作用；
确定第二平台相对于定子在第一方向上的位置；
选择电绕组的第二子组，所述电绕组的第二子组能够具有与在所确定的第二平台位置处的第二平台的磁体系统的磁场的不可忽略的相互作用；和
激励第一和第二子组中的电绕组以便相对于定子定位第一和第二平台，
其中激励第一和第二子组中的电绕组的步骤包括步骤：
确定作为第一子组的一部分且作为第二子组的一部分的电绕组；和
排除作为第一子组的一部分且作为第二子组的一部分的至少一个电绕组使其不受激励。
14.如权利要求13所述的方法，其中多平台系统的定子基本上平行于第二方向延伸，所述第二方向基本上垂直于第一方向，其中第一和第二平台相对于定子在第一和第二方向上是可移动的；并且其中所述方法还包括步骤：
确定第一平台相对于定子在第二方向上的位置；
确定第二平台相对于定子在第二方向上的位置。
15.如权利要求13所述的方法，其中激励电绕组以使两个平台彼此靠近直到第一和第二平台彼此接触为止，并且其中在实现接触之后，通过激励第一和第二子组的全部电绕组来将第一和第二平台作为单个平台进行控制。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108604853A (zh) * 2016-02-12 2018-09-28 Asml荷兰有限公司 多相线性电动机、多相平面电动机、平台、光刻设备和器件制造方法
US11303175B2 (en) 2016-02-12 2022-04-12 Asml Netherlands B.V. Multiphase linear motor, multiphase planar motor, stage, lithographic apparatus and device manufacturing method

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2008696A (en) 2011-05-25 2012-11-27 Asml Netherlands Bv A multi-stage system, a control method therefor, and a lithographic apparatus.
WO2013059934A1 (en) 2011-10-27 2013-05-02 The University Of British Columbia Displacement devices and methods for fabrication, use and control of same
CN104364881A (zh) * 2012-04-13 2015-02-18 株式会社尼康 移动体装置、曝光装置以及器件制造方法
JP6373992B2 (ja) 2013-08-06 2018-08-15 ザ・ユニバーシティ・オブ・ブリティッシュ・コロンビア 変位デバイスおよび方法とそれに関連付けられた運動を検出し推定するための装置
WO2015179962A1 (en) 2014-05-30 2015-12-03 The University Of British Columbia Displacement devices and methods for fabrication, use and control of same
WO2015184553A1 (en) 2014-06-07 2015-12-10 The University Of British Columbia Methods and systems for controllably moving multiple moveable stages in a displacement device
EP3155712A4 (en) 2014-06-14 2018-02-21 The University Of British Columbia Displacement devices, moveable stages for displacement devices and methods for fabrication, use and control of same
WO2017004716A1 (en) 2015-07-06 2017-01-12 The University Of British Columbia Methods and systems for controllably moving one or more moveable stages in a displacement device
DE102021100200A1 (de) * 2021-01-08 2022-07-14 benjamin Systems GmbH Flächenmotor und Verfahren zum Ansteuern eines Flächenmotors

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030155820A1 (en) * 2002-02-18 2003-08-21 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Magnetically shielded linear motors, and stage apparatus comprising same
US6870284B2 (en) * 2001-02-23 2005-03-22 Canon Kabushiki Kaisha Linear motor and stage apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method using the same
JP2005310808A (ja) * 2004-04-16 2005-11-04 Canon Inc 電子線露光装置
JP2006246570A (ja) * 2005-03-01 2006-09-14 Canon Inc リニアモータ及びリニアモータを利用した露光装置
JP4314555B2 (ja) * 2002-12-03 2009-08-19 株式会社ニコン リニアモータ装置、ステージ装置、及び露光装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001217183A (ja) 2000-02-04 2001-08-10 Nikon Corp モータ装置、ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2002112526A (ja) 2000-06-26 2002-04-12 Nikon Corp 平面モータ、ステージ位置決めシステム、露光装置
JP2002231622A (ja) * 2000-11-29 2002-08-16 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
EP1243969A1 (en) 2001-03-20 2002-09-25 Asm Lithography B.V. Lithographic projection apparatus and positioning system
JP4362862B2 (ja) * 2003-04-01 2009-11-11 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
JP2005327993A (ja) 2004-05-17 2005-11-24 Canon Inc 位置決め装置、露光装置及びデバイス製造方法
US7667822B2 (en) * 2006-02-14 2010-02-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and stage apparatus
TWI454859B (zh) * 2006-03-30 2014-10-01 尼康股份有限公司 移動體裝置、曝光裝置與曝光方法以及元件製造方法
US7592760B2 (en) * 2006-09-11 2009-09-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2008075749A1 (ja) * 2006-12-21 2008-06-26 Nikon Corporation 露光方法及び装置、並びに基板保持装置
WO2008078688A1 (ja) * 2006-12-27 2008-07-03 Nikon Corporation ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
NL1035987A1 (nl) * 2007-10-02 2009-04-03 Asml Netherlands Bv Method for positioning an object by an electromagnetic motor, stage apparatus and lithographic apparatus.
KR20090107435A (ko) * 2008-04-08 2009-10-13 캐논 가부시끼가이샤 스테이지 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2009253090A (ja) * 2008-04-08 2009-10-29 Canon Inc 位置決めステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法
US8902402B2 (en) * 2008-12-19 2014-12-02 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
NL2008696A (en) 2011-05-25 2012-11-27 Asml Netherlands Bv A multi-stage system, a control method therefor, and a lithographic apparatus.
US9030057B2 (en) 2011-06-24 2015-05-12 Nikon Corporation Method and apparatus to allow a plurality of stages to operate in close proximity

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6870284B2 (en) * 2001-02-23 2005-03-22 Canon Kabushiki Kaisha Linear motor and stage apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method using the same
US20030155820A1 (en) * 2002-02-18 2003-08-21 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Magnetically shielded linear motors, and stage apparatus comprising same
JP4314555B2 (ja) * 2002-12-03 2009-08-19 株式会社ニコン リニアモータ装置、ステージ装置、及び露光装置
JP2005310808A (ja) * 2004-04-16 2005-11-04 Canon Inc 電子線露光装置
JP2006246570A (ja) * 2005-03-01 2006-09-14 Canon Inc リニアモータ及びリニアモータを利用した露光装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108604853A (zh) * 2016-02-12 2018-09-28 Asml荷兰有限公司 多相线性电动机、多相平面电动机、平台、光刻设备和器件制造方法
US11303175B2 (en) 2016-02-12 2022-04-12 Asml Netherlands B.V. Multiphase linear motor, multiphase planar motor, stage, lithographic apparatus and device manufacturing method
US11837931B2 (en) 2016-02-12 2023-12-05 Asml Netherlands B.V. Multiphase linear motor, multiphase planar motor, stage, lithographic apparatus and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
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