JP2013118366A - サポート、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
サポート、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013118366A JP2013118366A JP2012239420A JP2012239420A JP2013118366A JP 2013118366 A JP2013118366 A JP 2013118366A JP 2012239420 A JP2012239420 A JP 2012239420A JP 2012239420 A JP2012239420 A JP 2012239420A JP 2013118366 A JP2013118366 A JP 2013118366A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support surface
- support
- movable part
- substrate
- movable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/265—Selective reaction with inorganic or organometallic reagents after image-wise exposure, e.g. silylation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
Abstract
【解決手段】物体を支持するように構成されたサポート表面を有する、物体のためのサポートであって、サポート表面は、主要部分および可動部分を含み、サポート表面の可動部分は、収縮位置と延在位置との間で移動可能であり、収縮位置では、サポート表面の可動部分がサポート表面の主要部分と実質的に同じ平面にあり、延在位置では、サポート表面の可動部分がサポート表面の主要部分の平面から突出する。
【選択図】図2
Description
- 放射ビームB(例えば、UV放射またはDUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
- パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを支持するように構築され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに連結されているサポート構造(例えば、マスクテーブル)MTと、
- 基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持するように構築され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに連結されている基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、
- パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上に投影するように構成された投影システム(例えば、屈折投影レンズシステム)PSとを備える。
1.ステップモードにおいては、サポート構造MTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一静的露光)。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。
2.スキャンモードにおいては、サポート構造MTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一動的露光)。サポート構造MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの(縮小)拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅(非スキャン方向)が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ(スキャン方向)が決まる。
3.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造MTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
Claims (15)
- 物体のためのサポートであって、
前記物体を支持するサポート表面を備え、
前記サポート表面は、主要部分および可動部分を含み、前記サポート表面の前記可動部分は、収縮位置と延在位置との間で移動可能であり、前記収縮位置では、前記サポート表面の前記可動部分が前記サポート表面の前記主要部分と実質的に同じ平面にあり、前記延在位置では、前記サポート表面の前記可動部分が前記サポート表面の前記主要部分の前記平面から突出する、サポート。 - 前記サポート表面の前記可動部分は、可動部分の上端であり、および/または、上から見て多面形の側面を形成する、請求項1に記載のサポート。
- 物体のためのサポートであって、
前記物体を支持するサポート表面と、
上から見て多面形の側面を形成し、かつ収縮位置と延在位置との間で移動可能である細長可動部分であって、前記収縮位置では、前記可動部分の上端が前記サポート表面の主要部分の平面にあるかまたはそれより低く、前記延在位置では、前記可動部分の前記上端が前記サポート表面の前記主要部分の前記平面から突出する、細長可動部分と
を備える、サポート。 - 前記収縮位置において、前記可動部分の前記上端は、前記サポート表面の可動部分を形成し、かつ前記サポート表面の残部を含む前記サポート表面の前記主要部分と実質的に同じ平面にある、請求項3に記載のサポート。
- 前記多面形は少なくとも8つの側面を含み、および/または、前記多面形は実質的に円形であり、および/または、前記多面形は実質的にギャップレスの完全形状であり、および/または、前記多面形は複数の可動セグメントによって形成される、請求項2〜4のうちのいずれかに記載のサポート。
- 前記セグメントはギャップによって分けられ、隣接するセグメント間のギャップの長さの合計は前記多面形の外周の50%より少ない、請求項5に記載のサポート。
- 各可動部分は、上から見て弧状の形状である、請求項1〜6のうちのいずれかに記載のサポート。
- 前記サポート表面は個別の突出体の複数の上端から形成され、および/または、前記サポートは負圧を用いて前記物体を前記サポート表面にクランプさせ、および/または、前記サポートは静電力を用いて前記物体を前記サポート表面にクランプさせ、および/または、前記サポートはリソグラフィ装置内の基板を支持する、請求項1〜7のうちのいずれかに記載のサポート。
- 前記可動部分は、突出体5つの幅より小さく、突出体3つの幅より小さく、突出体2つの幅より小さく、または突出体1つの幅であり、および/または、前記可動部分は前記突出体より低い隆起を備え、および/または、上から見て前記可動部分は細長く、および/または、前記可動部分は前記サポート表面の中心から一定の半径方向距離で位置決めされ、および/または、前記可動部分は前記可動部分に囲われた前記サポート表面の領域のサイズが前記可動部分に囲われていない前記サポート表面の領域のサイズの20%以内であるように位置決めされ、および/または、上から見た前記可動部分の前記領域は、上から見た前記サポート表面の前記領域の少なくとも0.3%、上から見た前記サポート表面の前記領域の少なくとも0.5%または上から見た前記サポート表面の前記領域の少なくとも0.8%である、請求項8に記載のサポート。
- 前記隆起に囲われた領域と流体連結しかつ負圧源と接続可能である導管をさらに備え、および/または、前記可動部分が前記収縮位置にあるときに前記可動部分と前記サポート表面との間のガスの通過に抵抗するシールをさらに備え、および/または、前記可動部分を加熱および/または冷却するヒータおよび/またはクーラをさらに備え、および/または、前記可動部分とは異なる前記サポート表面の中心からの半径方向距離に位置決めされたさらなる可動部分をさらに備え、および/または、前記収縮位置にあるときの前記可動部分を能動的に位置決めするコントローラをさらに備える、請求項9に記載のサポート。
- 請求項1〜10のうちのいずれかに記載のサポートを備える、リソグラフィ装置。
- 前記サポート表面上の前記物体を位置決めするハンドラをさらに備える、請求項11に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ハンドラは上方から前記物体を掴む、請求項12に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ハンドラは前記物体をその端部にて掴む、請求項12または13に記載のリソグラフィ装置。
- デバイス製造方法であって、
パターン付き放射ビームをサポート表面によって支持された基板上に投影することを含み、
前記サポート表面は、主要部分および可動部分を含み、前記サポート表面の前記可動部分は、収縮位置と延在位置との間で移動可能であり、前記収縮位置では、前記サポート表面の前記可動部分が前記サポート表面の前記主要部分と実質的に同じ平面にあり、前記延在位置では、前記サポート表面の前記可動部分が前記サポート表面の前記主要部分の前記平面から突出する、デバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161565872P | 2011-12-01 | 2011-12-01 | |
US61/565,872 | 2011-12-01 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013118366A true JP2013118366A (ja) | 2013-06-13 |
Family
ID=48495393
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012239420A Pending JP2013118366A (ja) | 2011-12-01 | 2012-10-30 | サポート、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130146785A1 (ja) |
JP (1) | JP2013118366A (ja) |
KR (1) | KR20130061647A (ja) |
CN (1) | CN103135361B (ja) |
NL (1) | NL2009689A (ja) |
TW (1) | TW201329648A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150123721A (ko) * | 2014-04-25 | 2015-11-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 정전 척, 배치대, 플라즈마 처리 장치 |
JP2019516137A (ja) * | 2016-04-20 | 2019-06-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板支持部、リソグラフィ装置、およびローディング方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102171583B1 (ko) * | 2013-04-01 | 2020-10-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 고정 장치 및 그 방법 |
KR20160013916A (ko) * | 2013-05-23 | 2016-02-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 유지 방법 및 장치, 그리고 노광 방법 및 장치 |
WO2015106860A1 (en) * | 2014-01-20 | 2015-07-23 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder and support table for lithography |
WO2016062540A1 (en) * | 2014-10-23 | 2016-04-28 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, method of loading a substrate, lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR20200135569A (ko) | 2016-01-13 | 2020-12-02 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트, 기판을 지지하기 위한 캐리어, 진공 프로세싱 시스템, 기판을 홀딩하기 위한 방법, 및 기판을 릴리스하기 위한 방법 |
WO2019052757A1 (en) * | 2017-09-15 | 2019-03-21 | Asml Holding N.V. | GRINDING TOOL AND METHOD FOR REMOVING CONTAMINATION FROM AN OBJECT HOLDER |
US11195743B2 (en) * | 2019-08-30 | 2021-12-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Adjustable substrate support and adjustment method |
US20220351951A1 (en) * | 2021-04-29 | 2022-11-03 | Applied Materials, Inc. | Substrate support apparatus, methods, and systems having elevated surfaces for heat transfer |
US11892778B2 (en) * | 2021-07-07 | 2024-02-06 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Device for adjusting wafer, reaction chamber, and method for adjusting wafer |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08181054A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Nikon Corp | ステージ装置及びその制御方法 |
JP2002540624A (ja) * | 1999-03-30 | 2002-11-26 | ラム・リサーチ・コーポレーション | 外周でのウェーハ持ち上げ |
JP2003258071A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Nikon Corp | 基板保持装置及び露光装置 |
US20030173031A1 (en) * | 2002-03-15 | 2003-09-18 | Aggarwal Ravinder K. | Wafer holder with peripheral lift ring |
JP2003332411A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | Nikon Corp | 基板保持装置及び露光装置 |
JP2008103703A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-05-01 | Canon Inc | 基板保持装置、該基板保持装置を備える露光装置、およびデバイス製造方法 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0456426B1 (en) * | 1990-05-07 | 2004-09-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Vacuum type wafer holder |
JPH09205130A (ja) * | 1996-01-17 | 1997-08-05 | Applied Materials Inc | ウェハ支持装置 |
US5923408A (en) * | 1996-01-31 | 1999-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate holding system and exposure apparatus using the same |
TW524873B (en) * | 1997-07-11 | 2003-03-21 | Applied Materials Inc | Improved substrate supporting apparatus and processing chamber |
US6293749B1 (en) * | 1997-11-21 | 2001-09-25 | Asm America, Inc. | Substrate transfer system for semiconductor processing equipment |
JP3374743B2 (ja) * | 1998-03-05 | 2003-02-10 | 日本電気株式会社 | 基板熱処理装置及び同装置からの基板の分離方法 |
US6416647B1 (en) * | 1998-04-21 | 2002-07-09 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates |
JP2000100895A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 基板の搬送装置、基板の保持装置、及び基板処理装置 |
JP2001313329A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置におけるウェハ支持装置 |
JP2002050560A (ja) * | 2000-08-02 | 2002-02-15 | Nikon Corp | ステージ装置、計測装置及び計測方法、露光装置及び露光方法 |
JP4040423B2 (ja) * | 2002-10-16 | 2008-01-30 | キヤノン株式会社 | 基板保持装置 |
US6897945B1 (en) * | 2003-12-15 | 2005-05-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR20050095164A (ko) * | 2004-03-25 | 2005-09-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조설비의 리프트핀 |
US7050147B2 (en) * | 2004-07-08 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Method of adjusting a height of protrusions on a support surface of a support table, a lithographic projection apparatus, and a support table for supporting an article in a lithographic apparatus |
KR100993466B1 (ko) * | 2006-01-31 | 2010-11-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 플라즈마에 노출되는 부재 |
KR20080026499A (ko) * | 2006-09-20 | 2008-03-25 | 캐논 가부시끼가이샤 | 기판보유장치 |
KR20080058568A (ko) * | 2006-12-22 | 2008-06-26 | 세메스 주식회사 | 리프트 핀 및 이를 갖는 기판 처리 장치 |
US8446566B2 (en) * | 2007-09-04 | 2013-05-21 | Asml Netherlands B.V. | Method of loading a substrate on a substrate table and lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9013682B2 (en) * | 2007-06-21 | 2015-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Clamping device and object loading method |
US20090086187A1 (en) * | 2007-08-09 | 2009-04-02 | Asml Netherlands | Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method |
US8154709B2 (en) * | 2007-10-10 | 2012-04-10 | Asml Netherlands B.V. | Method of placing a substrate, method of transferring a substrate, support system and lithographic projection apparatus |
NL1036025A1 (nl) * | 2007-10-10 | 2009-04-15 | Asml Netherlands Bv | Method of transferring a substrate, transfer system and lithographic projection apparatus. |
JP5005770B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2012-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 |
US7754518B2 (en) * | 2008-02-15 | 2010-07-13 | Applied Materials, Inc. | Millisecond annealing (DSA) edge protection |
WO2009155117A2 (en) * | 2008-05-30 | 2009-12-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for detecting the substrate temperature in a laser anneal system |
US8652260B2 (en) * | 2008-08-08 | 2014-02-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus for holding semiconductor wafers |
JP2010129929A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Canon Inc | 基板保持装置、基板保持方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
JP5088335B2 (ja) * | 2009-02-04 | 2012-12-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置及び基板処理システム |
KR20100100269A (ko) * | 2009-03-06 | 2010-09-15 | 주식회사 코미코 | 리프트 핀 및 이를 포함하는 웨이퍼 처리 장치 |
US20110014396A1 (en) * | 2009-07-14 | 2011-01-20 | Applied Materials, Inc. | Recirculating linear rolling bushing |
WO2011017226A2 (en) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Applied Materials, Inc. | Compound lift pin tip with temperature compensated attachment feature |
JP5270607B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2013-08-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
-
2012
- 2012-10-24 NL NL2009689A patent/NL2009689A/en not_active Application Discontinuation
- 2012-10-30 JP JP2012239420A patent/JP2013118366A/ja active Pending
- 2012-11-14 TW TW101142517A patent/TW201329648A/zh unknown
- 2012-11-23 CN CN201210482715.6A patent/CN103135361B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-11-26 US US13/685,502 patent/US20130146785A1/en not_active Abandoned
- 2012-11-30 KR KR1020120138092A patent/KR20130061647A/ko active Search and Examination
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08181054A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Nikon Corp | ステージ装置及びその制御方法 |
JP2002540624A (ja) * | 1999-03-30 | 2002-11-26 | ラム・リサーチ・コーポレーション | 外周でのウェーハ持ち上げ |
JP2003258071A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Nikon Corp | 基板保持装置及び露光装置 |
US20030173031A1 (en) * | 2002-03-15 | 2003-09-18 | Aggarwal Ravinder K. | Wafer holder with peripheral lift ring |
JP2003332411A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | Nikon Corp | 基板保持装置及び露光装置 |
JP2008103703A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-05-01 | Canon Inc | 基板保持装置、該基板保持装置を備える露光装置、およびデバイス製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150123721A (ko) * | 2014-04-25 | 2015-11-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 정전 척, 배치대, 플라즈마 처리 장치 |
JP2015211116A (ja) * | 2014-04-25 | 2015-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャック、載置台、プラズマ処理装置 |
KR102370516B1 (ko) | 2014-04-25 | 2022-03-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 정전 척, 배치대, 플라즈마 처리 장치 |
JP2019516137A (ja) * | 2016-04-20 | 2019-06-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板支持部、リソグラフィ装置、およびローディング方法 |
US11556063B2 (en) | 2016-04-20 | 2023-01-17 | Asml Netherlands B.V. | Substrate support, lithographic apparatus and loading method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103135361B (zh) | 2015-08-12 |
KR20130061647A (ko) | 2013-06-11 |
NL2009689A (en) | 2013-06-05 |
CN103135361A (zh) | 2013-06-05 |
US20130146785A1 (en) | 2013-06-13 |
TW201329648A (zh) | 2013-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11300890B2 (en) | Lithographic apparatus, support table for a lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2013118366A (ja) | サポート、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
US9417519B2 (en) | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of correcting a mask | |
JP4751872B2 (ja) | リソグラフィ装置およびリソグラフィ方法 | |
US9835957B2 (en) | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2009182337A (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
TW200910017A (en) | Lithographic apparatus having parts with a coated film adhered thereto | |
JP5525571B2 (ja) | リソグラフィ装置、基板テーブルを変形させる方法、及びデバイス製造方法 | |
JP5249381B2 (ja) | 基板テーブル、リソグラフィ装置、基板のエッジを平らにする方法、及びデバイス製造方法 | |
JP5507392B2 (ja) | シャッター部材、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
US8648997B2 (en) | Member with a cleaning surface and a method of removing contamination | |
JP5634490B2 (ja) | サポート、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2013008954A (ja) | 位置決めデバイス、リソグラフィ装置、位置決め方法及びデバイス製造方法 | |
NL2008183A (en) | A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a device manufacturing method. | |
JP5249168B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
US9904177B2 (en) | Fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131211 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131216 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140314 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140526 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140924 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20141001 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20141031 |