CN115031626B - 一种基片坐标测量方法 - Google Patents

一种基片坐标测量方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115031626B
CN115031626B CN202210482980.8A CN202210482980A CN115031626B CN 115031626 B CN115031626 B CN 115031626B CN 202210482980 A CN202210482980 A CN 202210482980A CN 115031626 B CN115031626 B CN 115031626B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
telecentric camera
mark
power
camera
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202210482980.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN115031626A (zh
Inventor
请求不公布姓名
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Zhida Xingkong Technology Group Co ltd
Smart Star Shanghai Engineering Technology Co ltd
Original Assignee
Shenzhen Zhida Xingkong Technology Group Co ltd
Smart Star Shanghai Engineering Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Zhida Xingkong Technology Group Co ltd, Smart Star Shanghai Engineering Technology Co ltd filed Critical Shenzhen Zhida Xingkong Technology Group Co ltd
Priority to CN202210482980.8A priority Critical patent/CN115031626B/zh
Publication of CN115031626A publication Critical patent/CN115031626A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115031626B publication Critical patent/CN115031626B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/002Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring two or more coordinates
    • G01B11/005Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring two or more coordinates coordinate measuring machines
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

本发明属于半导体加工技术领域,具体涉及一种基片坐标测量方法,引入一个已知坐标位置的基准标记版作为坐标系基准,通过传感器直接测量基片上的位置标识与基准标记版上基准位置标识的投影位置偏差,实现对基片上位置标识纳米级别、亚微米级别的坐标测量精度,基本消除了对运动台精度的依赖,并最大限度地提高了测量效率。

Description

一种基片坐标测量方法
技术领域
本发明属于半导体加工技术领域,具体涉及一种基片坐标测量方法。
背景技术
在半导体加工过程中,特别是晶圆级或面板级芯片扇出封装时需要获取硅片或基片(以下统称基片)上各个区域的高精度位置坐标。例如在光刻过程中,基片上各芯片的位置坐标会直接影响最终的套刻指标。由于基片本身的翘曲,在生产和加工的过程中会产生形变,以及各种规格基片的厚度不一,增加了实现高精度、非接触、大范围、高效率与通用性好的坐标测量困难程度。
目前,大部分基片坐标测量系统的精度都高度依赖于运动台的定位精度,为了定位基片上的坐标位置,通过相机拍摄标记图案,计算标记与相机光轴的偏差,并由运动台坐标系计算得到最终的数值。若需要实现亚微米级别的坐标测量,运动台的定位精度需要高一个量级,实现难度和成本均非常高。
发明内容
有鉴于此,本发明提出一种基片坐标测量方法,引入一个已知坐标位置的基准标记版作为坐标系基准,通过传感器直接测量基片上的位置标识与基准标记版上基准位置标识的投影位置偏差,实现对基片上位置标识纳米级别、亚微米级别的坐标测量精度,基本消除了对运动台精度的依赖,并最大限度地提高了测量效率。
为了实现上述技术目的,本发明所采用的具体技术方案为:
一种基片坐标测量方法,包括以下步骤:
S101:配置基准标记版;所述基准标记版上设置有由多个基准位置标识建立的平面坐标系;所述基片的待测面上设置有多个位置标识;
S102:配置传感器部,基于传感器部感知所述位置标识以及所述基准位置标识,将所述位置标识投影至所述平面坐标系中,基于所述基准位置标识在所述平面坐标系中的参考位置描述所述位置标识在所述待测面上的坐标位置。
进一步的,所述基准标记版基于掩模版制造工艺实现或所述基准标记版上的所述基准位置标识基于掩模版标定。
进一步的,所述传感器部包括光轴位于同一直线且拍摄方向相反的第一高倍远心相机及第二高倍远心相机;所述第一高倍远心相机的拍摄方向垂直于所述基准标记版。
进一步的,所述传感器部安装在支撑臂上,所述支撑臂带动所述传感器部平行于所述基准标记版运动。
进一步的,所述第二高倍远心相机基于垂向调整部实现沿其光轴直线运动的伸缩运动,用于使所述第二高倍远心相机的景深至有效拍摄所述位置标识。
用于使所述第二高倍远心相机的景深至有效拍摄所述位置标识。
进一步的,所述基准标记版上设置有特定间隔的阵列区域标定图案。
进一步的,所述S102中基于传感器部感知所述位置标识以及所述基准位置标识的方法具体为:
S201:以所述位置标识在所述基片上的名义位置移动所述第二高倍远心相机至拍摄所述位置标识处;当所述位置标识不处于所述第二高倍远心相机的有效视野中时,基于所述第二远心相机视野中的所述粗对准标识计算位置标识与基准位置标识之间的粗对准偏差;
S202:基于所述粗对准偏差利用基片台带动所述基片运动消除或减少所述粗对准偏差,至所述位置标识处于所述第二高倍远心相机的有效视野中。
S203:基于所述基片的面形,对所述基片进行全局调焦调平或局部调焦调平,之后基于所述垂向调整部和/或所述基片台的运动,消除面形误差,使所述基片处于所述第二高倍远心相机的最佳焦面上;
S204:基于所述第一远心相机及所述第二远心相机同时拍摄基准位置标识和基片位置标识。
进一步的,所述传感部包括第三高倍远心相机及投影装置;所述第三高倍远心相机拍摄方向垂直于所述基准标记版;所述投影装置的感光方向朝向所述基片,所述基准位置标识及所述位置标识同时成像于所述第三高倍远心相机。进一步的,所述传感器部包括第四高倍远心相机及第五高倍远心相机;所述第四高倍远心相机的拍摄方向垂直于所述基准标记版并朝向所述基片;所述基片设置在基片台上;
所述第五高倍远心相机固定在所述基片台上,拍摄方向朝向所述基准标记版。
进一步的,所述S102中基于传感器部感知所述位置标识以及所述基准位置标识的方法具体为:
S301:基于所述第五高倍远心相机与所述基片台之间的相对位置关系,以及所述位置标识的名义位置,确定所述位置标识与所述第五高倍远心相机光轴的名义相对位置;
S302:基于所述第五高倍远心相机拍摄所述基准位置标识,基于所述第四高倍远心相机拍摄所述位置标识。
进一步的,所述基准标记版为透明状,所述传感器部包括光轴垂直于所述基准标记版的第六高倍远心相机;所述第六高倍远心相机设置在所述基准标记版远离所述基片的一侧;所述基准标记版安装在所述基片运动台上。
进一步的,所述S102中基于传感器部感知所述位置标识以及所述基准位置标识的方法具体为:
S401:基于所述第六高倍远心相机与所述基片台之间的相对位置关系,以及所述位置标识的名义位置,确定所述位置标识与所述第六高倍远心相机光轴的名义相对位置;
S402:基于所述位置标识与所述第六高倍远心相机光轴的名义相对位置,将所述位置标识移动至所述第六高倍远心相机的视野中;基于所述第六高倍远心相机拍摄所述基准位置标识以及位置标识。
采用上述技术方案,本发明还能够带来以下有益效果:
本发明设置区域标定图案,实现相机拍摄视野的粗对准,有利于的位置标识的快速寻找;
本发明设置支撑臂,可以配合基片台运动实现对位置标识的拍摄。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明具体实施方式中一种基片坐标测量方法的一种传感器部布置示意图;
图2为本发明具体实施方式中一种基片坐标测量方法的基准标记示意图;
图3为本发明具体实施方式中一种基片坐标测量方法的另一种传感器部布置示意图;
图4为本发明具体实施方式中一种基片坐标测量方法的另一种传感器部布置示意图;
图5为本发明具体实施方式中一种基片坐标测量方法的另一种传感器部布置示意图;
其中:1、基准标记版;11、基准位置标识;2、基片;21、位置标识;22、区域标定图案;3、基片台;5、第一高倍远心相机;6、第二高倍远心相机;7、第三高倍远心相机;4、投影装置;8、第四高倍远心相机;9、第五高倍远心相机.;10、第六高倍远心相机。
具体实施方式
下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是,在不冲突的情况下,以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
要说明的是,下文描述在所附权利要求书的范围内的实施例的各种方面。应显而易见,本文中所描述的方面可体现于广泛多种形式中,且本文中所描述的任何特定结构及/或功能仅为说明性的。基于本发明,所属领域的技术人员应了解,本文中所描述的一个方面可与任何其它方面独立地实施,且可以各种方式组合这些方面中的两者或两者以上。举例来说,可使用本文中所阐述的任何数目个方面来实施设备及/或实践方法。另外,可使用除了本文中所阐述的方面中的一或多者之外的其它结构及/或功能性实施此设备及/或实践此方法。
还需要说明的是,以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想,图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制,其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变,且其组件布局型态也可能更为复杂。
另外,在以下描述中,提供具体细节是为了便于透彻理解实例。然而,所属领域的技术人员将理解,可在没有这些特定细节的情况下实践所述方面。
传统的基片对准测量中,主要是通过基准标记版和基片上的标记图案来识别相对位置。识别两个标记偏差的技术有基于衍射的和基于图像的方案。基于衍射的方案通过测量组合标记左右两侧的衍射信号的强度差确定两个标记之间的偏差。基于图像的方案采用的是显微镜头拍摄标记图案,以此确定标记图案的坐标或者标记之间的相对位置偏差。高倍显微镜头的精度高,但是视野范围受限,需要寻找标记。低倍的显微镜头精度会低,但是视野范围大,采用低倍的显微镜头能够快速定位到标记图案的位置。基于图案的对准方案根据相机位置的不同,包括顶部对准(TSA)和底部对准(BSA)、红外对准(IR)和片间对准(ISA)。顶部对准和底部对准要求其中一片的衬底为透明的,若两对准层之间存在高度差,需要添加垂向轴以调整相机的景深或者透镜使得两个标记图案在同一高度成像。红外对准是通过红外光线穿透薄的基片形成红外图像,但是红外光线会受材料的限制,部分衬底材料会吸光,且会受到基片厚度的限制,多层硅片的堆叠会存在额外的散射,影响红外对准精度。这三种对准方式,均只需要一组物镜成像即可,若需要在同一高度同时成像,会添加额外的光学透镜。片间对准(面对面对准)指在两层片之间采用可以分别或者同时拍摄上下两个标记图案来识别上下的坐标以及坐标之间的偏差。
本发明实施例提供一种基片坐标测量方法,用于基片坐标测量装置中基片2的坐标测量,包括以下步骤:
S101:配置基准标记版1;基准标记版1上设置有多个基准位置标识11;基片2设置在基片台3上;基片2的待测面上设置有多个位置标识21;多个基准位置标识11用于建立一个平面坐标系,基准位置标识11在此平面坐标系中的位置已知,本实施例的投影方向优选垂直投影,将位置标识21投影至平面坐标系中,即可描述位置标识21在基片2上的坐标;
S102:配置传感器部,基于传感器部一一感知或分组感知安装在基片坐标测量装置上的基准标记版1和基片2上位置标识21以及基准位置标识11,得出多个位置标识21的投影偏差;本实施例将位置标识21投影至平面坐标系的方式为基于传感器同时感知两组画面并代入至上述平面坐标系中,之后基于基准位置标识11的具体位置来描述位置标识21在平面坐标系中的坐标。
本实施例采用的方案为基于图像的方式,引入了高精度的基准标记版1,本实施例的基准标记版1可由掩模版制造工艺制成,或基准位置标识11由掩模版进行标定,可保证基准标记版1上各基准位置标识11的精准度。
以下就传感器部的布局不同,分为四个实施例来具体分析。
实施例1
如图1所示,本实施例的传感器部包括光轴位于同一直线且拍摄方向相反的第一高倍远心相机5及第二高倍远心相机6;第一高倍远心相机5的拍摄方向垂直于基准标记版1,基准标记版1安装在基片坐标测量装置的安装位上。
在一些实施方式中,传感器部安装在支撑臂上,支撑臂带动传感器部平行于基准标记版1运动。
在一些实施方式中,传感器部固定,基片和基准版在测量装置的带动下进行移动。
在一些实施方式中,所述第二高倍远心相机6基于垂向调整部实现沿其光轴直线运动的伸缩运动,用于使第二高倍远心相机6的景深至有效拍摄位置标识21。
在一些实施方式中,基准标记版1和基片2的待测面上均设置有相互对应的粗对准标识;粗对准标识用于实现传感器的感应范围同时涵盖相互对应的位置标识21及基准位置标识11。
在本实施例中,S102中,感知多组相互对应的位置标识21以及基准位置标识11,得出位置标识21的投影偏差的方法包括以下步骤:
S201:基于第一高倍远心相机5和第二高倍远心相机6拍摄粗对准标识,计算基准标记版1与基片2之间的粗对准偏差;
S202:基于对准偏差利用基片台3带动基片2运动消除或减少粗对准偏差,至一组相互对应的基准位置标识和位置标识分别处于第一高倍远心相机5及第二高倍远心相机6的视野中;
S203:基于基片2的面形,对基片2进行全局调焦调平或局部调焦调平,之后基于垂向调整部和/或基片台3的运动,消除面形误差,使基片2处于第二高倍远心相机6的最佳焦面上;
S204:由基片2上至少两个标记点之间的名义位置,运动支撑臂或运动台,同时拍摄相互对应的基准位置标识和位置标识,计算本组位置标识与基准位置标识位之间的偏差。
如图1所示,本实施例采用面对面对准的方式,为了降低对基片2运动台的定位精度要求,引入高精度的基准标记版1。为了实现纳米级、亚微米级别的定位精度要求,标记版上的标记相互间隔位置精度需要达到更高的级别。本实施例的基准标记版1的尺寸大于基片2的尺寸。若基片2的尺寸较大,基准标记版1的加工精度难以保证标记的位置精度时,将加工之后的基准标记版1做坐标校正。例如采用6寸高精度掩模版对大尺寸基准标记版1进行分区位置校正,用以测量基片2坐标时的误差补偿。在此,基片2运动台的定位精度只需要达到微米级别即可。为实现高精度的定位需求,两个相机搭配的均为高倍镜头,导致相机的景深在微米级别,在测量各种翘曲的基片时,相机的景深不足以覆盖基片的翘曲高度差,所以第二高倍远心相机6搭配运动台(或者在基片台3上加垂向运动轴)以调整第二高倍远心相机6的景深。本实施例的标记版可以使用掩模版,掩模版平整度好,所以第一高倍远心相机5不需要搭配运动台调整焦面。
在本实施例中,具有两种应用场景。第一种场景是使相机运动,即保持基片2和基准标记版1相对位置固定,通过两个相机同时拍摄标记版和基片台3上标记,来测量基片2与基准标记版1之间的坐标偏差,此时,基片台3的行程可以很小,只需要将位置标识21调整到第二高倍远心相机6的视野范围内即可,而且对其精度要求也低,调整之后,保持基片台3固定。第二种场景是,保持两个相机的水平位置不动,将基准标记版1和基片台3固定在运动台上,基片台3用以微调基片2的位置,使位置标识21处于第二高倍远心相机6的视野范围,将运动台进行水平运动,使两个相机能够同时分别拍摄基准标记11和位置标识21。
由于基片2放置到基片台3上的误差可能偏大,会使得位置标识21和基准标记版1并没有同时处于第一高倍远心相机5和第二高倍远心相机6的视场中心,导致测量精度降低,因此将基片2放置到基片台3之后需要进行粗对准。如图2所示,本实施例的各基准位置标识11之间的间隔均小于相机的视野,第一高倍远心相机5无论处于哪一个位置均可以拍摄到1-4个标记图案,标记图案可以为成十字、方框、条形等规则对称结构。在进行粗对准时,可以采用两种方案,第一种是在各个标记图案之间添加不同字母组合(或者数字,特殊的标识符)用以识别对准的区域,第二种是基于运动台的精度,由基准标记版1的名义位置寻找基准位置标识11。粗对准时,以位置标识在基片上的名义位置移动第二高倍远心相机6至拍摄位置标识处;当位置标识不处于第二高倍远心相机6的有效视野中时,基于第二远心相机6的视野搜索粗对准标识,并计算位置标识与基准位置标识之间的粗对准偏差;
之后基于粗对准偏差利用基片台3带动基片运动消除或减少粗对准偏差,直至位置标识处于第二高倍远心相机的有效视野中。
具体坐标测量步骤如下:
Step1:将基片2放置到基片台3上,采用第二高倍远心相机6搜索基片2上两个粗对准的标记(若采用上述第一种场景,运动相机支撑臂搜索,若采用上述第二种场景,将运动台进行水平运动进行搜索),计算基准标记版1与基片2之间的粗对准偏差,并采用基片台3进行粗对准补偿。使得在测量过程当中,基准标记版1和基片2上的标记均能同时处于两个相机中心视野范围。采用垂向传感器测量基片2的面形,对基片2进行全局调焦调平或局部调焦调平,获取到基片2调焦调平之后的残差,调整第二高倍远心相机6的运动台(或者基片台3运动台),使得基片2处于第二高倍远心相机6的最佳焦面上。
Step2:由基片2上各个标记点之间的名义位置,运动支撑臂或运动台(分别对应第一种和第二种场景),同时拍摄标记版和位置标识21图案。为了提高对准效率,可以在运动的过程进行拍摄,此时拍摄的图像可能会比静止拍摄的要模糊,可以通过运动参数对图像进行修复。
Step3:计算位置标识21相对于标记版之间的位置偏差。
在计算过程当中牵涉的坐标转换,首先,两个高倍远心相机均要标定内部参数和外部参数,拍摄标记图案,计算标记图案的亚像素中心坐标,可以采用矩方法、曲线拟合法、相关函数拟合法等方式获取。由内外部参数,计算标记图案中心坐标与相机光轴的在世界坐标系下的偏差,由此得到基准标记版1图案与第一高倍远心相机5的光轴以及位置标识21图案与第二高倍远心相机6光轴在世界坐标系下的水平偏差。然后,由第一高倍远心相机5和第二高倍远心相机6光心之间的位姿变换,计算基准位置标识11和位置标识21在世界坐标系下的水平偏差,在上述平面坐标系中代入上述偏差以及上述基准位置标识11的具体坐标便能够得到基片2上位置标识21的具体坐标。
本实施例中引入的误差项如下:
1、两个相机测量标记坐标的重复性误差;
2、两个相机之间的位姿变换误差;
3、位置标识和标记版上对应标记由相互之间的倾斜导致的水平向偏差。
实施例2:
如图3所示,传感部包括光轴位于同一直线的第三高倍远心相机7及投影装置4;高倍远心相机拍摄方向垂直于基准标记版1;投影装置4为第三高倍远心相机7朝向基片2的感光装置,基准位置标识11以及位置标识21均成像于第三高倍远心相机7,基准标记版1安装在基片坐标测量装置的基准标记版安装位上。
本实施例同样采用面对面对准的方式,如图3所示,与实施例1的区别是在测量位置标识21时,采用的方式是将标记图案通过光学投影装置4射入到拍摄基准位置标识11的相机的靶面上。由此基准位置标识11和位置标识21可以同时成像到同一个图像中,并由此计算基准位置标识11和位置标识21的偏差。
本实施例的优势在于省去了由拍摄基片2标记相机的标定以及两个相机之间的位姿标定误差,而且图像数据量减小,可以实现更高的对准效率。但同时引入了光学镜头的畸变误差项。相当于该相机拥有两组内部参数和外部参数,分别对应与标记版面以及基片平面。由于该相机只有一个光心,消除了两相机光心之间的位置偏差。设计基准标记版1和位置标识21时,为避免标记之间的遮挡,一般是将设计成互补形状,比如十字和方框,但是基片2上的标记未知,在设计标定版标记时区别于实施例1的是设计成阴阳标记相间隔,且标记设计的更加密集。在计算的过程当中,只需要计算基准位置标识11与相机的光轴的偏差,以及基片台3标记与相机光轴的偏差,最后,可以直接计算得到基准位置标识11与位置标识21之间的偏差。
实施例3
如图4所示,传感器部包括第四高倍远心相机8及第五高倍远心相机9,基准标记版1安装在基片坐标测量装置的基准标记版安装位上,第四高倍远心相机8的拍摄方向垂直于基准标记版1并朝向基片2;基片2安装在基片台3上;
第五高倍远心相机9定在基片台3上,拍摄方向朝向基准标记版1。
S102中,感知位置标识21以及基准位置标识11,得出位置标识21的投影偏差的方法包括以下步骤:
S301:基于第五高倍远心相机9与基片台3之间的相对位置关系,以及位置标识21的名义位置,确定位置标识21与第五高倍远心相机9轴的名义相对位置;
S302:基于第五高倍远心相机9摄基准位置标识11,基于第四高倍远心相机8拍摄位置标识21;
S303:基于第五高倍远心相机9拍摄基准位置标识11与位置标识21所对应的基准位置标识11之间的位置关系以及,
第四高倍远心相机8与第五高倍远心相机9光轴位置关系,得出多个位置标识21的投影偏差。
本实施例同样采用面对面对准,如图4所示,第四高倍远心相机8放置在支撑臂上,第四高倍远心相机8的焦面调整同样可以通过支撑臂上加装垂向运动轴或者基片台3上加装垂向运动轴实现,第四高倍远心相机8的水平方向固定。第五高倍远心相机9置与基片台3上,跟随基片台3运动。为了覆盖基片2上所有的范围,标记版的尺寸需要覆盖基片台3的行程范围。所以本实施例的基准标记版1会大于实施例1和实施2,且位置固定。
本实施例的第四高倍远心相机8也可基于垂向调整部粗调整其拍摄景深。
具体坐标测量步骤如下:
Step1:将基片2放置在基片台3上,由位置标识21的名义位置,将基片2上各个标记图案运动到第四高倍远心相机8的视野范围内。(基片台的定位精度可以在微米级别即可),由于上片偏差的存在,首次拍摄标记时需要进行搜索。采用第四高倍远心相机8拍摄位置标识21,采用第五高倍远心相机9摄基准位置标识11。
Step2:由第五高倍远心相机9摄的标记版标记计算基片台3的精确坐标位置,由第四高倍远心相机8计算位置标识21与第四高倍远心相机8光轴之间的水平偏差
Step3:计算位置标识21与标记版上对应标记的偏差。
本实施例的误差项如下:
1、第四高倍远心相机8测量标记的重复性误差,该相机的误差包含了调整焦面时引入的水平向偏差,基片台3运动时导致标记图案的倾斜引入的误差,以及相机自身的标定误差;
2、由于基片台3运动导致第五高倍远心相机9光轴倾斜引入的误差。
实施例4
在本实施例中,基准标记版1为透明状,传感器部包括光轴垂直于基准标记版1的第六高倍远心相机10;第六高倍远心相机10设置在基准标记版1远离基片2的一侧;基准标记版1安装在基片运动台3上。
S102中,感知多组相互对应的位置标识21以及基准位置标识11,得出位置标识21的投影偏差的方法包括以下步骤:
S301:基于第六高倍远心相机10与基片台3之间的相对位置关系,以及位置标识21的名义位置,确定位置标识21与第六高倍远心相机10光轴的名义相对位置;
S302:基于位置标识21与第六高倍远心相机10光轴的名义相对位置,将位置标识21移动至第六高倍远心相机10的视野中;基于第六高倍远心相机10拍摄基准位置标识11以及位置标识21,得到位置标识21的投影偏差。
本实施例采用顶部对准的方式,基准标记版1和基片台3均固定在同一个运动台上,同时随运动台运动,基片台3用于调整基片2与标记版之间的相对位置,使得位置标识21和标记版上对应标记11均处在相机的视野范围内。在本实施例中,标记版的位置标识21设计与实施例2相同。
具体坐标测量步骤如下:
Step1:将基片2放置在基片台3上,由位置标识21的名义位置,将基片2上各个位置标识21运动到相机的视野范围内。由于上片偏差的存在,首次拍摄标记时需要进行搜索,并对基片2进行粗对准。采用相机拍摄标记版标记位置,由基片2的面形数据,调整相机的最佳焦面高度,拍摄位置标识21图案。
Step2:拍摄的位置标识21以及基准位置标识11,计算基准位置标识11与位置标识21的位置偏差。本实施例中的优势在于采用同轴的方式进行拍摄,由同一个相机拍摄,标记图案拍摄的一致性优于上述实施例。本实施例引入的主要误差在于运动台运动导致相机的水平向偏差。在标记测试效率上低于其他的实施例,即测量每一对标记时,均需要运动第六高倍远心相机的垂向运动台。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种基片坐标测量方法,其特征在于,包括以下步骤:
S101:配置基准标记版;所述基准标记版上设置有由多个基准位置标识建立的平面坐标系;所述基片的待测面上设置有多个位置标识;
S102:配置传感器部,基于传感器部感知所述位置标识以及所述基准位置标识,将所述位置标识投影至所述平面坐标系中,基于所述基准位置标识在所述平面坐标系中的参考位置描述所述位置标识在所述待测面上的坐标位置;
当所述传感器部包括光轴位于同一直线且拍摄方向相反的第一高倍远心相机及第二高倍远心相机;所述第一高倍远心相机的拍摄方向垂直于所述基准标记版时,所述S102中基于传感器部感知所述位置标识以及所述基准位置标识的方法具体为:
S201:以所述位置标识在所述基片上的名义位置移动所述第二高倍远心相机至拍摄所述位置标识处;当所述位置标识不处于所述第二高倍远心相机的有效视野中时,基于所述第二高倍远心相机视野中的粗对准标识计算位置标识与基准位置标识之间的粗对准偏差;
S202:基于所述粗对准偏差利用基片台带动所述基片运动消除或减少所述粗对准偏差,至所述位置标识处于所述第二高倍远心相机的有效视野中;
S203:基于所述基片的面形,对所述基片进行全局调焦调平或局部调焦调平,之后使所述基片处于所述第二高倍远心相机的最佳焦面上;
S204:基于所述第一高倍远心相机及所述第二高倍远心相机同时拍摄基准位置标识和基片位置标识。
2.根据权利要求1所述的基片坐标测量方法,其特征在于,所述基准标记版基于掩模版制造工艺实现或所述基准标记版上的所述基准位置标识基于掩模版标定。
3.根据权利要求1所述的基片坐标测量方法,其特征在于,所述传感器部安装在支撑臂上,所述支撑臂带动所述传感器部平行于所述基准标记版运动;
或者,将所述传感器部固定,由基片台带动所述基准标记版和所述基片相对所述传感器部运动。
4.根据权利要求1所述的基片坐标测量方法,其特征在于,所述第二高倍远心相机基于垂向调整部实现沿其光轴直线运动的伸缩运动,使所述第二高倍远心相机的景深至有效拍摄所述位置标识。
5.根据权利要求1所述的基片坐标测量方法,其特征在于,所述基准标记版上设置有间隔的阵列区域标定图案。
6.根据权利要求4所述的基片坐标测量方法,其特征在于,所述步骤S203使所述基片处于所述第二高倍远心相机的最佳焦面上的方法如下:
基于所述垂向调整部和/或所述基片台的运动,消除面形误差,使所述基片处于所述第二高倍远心相机的最佳焦面上。
7.根据权利要求1所述的基片坐标测量方法,其特征在于,所述传感器部包括第三高倍远心相机及投影装置;所述第三高倍远心相机拍摄方向垂直于所述基准标记版;所述投影装置的感光方向朝向所述基片,所述基准位置标识及所述位置标识同时成像于所述第三高倍远心相机。
8.根据权利要求1所述的基片坐标测量方法,其特征在于,所述传感器部包括第四高倍远心相机及第五高倍远心相机;所述第四高倍远心相机的拍摄方向垂直于所述基准标记版并朝向所述基片;所述基片设置在基片台上;
所述第五高倍远心相机固定在所述基片台上,拍摄方向朝向所述基准标记版。
9.根据权利要求8所述的基片坐标测量方法,其特征在于,所述S102中基于传感器部感知所述位置标识以及所述基准位置标识的方法具体为:
S301:基于所述第五高倍远心相机与所述基片台之间的相对位置关系,以及所述位置标识的名义位置,确定所述位置标识与所述第五高倍远心相机光轴的名义相对位置;
S302:基于所述第五高倍远心相机拍摄所述基准位置标识,基于所述第四高倍远心相机拍摄所述位置标识。
10.根据权利要求1所述的基片坐标测量方法,其特征在于,所述基准标记版为透明状,所述传感器部包括光轴垂直于所述基准标记版的第六高倍远心相机;所述第六高倍远心相机设置在所述基准标记版远离所述基片的一侧;所述基准标记版安装在所述基片台上。
11.根据权利要求10所述的基片坐标测量方法,其特征在于,所述S102中基于传感器部感知所述位置标识以及所述基准位置标识的方法具体为:
S401:基于所述第六高倍远心相机与所述基片台之间的相对位置关系,以及所述位置标识的名义位置,确定所述位置标识与所述第六高倍远心相机光轴的名义相对位置;
S402:基于所述位置标识与所述第六高倍远心相机光轴的名义相对位置,将所述位置标识移动至所述第六高倍远心相机的视野中;基于所述第六高倍远心相机拍摄所述基准位置标识以及位置标识。
CN202210482980.8A 2022-05-05 2022-05-05 一种基片坐标测量方法 Active CN115031626B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210482980.8A CN115031626B (zh) 2022-05-05 2022-05-05 一种基片坐标测量方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210482980.8A CN115031626B (zh) 2022-05-05 2022-05-05 一种基片坐标测量方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115031626A CN115031626A (zh) 2022-09-09
CN115031626B true CN115031626B (zh) 2023-08-18

Family

ID=83118858

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210482980.8A Active CN115031626B (zh) 2022-05-05 2022-05-05 一种基片坐标测量方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115031626B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116878387B (zh) * 2023-09-06 2023-11-24 北京华卓精科科技股份有限公司 上下对准视觉装置的标定方法、标定系统及装置

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0729815A (ja) * 1993-07-14 1995-01-31 Ushio Inc マスクとワークとの位置合わせ装置およびそれを使用した位置合わせ方法
US6411386B1 (en) * 1997-08-05 2002-06-25 Nikon Corporation Aligning apparatus and method for aligning mask patterns with regions on a substrate
CN1828431A (zh) * 2006-04-04 2006-09-06 上海微电子装备有限公司 用于投影曝光装置中的自动位置对准装置和位置对准方法
JP2006234647A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Nikon Corp 位置計測方法、位置計測装置、露光方法及び露光装置
CN101059650A (zh) * 2006-04-18 2007-10-24 佳能株式会社 图案转印设备、压印设备和图案转印方法
CN101158821A (zh) * 2007-08-31 2008-04-09 上海微电子装备有限公司 对准标记,对准方法和对准系统
CN101241319A (zh) * 2008-03-06 2008-08-13 上海微电子装备有限公司 具有对准标记体系的机器视觉对准系统及其对准方法
TW201019388A (en) * 2008-11-04 2010-05-16 Molecular Imprints Inc Alignment for edge field nano-imprinting
CN103858208A (zh) * 2011-08-10 2014-06-11 株式会社V技术 曝光装置用的对准装置以及对准标记
CN104272191A (zh) * 2012-04-26 2015-01-07 Asml荷兰有限公司 光刻设备及器件制造方法
CN104730871A (zh) * 2013-12-18 2015-06-24 财团法人金属工业研究发展中心 异空间异尺寸基材对位方法
CN107329379A (zh) * 2016-04-29 2017-11-07 上海微电子装备(集团)股份有限公司 双层对准装置和双层对准方法
CN110603491A (zh) * 2017-06-26 2019-12-20 应用材料公司 用于通过非相干照明混合的对准的图像改善
CN113093487A (zh) * 2021-04-20 2021-07-09 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) 掩模对准系统、掩模对准方法和光刻设备

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002353099A (ja) * 2001-05-22 2002-12-06 Canon Inc 位置検出方法及び装置及び露光装置及びデバイス製造方法
US20080292177A1 (en) * 2007-05-23 2008-11-27 Sheets Ronald E System and Method for Providing Backside Alignment in a Lithographic Projection System
JP6960330B2 (ja) * 2017-12-27 2021-11-05 キヤノン株式会社 位置合わせ装置、リソグラフィ装置、および物品製造方法

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0729815A (ja) * 1993-07-14 1995-01-31 Ushio Inc マスクとワークとの位置合わせ装置およびそれを使用した位置合わせ方法
US6411386B1 (en) * 1997-08-05 2002-06-25 Nikon Corporation Aligning apparatus and method for aligning mask patterns with regions on a substrate
JP2006234647A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Nikon Corp 位置計測方法、位置計測装置、露光方法及び露光装置
CN1828431A (zh) * 2006-04-04 2006-09-06 上海微电子装备有限公司 用于投影曝光装置中的自动位置对准装置和位置对准方法
CN101059650A (zh) * 2006-04-18 2007-10-24 佳能株式会社 图案转印设备、压印设备和图案转印方法
CN101158821A (zh) * 2007-08-31 2008-04-09 上海微电子装备有限公司 对准标记,对准方法和对准系统
CN101241319A (zh) * 2008-03-06 2008-08-13 上海微电子装备有限公司 具有对准标记体系的机器视觉对准系统及其对准方法
TW201019388A (en) * 2008-11-04 2010-05-16 Molecular Imprints Inc Alignment for edge field nano-imprinting
CN103858208A (zh) * 2011-08-10 2014-06-11 株式会社V技术 曝光装置用的对准装置以及对准标记
CN104272191A (zh) * 2012-04-26 2015-01-07 Asml荷兰有限公司 光刻设备及器件制造方法
CN104730871A (zh) * 2013-12-18 2015-06-24 财团法人金属工业研究发展中心 异空间异尺寸基材对位方法
CN107329379A (zh) * 2016-04-29 2017-11-07 上海微电子装备(集团)股份有限公司 双层对准装置和双层对准方法
CN110603491A (zh) * 2017-06-26 2019-12-20 应用材料公司 用于通过非相干照明混合的对准的图像改善
CN113093487A (zh) * 2021-04-20 2021-07-09 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) 掩模对准系统、掩模对准方法和光刻设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN115031626A (zh) 2022-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6151406B2 (ja) 基板検査方法
KR101367485B1 (ko) 투명기판의 치수 변화를 측정하기 위한 방법 및 장치
US10907952B2 (en) Optical measurement device and method with improved measurement precision
KR102218956B1 (ko) 패턴 형성 장치, 기판을 배치하는 방법, 및 물품을 제조하는 방법
TW201715638A (zh) 用於晶圓的預對準裝置及方法
TWI614823B (zh) 雙層對準裝置和雙層對準方法
US8017424B2 (en) Dual-sided substrate measurement apparatus and methods
WO2017167258A1 (zh) 一种投影曝光装置及方法
JP6794536B2 (ja) 光学式測定装置及び方法
KR102357577B1 (ko) 투영 노광 장치, 투영 노광 방법, 투영 노광 장치용 포토마스크, 및 기판의 제조 방법
JP2019527482A (ja) ボンディング位置合わせのためのデバイスおよび方法
CN115031626B (zh) 一种基片坐标测量方法
TW202217470A (zh) 用於在印刷電路板製造中的光微影直接曝光程序的曝光控制
WO2021219007A1 (zh) 基于暗场莫尔条纹对准检测与控制的超分辨光刻装置
CN113467194B (zh) 环境温度补偿方法、对位装置以及直写成像光刻设备
JP2007305696A (ja) 位置決め装置の精度測定方法
CN101957562B (zh) 一种双曝光方法
CN115128914A (zh) 一种应用于全场曝光机的调平对位方法
CN102566311A (zh) 一种制版光刻设备动态稳定性测量方法
JPH0353770B2 (zh)
TWI796315B (zh) 曝光裝置及曝光方法
JP3337499B2 (ja) プリント基板検査装置
US20220223451A1 (en) Systems and methods for transferring devices or patterns to a substrate
CN115657425A (zh) 一种光刻物镜畸变检测调整误差分离装置及方法
CN118534738A (zh) 曝光设备的调平系统、调平方法、对焦系统及对焦方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant