JP5525571B2 - リソグラフィ装置、基板テーブルを変形させる方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、リソグラフィ装置、基板テーブルを変形させる方法、及びデバイス製造方法に関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板、通常は基板の目標部分に与える機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。この場合、マスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、ＩＣの個々の層に形成されるべき回路パターンを生成するために使用されてもよい。このパターンが基板（例えばシリコンウェーハ）の（例えばダイの一部、あるいは１つまたは複数のダイからなる）目標部分に転写される。パターンの転写は典型的には、基板に塗布された放射感応性材料（レジスト）層への結像により行われる。一般に一枚の基板には網状に隣接する一群の目標部分が含まれ、これらは連続的にパターン形成される。公知のリソグラフィ装置にはいわゆるステッパとスキャナとがある。ステッパにおいては、目標部分にパターン全体が一度に露光されるようにして各目標部分は照射を受ける。スキャナにおいては、所与の方向（スキャン方向）に放射ビームによりパターンを走査するとともに基板をこの方向と平行または逆平行に走査するようにして各目標部分は照射を受ける。また、パターンを基板にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。

リソグラフィ投影装置において基板を液体に浸すことが提案されている。この液体は比較的高い屈折率をもつ液体であり、例えば水である。そうして投影システムの最終要素と基板との間の空間が液体で満たされる。ある実施例においては液体は蒸留水であるが、その他の液体も使用可能である。本発明のある実施例は液体に言及して説明しているが、その他の流体、特に濡れ性流体、非圧縮性流体、及び／または屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に好ましい。その真意は、露光放射は液体中で波長が短くなるので、より小さい形状の結像が可能となるということである（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくし、焦点深度も大きくすることとみなすこともできる。）。別の液浸液も提案されている。固体粒子（例えば石英）で懸濁している水や、ナノ粒子（例えば最大寸法１０ｎｍ以下の粒子）で懸濁している液体がある。懸濁粒子はその液体の屈折率と同程度の屈折率を有していてもよいし、そうでなくてもよい。その他に適切な液体として、芳香族、フッ化炭化水素、及び／または水溶液等の炭化水素もある。

基板は、基板テーブルによって支持されている。基板の位置は所望の精度で制御される。一般に、基板テーブルは、リソグラフィ装置の使用中に、装置内の他の構成要素の動きによって動かされる。装置内の振動が上記所望の精度と同程度になることもある。したがって、基板テーブルを所望の精度で制御することは、些末な問題ではない。

米国特許出願公開第２０１０／０１５７２７６号明細書は、基板テーブルの上方に、投影系に接続されたメトロロジフレームを有するリソグラフィ装置を開示する。計測バーがメトロロジフレームに接続され、基板テーブルの下方に延在している。計測バーの端部が投影系の直下に位置し、エンコーダシステムを支持する。エンコーダシステムは、計測目標の下側にあるエンコーダグリッドを使用して、光軸における基板テーブルの位置を計測する。

望まれることは、例えば、リソグラフィ装置の基板テーブルの制御を更に改善することである。

本発明のある側面によると、投影系、基板テーブル、複数のセンサ、少なくとも１つのアクチュエータ、及びコントローラを備えるリソグラフィ装置が提供される。投影系は、パターンが与えられた放射ビームを基板に投影するためにある。基板テーブルは、基板を支持し、投影系に対し移動するよう構成されている。複数のセンサは、基板テーブルの変形を測定するよう構成されている。少なくとも１つのアクチュエータは、基板テーブルを変形させるよう構成されている。コントローラは、センサにより行われた測定に基づいて基板テーブルを変形させるように、アクチュエータを制御するよう構成されている。複数のセンサは、投影系に対向する基板テーブルの第２の片側とは反対の基板テーブルの第１の片側に配置されている。複数のセンサは、投影系に対し実質的に静止している。

本発明のある側面によると、リソグラフィ装置の基板テーブルを変形させる方法が提供される。本方法は、投影系に対向する第２の片側とは反対の基板テーブルの第１の片側にある複数の測定位置であって、投影系に対し実質的に静止している複数の測定位置で基板テーブルの変形を測定することと、測定結果に基づいて基板テーブルを変形させるよう少なくとも１つのアクチュエータを制御することと、を備える。

本発明のある側面によると、パターンが与えられた放射ビームを、少なくとも１つの基板テーブルにより支持される連続する複数基板に投影するようリソグラフィ装置を使用することと、リソグラフィ装置の使用中に基板テーブルを変形させるために、上述の方法を使用することと、を備えるデバイス製造方法が提供される。

本発明の実施形態が付属の図面を参照して以下に説明されるがこれらは例示に過ぎない。対応する参照符号は各図面において対応する部分を指し示す。

本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。

リソグラフィ投影装置における使用のための液体供給システムを示す図である。

本発明のある実施の形態の方法においてデバイスが形成されるべき円形基板を示す図である。

本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。

本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置のベースプレートの平面図である。

本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置のアクチュエータの１つの横断面図である。

本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。

図１は、本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。この装置は、下記の要素を備える。

− 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射、ＤＵＶ放射、またはＥＵＶ放射）を調整するよう構成されている照明系（イルミネータ）ＩＬ。

− パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するよう構成され、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成されている第１の位置決め装置ＰＭに接続されている支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ。

− 基板（例えばレジストで被覆されたウェーハ）Ｗを保持するよう構成され、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするよう構成されている第２の位置決め装置ＰＷに接続されている基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴ。

− パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイからなる）目標部分Ｃに投影するよう構成されている投影系（例えば屈折投影レンズ系）ＰＳ。

照明系は、放射の方向や形状の調整またはその他の制御用に、各種の光学素子例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子または他の各種光学部品を含んでもよく、あるいはこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。

支持構造ＭＴは、パターニングデバイスを支持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の構成、及びその他の条件（例えばパターニングデバイスが真空環境下で保持されるか否か）に応じた方式でパターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴにおいてはパターニングデバイスを保持するために、機械的固定、真空固定、静電固定、または他の固定用技術が用いられる。支持構造ＭＴは例えばフレームまたはテーブルであってよく、これらは必要に応じて固定されていてもよいし移動可能であってもよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスが例えば投影系に対して所望の位置にあることを保証してもよい。本明細書では「レチクル」または「マスク」という用語を用いた場合には、より一般的な用語である「パターニングデバイス」に同義であるとみなされるものとする。

本明細書では「パターニングデバイス」という用語は、例えば基板の目標部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用され得るいかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、基板の目標部分に所望されるパターンと厳密に対応していなくてもよい。このような場合には例えば、パターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合がある。一般には、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に形成される集積回路などのデバイスの特定の機能層に対応する。

パターニングデバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスとしては例えば、マスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルなどがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型ミラーのマトリックス状配列がある。各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜可能である。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。

本明細書では「投影系」という用語は、使用される露光放射あるいはその他の要因（例えば液浸や真空の利用など）に関して適切とされるいかなる投影系をも包含するよう広く解釈されるべきである。投影系には例えば屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では「投影レンズ」という用語は、より一般的な用語である「投影系」と同義に用いられ得る。

ここに図示されているのは、（例えば透過型マスクを用いる）透過型のリソグラフィ装置である。これに代えて、（例えば上述のようなプログラマブルミラーアレイや反射型マスクなどを用いる）反射型のリソグラフィ装置を用いることもできる。

リソグラフィ装置は２つ以上（２つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）の基板テーブル（及び／または２つ以上のパターニングデバイステーブル）を備えてもよい。このような多重ステージ型の装置においては追加されたテーブルは並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルで露光が行われている間に他の１以上のテーブルで準備工程を実行するようにしてもよい。

図１に示すようにイルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば放射源がエキシマレーザである場合には、放射源とリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは放射源ＳＯからイルミネータＩＬへとビーム搬送系ＢＤを介して受け渡される。ビーム搬送系ＢＤは例えば適当な方向変更用のミラー及び／またはビームエキスパンダを備える。あるいは放射源が例えば水銀ランプである場合には、放射源はリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。放射源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射系と総称され得る。

イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えてもよい。一般には、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも半径方向外径及び／または内径の大きさ（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）が調整される。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の要素を備えてもよい。イルミネータはビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。放射源ＳＯと同様に、イルミネータＩＬはリソグラフィ装置の一部とみなされてもよいし、そうでなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体的部分であってもよいし、リソグラフィ装置と別体であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬを搭載可能に構成されていてもよい。イルミネータＩＬが取り外し可能であり、（例えばリソグラフィ装置の製造業者によって、または他の供給業者によって）別に提供されてもよい。

放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、当該パターニングデバイスによりパターンが付与される。パターニングデバイスＭＡを通過した放射ビームＢは投影系ＰＳに進入する。投影系ＰＳは基板Ｗの目標部分Ｃにビームの焦点合わせをする。第２の位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。基板テーブルＷＴは例えば放射ビームＢの経路に異なる目標部分Ｃを順次位置決めするように移動される。同様に、第１の位置決め装置ＰＭと他の位置センサ（図１には明示せず）とにより放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。この位置決めは例えば、マスクライブラリからのマスクの機械的交換後、あるいは走査中に行われる。一般に支持構造ＭＴの移動は、第１の位置決め装置ＰＭの一部を構成するロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により実現される。同様に基板テーブルＷＴの移動は、第２の位置決め装置ＰＷの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現される。ステッパでは（スキャナとは逆に）、支持構造ＭＴはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイスＭＡと基板Ｗとは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークが専用の目標部分を占拠しているが、アライメントマークは目標部分間のスペースに配置されてもよい（これはスクライブライン・アライメントマークとして公知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡに複数のダイがある場合にはパターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。

図示の装置は例えば次のうちの少なくとも１つのモードで使用され得る。

１．ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回の照射（すなわち単一静的露光）で目標部分Ｃに投影される間、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは実質的に静止状態とされる。そして基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で転写される目標部分Ｃのサイズを制限することになる。

２．スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間（すなわち単一動的露光の間）、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期して走査される。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影系ＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光での目標部分の（非走査方向の）幅を制限し、走査移動距離が目標部分の（走査方向の）長さを決定する。

３．別のモードにおいては、支持構造ＭＴがプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、基板テーブルＷＴが移動または走査される。このモードでは、パルス放射源が通常用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの毎回の移動後、または走査中の連続する放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のプログラマブルミラーアレイ等のプログラム可能パターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、各モードに変更を加えて動作させてもよいし、さらに全く別のモードでリソグラフィ装置を使用してもよい。

多くのリソグラフィ装置において、流体が、特に液体が、投影系の最終要素の間に提供される。これは、より微細な形状の結像を可能にするためであり、あるいは、装置の実効ＮＡを大きくするためでもある。本発明の実施の形態はこうした液浸装置に関して後述されるが、非液浸装置に同様に実施してもよい。投影システムＰＳの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は少なくとも二種類に大きく分類することができる。浴槽型の構成と、いわゆる局所液浸システムとである。浴槽型は基板の実質的に全体と任意的に基板テーブルの一部とが液槽に浸される。いわゆる局所液浸システムは、基板の局所域にのみ液体を供給する液体供給システムを使用する。後者の分類では、液体で満たされる空間は平面図にて基板上面よりも小さく、液体で満たされた領域は基板Ｗがその領域の下を移動しているとき投影システムＰＳに対し実質的に静止状態にある。本発明のある実施の形態が指向するもう１つの構成は、液体が閉じ込められない全濡れ型である。この構成においては、実質的に基板の上面全体と基板テーブルの全体または一部が液浸液で覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは浅い。液体は、基板上の（例えば薄い）液体フィルムであってもよい。

提案されている別の構成は液体閉じ込め部材をもつ液体供給システムを設けることである。液体閉じ込め部材は投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。こうした構成を図２に示す。液体閉じ込め部材は、投影系に対してＸＹ面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）では多少の相対運動があってよい。液体閉じ込め部と基板表面との間にシールが形成されている。ある実施例においては、液体閉じ込め構造と基板表面との間にシールが形成され、このシールはガスシール等の非接触シールであってもよい。そうしたシステムは、米国特許出願公開第２００４／０２０７８２４号明細書に開示されている。

液体閉じ込め構造１２は、投影系ＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１の少なくとも一部に液体を収容する。基板Ｗに対する非接触シール１６が投影系ＰＳの像フィールドの周囲に形成され、基板Ｗ表面と投影系ＰＳの最終要素との間の空間に液体が閉じ込められてもよい。この空間１１は少なくとも一部が、投影系ＰＳの最終要素の下方に配置され当該最終要素を囲む液体閉じ込め構造１２により形成される。液体が、投影系下方かつ液体閉じ込め構造１２内部の空間に、液体入口１３によって供給される。液体出口１３によって液体が除去されてもよい。

その他の多くの形式の液体供給システムも可能である。本発明の実施の形態は、いかなる特定の形式の液体供給システムにも限定されないし、液浸リソグラフィにも限定されない。本発明の実施の形態は、いかなるリソグラフィにも同様に適用することができる。

制御システム又はコントローラ５００は、リソグラフィ装置の全体動作を制御し、特に、詳しくは後述する最適化処理を実行する。制御システム５００は、中央処理装置、揮発性及び不揮発性の記憶手段、キーボード及びスクリーン等の入出力デバイス、ネットワークへの接続部、及び、リソグラフィ装置の各種部分へのインターフェイスを備える汎用の適切にプログラムされたコンピュータとして具体化されてもよい。制御するコンピュータとリソグラフィ装置との間の一対一の関係は必須ではないと理解されたい。本発明のある実施の形態においては、１つのコンピュータが多数のリソグラフィ装置を制御してもよい。本発明のある他の実施の形態においては、ネットワーク化された多数のコンピュータが１つのリソグラフィ装置を制御するために使用されてもよい。制御システム５００は、リソグラフィ装置がその一部を構成するリソセル又はクラスタにおいて関連するプロセス装置及び基板ハンドリング装置も制御するよう構成されていてもよい。制御システム５００は、リソセル又はクラスタの監視制御システム、及び／又は、工場の全体制御システムに従属するよう構成されていてもよい。

図３に示されるように、円形の基板（例えばウェーハ）Ｗは、その全表面積よりもわずかに小さい使用可能領域ＵＡを有しており、デバイス形成には使用不能であるエッジ領域がある。標準的な基板は、例えば１５０ｍｍ、２００ｍｍ、３００ｍｍ、又は４５０ｍｍの公称直径を有することができる。本執筆時点では、３００ｍｍがシリコン基板としては標準であり、４５０ｍｍが提案されている。他の半導体材料、例えばＧａＡｓには小さい寸法が使用される。寸法が大きくなれば、基板の使用可能領域ＵＡが大きくなるという利点がある。本発明の実施の形態は、基板の特定の寸法又は形状の使用には限定されないが、より大型の基板とともに用いられる場合に特に有益である。

図４は、本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を示す。リソグラフィ装置は、基板テーブルＷＴと、複数のセンサ４１と、少なくとも４つのアクチュエータ５１と、コントローラ５００と、を備える。基板テーブルＷＴは、基板Ｗを支持するよう構成されている。

複数のセンサ４１は、各々がある測定位置で基板テーブルＷＴの変形を測定するよう構成されている。図４においてはセンサ４１が基板テーブルＷＴの下方に位置するが、そうである必要はない。例えば図７に示されるように、センサ４１が基板テーブルＷＴの上方に位置してもよい。ある実施の形態においては、センサ４１が基板テーブルＷＴの内部に設けられている。

アクチュエータ５１の少なくとも１つは、単に基板テーブルＷＴの位置を変化させるというよりも、基板テーブルＷＴを変形させるよう構成されている。基板テーブルＷＴの変形とは、基板テーブルＷＴの位置または向きが変化する代わりに、あるいはそれに加えて、基板テーブルＷＴの形状が変化することをいう。ある実施の形態においては、アクチュエータ５１は、基板テーブルＷＴを曲げるよう構成されている。

ある実施の形態においては、本装置は、（基板テーブルＷＴを変形させないが）基板テーブルＷＴの位置及び／又は向きを変化させるよう構成されている複数（例えば３つ、又は６つ）のアクチュエータと、基板テーブルＷＴを変形させるよう構成されている少なくとも１つのアクチュエータと、を備える。ある実施の形態においては、基板テーブルＷＴの位置及び／又は向きを変化させるよう構成されているすべてのアクチュエータが、さらに、基板テーブルＷＴを変形させるよう構成されている。

上述のように、第１の位置決め装置ＰＭ及び第２の位置決め装置ＰＷは、基板テーブルＷＴの位置を変化させるよう構成されている。ある実施の形態においては、アクチュエータ５１はさらに、基板テーブルＷＴの向き及び／又は位置を変化させるよう構成されている。アクチュエータ５１はさらに、ＸＹ面の全体及びＺ方向に基板テーブルＷＴを移動させるよう構成されている。ここで、Ｚ方向は鉛直方向を意味する。

ある実施の形態においては、アクチュエータ５１はさらに、上述の第２位置決め装置ＰＷの機能を実行する。ある実施の形態においては、アクチュエータ５１は、第１位置決め装置ＰＭ及び第２位置決め装置ＰＷに加えて存在する。

コントローラ５００は、センサ４１により行われた測定に基づいてアクチュエータ５１を制御するよう構成されている。コントローラ５００は、基板テーブルＷＴが所望の形状を有するように基板テーブルＷＴを変形させるように、アクチュエータ５１を制御するよう構成されている。

センサ４１は、基板テーブルＷＴの現在の形状を決定するために、基板テーブルＷＴの変形量を測定する。ある実施の形態においては、コントローラ５００は、センサ４１により行われた測定に基づいて基板テーブルＷＴの形状を決定するよう構成されている。そして、コントローラ５００は、所望の形状となるよう基板テーブルＷＴを制御するために、基板テーブルＷＴがどのように変形され得るかを決定することができる。そうして、コントローラ５００は、所望の形状に到達するよう基板テーブルＷＴを変形させるように、アクチュエータ５１を制御することができる。

従って、本発明のある実施の形態は、標準的なリソグラフィ装置の基板テーブルを剛体にするという考え方から発展している。こうした剛体主義によれば、基板テーブルは、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向のそれぞれについて剛であるべきである。その目的は、基板テーブルの曲げを防ぐことにある。曲げを防ぐという目的はすなわち、リソグラフィ装置の使用中に経験する望ましくない基板テーブルの変形を防止するということである。その理由は、従前は、基板テーブルが望ましくない変形を被る場合には特に、基板テーブルの位置を、とりわけ基板の露光される部位の位置を正確に制御することが非常に難しかったからである。

特に、剛体主義によると、基板テーブルの１次固有振動数の振動が２ｋＨｚよりも有意に大きい振動数を有するように基板テーブルが設計される。その目的は、このような固有振動数で基板テーブルを振動させる原因となるリソグラフィ装置の他の構成要素の動き（例えば振動）の可能性を低減するためである。ここで、１次固有振動数とは、振動が発生する最も低い振動数である。ある実施の形態においては、１次固有振動数は１次曲げモードに相当する。

１次固有振動数は、基板テーブルの剛性を増すことで、大きくすることができる。そのようにするために例えば、基板テーブルの厚さが、基板テーブルの面積に関連して、ある厚さしきい値以上であることを保証してもよい。

上述のように、大型基板Ｗには、使用可能領域ＵＡが大きくなるという利点がある。基板Ｗが大きいほど、基板Ｗを支持する基板テーブルＷＴが大きくなる。本発明のある実施の形態は、大型の基板テーブルＷＴを、その剛性を保証するのであれば必要とされたはずの厚さ増加を要することなく、使用可能とする。これは、基板テーブルＷＴの質量の望まれない増加を避けることができるので、有益である。大型で低質量の基板テーブルＷＴとすることにより、基板テーブルＷＴの加速度で妥協することなく、基板Ｗの使用可能領域ＵＡを広くすることができる。

ある実施の形態においては、基板テーブルＷＴの１次固有振動数は、約２ｋＨｚ以下である。こうした低い１次固有振動数は以前は問題であったが、本発明のある実施の形態は、基板テーブルＷＴを所望の形状に変形させるよう構成されているアクチュエータ５１を設けることによって、問題を克服することができる。故に、アクチュエータ５１は、基板テーブルＷＴの望ましくないいかなる振動も補償することができる。アクチュエータは、何らかのこうした振動の作用を軽減し、及び／または、望ましくない振動の発生する可能性を低減することができる。

ある実施の形態においては、基板テーブルＷＴの平均鉛直厚さは、約６０ｍｍ以下であり、任意的に、約５０ｍｍ以下である。ある実施の形態においては、基板テーブルＷＴの平均鉛直厚さは、約４０ｍｍ以下であり、任意的に、約３０ｍｍ以下であり、任意的に約１０ｍｍ以下である。従って、基板テーブルＷＴは比較的薄くなることができる。薄型の基板テーブルＷＴは比較的柔軟となりやすく、それ故に、リソグラフィ装置の使用中にリソグラフィ装置の他の構成要素の動きによって変形されやすくなる。本発明のある実施の形態によると、アクチュエータ５１は、基板テーブルＷＴの変形による基板テーブルＷＴの何らかの屈曲を補償することができる。

ある実施の形態においては、基板テーブルＷＴは、約３００ｍｍ以上の、任意的に、約４００ｍｍ以上の、基板テーブルＷＴ面に平行な平均直径を有する。ある実施の形態においては、リソグラフィ装置が約４５０ｍｍの直径を有する基板Ｗと組み合わせて使用される。この場合、基板テーブルＷＴは、約５００ｍｍ以上の、任意的に、約６００ｍｍ以上の、面内平均直径を有してもよい。基板テーブルＷＴが大型になると所与の力についての基板テーブルＷＴの変形量は大きくなる。あらゆる望ましくない変形は、基板テーブルＷＴを所望の形状に変形させる本発明の実施の形態のアクチュエータ５１によって、補償することができる。

ある実施の形態においては、コントローラ５００は、複数のセンサ４１により行われた測定に基づいて、基板テーブルＷＴの平坦度を維持するように、アクチュエータ５１を制御するよう構成されている。これは、本発明の本実施の形態のアクチュエータ５１による基板テーブルＷＴの変形の目的である。したがって、基板テーブルＷＴは柔軟であっても（即ち、剛でなくても）よく、アクチュエータが基板Ｗを支持する平坦表面を維持することができる。このことは、リソグラフィ装置において基板Ｗの露光される部位を正確に位置決めするのに役立つ。

ある実施の形態においては、アクチュエータ５１は、基板テーブル上面が平坦ではない所望の形状に基板テーブルＷＴを変形させるよう構成されている。この所望の形状は基板テーブル上面が目標表面形状を有する。従って、本発明のある実施の形態によると、基板テーブルＷＴの上面の形状を意図的に変形させることが可能である。これは、基板Ｗの所望の部位が放射ビームによって所望の高さ及び角度で照射されるように基板テーブルＷＴを制御するために行われ得る。目標の輪郭形状はコントローラ５００にプログラムされていてもよい。

従って、コントローラ５００は、基板テーブルＷＴの上面に目標輪郭形状を実現するよう基板テーブルＷＴを変形させるように、アクチュエータ５１を制御するよう構成されている。それとともに、複数のセンサ４１は、基板テーブルＷＴの現在形状を決定するために基板テーブルＷＴの変形を測定する。従って、センサ４１は、コントローラ５００に基板テーブルＷＴの形状を制御させることを可能にするフィードバックループの一部である。

ある所与の形状（例えば、実質的に円形、実質的に方形など）に応じて、基板テーブルＷＴは既知の固有モードに従った変形を受ける。固有モードは基板テーブルＷＴの形状に依存する。ある１つの固有モードは基板テーブルＷＴの振動モードである。各固有モードには、その固有モードの共振を生じさせる特定の固有振動数が関連付けられている。ある基板テーブルＷＴの固有モード及び関連する固有振動数は、リソグラフィ装置の使用の前に計算し決定することができる。

基板テーブルＷＴの曲げ振動は、いくつかの固有モード（異なる振幅を有する）の重ね合わせとして記述され得る。ある実施の形態においては、センサ４１は、基板テーブルＷＴの変形の変化を経時的に測定するよう構成されている。ある実施の形態においては、センサ４１はコントローラ５００に測定結果を出力する。この情報に基づいて、コントローラ５００は、それら振動モードを補償するよう基板テーブルＷＴを変形させるように、アクチュエータ５１を制御することができる。

従って、ある実施の形態においては、コントローラ５００は、少なくとも１つの固有モードに関して基板テーブルＷＴの変形を制御するよう構成されている。コントローラ５００は、その少なくとも１つの固有モードの特性に基づいてアクチュエータ５１を制御するよう構成されている。当該特性は、その特定の固有モードに従った基板テーブルＷＴの曲がり方であってもよい。

ある実施の形態においては、アクチュエータ５１は、アレイ５０に配列されている。アクチュエータ５１は、基板テーブルＷＴの主たる表面に全体的に実質的に均一に分布している。図４に示されるように、ある実施の形態においては、アクチュエータ５１はアレイ５０に配列されている。アクチュエータ５１は、ベースプレート６０の主たる表面に全体的に分布している。アクチュエータ５１の分布は、制御性及び／または性能を最大化するよう選択されている。ある実施の形態においてはアクチュエータ５１は実質的に均一に分布する。ある実施の形態においては、アクチュエータ５１の単位面積あたり密度は、投影系ＰＳの最終レンズの直下においてその他の場所よりも大きい。アクチュエータ５１の位置は基板テーブルＷＴに重なっている。ある実施の形態においては、アクチュエータ５１は、基板テーブルＷＴの実質的に下面の全域にわたって配列されている。

アクチュエータ５１を基板テーブルＷＴの面積にわたって分布させる目的は、基板テーブルＷＴの位置又は向きを移動させるように基板テーブルＷＴをアクチュエータ５１で駆動することの副作用である基板テーブルＷＴの何らかの望ましくない変形を低減することである。ある実施の形態においては、リソグラフィ装置は、少なくとも１６個のアクチュエータ５１を備え、ある実施の形態においては少なくとも２４個のアクチュエータ５１を備え、ある他の実施の形態においては少なくとも３２個のアクチュエータ５１を備え、ある実施の形態においては少なくとも５６個のアクチュエータ５１を備える。望ましくは、基板テーブルＷＴが大型であるほど、アクチュエータ５１の数も多くする。アクチュエータ５１の数が多いことにより、個々のアクチュエータ５１から作用する力は小さくなり得る。単位面積あたりのアクチュエータ５１の密度が大きいほど、基板テーブルＷＴの制御の空間周波数は小さくなる。アクチュエータ５１の数が多いことにより、高次の固有モードを補償することができる。

基板テーブルＷＴの表面において（テーブルの位置を変えるために）基板テーブルＷＴを駆動する場所の数が多いほど、副作用としての望ましくない基板テーブルＷＴの形状の変形は小さくなる。したがって、ある実施の形態においては、リソグラフィ装置は、少なくとも１００個のアクチュエータ５１を備える。アクチュエータ５１の数及び／または分布が大きくなるほど、基板Ｗの下方の基板テーブルＷＴ内の最大ひずみは小さくなる。

ある実施の形態においては、アクチュエータ５１は、基板テーブルＷＴの少なくとも２つの端部に位置する。アクチュエータ５１は基板テーブルＷＴをＸＹ方向に、基板テーブルＷＴの当該端部で、及び／または、基板テーブルＷＴの主たる表面内の（上記端部から離れた）位置で、駆動してもよい。

ある実施の形態においては、各アクチュエータ５１はコイル５２を備える。ある実施の形態においては、コイル５２はベースプレート６０の内部に配設されている。ベースプレート６０は基板テーブルＷＴの下方にある。

図５は、ベースプレート６０の平面図である。図５に見られるように、各アクチュエータ５１に相当するコイル５２は、ベースプレート６０の全体に分布している。この分布は一様であってもよいし、そうでなくてもよい。

ある実施の形態においては、基板テーブルＷＴは、マグネットアレイ５５を備える。この磁石配列５５は、基板テーブルＷＴを作動させるための作動システムの一部を構成する。アクチュエータ５１は、各々がコイル５２を備えており、磁石配列５５のある部位に力を与えることにより基板テーブルＷＴを変形させることができる。磁石配列５５は、基板テーブルＷＴに不可欠である。ある実施の形態においては、磁石配列５５はハルバッハ配列を備える。

図４に示されるように、複数のセンサ４１は、センサアレイ４０に備えられていてもよい。ある実施の形態においては、センサアレイ４０は、基板テーブルＷＴの上方の基準フレームＲＦに関係づけられている。センサアレイ４０に備えられたセンサ４１は各々が基板テーブルＷＴの鉛直高さをある測定位置で測定するよう構成されている。こうして、アクチュエータ５１の使用により基板テーブルＷＴの非剛体制御が可能になる。

任意の適切なセンサ４１を本発明の実施の形態に使用することができる。ある実施の形態においては、複数のセンサ４１の各々が静電容量センサを備える。しかし、他の形式のセンサを、静電容量センサに加えて、または、静電容量センサに代えて、使用することも可能であろう。例えば、センサ４１としては、レーザ干渉計センサ、またはエンコーダセンサ等もあり得る。ある実施の形態においては、センサ４１は、焦点センサアレイを備える。上述のように、ある実施の形態においては、センサ４１とアクチュエータ５１とによって、基板テーブルＷＴの平坦度が維持される。よって、ＸＹ面エンコーダの傾きを制御することもできる。

ある実施の形態においては、各センサ４１は、１つのアクチュエータ５１のコイル５２を通過して測定位置とセンサ４１との間を伝播する信号によって、当該測定位置での基板テーブルＷＴの変形を感知するよう構成されている。ある実施の形態においては、センサアレイ４０は、ベースプレート６０の下方に位置する。ある実施の形態においては、センサ４１は少なくとも部分的に、ベースプレート６０の内部に設けられている。従って、センサアレイ４１は、ベースプレート６０（ここにすべてのコイル５２が配置されている）を通じて「視線」を向けている。

ある実施の形態においては、ベースプレート６０は台座または外部バランスマスに固定されている。ある実施の形態においては、台座または外部バランスマスはリソグラフィ装置の使用中に、少量のみ移動するか又はまったく移動せず、例えば１ｍｍ未満しか移動しない。これにより、センサ４１はリソグラフィ装置の使用中にベースプレート６０を通じて視線を向けることができる。

図６は、アクチュエータ５１の１つの横断面図である。アクチュエータはコイル５２を備える。ある実施の形態においては、アクチュエータ５１は、冷却プレート５３を備える。冷却プレートは、コイル５２の内側表面に設けられていてもよい。

図４ないし図６に示す構成によって、複数のセンサ４１は各々が、基板テーブルＷＴの下方で伝達される信号により基板テーブルＷＴの底面での変形を測定するよう構成されている。よって、センサ４１は、基板テーブルＷＴの底面の鉛直高さを測定するよう構成されていてもよい。

図４に示されるように、基板テーブルＷＴは、その底面に反射性表面４５を備えてもよい。従って、基板テーブルＷＴの底面は、複数のセンサ４１からの信号を反射するよう反射性を有してもよい。ある実施の形態においては、反射性表面４５は二次元格子を備える。

センサアレイ４０が基板テーブルＷＴの下方に位置する場合においては、センサアレイ４０は、ファイバ型の焦点感知アレイを備えてもよい。ある実施の形態においては、このファイバ型アレイは、ファイバプローブにマウントされたシングルモードファイバと感知素子とを備えるファイバ型ファブリペロー干渉計を備える。ファイバと反射面との間隔はキャビティ長と呼ばれる。反射光はキャビティ長に応じて変調される。ある実施の形態においては、上記のファイバ型アレイは、放射を伝達する送光ファイバの配列と、対象と、放射を捕捉する受光ファイバの配列と、を備える。この放射はプローブの先端にて送光ファイバから出射され、対象に入射し、受光ファイバにより捕捉されて当該プローブに伝達される。観測される強度は、プローブ先端と対象との距離に比例する。ある実施の形態においては、センサアレイ４０は、ファイバによる角度測定を実行してもよい。ある実施の形態においては、センサアレイ４０は、誘導センサアレイ及び／または音響センサアレイを備える。

基板テーブルＷＴの下方に位置する複数のセンサ４１を使用して基板テーブルＷＴの変形を計測する利点は、リソグラフィ装置の投影系ＰＳに望ましくない干渉を生じることなくリソグラフィ装置の光軸において基板テーブルの変形を測定することが可能であるということである。光軸で基板テーブルＷＴの変形を測定することが望ましいのは、基板Ｗが露光されるのがまさにこの場所だからである。従って、光軸での基板テーブルＷＴの測定鉛直高さは、基板Ｗ上の露光されるダイの鉛直高さを代表する。これは、システムの焦点を制御するのに役立つ。

よって、ある実施の形態においては、複数のセンサ４１の少なくとも１つがリソグラフィ装置の投影系ＰＳの光軸で基板テーブルＷＴの変形を測定する。ある実施の形態においては、複数のセンサ４１の少なくとも１つがリソグラフィ装置の投影系ＰＳの光軸外で基板テーブルＷＴの変形を測定する。この少なくとも１つのセンサ４１は、リソグラフィ装置の投影系ＰＳ及び／または基準フレームＲＦに対して基板テーブルＷＴの変形を測定する。

しかし、センサアレイ４０は、基板テーブルＷＴの下方にある必要はなく、あるいは、基板テーブルＷＴの下方で伝達される信号によって基板テーブルＷＴの変形を感知する必要はない。図７は、本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を示す。図７に示されるように、リソグラフィ装置は、基板テーブルＷＴの上方に位置する基準フレームＲＦを備えてもよい。センサアレイ４０は基準フレームＲＦに取り付けられていてもよい。ある実施の形態においては、各センサ４１が、基板テーブルＷＴの位置をエンコーダ格子により検出するよう構成されているエンコーダセンサを備える。これに加えて又はこれに代えて、センサアレイ４１は、少なくとも１つの干渉計センサ（表面干渉計など）を備えてもよい。

図７に示されるように、センサアレイ４０は、基板テーブルＷＴの上面で変形を測定するよう構成されていてもよい。干渉計センサ及びエンコーダセンサに加えて又はそれらに代えて、センサアレイ４０は、ファイバ型焦点感知アレイ及び／または光学像センサアレイを備えてもよい。

ある実施の形態においては、複数のセンサ４１は各々が、基板テーブルＷＴ内部で伝達される信号によって基板テーブルＷＴの変形を測定するよう構成されている。従って、センサ４１は、基板テーブルＷＴの内側で内部測定を実行してもよい。

内部測定システムを使用する場合、センサアレイ４０は、静電容量センサアレイ、遮蔽誘導センサアレイ、干渉計センサ、及び／または、グレーティングセンサを備えてもよい。

ある実施の形態においては、複数のセンサ４１は各々が、基板テーブルＷＴ内部でのセンサ４１の変形量に対応する信号によって変形を測定するよう構成されている。センサ４１は各々が、ファイバブラッググレーティング及び／または圧電素子を備えてもよい。基板テーブルＷＴが変形するとき、基板テーブルＷＴ内部のセンサ４１にも変形が作用する。センサ（例えば圧電素子）の変形が基板テーブルＷＴの変形を代表する。このようにして光軸での基板テーブルＷＴの変形を測定することが可能である。

ある実施の形態においては、リソグラフィ装置は、基板テーブルＷＴを移動させるためのロングストローク・ショートストローク構成を有する。ある実施の形態においては、基板テーブルＷＴのＸＹ面における作動はロングストロークステージによって与えられる。ショートストロークステージは、ロングストロークステージに包囲されており、重力を補償するよう基板テーブルＷＴに鉛直力を与える。ショートストロークステージはさらに、６自由度の精密位置決めを実行する。ある実施の形態においては、ショートストロークステージは、基板テーブルＷＴを備える。

ある実施の形態においては、基板テーブルＷＴは、基板固定機構を備える。基板固定機構は、静電クランプ及び／または真空クランプを備えてもよい。極紫外リソグラフィ装置の場合、極低圧の環境で使用されるため、静電クランプが有効である。

理解されるように、既述の特徴はいずれも他の任意の特徴とともに用いられ得るものであり、明示的に記載され本願に含まれる組み合わせのみには限られない。

ある実施の形態においては、投影系ＰＳと、基板テーブルＷＴと、複数のセンサ４１と、少なくとも１つのアクチュエータ５１と、コントローラ５００と、を備えるリソグラフィ装置が提供される。投影系ＰＳは、パターンが与えられた放射ビームを基板Ｗに投影するためにある。基板テーブルＷＴは、基板Ｗを支持し、投影系ＰＳに対し移動するよう構成されている。複数のセンサ４１は、基板テーブルＷＴの変形を測定するよう構成されている。少なくとも１つのアクチュエータ５１は、基板テーブルＷＴを変形させるよう構成されている。コントローラ５００は、センサ４１により行われた測定に基づいて基板テーブルＷＴを変形させるように、アクチュエータを制御するよう構成されている。複数のセンサ４１は、投影系ＰＳに対向する基板テーブルの第２の片側とは反対の基板テーブルの第１の片側に配置されている。複数のセンサ４１は、投影系ＰＳに対し実質的に静止している。

基板テーブルの第１の片側は、基板テーブルの下方であってもよい。第２の片側は、基板を保持する基板テーブルの上部の上方であってもよい。センサは、ベースプレート、台座、または外部バランスマスに配置されていてもよい。基板テーブルの移動量に比べて、ベースプレート、台座、またはバランスマスの移動量は限られており、０ｃｍないし１０ｃｍの範囲にあり、例えば、５ｃｍ、１ｃｍ、５ｍｍ、または１ｍｍを超えない。したがって、センサは投影系ＰＳに対し実質的に静止している。センサを静止させることにより、センサへの配線による動的な外乱が低減される。

少なくとも１つのセンサは、投影系の光軸に配置されていてもよい。こうして基板テーブルの目標部分Ｃに最も近い部分の変形を測定することができる。これにより、パターンが投影される場所でのアクチュエータによる変形量を正確にすることができる。こうして、投影パターンの品質を改善することができる。

本明細書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、リソグラフィ装置は、マイクロスケールの、あるいはナノスケールの形状をもつ部品を製造するその他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。基板は露光前または露光後において、例えばトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味する。

本明細書において「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば約３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）、及び、極紫外（ＥＵＶ）放射（例えば５乃至２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を指し示す。

「レンズ」という用語は、文脈が許す限り、屈折光学素子、反射光学素子を含む１つまたは各種の光学素子の組み合わせを指し示すものであってもよい。

本発明の特定の実施形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよい。例えば、本発明の実施の形態は、上述の方法を記述する機械で読み取り可能な命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形式をとってもよいし、そのコンピュータプログラムを記録したデータ記録媒体（例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスク）であってもよい。機械で読み取り可能な命令は２以上のコンピュータプログラムにより実現されてもよい。それら２以上のコンピュータプログラムは１つまたは複数の異なるメモリ及び／またはデータ記録媒体に記録されていてもよい。

上述のコントローラは信号を受信し処理し送信するのに適切ないかなる構成であってもよい。例えば、各コントローラが上述の方法のための機械読み取り可能命令を含むコンピュータプログラムを実行するための１つまたは複数のプロセッサを含んでもよい。コントローラはそのようなコンピュータプログラムを記録するデータ記録媒体及び／またはそのような媒体を受けるハードウェアを含んでもよい。

上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、この開示に基づく請求項の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、当業者には明らかなことである。

Claims (15)

1. パターンが与えられた放射ビームを基板に投影するための投影系と、
   基板を支持し、投影系に対し移動するよう構成されている基板テーブルと、
   基板テーブルの変形を測定するための複数のセンサと、
   基板テーブルを変形させるための少なくとも１つのアクチュエータと、
   前記複数のセンサにより行われた測定に基づいて基板テーブルを変形させるように前記アクチュエータを制御するコントローラと、を備え、
   前記複数のセンサは、投影系に対向する基板テーブルの第２の片側とは反対の基板テーブルの第１の片側に配置されており、
   前記複数のセンサは、投影系に対し実質的に静止した前記基板テーブルの下方の場所に配置されている、リソグラフィ装置。
2. 前記複数のセンサの少なくとも１つは、前記投影系の光軸に配置され前記基板テーブルの鉛直高さを測定するよう構成されている、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 前記コントローラは、前記複数のセンサにより行われた測定に基づいて、前記基板テーブルの平坦度を維持するように前記アクチュエータを制御する、請求項１または２に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記コントローラは、前記基板テーブルの変形を少なくとも１つの固有モードに関して演算し、該少なくとも１つの固有モードの特性に基づいて前記アクチュエータを制御する、請求項１から３のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
5. 複数のアクチュエータを備え、該アクチュエータは、アレイに備えられ、前記基板テーブルの主たる表面にわたって実質的に均一に分布する、請求項１から４のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
6. 各アクチュエータは、前記第１の片側に配置されているベースプレート内に任意的に配設されているコイルを備える、請求項１から５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
7. 各センサは、前記アクチュエータのうちの１つのコイルを通過して測定位置と当該センサとの間を伝播する信号によって、当該測定位置での前記基板テーブルの変形を感知する、請求項６に記載のリソグラフィ装置。
8. 前記複数のセンサは各々が、前記基板テーブルの前記第１の片側で伝達される信号によって、前記第１の片側での前記基板テーブルの表面の変形を測定する、請求項１から７のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
9. 前記第１の片側での前記基板テーブルの表面は、前記複数のセンサからの信号を反射するよう反射性を有する、請求項８に記載のリソグラフィ装置。
10. 前記複数のセンサは、ベースプレート、台座、または外部バランスマスに配置されている、請求項１から９のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
11. 前記基板テーブルの１次固有振動数は２ｋＨｚ以下であり、及び／または、前記基板テーブルの平均鉛直厚さは６０ｍｍ以下であり、及び／または、前記基板テーブルは基板テーブル面に平行な平均直径が３００ｍｍ以上である、請求項１から１０のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
12. 前記複数のセンサは各々が、静電容量センサを備える、請求項１から１１のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
13. 少なくとも２つのアクチュエータが前記基板テーブルの複数の端部に位置する、請求項１から１２のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
14. リソグラフィ装置の基板テーブルを変形させる方法であって、
    基板テーブルの変形を複数のセンサを使用して測定することと、
    測定結果に基づいて基板テーブルを変形させるよう少なくとも１つのアクチュエータを制御することと、を備え、
    前記複数のセンサは、投影系に対向する基板テーブルの第２の片側とは反対の基板テーブルの第１の片側に配置されており、
    前記複数のセンサは、投影系に対し実質的に静止した前記基板テーブルの下方の場所に配置されている、方法。
15. パターンが与えられた放射ビームを、少なくとも１つの基板テーブルにより支持される連続する複数基板に投影するようリソグラフィ装置を使用することと、
    リソグラフィ装置の使用中に基板テーブルを変形させるために、請求項１４に記載の方法を使用することと、を備えるデバイス製造方法。

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