CN109564398A - 定位系统、用于定位的方法、光刻设备及器件制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种定位系统，所述定位系统包括第一主体、第二主体、布置在第一主体和第二主体之间的致动器以相对于第二主体定位第一主体；其中所述致动器包括串联布置的第一压电致动器和第二压电致动器，其中第一压电致动器具有第一迟滞，其中第二压电致动器具有第二迟滞，所述第二迟滞小于第一迟滞，其中第二压电致动器具有至少等于第一迟滞的定位范围。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年8月4日递交的欧洲专利申请EP16182808.2的优先权，通过引用将其的全文并入本文中。
技术领域
本发明涉及一种定位系统、用于定位的方法、光刻设备及器件制造方法。
背景技术
光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底上的机器，通常施加到衬底的目标部分上。光刻设备能够用在例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成于所述IC的单层上的电路图案。可以将这种图案转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或若干个管芯)上。所述图案的转印通常经由将图案成像到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层来进行。通常，单个衬底将包括被连续地形成图案的相邻目标部分的网络。常规的光刻设备包括：所谓的步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与所述方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印至衬底上而将图案从图案形成装置转印至衬底。
光刻设备通常包括需要被准确地定位的一个或更多个物体或主体。因此，所述物体或主体的示例是用于支撑所述光刻设备的支撑件和构造用以保持所述衬底的衬底台。
被布置用于准确地定位所述物体的致动器需要具有相对大的移动范围和亚纳米的分辨率。目前，低刚度洛伦兹(Lorentz)致动器被用于这一用途。洛伦兹致动器的缺点是相对大的移动质量和热负荷。
发明内容
期望提供一种具有减小的移动质量和/或减小的热负荷的致动器。
根据本发明的实施例，提供了一种定位系统，包括：
第一主体；
第二主体；
布置在第一主体和第二主体之间的致动器，以相对于第二主体定位第一主体；并且
其中所述致动器包括串联布置的第一压电致动器和第二压电致动器，
其中第一压电致动器具有第一迟滞，
其中第二压电致动器具有第二迟滞，且所述第二迟滞小于第一迟滞，
其中第二压电致动器具有至少等于第一迟滞的定位范围。
根据本发明的另一实施例，提供了一种利用布置在第一主体和第二主体之间的致动器相对于所述第二主体定位第一主体的方法，
其中所述致动器包括串联布置的第一压电致动器和第二压电致动器，
其中所述第一压电致动器具有第一迟滞，
其中所述第二压电致动器具有第二迟滞，所述第二迟滞小于第一迟滞，
其中第二压电致动器具有至少等于第一迟滞的定位范围，
其中所述方法包括以下步骤：
a)驱动所述第一压电致动器以相对于所述第二主体定位所述第一主体；
b)驱动所述第二压电致动器以补偿所述第一压电致动器的所述迟滞。
根据本发明的又一实施例，提供了一种光刻设备，包括根据本发明所述的定位系统。
根据本发明的还一实施例，提供了一种器件制造方法，其中使用根据本发明所述的定位系统、根据本发明所述的方法或根据本发明所述的光刻设备。
附图说明
现在仅通过举例的方式参考所附的示意图来描述本发明的实施例，附图中相应的附图标记表示相应的部件，并且其中：
图1描绘了根据本发明的实施例的光刻设备；
图2描绘了根据本发明的实施例的定位系统；
图3描绘了用于对图2的所述定位系统进行控制的控制系统。
具体实施方式
图1示意性地描绘了根据本发明的一个实施例的一种光刻设备。所述光刻设备包括：
照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如，UV辐射或者EUV辐射)；
支撑结构(例如掩模台)MT，构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与被配置用于根据特定参数准确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；
衬底台(例如晶片台)WTa或WTb，构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W并与被配置成根据特定的参数准确地定位所述衬底的第二定位装置PW相连；和
投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。
照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，诸如折射型部件、反射型部件、磁性型部件、电磁型部件、静电型部件或其它类型的光学部件、或其任意组合，用于引导、成形、和/或控制辐射。
所述支撑结构MT支撑所述图案形成装置MA，即承载所述图案形成装置MA的重量。支撑结构以取决于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设计、以及诸如以图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其它条件的方式为例来保持所述图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的、或其它夹持技术来保持所述图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要是固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于所需的位置处，例如相对于投影系统PS。在这里使用的任何术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面中赋予辐射束、以便在衬底W的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予投影束的图案可能不与在衬底W的目标部分中的所期望的图案完全相对应，例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上所形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置MA可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列、以及可编程LCD面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型、以及各种混合掩模类型的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜能够独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
这里使用的术语“辐射束”包括全部类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如，具有为或约365、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如，具有在5-20nm的范围内的波长)，以及粒子束，诸如离子束或电子束)。
这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型、和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空的其它因素所适合的。这里使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
如此处所示，所述光刻设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述光刻设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。
光刻设备可以是具有两个(“双平台”)或更多个衬底台(和/或两个或更多个掩模台)的类型。在这种“多平台”机器中，可以并行地使用额外的台，或者可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，使用一个或更多个其它的台用于曝光。在图1的示例中，所述两个衬底台WTa和WTb是这种情况的图示。在此所披露的本发明能够被以独立的方式使用，但是具体地，在单平台设备或多平台设备中的预曝光测量平台中能够提供额外的功能。额外的台可以被布置用以保持至少一个传感器，而不是保持衬底W。所述至少一个传感器可以是用于测量所述投影系统PS的属性的传感器、用于检测在所述图案形成装置MA上的标识相对于所述传感器或任何其它类型的传感器的的位置的传感器。所述额外的台可以包括清洁装置，例如用于清洁所述投影系统PS的部件、或所述光刻设备的任何其它部件。
所述光刻设备也可以是这种类型：其中衬底W的至少一部分可以由具有相对高的折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充介于投影系统PS和衬底W之间的空间。浸没液体还可以施加到所述光刻设备中的其它空间，例如在图案形成装置MA和投影系统PS之间的空间。众所周知，浸没技术用于增加投影系统的数值孔径。此处使用的术语“浸没”并不意味着必须将结构(诸如衬底W)浸没到液体中，而是仅意味着在曝光期间液体位于投影系统PS和所述衬底W之间。
参照图1，所述照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。所述辐射源SO和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当所述辐射源SO为准分子激光器时)。在这种情况下，不会认为所述辐射源SO形成所述光刻设备的一部分，并且借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD，将所述辐射束从所述辐射源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述辐射源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。
所述照射器IL可以包括配置用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，能够对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，诸如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所期望的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在所述支撑结构MT上的所述图案形成装置MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经穿过所述图案形成装置MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将所述束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。借助于第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉量测装置、线性编码器或电容传感器)，能够准确地移动所述衬底台WTa/WTb，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，能够将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径准确地定位所述图案形成装置MA。通常，可以借助于形成所述第一定位装置PM的部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)来实现所述支撑结构MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WTa/WTb的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述支撑结构MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对准标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置MA上的情况下，所述掩模对准标记M1、M2可以位于所述管芯之间。
所描绘的设备能够至少用于扫描模式中，在扫描模式中，在被赋予至辐射束的图案投影至目标部分C上时，同步地扫描支撑结构MT和衬底台WTa/WTb(即，单次动态曝光)。通过投影系统PS的放大(缩小)以及图像反转特性来确定衬底台WTa/WTb相对于支撑结构MT的速度和方向。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次动态曝光中的目标部分的宽度(在非扫描方向上)，而扫描运动的长度确定目标部分的高度(在扫描方向上)。
除所述扫描模式之外，能够将所描绘的设备用于以下模式中的至少一种中：
1.在步进模式中，在将支撑结构MT和衬底台WTa/WTb保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后，将所述衬底台WTa/WTb沿X和/或Y方向移位，使得能够对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在另一种模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构MT保持为基本静止，并且在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，对所述衬底台WTa/WTb进行移动或扫描。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WTa/WTb的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式能够易于应用于利用可编程图案形成装置(诸如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变形，或完全不同的使用模式。
光刻设备LA是所谓的双平台类型，其具有两个衬底台WTa、WTb和两个站——曝光站和测量站，衬底台能够在曝光站和测量站之间进行交换。当一个衬底台上的一个衬底在曝光站被进行曝光时，另一衬底能够被加载到测量站处的另一衬底台上且可执行各种预备步骤。所述预备步骤可以包括使用水平传感器LS对衬底的表面进行映射和使用对准传感器AS测量所述衬底上的对准标记的位置。这能够实现所述设备的生产量的大幅度增长。如果当位置传感器IF位于所述测量站和所述曝光站时，所述位置传感器IF不能够测量所述衬底台的位置，则第二位置传感器可以被设置以能够实现所述衬底台的位置在两个站处被追踪。
所述设备还包括控制所描述的各种致动器和传感器的所有移动和测量的光刻设备控制单元LACU。控制单元LACU也包括信号处理和数据处理能力以实施与所述设备的操作有关的所期望的计算。实际上，控制单元LACU将实现为许多子单元的系统，每个子单元处置在所述设备内的子系统或部件的所述实时数据采集、处理和控制。例如，一个处理子系统可以专用于衬底定位装置PW的伺服控制。单独单元可以甚至处置粗调和微调致动器，或不同轴。另一单元可以专用于位置传感器IF的读取。设备的总控制可以受到中央处理单元控制，与这些子系统处理单元、操作者以及在光刻制造过程中涉及的其它设备通信。
图2示出根据本发明的实施例的定位系统，所述定位系统在图1的光刻设备中被实施以例如用来定位用于保持所述图案形成装置MA的所述支撑结构MT，或用来定位被构造以保持衬底W的所述衬底台WT的所述支撑结构MT。
所述定位系统包括两个可移动主体，即第一主体11和第二主体12，所述两个可移动主体相对于结构10是可移动的。所述结构10可以是平衡质量即配重(balance mass)、基架、支撑框架、或任何其它框架。
在本实施例中所述第一主体11是短行程平台的部分，并且在本实施例中所述第二主体12是长行程平台的部分。将长行程致动器13布置在所述结构10和所述第二主体12之间。这种长行程致动器13允许相对于参照物20粗定位所述第一主体11和第二主体12。
将致动器30布置在所述第一主体11和第二主体12之间以相对于所述第二主体12定位所述第一主体11。所述致动器30包括通过耦接元件33彼此串联连接的第一压电致动器31和第二压电致动器32。
所述第一压电致动器31具有第一迟滞(hysteresis)。所述第二压电致动器32具有小于所述第一迟滞的第二迟滞。所述第二压电致动器32具有至少等于所述第一迟滞的定位范围。这提供了这样的优点：所述第二压电致动器32能够被驱动以补偿所述第一压电致动器的迟滞，由此当使用非线性部件时实质上形成线性致动器。
在实施例中，所述第一压电致动器31包括第一压电材料，所述第二压电致动器32包括不同于所述第一压电材料的第二压电材料。所述第一压电材料可以具有所述第一迟滞。所述第二压电材料可以具有所述第二迟滞。
在实施例中，所述第一压电致动器31包括多晶材料，例如PZT材料。
在实施例中，所述第二压电致动器32包括单晶材料，例如LiNBO3、石英、PMN(-PT)和LiTaO3。
在实施例中，所述第一压电致动器31包括软掺杂材料，诸如软掺杂PZT材料，由此导致了所述软掺杂材料每单位长度具有大的移动范围，但是具有相对大的第一迟滞。所述第二压电致动器32包括硬掺杂材料，诸如硬掺杂PZT材料，由此导致了所述硬掺杂材料每单位长度具有小的移动范围，但具有小的第二迟滞。
所述第二压电致动器32的长度可以比所述第一压电致动器31的长度更大。以这种方式，所述第二压电致动器32可以包括所述压电材料，所述压电材料每单位长度具有小的移动范围。通过选择合适长度的所述第二压电致动器32，所述第二压电致动器32的总的移动范围(即，定位范围)可以等于或大于所述第一迟滞。
所述第二压电致动器32优选地具有低于0.1％的第二迟滞。
所述定位系统还可以包括力传感器40、加速度传感器50、位置传感器60和/或位置传感器70。所述力传感器40用于测量由所述致动器30所施加的在所述第一主体11与所述第二主体12之间的力。所述加速度传感器50用于测量所述第二主体12的加速度。所述位置传感器60用于测量所述第一主体11与第二主体12之间的相对位置。所述位置传感器70用于测量所述第一主体11相对于所述参照物20的相对位置。在实施例中，所述定位系统仅具有力传感器40、加速度传感器50、位置传感器60和位置传感器70中的一个或更多个。
所述致动器30由控制系统100驱动，该控制系统100和与可连接至所述控制系统100的所述部件一起在图3中被示意性地描绘出。
通往所述控制系统100的输入是用于所述第一主体11相对于参照物20的所期望位置的设定点110。将所期望位置与所述第一主体11相对于所述参照物20的实际测量位置170(如由位置传感器70所测量)进行比较。所述设定点110与测量位置170之间的差111由控制器112处理。控制器112输出用于将要由致动器30施加的所期望的致动器力的所期望的力信号113，以朝向所期望的位置推动第一主体11。
所期望的力信号113继而与代表由致动器30所施加的所述致动器力的实际的力信号114进行比较。为了确定由所述致动器30施加的实际的力，能够使用力传感器40的输出140、加速度传感器50的输出150、位置传感器60的输出160和/或位置传感器70的输出170。在本实施例中，所述实际的力信号114基于输出140、输出150、输出160和/或输出170中的至少一个由单元115产生。所述单元115可以基于直接测量的实际的力(例如，通过使用所述力传感器40)、或基于间接测量的实际的力(例如，通过使用所述加速度传感器50、位置传感器60、和/或位置传感器70)来产生实际的力信号114。
介于所期望的力信号113与所述实际的力信号114之间的差116被输入至对用于所述第一压电致动器31的驱动信号118进行计算的单元117。基于用于所述第一压电致动器31的驱动信号118，所述单元Hyst能够确定用于所述第二压电致动器32的驱动信号119，以便补偿所述第一压电致动器31的迟滞。
以这样的方式，基于介于所述第一主体11的所期望的位置与所述第一主体11的测量位置之间的差，提供闭环位置控制。所述闭环位置控制包括基于介于将要由致动器30所施加的通过所述闭环位置控制而确定的所期望的力与由所述致动器30施加的直接或间接测量的力之间的差的闭环力控制。因此，通过对致动器30适当的控制，将人为地减少所述第一主体11与第二主体12之间的致动器30的连接的刚度。
除了已经示出的传感器，通过使用所述第一物体11的压电自动感测(piezo-auto-sensing)和/或加速度来测量所述致动器30施加的实际的力，也可能确定所述实际的力信号114。
在一个实施例中，所述第二主体12可以是静止的主体，例如固定至所述结构10的主体、或固定至所述参照物20的主体。可替代地，可以将另一可移动的主体布置在结构10与第二主体12之间。所述长行程致动器13被连接至所述另一可移动主体，因此所述长行程致动器13被布置以相对于另一可移动主体移动所述第二主体12。所述另一可移动主体具有用于相对于所述结构10移动所述另一可移动主体的另一致动器。在本实施例中，所述定位系统具有长行程平台、中行程平台和短行程平台，其中所述长行程平台包括所述另一可移动主体，其中所述中行程平台包括所述第二主体12且其中所述短行程平台包括所述第一主体11。所述长行程平台可以具有允许所述衬底W的整个表面移动穿过离开所述投影系统PS的所述辐射束的移动范围。所述中行程平台的移动范围可以小于所述长行程平台的移动范围，但足够大以移动目标部分C穿过离开所述投影系统PS的所述辐射束。所述短行程平台的移动范围可以小于所述中行程平台的移动范围，但足够大以校正所述中行程平台的位置误差。
所述长行程致动器13可以是线性马达或平面马达。所述长行程致动器13可以包括多个线圈，所述多个线圈可以根据所述第二主体12的位置而被整流。
所述致动器30可以被布置成沿单个方向(即，第一方向)驱动所述第一主体11。另外，可以将所述致动器30布置成沿多个方向驱动所述第一主体11。例如，所述第一压电致动器31和所述第二压电致动器32可以由另一压电致动器支撑。可以将所述另一致动器布置成沿不同于所述第一方向的第二方向移动所述致动器30或所述第一主体11。在本实施例中，所述致动器30和所述另一致动器被串联地布置。可替代地，所述另一致动器被平行于所述致动器30耦接至所述第一主体11。在本实施例中，所述致动器30可以包括用于允许所述第一主体11沿第二方向移动而在所述第二方向上是柔性的或可挠曲的柔性元件。所述另一致动器可以是压电型致动器，例如与致动器30相同类型的致动器。可替代地，所述另一致动器是不同类型的致动器，诸如洛伦兹(Lorentz)致动器。因此，可以将多个致动器组合以沿多个方向定位所述第一主体，例如以形成3DOF、4DOF、5DOF或6DOF定位系统，其中DOF表示自由度，所述多个致动器中的至少一个是根据本发明所述的致动器30。
可以将所述致动器30布置成旋转或倾斜所述第一主体11，而并非沿所述第一方向移动所述第一主体11。所述第一主体11相对于所述第二主体12可以是能够旋转的或能够倾斜的。
在图2的实施例中，所述第一压电致动器31位于耦接元件33的一侧处，且所述第二压电致动器32位于所述耦接元件33的另一侧处。可替代地，所述压电致动器31和压电致动器32中的一个或两者被分为多个部分，所述压电致动器31和压电致动器32以任何合适的方式被串联地布置。例如，所述第二致动器32被分为两个部分，其中所述第一致动器31位于两个部分之间，反之亦然。
尽管所述压电致动器未被更详细地描述，但是对于本领域技术人员而言显而易见的是能够使用包括压电材料的叠层的任何已知的配置。
尽管没有明确地提到，但是对于本领域技术人员而言显而易见的是本发明适用于压电致动器的所有的操作模式，所述操作模式包括但不限于剪切模式、纵向模式、厚度模式、径向模式等等。在单个叠层中使用多个模式也是可能的。
尽管所述第一压电致动器31和第二压电致动器32已经被一贯地描绘为经由耦接元件33进行彼此的连接，但是对于本领域技术人员将会显而易见的是所述耦接元件33是可选的元件。另外，耦接元件33可以仅是粘合层。
虽然在本文中具体参考了光刻设备在IC制造中的应用，但是应该理解，这里所述的光刻设备可以具有其他应用，诸如制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员将领会到，在这些替代应用的情景中，本文中使用的任何术语“晶片”或“管芯”可以被认为分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文中所提及的衬底可以在曝光之前或之后被处理，例如在轨道(一种通常将一层抗蚀剂涂覆到衬底上并且使被曝光的抗蚀剂显影的工具)中、量测工具和/或检查工具中。在可应用的情形中，此处的公开内容可以被应用至这种和其它衬底处理工具中。此外，所述衬底可以被处理一次以上，例如以便产生多层IC，从而使得本文中所用的术语衬底也可以表示已包含多个经过处理的层的衬底。
虽然上文已经对本发明的所述实施例用于光学光刻术的情况中作出了具体参考，将理解本发明可以用在其它的应用中，例如压印光刻术，并且只要情况允许，不局限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的形貌限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的形貌压制到待供应给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置被从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。
虽然上文已经描述了本发明的具体实施例，但是可以理解可以以与所述的不同的方式来实施本发明。例如，本发明可以采用包含一个或更多个描述上文所述的方法的机器可读指令的序列的计算机程序或其中已经存储有这种计算机程序的数据存储媒介(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。
上文的描述意图是示例性的，而不是限制性的。因此，本领域技术人员将明白在不背离下文所阐述的权利要求的范围的情况下可以对所述的本发明进行修改。
Claims (15)
1.一种定位系统，包括：
第一主体；
第二主体；
布置在第一主体和第二主体之间的致动器，以相对于第二主体定位第一主体；
其中所述致动器包括串联布置的第一压电致动器和第二压电致动器，
其中第一压电致动器具有第一迟滞，
其中第二压电致动器具有第二迟滞，所述第二迟滞小于第一迟滞，
其中第二压电致动器具有至少等于第一迟滞的定位范围。
2.根据权利要求1所述的定位系统，其中所述第一压电致动器包括第一压电材料，且其中第二压电致动器包括不同于第一压电材料的第二压电材料。
3.根据权利要求2所述的定位系统，其中所述第一压电材料包括多晶材料。
4.根据权利要求2-3中任一项所述的定位系统，其中所述第一压电材料包括硬掺杂材料。
5.根据权利要求2-4中任一项所述的定位系统，其中所述第二压电材料包括单晶材料。
6.根据权利要求2-5中任一项所述的定位系统，其中所述第二压电材料包括软掺杂材料。
7.根据权利要求2-6中任一项所述的定位系统，其中所述第二压电材料包括以下材料中的一种或更多种：
LiNBO3；
石英；
PMN(-PT)；
LiTaO3。
8.根据前述权利要求中任一项所述的定位系统，包括用于驱动所述致动器的控制系统，其中所述控制系统配置成驱动所述第一压电致动器以定位所述第一主体和驱动所述第二压电致动器，以便用于补偿所述第一压电致动器的第一迟滞。
9.根据权利要求8所述的定位系统，包括短行程平台和长行程平台，其中所述短行程平台包括所述第一主体，其中所述长行程平台包括所述第二主体，其中所述控制系统配置成通过使用基于介于所述短行程平台的期望位置和所述短行程平台的测量位置之间的差的闭环位置控制来驱动所述致动器。
10.根据权利要求9所述的定位系统，其中所述闭环位置控制包括闭环力控制，所述闭环力控制基于介于由所述致动器所施加的用于推动所述短行程平台至所述期望位置的由所述闭环位置控制所确定的期望的力与由所述致动器所施加的直接或间接测量的力之间的差。
11.根据权利要求10所述的定位系统，其中所述控制系统配置成通过测量以下参数中的一个或更多个来测量由致动器所施加的力：
i.由力传感器所测量的长行程平台和短行程平台之间的力；
ii.通过使用压电自动感测而重构的长行程平台和短行程平台之间的力；
iii.长行程平台和短行程平台之间的相对位置；
iv.长行程平台加速度；
v.短行程平台加速度；
vi.短行程平台或长行程平台相对于参考物的相对位置测量值。
12.一种利用布置在第一主体和第二主体之间的致动器相对于所述第二主体定位第一主体的方法，
其中所述致动器包括串联布置的第一压电致动器和第二压电致动器，
其中所述第一压电致动器具有第一迟滞，
其中第二压电致动器具有第二迟滞，所述第二迟滞小于第一迟滞，
其中第二压电致动器具有至少等于第一迟滞的定位范围，
其中所述方法包括以下步骤：
b)驱动所述第一压电致动器以相对于所述第二主体定位所述第一主体；
c)驱动所述第二压电致动器以补偿所述第一压电致动器的所述迟滞。
13.一种光刻设备，包括根据权利要求1-11中任一项所述的定位系统。
14.根据权利要求13所述的光刻设备，还包括：
照射系统，配置成调节辐射束；
支撑件，构造成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够在辐射束的横截面中将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束；
衬底台，构造成保持衬底；和
投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上，
其中所述支撑件或所述衬底台连接至所述第一主体。
15.一种器件制造方法，其中使用根据权利要求1-11中任一项所述的定位系统、根据权利要求12所述的方法或根据权利要求13-14中任一项所述的光刻设备。
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