CN104272191B - 光刻设备及器件制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种光刻设备和器件制造方法。光刻设备包括支撑台(16)以及包括传感器部分(13)和参考部分(12、14)的测量系统(12‑14)，所述测量系统被配置为通过使用所述传感器部分(13)与所述参考部分(12、14)相互作用来确定所述支撑台(16)相对于参考框架(6、8、10)的位置和/或方向或所述支撑台上安装的部件相对于参考框架(6、8、10)的位置和/或方向，其中：所述参考框架(6、8、10)包括N个子框架(6、8)，所述N个子框架耦接在一起以便针对低于第一参考频率的振动主要表现为单个刚性体，并且针对高于第二参考频率的振动主要表现为N体系统，其中N是大于1的整数。

Description

光刻设备及器件制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2012年4月26日提交的美国临时申请61/638889的权益，并且该美国临时申请通过引用被全部并入本文。
技术领域
本发明涉及光刻设备和器件制造方法。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常应用到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印到所述衬底上，来将所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。
对光刻设备的各个元件的相对位置和/或方向的精确控制是所期望的以确保高性能(例如精确重叠)。振动可能通过减小测量的精度和/或通过引起待控制的主体的非期望移动来干扰这样的控制。可将编码器系统用于执行位置和/或方向测量。在一个主体上的传感器部分可被配置为检测从另一主体(其可被称为参考部分)上的图案或栅格反射的辐射。可使用干涉仪测量。传感器部分或反射主体的振动可减小测量的精度。
测量系统(例如编码器系统)可用于测量相对于参考框架的衬底的位置和/或方向、衬底上形成的图案的位置和/或方向、或者衬底台的位置和/或方向。该测量系统可以包括对准传感器或水平传感器或两者皆有。在该背景下，参考框架有时被称为“量测框架”。可将包括栅格的板(有时被称为“栅格板”)连接到量测框架，而传感器部分被连接到衬底台，反之亦然。由于生产率的原因，可能期望的是使用比之前最通常使用的衬底更大的衬底，例如具有450mm或更大，而不是300mm或更小的直径的衬底。这样的衬底需要横向上(即在平行于衬底的平面的方向)较大的衬底台、量测框架和栅格板。为了维持在横向上较大的栅格板中的足够刚度，栅格板可能需要被制造得更厚。然而，在厚度方向(垂直于衬底的平面)可用的空间量可能是有限的。因此可能必须将参考框架制造得更薄以适应更厚的栅格板。
增大参考框架的横向尺寸并且降低参考框架的厚度将趋向于减小参考框架的振动或谐振的自然内部模式的频率(也被称为本征频率)。降低的本征频率可能促成对与参考框架相互作用的测量系统来说更成问题的振动。之前已提出了使用多个比单个参考框架更小的参考框架来使内部本征频率更高。然而，较小的参考框架更轻并且更容易被加速，并且因此被移位，这也可导致位置控制的误差。
发明内容
期望提高光刻设备的元件的位置和/或方向控制的精度。
根据实施例，提供一种光学设备，包括：支撑台；以及测量系统，其包括传感器部分和参考部分，测量系统被配置为通过使用传感器部分与参考部分相互作用来确定支撑台相对于参考框架的位置和/或方向或支撑台上安装的部件相对于参考框架的位置和/或方向，其中：参考框架包括N个子框架，N个子框架耦接在一起以便针对低于第一参考频率的振动主要表现为单个刚性体，并且针对高于第二参考频率的振动主要表现为N体系统，其中N是大于1的整数。
根据实施例，提供一种器件制造方法，包括：提供用于光刻设备的支撑台；以及使用包括传感器部分和参考部分的测量系统来通过使用传感器部分与参考部分相互作用来确定支撑台相对于参考框架的位置和/或方向或支撑台上安装的部件相对于参考框架的位置和/或方向，其中：参考框架包括N个子框架，N个子框架耦接在一起以便针对低于第一参考频率的振动主要表现为单个刚性体，并且针对高于第二参考频率的振动主要表现为N体系统，其中N是大于1的整数。
附图说明
现在将仅通过示例的方式，参考所附示意图来描述本发明的实施例，在所附示意图中，对应的参考标记指示对应的部件，并且在所附示意图中：
图1示出根据本发明的实施例的光刻设备；
图2示出根据本发明的实施例的包括具有两个子框架和用于动态耦接子框架的耦接系统的参考框架的光刻设备；
图3示出了根据本发明的实施例的包括力传感器的示例主动耦接系统；以及
图4示出根据本发明的实施例的包括运动传感器的示例主动耦接系统。
具体实施方式
图1示意性地示出一种光刻设备。所述设备包括：
-照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或深紫外(DUV)辐射)；
-支撑结构(例如掩模台)MT，构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于根据特定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；
-衬底台(例如晶片台)WT，构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据特定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和
-投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，所述投影系统PS配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或更多根管芯)上。
所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
所述支撑结构支撑图案形成装置，即承载所述图案形成装置的重量。支撑结构以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程LCD面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。
光刻设备还可以是至少一部分衬底可以被相对高折射率的液体(例如水)覆盖、以便填充投影系统和衬底之间的空间的类型。浸没液体还可以被施加至光刻设备中的其它空间，例如在掩模和投影系统之间。在本领域中公知，浸没技术用于增加投影系统的数值孔径。如在此处所使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底等结构必须浸没在液体中，而是仅意味着在曝光期间液体位于投影系统和衬底之间。
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时与所述束传递系统BD一起称作辐射系统。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如整合器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。在已经穿过图案形成设备(例如掩模)MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪装置、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从图案形成装置库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如掩模)MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现支撑结构(例如掩模台)MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述支撑结构(例如掩模台)MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些被已知为划线对齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置(例如掩模)MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。
可以将所述设备用于以下模式中的至少一种中：
1.在步进模式中，在将支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
如上文讨论的，可通过反射来自连接到参考框架的部件的辐射来执行对光刻设备的元件的位置和/或方向的测量。在参考框架具有相对低的内部本征频率时，从典型的光刻过程到达参考框架的振动噪声可能干扰测量，减小它们的精度。在该背景下已提出了将参考框架分割成多个子框架，但是这降低了每个子框架的重量。减小每个子框架的重量使得每个子框架更容易加速，因此趋向于增加由到达子框架的干扰力引起的定位误差。
根据实施例，参考框架被分割成N个子框架，并且N个子框架耦接在一起，使得N个子框架针对低于第一参考频率的振动主要表现为单个刚性体，并且针对高于第二参考频率的振动主要表现为N体系统。
发明人认识到，通常存在于光刻设备中的将具有足够大的幅度以引起参考框架的位置和/或方向的成问题偏差的振动通常具有相对低的频率。例如，由于在扫描期间衬底台的移动所致的压力波可提供具有10Hz量级的频率的振动源。通过将N个子框架之间的耦接布置为在这些频率下是非常刚性的，使得N个子框架表现为单个刚性体，N个子框架具有大的有效质量并且不能被容易地加速。由这些频率的振动引起的位置和/或方向误差因此被最小化。同时，该耦接被布置成使得在较高的频率下，N个子框架表现为N体系统。在实施例中，N个子框架中的每个在这样的频率下基本上与其他子框架解耦。以该方式，参考框架的占优势的内部谐振频率或本征频率处于与个体隔离的子框架的本征频率相同的频率下。因为子框架的尺寸小于整体参考框架的尺寸，本征频率高于在所有N个子框架被整体连接在一起的情况下(从而N个子框架对于所有频率都表现为单个刚性体)与参考框架相关联的本征频率。增大本征频率减低了参考框架在对于使用参考框架来测量位置和/或方向来说成问题的频率下将振动的程度。
在实施例中，参考框架用作支撑台(或安装在支撑台上的部件、或形成在该部件上的图案)的位置和/或方向的测量的基础。在实施例中，支撑台是被构造和布置为支撑衬底的衬底台、被构造和布置为支撑图案形成装置的掩模台、或被构造和布置为保持光学元件(例如投影系统的光学元件)的光学元件支撑件。衬底、图案形成装置和光学元件因此是可被安装在支撑台上的部件的示例。在以下引用确定支撑台的位置和/或方向的情况下，这应当被理解为包括确定安装在支撑台上的部件和/或形成在该部件上的图案的位置和/或方向。
在实施例中，对支撑台相对于参考框架的位置和/或方向的测量被用于确定支撑台相对于光刻系统的另外的部件的位置和/或方向。在实施例中，这通过执行测量该另外部件相对于同一参考框架的位置和/或方向的另外流程来实现。在实施例中，支撑台是衬底台并且另外的部件是投影系统。
图2示出其中参考框架6、8被用于测量衬底和/或衬底台16的位置和/或方向的示例配置。在此，衬底台16被配置为相对于参考框架6、8在X-Y平面中被扫描(箭头15)。在实施例中，通过振动隔离系统(未示出)将参考框架6、8相对于周围环境和/或基础框架18进行机械隔离。在实施例中，使用平面电机将衬底台16浮在基础框架18上方。在实施例中，衬底台16被配置为在投影系统4之下的各个位置之间移动，和/或移动到可作出量测测量的位置，该位置可能不一定在投影系统4之下。
在实施例中，提供测量系统(例如编码器系统)用于测量衬底和/或衬底台16的位置和/或取向。测量系统包括传感器部分13和参考部分12、14。在所示实施例中，传感器部分13被安装在衬底台16上，参考部分12、14被安装在参考框架6、8上。在其他实施例中，参考部分与参考框架整体形成，而不是安装在参考框架上。在其它实施例中，传感器部分被安装在参考框架上，而参考部分被安装在衬底台上，或与衬底台成整体。在实施例中，参考部分包括参考图案或栅格。
传感器部分13被配置为检测从参考部分12、14反射的电磁辐射17。对所检测的辐射进行分析并且用于确定，或帮助确定衬底或衬底台16相对于参考框架6、8的位置和/或取向。
参考框架6、8被分为多个(N个)子框架6、8。在所示的示例中，N＝2。两个子框架6、8通过耦接系统10耦接在一起。耦接系统10被配置为使得子框架6、8针对低于第一参考频率的振动主要表现为单个刚性体，并且针对高于第二参考频率的振动主要表现为两体系统。以该方式，如上所讨论的，参考框架6、8对于在低于第一参考频率的频率下的输入振动表现为重的物体。大惯性将与加速度相反，并且限制参考框架6、8的位移。在实施例中，第一参考频率在15-60Hz，优选30-50Hz的范围内，并且等于或低于第二参考频率。在实施例中，由于衬底台16的扫描运动产生的振动的大部分动力将低于第一参考频率。通常，这样的振动在大约10Hz的频率处产生。
同时，参考框架6、8的内部谐振模式或本征频率将主要由各个子框架在高于第二参考频率的频率的内部谐振模式和本征频率来确定，因为子框架在高于第二参考频率的频率下表现为独立的子框架。在实施例中，第二参考频率在15-60Hz(例如在本申请的一实施例中的30-50Hz)的范围内，并且等于或高于第一参考频率。在实施例中，第二参考频率低于在所述耦接在所有频率下都是整体刚性的情况下将与参考框架相关联的主要内部谐振频率或本征频率。参考框架6、8的本征频率由此被维持为相对高，并且因此较不可能干扰衬底和/或衬底台16的位置和/或方向的测量。
在示例中，将参考框架分为两个同样的部分使第一(即，最低)本征频率)增大4倍。在这样的布置中，预期由于第一本征频率的激励所致的对重叠误差的影响相对于参考框架未被分开的情况将被减小16倍。
在实施例中，耦接系统10是“主动”的。在这样的系统中，通过引用参考框架的状态的测量来控制阻尼力的大小。在实施例中，测量在不同子框架之间的力、相对加速度和/或相对速度。图3和4描绘了用于将子框架6耦接到子框架8的主动耦接系统10的示例。
在图3的示例中，耦接系统10包括弹力构件26和阻尼构件22。在这样的实施例的示例中，弹力构件26被配置为弹性变形，并且提供作为弹力构件26的变形程度的函数来增大的恢复力。在实施例中，阻尼构件22被配置为耗散与弹力构件26的变形相关联的能量。在所示实施例中，弹力构件26被设置为与阻尼构件22分离的元件。在其它实施例中，弹力构件和阻尼构件被设置为整体单元。
控制系统20可被设置用于主动地调节耦接系统10的操作。在图3所示的示例中，控制系统20控制由阻尼构件22提供的阻尼力的量。控制系统20接收来自力传感器23的输入。力传感器23测量在两个子框架6和8之间的相对力。控制系统20基于所测量的力提供控制信号给输入端子24。由耦接系统10提供的阻尼力根据被供应到输入端子24的控制信号而变化。
图4示出了替代的耦接系统10。除了运动传感器28、30被设置替代力传感器之外，图4的耦接系统10对应于图3中所示的情形。在实施例中，运动传感器28、30测量相对速度或加速度。在实施例中，运动传感器28、30包括交换电磁辐射34(例如，在发射器和接收器之间，或在发射器/传感器和反射图案或栅格之间)的元件28和30。控制系统20接收来自运动传感器28、30的输入32。控制信号基于输入32生成并且被提供到阻尼构件22的输入端子24。由耦接系统10提供的阻尼力根据控制信号而改变。
比起纯被动系统，主动阻尼的使用可促进更高水平的阻尼。然而，耦接系统10可被配置为提供与主动阻尼相结合的被动阻尼，或仅提供被动阻尼。在实施例中，通过在不同子框架之间提供阻尼材料，例如天然或合成橡胶，来实现被动阻尼。
在实施例中，由耦接系统10提供的阻尼力由以下中的一个或更多个来提供：压电元件、洛伦茨致动器。
在图3和4中示出的实施例中，控制系统20被配置为控制阻尼构件22而不是弹力构件26的操作。在其它实施例中，控制系统20被配置为控制阻尼构件22和弹力构件26两者的操作。在其它实施例中，控制系统20被配置为仅控制弹力构件26的操作。在上文讨论的详细示例中，参考框架仅包括两个子框架，而耦接系统仅在这两个子框架之间作用。在其它实施例中，参考框架可被分割成多于两个的子框架。在这样的实施例的示例中，耦接系统包括多个子系统，每个子系统在多个子框架中的两个不同子框架之间作用。在实施例中，每个子框架是相同的。在实施例中，每个子系统是相同的。在其它实施例中，子框架相互不同和/或子系统相互不同。
尽管在本文中可以做出具体的参考，将所述光刻设备用于制造IC，但应当理解这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如，集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员应该理解的是，在这种替代应用的背景中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另外，所述衬底可以被处理一次以上，例如以便产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
尽管以上已经做出了具体的参考，在光学光刻术的背景中使用本发明的实施例，但应该理解的是，本发明的实施例可以用于其他应用中，例如压印光刻术，并且只要背景允许，不局限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如具有约365、355、248、193、157或126 nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm的范围内的波长)以及粒子束，诸如离子束或电子束。
在背景允许的情况下，所述术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电式的光学部件。
尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例，但是应该理解的是本发明可以以与上述不同的形式实现。例如，本发明可以采取包含用于描述上述公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者采取具有在其中存储的这种计算机程序的数据存储介质的形式(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。
以上的描述是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域的技术人员应当理解，在不背离所附的权利要求的范围的条件下，可以对所描述的本发明进行修改。

Claims (14)

1.一种光刻设备，包括：
支撑台；和
包括传感器部分和参考部分的测量系统，所述测量系统被配置为通过使用所述传感器部分与所述参考部分相互作用来确定所述支撑台相对于参考框架的位置和/或方向、或所述支撑台上安装的部件相对于参考框架的位置和/或方向，其中：
所述参考框架包括N个子框架，所述N个子框架耦接在一起以便针对低于第一参考频率的振动主要表现为单个刚性体，并且针对高于第二参考频率的振动主要表现为N体系统，其中N是大于1的整数，且
所述光刻设备还包括用于提供在所述N个子框架之间的耦接的耦接系统，其中所述耦接系统是主动式的耦接系统，在所述耦接系统中，参考框架的状态被测量来控制阻尼力的大小。
2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中：在不同子框架之间的力、相对加速度和/或相对速度被测量作为所述参考框架的状态来控制阻尼力的大小。
3.根据权利要求1所述的光刻设备，其中：
1)所述传感器部分被固定地安装于所述支撑台或所述支撑台上安装的部件上，并且所述参考部分被固定地安装于所述参考框架或与所述参考框架为整体；或者
2)所述参考部分被固定地安装于所述支撑台或所述支撑台上安装的部件上、或与所述支撑台或所述支撑台上安装的部件为整体，并且所述传感器部分被固定地安装于所述参考框架。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光刻设备，其中：
所述第一参考频率在15-60Hz的范围内，并且等于或低于所述第二参考频率。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的光刻设备，其中：
所述第二参考频率在15-60Hz的范围内，并且等于或高于所述第一参考频率。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的光刻设备，其中，所述第二参考频率低于在所述参考框架被配置为在所有频率下表现为单个刚性体的情况下将与所述参考框架相关联的最低内部本征频率。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的光刻设备，还包括：
用于提供图案化的辐射束的图案形成装置；
被配置为将图案化的辐射束投影到衬底上的投影系统，其中：
所述支撑台被配置为支撑以下中的一个：所述衬底；所述图案形成装置；所述投影系统的光学元件。
8.根据权利要求7所述的光刻设备，其中，所述第一参考频率高于所述光刻设备扫描用于所述衬底的所述支撑台能够采用的最大频率。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的光刻设备，被配置为通过将1)对所述支撑台相对于所述参考框架的位置和/或方向的确定或对所述支撑台上安装的部件相对于所述参考框架的位置和/或方向的确定与2)对所述光刻设备的另外的部件相对于同一参考框架的位置和/或方向的确定进行组合，来确定所述支撑台相对于所述另外的部件的位置和/或方向、或者所述支撑台上安装的部件相对于所述另外的部件的位置和/或方向。
10.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述耦接系统包括：力传感器，用于测量在所述N个子框架中的两个子框架之间的相对力；以及控制器，被配置为基于所述力传感器的输出来调节在所述两个子框架之间的耦接。
11.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述耦接系统包括用于测量所述N个子框架中的两个子框架之间的相对运动的运动传感器，以及被配置为基于来自所述运动传感器的输出来调节在所述两个子框架之间的耦接的控制器。
12.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述耦接系统包括被配置为提供弹性恢复力的弹力构件和被配置为耗散能量的阻尼构件。
13.一种光刻设备，包括：
支撑台；和
包括传感器部分和参考部分的测量系统，所述测量系统被配置为通过使用所述传感器部分与所述参考部分相互作用来确定所述支撑台相对于参考框架的位置和/或方向、或所述支撑台上安装的部件相对于参考框架的位置和/或方向，其中：
所述参考框架包括N个子框架，所述N个子框架耦接在一起以便针对低于第一参考频率的振动主要表现为单个刚性体，并且针对高于第二参考频率的振动主要表现为N体系统，其中N是大于1的整数，且
所述光刻设备还包括用于提供在所述N个子框架之间的耦接的耦接系统，其中，所述耦接系统是用于提供被动阻尼的被动式的耦接系统。
14.一种器件制造方法，包括：
提供用于光刻设备的支撑台；和
使用包括传感器部分和参考部分的测量系统来通过使用所述传感器部分与参考部分相互作用来确定所述支撑台相对于参考框架的位置和/或方向、或所述支撑台上安装的部件相对于参考框架的位置和/或方向，其中：
所述参考框架包括N个子框架，所述N个子框架耦接在一起以便针对低于第一参考频率的振动主要表现为单个刚性体，并且针对高于第二参考频率的振动主要表现为N体系统，其中N是大于1的整数，且
所述N个子框架由耦接系统耦接，其中所述耦接系统是主动式的耦接系统或用于提供被动阻尼的被动式的耦接系统，在所述主动式的耦接系统中，参考框架的状态被测量来控制阻尼力的大小。
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