JP4429267B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

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    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • G03F7/70725Stages control

Description

本発明はリソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。
リソグラフィ装置は基板に、通常はその基板のターゲット箇所に対して所望パターンを付与する機械である。例えば、リソグラフィ装置は集積回路(IC)の製造に使用できる。その環境において、ICの個々の層に形成すべき回路パターンを形成するために、マスクや焦点板とも別称されるパターン形成装置が使用される。このパターンは基板(例えば、シリコン・ウェーハ)上のターゲット箇所(例えば、一つまたは幾つかのダイよりなる部分を含む)に伝達される。パターンの伝達は、典型的には像形成を経て基板上に備えられている放射光感応物質(レジスト)の層へ伝達される。一般に、一つの基板は連続的にパターン形成されるターゲット箇所が隣接されたネットワークを含む。従来のリソグラフィ装置は、一度にパターン全体をターゲット箇所に露光させることで各ターゲット箇所が照射されるいわゆるステッパと、投影ビームを通してパターンを所定の方向(「走査」方向)へ走査すると同時に、その方向と平行または非平行な方向へ基板を同期して走査することで各ターゲット箇所が照射されるいわゆるスキャナとを含む。基板にパターンをインプリントすることによって、パターン形成装置から基板へパターンを伝達することも可能である。
リソグラフィ投影装置において、ステッパ作動およびスキャナ作動を遂行するために高精度の制御システムを見い出すことができる。そのような作動制御システムにおいては、例えば、マスク・テーブルや焦点板ステージRS、または基板テーブルやウェーハ・ステージWSを幾つかの自由度のもとで移動させるアクチュエータを制御するために作動制御装置が使用される。
そのような作動制御装置の設計における目的は、組合わされる作動システムの頑丈さを保証し、高い帯域幅を得ることである。特に、位置に応じた力学、剛性や減衰特性のような使用材料の機械的特性の変化、および、異なる質量を有するか連結された異なる焦点板またはウェーハによって影響される移動対象の質量、が原因となって生じるシステム変化に対する頑丈さを保証することが望ましい。例えば、移動対象の機械的固有振動数の結果として走査時に測定位置が変化する支持構造や基板テーブルのような移動対象上の点を考慮して、作動制御装置は移動対象のあらゆる位置に対して頑丈であることが望ましい。
しかしながら、作動制御装置は対象物の異なる位置でのこれらの変化の全てに対して安定していなければならないので、作動システムの帯域幅は制限されることになる。作動制御システムの制限された帯域幅は安定化時間、およびリソグラフィ装置の処理量を制限する。
作動システムの帯域幅を増大させることが望まれる。
本発明の一実施例によれば、放射ビームを調整するために構成された照射系と、パターン形成された放射ビームを形成するために放射ビームの横断面にパターンを与えることのできるパターン形成装置を支持するように構成された支持構造と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン形成された放射ビームを基板のターゲット箇所に投影するように構成された投影系と、支持構造および基板テーブルの少なくとも一方の位置を連続位置に沿って制御するための送り関数を有する制御装置を含む作動制御システムとを含み、この送り関数は複数の位置送り関数を合計して構成され、各々の位置送り関数は前記位置のそれぞれ一つの位置について定められ、またそれぞれ重み関数を乗じられるようになされているリソグラフィ装置が提供される。
本発明の一実施例によれば、パターン形成装置からのパターンを基板に伝達するように構成されたリソグラフィ装置であって、可動の対象物体と、前記対象物体の位置を連続位置に沿って制御する送り関数を有する制御装置を含む作動制御システムとを含み、送り関数は複数の位置送り関数を合計して構成され、各々の位置送り関数は前記位置のそれぞれ一つの位置について定められ、またそれぞれ重み関数を乗じられるようになされているリソグラフィ装置が提供される。
本発明の一実施例によれば、パターン形成装置からのパターンを基板上へ伝達することを含むデバイス製造方法であって、連続位置に沿う可動対象物体の位置が前記対象物体の位置を連続位置に沿って制御する送り関数を有する制御装置で制御され、またその送り関数が複数の位置送り関数を合計して構成され、各々の位置送り関数はそれぞれ一つの位置について定められ、またそれぞれ重み関数を乗じられるようになされているデバイス製造方法が提供される。
本発明の一実施例において、可動対象物体の移動を制御するように構成された作動制御システムであって、送り関数を有し、複数の位置に沿う対象物体の位置を制御するように構成された制御装置を含み、送り関数は複数の位置送り関数の合計を含み、複数の位置送り関数の各々はそれらの位置の一つにおいてそれぞれ定められ、またそれぞれの位置送り関数は重み関数を乗じられるようになされている作動制御システムが提供される。
本発明の他の実施例において、放射ビームを調整するように構成された照射系と、パターン形成された放射ビームを形成するために放射ビームの横断面にパターンを与えることのできるパターン形成装置を支持するように構成されたパターン形成装置の支持部と、基板を保持するように構成された基板の支持部と、パターン形成された放射ビームを基板のターゲット箇所に投影するように構成された投影系と、これらの支持部の少なくとも一方の位置を複数の位置に沿って制御するように構成された作動制御装置とを含み、この制御装置は複数の位置送り関数の合計を含む送り関数を有し、各々の位置送り関数は複数の位置のそれぞれ一つの位置について定められ、またそれぞれの位置送り関数は重み関数を乗じられるようになされているリソグラフィ装置が提供される。
本発明の実施例は、添付の模式図を参照し、単なる例をあげて以下に説明される。添付図面において同じ符号は同じ部分を示している。
図1は本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を模式的に示している。この装置は、放射ビームB(例えば、UV放射光または他の適当な放射光)を調整するために構成された照射系(照射装置)ILと、パターン形成装置(例えば、マスク)MAを支持するために構成され、或るパラメータにしたがってそのパターン形成装置を正確に位置決めするために構成された第一の位置決め装置PMに連結されている支持構造、すなわちパターン形成装置の支持部(例えば、マスク・テーブル)MTとを含む。この装置はまた、基板(例えば、レジスト被覆ウェーハ)Wを保持するために構成され、或るパラメータにしたがってその基板を正確に位置決めするために構成された第二の位置決め装置PWに連結されている基板テーブル、すなわち基板の支持部(例えば、ウェーハ・テーブル)WTと、第一の位置決め装置PMにより支持構造、すなわちパターン形成装置の支持部MTの位置を、および(または)第二の位置決め装置PWにより基板テーブル、すなわち基板の支持部WTの位置を制御するための作動制御システムMCとを含む。この装置はさらに、パターン形成装置MAで放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット箇所C(例えば、一つ以上のダイを含む)に投影するために構成された投影系(例えば、屈折式投影レンズ・システム)PSを含む。
照射系は、放射光の方向決め、成形または制御を行うために、さまざまな形式の光学要素、例えば屈折式、反射式、磁気式、電磁式、静電式その他の形式の光学要素、またはそれらのいずれかの組合せを含むことができる。
支持構造、すなわちパターン形成装置の支持部は、パターン形成装置を支持する、すなわちその重量を支える。支持構造は、パターン形成装置の配向、リソグラフィ装置の設計、または例えばパターン形成装置が真空環境中で保持されているか否かのような他の条件に応じて、パターン形成装置を保持する。支持構造、すなわちパターン形成装置の支持部は、パターン形成装置の保持のために機械的、真空圧式、静電式または他のクランプ技術を使用できる。支持構造、すなわちパターン形成装置の支持部は、例えば必要に応じて固定されるか可動とされるフレームまたはテーブルとすることができる。支持構造、すなわちパターン形成装置の支持部は、パターン形成装置が例えば投影系に対して所望位置にあることを保証する。本明細書で使用する「焦点板」または「マスク」という用語はさらに一般的な用語である「パターン形成装置」と同義語であるとみなせる。
本明細書で使用する「パターン形成装置」というは用語は、基板のターゲット箇所にパターンを形成するために、放射ビームの横断面にパターンを付与するために使用できるあらゆる装置を示すものと広く解釈されねばならない。放射ビームに付与されるパターンは、例えばパターンが位相シフト造作またはいわゆる補助造作を含む場合には、基板のターゲット箇所に望まれるパターンと厳密に同じではないことに留意しなければならない。一般に放射ビームに付与されるパターンは、ターゲット箇所に形成される集積回路のようなデバイスの特定の機能層に一致されることになる。
パターン形成装置は透過式または反射式とすることができる。パターン形成装置の例には、マスク、プログラム可能ミラー・アレー、およびプログラム可能LCDパネルが含まれる。マスクはリソグラフィでは周知であり、二値化式、交番位相シフト式、減衰位相シフト式、ならびに各種のハイブリッド・マスクのようなマスク形式が含まれる。プログラム可能ミラー・アレーの一例は小さなミラーのマトリックス配列を使用するもので、個々のミラーは入射した放射ビームを異なる方向へ反射するように個別に傾動されることができる。これらの傾動されたミラーが、そのミラー・マトリックスで反射された放射ビームにパターンを付与する。
本明細書で使用する「投影系」という用語は、使用される露出放射光に適当であるように、または浸漬流体を使用したり真空圧を使用するような別の要因に対して適当であるように、屈折式、反射式、屈折反射式を、磁気式、電磁式および静電式の光学系またはそれらのいずれかの組合せを含むいずれかの形式の投影系を包含するものと広く解釈しなければならない。本明細書で使用する「投影レンズ」という用語はさらに一般的な「投影系」という用語と同意語とみなすことができる。
本明細書で示すように、この装置は透過式(例えば、透過式マスクを使用する)のものである。これに代えて、装置を反射式(例えば、上述した形式のプログラム可能ミラー・アレーを使用するか、反射式マスクを使用する)とすることもできる。
このリソグラフィ装置は二つ(デュアル・ステージ)以上の基板テーブル(および(または)二つ以上のマスク・テーブル)を有する形式とされることができる。そのような「多段」機械においては、付加されるテーブルは平行して使用されるか、一つ以上のテーブルが露光に使用されている間に他の一つ以上のテーブルは準備作業を遂行されることができる。
リソグラフィ装置はまた、基板の少なくとも一部が比較的大きい屈折率を有する液体、例えば水で覆われて、投影系と基板との間隔空間がその液体で充満されるようになされる形式のものとすることもできる。浸漬用液体はまたリソグラフィ装置の他の空間、例えばマスクと投影系との間にも付与できる。浸漬技術は投影系の開口数(NA)を増大させるために当分野で周知である。本明細書で使用される「浸漬」という用語は、基板のような構造が液体中に沈められねばねならないことを意味するのではなく、むしろ露光時に液体が投影系と基板との間に存在することを意味するだけである。
図1を参照すれば、照射系ILは放射光源SOから放射ビームを受入れる。例えば放射光源が励起レーザーである場合には、放射光源およびリソグラフィ装置は完全に分離されることができる。その場合、放射光源はリソグラフィ装置の一部を形成するものと考えるのではなく、放射ビームは放射光源SOから、例えば適当な方向決めミラーおよび(または)ビーム拡張機を含むビーム導入システムBDによって照射装置ILへ送られる。他の場合には、例えば放射光源が水銀ランプであるときは、放射光源はリソグラフィ装置の一体部分とされることができる。放射光源SOおよび照射装置ILは、必要ならばビーム導入システムBDと一緒にして放射系と称することができる。
照射装置ILは、放射ビームの角度の強さ分布を調整する調整装置ADを含むことができる。一般に、照射装置の瞳面におけるこの強さ分布の半径方向の少なくとも外側範囲および(または)内側範囲(一般にそれぞれσ−アウターおよびσ−インナーと称される)は調整することができる。さらに、照射装置ILは積分装置INおよびコンデンサーCOのような他のさまざまな構成部材を含むことができる。照射装置は、放射ビームを調整し、また横断面に所望の均一性および強さ分布を与えるために使用される。
投影ビームBは支持構造、すなわちパターン形成装置の支持部(例えば、マスク・テーブルMT)上に保持されたパターン形成装置(例えば、マスクMA)に入射され、そのパターン形成装置によってパターン化される。マスクMAを横断した放射ビームBは投影系PSを透過する。この投影系は基板Wのターゲット箇所C上にビームの焦点を結ばせる。第二の位置決め装置PWおよび位置センサーIF(例えば、干渉装置、線形エンコーダ、または容量式センサー)により、例えば放射ビームBの光路内に異なるターゲット箇所Cを位置決めするように基板テーブルWTは正確に移動されることができる。同様に、例えば、マスク保管場所からマスクが機械的に取出された後、または走査中に、放射ビームBの光路に対してマスクMAを正確に位置決めするために、第一の位置決め装置PMおよび他の位置センサー(図1に明確に示されていない)を使用することができる。一般に、マスク・テーブルMTの動きは、第一の位置決め装置PMの一部を構成する長ストローク用モジュール(粗い位置決め)および短ストローク用モジュール(微細な位置決め)によって実現される。同様に、基板テーブル、すなわち基板の支持部WTの動きは、第二の位置決め装置PWの一部を構成する長ストローク用モジュールおよび短ストローク用モジュールを使用して実現される。ステッパ(スキャナに対して)の場合には、マスク・テーブル、すなわち基板の支持部MTは短ストローク用アクチュエータにのみ連結されるか、固定される。マスクMAおよび基板Wはマスク整合マークM1,M2および基板整合マークP1,P2を使用して整合される。基板整合マークは図示するように与えられたターゲット箇所を占めるが、それらはターゲット箇所の間の空間内に位置される(それらは罫書き線の整合マークとして知られている)。同様に、二つ以上のダイがマスクMAに備えられた状態においては、マスク整合マークはダイの間に位置されることができる。
図示装置は以下のモードの少なくとも一つにおいて使用できる。
ステップ・モード:マスク・テーブルMTすなわちパターン形成装置の支持部および基板テーブルWTすなわち基板の支持部は基本的に静止状態に保持される一方、放射ビームに与えられたパターン全体は一度にターゲット箇所C上に投影される(すなわち、一度の静止露光)。その後基板テーブルすなわち基板の支持部WTはXおよび(または)Y方向へ移動されて、別のターゲット箇所Cが露光できるようになされる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大寸法が一度の静止露光で像形成されるターゲット箇所Cの寸法を制限する。
走査モード:放射ビームに与えられたパターンがターゲット箇所C上に投影される(すなわち、一度の動的露光)間、マスク・テーブルすなわちパターン形成装置の支持部MTおよび基板テーブルすなわち基板の支持部WTは同期して走査される。マスク・テーブルすなわちパターン形成装置の支持部MTに対する基板テーブルすなわち基板の支持部WTの速度および方向は、投影系PSLの倍率(縮小率)および像倒立特性によって決まる。走査モードでは、露光フィールドの最大寸法は一度の動的露光でのターゲット箇所の幅(非走査方向)を制限するのに対して、走査動作の長さはターゲット箇所の高さ(走査方向)を決定する。
他のモード:マスク・テーブルすなわちパターン形成装置の支持部MTは基本的に静止状態に保持されてプログラム可能パターン形成装置を保持し、基板テーブルすなわち基板の支持部WTは放射ビームに与えられたパターンがターゲット箇所Cに投影される間に移動すなわち走査される。このモードでは、一般にパルス放射光源が使用され、プログラム可能パターン形成装置は基板テーブルすなわち基板の支持部WTの各々の移動の後、または走査時の連続的な放射光パルスの間に、要求に応じてアップデートされる。この作動モードは、上述で引用した形式のプログラム可能ミラー・アレーのようなプログラム可能なパターン形成装置を使用するマスク無しリソグラフィにも容易に適用することができる。
上述した使用モードまたは全く異なる使用モードの組合せおよび(または)変更も使用することができる。
図1および図2を参照すれば、リソグラフィ装置において対象物体の制御された移動は、焦点板ステージのような対象物体2を参照して図示される。対象物体2の位置(六つの自由度を有する)は投影系PSの中心(論理的なx,y,z軸線(図1))に対して定められる。焦点板ステージの場合、これは投影系PSの頂部に取付けられたエンコーダにより水平なx,y軸線に関して行われる。エンコーダはこれ以上詳細に示されない。垂直軸線zに関しては、これは投影系PSの頂部に同様に取付けられた容量式センサーで行われる。容量式センサーはこれ以上詳細に示されない。測定系マトリックスを使用することで、これらの全てのセンサーで測定された信号が論理的六つの自由度x,y,z,rx,ry,rzに変換される。走査中、対象物体2はy方向に移動され、センサーが測定する対象物体上の位置は変化する。焦点板ステージの場合、エンコーダに関してはこれはエンコーダ目盛線上の測定位置がy方向に変化することを暗示する。容量式センサーに関しては、焦点板ステージの下方の投影系PSの一部上での測定箇所が同様にy方向へ移動することを暗示する。図2には、外側のy測定位置y1,y2が示されており、対象物体2の中心で測定されている。
焦点板ステージの重量中心が投影系PSの中心に対して移動するという事実による力学的な変化を補償するために、対象物体2(補償される機構)と組合わされた制御装置(作動制御システムの一部をなす)内に補償器(ゲイン・スケジューリング・マトリックス)を使用することができる。しかしながら、この補償器は単に剛性体の影響を補償するだけである。対象物体2は剛性体ではないので、モード形と組合う固有振動数を有する。対象物体2上の位置測定点はy位置に応じて変化する間、それらのモード形は別に測定されることになり、対象物体2の測定された力学も変化する。これらの内部力学のために補償器は補償することができない。
対象物体を形成する材料の特性が実質的に異なるモード形に関して実質的に線形とみなせるので、モード形の測定された振幅はy位置によりほぼ線形に変化すると仮定できる。この系を状態空間式で記載するならば、線形パラメトリック変化(LPV)する位置に応じた系が得られる。
Figure 0004429267
マトリックスおよびBマトリックスは位置yの線形関数である。この場合、yはy方向のセットポイントに等しい。これは、対象物体2の送り関数を多数の位置で測定できること、および組合う送り関数は測定位置間の位置における送り関数を得るために内挿(補間)できることを暗示する。以下の数2の関係により、位置による送り関数HCMに以下の関数を使用できる。
Figure 0004429267

ここで、
H 送り関数を示す
CM 補償済み機構に対する関係を示す
s ラプラス演算子である(s=jω)
また、位置による送り関数には、位置yに線形に応答する線形スケジューリング関数(重み関数とも称する)も使用される。図3に示されるように、このスケジューリング関数は以下の特徴を有する(図3は例として三つのスケジューリング関数を示している)。
Figure 0004429267
試験性能によれば、幾つかの位置における送り関数の測定値は、位置による送り関数がLPVモデルとしてモデル化できること、および送り関数がy位置でほぼ線形に変化するという仮定が正しいことを示している。
図4に示されるように、対象物体を位置決めするz方向の補償済み機構の送り関数は、例えば3つのy位置、すなわち−pmm、0、+pmm(pは任意の数)で測定される。位置による送り関数は次式でモデル化できる。
Figure 0004429267
この関数を確実なものとするために、補償済み機構は幾つかの位置において測定され、モデルの送り関数と比較される。それらの測定値から、この送り関数が上述したようなLPVモデルで記述できることが明らかになった。
位置に応じて力が線形に変化しない場合でも、上述した数2の関係式に従う関数で補償済み機構をモデル化できることに留意する。さらに、位置yにより、例えばFEMモデルを使用し、または形態分析により変化する力の関数が定められたならば、この関数はスケジュール関数に使用できる。したがって、このスケジュール関数は線形である必要はなく、非線形関数となり得る。後者の場合、より多くの位置での測定が必要となる。また、非線形関数による補償は力学的に高い帯域幅をもたらし、したがって設定時間を短くし、関係する装置の処理量を増大させる。
本明細書ではIC製造におけるリソグラフィ装置の使用に特別に言及されたが、ここに記載したリソグラフィ装置は一体型光学系、磁気定義域メモリのガイドおよび検出パターン、平坦なパネル表示装置、液晶表示装置(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどの他の応用例のあることを理解しなければならない。このような代替応用例では、本明細書で使用した「ウェーハ」や「ダイ」という用語が、それぞれさらに一般的な用語である「基板」や「ターゲット箇所」と同義語であるとみなせることを当業者は認識するであろう。本明細書で引用した基板は、露光前または露光後に例えばトラック(典型的に基板にレジスト層を付与し、また露光したレジストを現像する工具)、冶金工具および(または)検査工具で処理することができる。可能ならば、本明細書の開示内容はそれらの基板処理工具や他の基板処理工具にも適用することができる。さらに、基板は、例えば複層ICを製造するために一回以上処理されることができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数回処理された層を含む基板を表すこともできる。
光学式リソグラフィに関連した本発明の実施例を使用する特別な引用例を上述したが、本発明は他の適用例、例えばインプリント式リソグラフィにおいても使用でき、また脈絡が許されるならば光学式リソグラフィ装置に限定されないことが認識されるであろう。インプリント式リソグラフィでは、パターン形成装置の形状図(トポグラフィ)が基板に与えられているレジスト層に押圧され、これによりレジストが電磁放射、熱、圧力またはそれらを組合せて与えられることで硬化される。パターン形成装置はレジストが硬化した後にレジストから取外されてパターンを残す。
焦点板ステージおよび(または)ウェーハ・ステージの移動のために、本発明による制御装置を使用する特別な引用例が上述されたが、その制御装置はリソグラフィ装置において任意の対象物体を移動させるために使用できる。
本明細書で使用する「放射光」および「ビーム」という用語は、紫外(UV)線(例えば、365,248,193,157または126nmの波長を有する)、および極紫外(EUV)線(例えば、5〜20三もの範囲の波長を有する)、ならびにイオン・ビームや電子ビームのような流出ビームを含む全ての種類の電磁放射線を包含する。
脈絡が許されるならば、「レンズ」という用語は、屈折式、反射式、磁気式、電磁式および静電式の光学要素を含むさまざまな形式の光学要素のいずれか一つまたは組合せを表すことができる。
本発明の特別な実施例が上述で説明されたが、本発明は記載した以外の方法で実現することができることは認識されるであろう。例えば、可能ならば、本発明は上述した方法を記述する一つ以上の機械で読取り可能な指令のシーケンスを含むコンピュータ・プログラム、またはそのようなコンピュータ・プログラムが記憶されているデータ保存媒体(例えば、半導体メモリー、磁気または光学式のディスク)とされることができる。
上述の説明は説明のためのもので、限定することを意図していない。したがって当業者には説明された本発明に対して特許請求の範囲の欄に記載の範囲から逸脱せずに変更を行えることが明白となるであろう。
本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す。 対象物体の位置の沿ってを模式的に示す。 重み関数を示す。 異なる位置におけるスケジュール関数の使用を示す。
符号の説明
AD 調整装置
B 放射ビーム
BD ビーム導入系
C ターゲット箇所
CO コンデンサー
IF 位置センサー
IL 照射装置
IN 積分装置
M1,M2 マスク整合マーク
MA マスク
Me 作動制御システム
MT マスク・テーブル
P1,P2 基板整合マーク
PM 第一の位置決め手段
PS 投影系
PW 第二の位置決め装置
SO 放射光源
W 基板
2 可動の対象物体

Claims (16)

  1. 放射ビームを調整するように構成された照射系と、
    パターン形成された放射ビームを形成するために放射ビームの横断面にパターンを与えることのできるパターン形成装置を支持するように構成されたパターン形成装置の支持部と、
    基板を保持するように構成された基板の支持部と、
    パターン形成された放射ビームを基板のターゲット箇所に投影するように構成された投影系と、
    前記支持部の少なくとも一方の位置を複数の位置に沿って制御するための作動制御装置とを含み、前記制御装置は複数の位置送り関数の合計を含む送り関数を有し、各々の前記位置送り関数は前記位置のそれぞれ一つの位置について定められ、また各々の前記位置送り関数は重み関数を乗じられるようになされているリソグラフィ装置。
  2. 一送り関数が線形である請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
  3. 重み関数が位置に応じて変化する線形関数である請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
  4. 重み関数の合計は実質的に1に等しい請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
  5. 前記支持部の前記少なくとも一つがパターン形成装置の支持部である請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
  6. 前記支持部の前記少なくとも一つが基板の支持部である請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
  7. 前記作動制御装置が複数の位置に沿って前記支持部の両方の位置を制御するように構成された請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
  8. 送り関数を有し、また複数の位置に沿ってパターン形成装置の支持部の位置を制御するように構成された付加的な作動制御装置をさらに含む請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
  9. パターン形成装置からのパターンを基板に伝達するように構成されたリソグラフィ装置であって、
    可動の対象物体と、
    送り関数を有し、前記対象物体の位置を複数の位置に沿って制御するように構成された制御装置を含む作動制御システムとを含み、
    前記送り関数は複数の位置送り関数を合計して構成され、前記複数の位置送り関数の各々は前記位置の一つの位置について定められ、また前記複数の位置送り関数の各々は重み関数を乗じられるようになされているリソグラフィ装置。
  10. 前記可動対象物体がパターン形成装置を支持するように構成されたパターン形成装置の支持部である請求項9に記載されたリソグラフィ装置。
  11. 前記可動対象物体が基板を保持するように構成された基板の支持部である請求項9に記載されたリソグラフィ装置。
  12. パターン形成装置からのパターンを基板上へ伝達すること、および
    複数の位置に沿って可動対象物体の位置を制御装置で制御することとを含み、
    前記制御装置は送り関数を有し、前記複数の位置に沿って前記対象物体の位置を制御するように構成されており、また
    前記送り関数は複数の位置送り関数を合計して含み、前記複数の位置送り関数の各々はそれぞれ前記位置の一つの位置について定められ、前記複数の位置送り関数の各々はそれぞれ重み関数を乗じられるようになされていデバイス製造方法。
  13. 前記可動対象物体がパターン形成装置を支持するように構成されたパターン形成装置の支持部である請求項12に記載された方法。
  14. 前記可動対象物体が前記基板を保持するように構成された基板の支持部である請求項12に記載された方法。
  15. 付加的な制御装置によって他の可動対象物体の位置を複数の位置に沿って制御することをさらに含み、これにより前記制御装置および前記付加的な制御装置はそれぞれ複数の位置送り関数を合計して含む送り関数を有してそれぞれの対象物体の位置を制御するように構成されており、
    前記複数の位置送り関数の各々は前記位置のそれぞれ一つについて定められ、
    前記複数の位置送り関数の各々は重み関数を乗じられ、
    前記可動対象物体はパターン形成装置を支持するように構成されたパターン形成装置の支持部であり、
    前記可動対象物体は基板を支持するように構成された基板の支持部である請求項12に記載された方法。
  16. リソグラフィ装置の可動対象物体の移動を制御するように構成された作動制御システムであって、
    送り関数を有し、前記対象物体の位置を複数の位置に沿って制御するように構成された制御装置を含み、
    前記送り関数は複数の位置送り関数を合計して含み、前記複数の位置送り関数の各々は前記位置のそれぞれ一つの位置について定められ、前記複数の位置送り関数の各々は重み関数を乗じられるようになされている作動制御システム。
JP2005377185A 2004-12-29 2005-12-28 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 Expired - Fee Related JP4429267B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7952685B2 (en) * 2007-03-15 2011-05-31 Carl Zeiss Smt Ag Illuminator for a lithographic apparatus and method
JP5279299B2 (ja) * 2008-02-29 2013-09-04 キヤノン株式会社 反復学習制御回路を備える位置制御装置、露光装置及びデバイス製造方法
NL2004281A (en) * 2009-03-19 2010-09-20 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
US9977341B2 (en) 2013-02-08 2018-05-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP6396483B2 (ja) * 2013-10-30 2018-09-26 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィにおける対象物の位置決め
WO2015185301A1 (en) * 2014-06-03 2015-12-10 Asml Netherlands B.V. Object positioning system, control system, lithographic apparatus, object positioning method and device manufacturing method
CN105807568B (zh) * 2014-12-30 2023-12-08 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种一体化干涉仪装置的控制方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3234308B2 (ja) * 1992-10-28 2001-12-04 キヤノン株式会社 複合制御系の制御装置および複合制御系の制御方法
JPH08241126A (ja) * 1995-03-02 1996-09-17 Canon Inc 同期位置制御方法および装置
JP4272750B2 (ja) * 1998-06-23 2009-06-03 キヤノン株式会社 露光装置及び除振装置、システム同定装置及びその方法
JP3755862B2 (ja) * 1999-05-26 2006-03-15 キヤノン株式会社 同期位置制御装置および方法
JP2002073111A (ja) * 2000-08-30 2002-03-12 Nikon Corp ステージ装置、ステージ制御装置の設計方法、及び露光装置
TWI254190B (en) * 2003-09-22 2006-05-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7327437B2 (en) * 2004-12-07 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

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