KR20150036734A - 스테이지 장치, 노광 장치, 및 디바이스의 제조 방법 - Google Patents

스테이지 장치, 노광 장치, 및 디바이스의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

소정의 이동면 (16a) 을 구비한 고정부 (16) 와, 이동면 (16a) 을 따라 제 1 방향을 포함하는 복수의 방향으로 이동할 수 있는 제 1 이동체를 갖는다. 제 1 이동체의 이동과 동기하여, 이동면 (16a) 에 대하여 제 1 방향으로 이동하는 서브스테이지 (61A, 61B) 와, 서브스테이지 (61A, 61B) 에 적어도 일부가 형성되고, 서브스테이지 (61A, 61B) 와 이동면 (16a) 사이의 제 1 방향의 상대 위치에 관한 정보를 검출하는 제 1 계측 장치 (67) 와, 서브스테이지 (61A, 61B) 에 적어도 일부가 형성되고, 서브스테이지와 제 1 이동체 사이의 제 1 방향과 거의 직교하고 또한 이동면 (16a) 을 따르는 제 2 방향의 상대 위치에 관한 정보를 검출하는 제 2 계측 장치 (71, 72) 를 갖는다.

Description

스테이지 장치, 노광 장치, 및 디바이스의 제조 방법{STAGE APPARATUS, EXPOSURE APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 스테이지 장치, 노광 장치, 및 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.
본원은, 2006년 12월 27일에 출원된 일본 특허출원 2006-351479호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
반도체 소자, 액정 표시 소자, CCD (Charge Coupled Device) 등의 촬상 소자, 박막 자기 헤드, 그 밖의 각종 디바이스 제조 공정의 하나로서 형성되는 포토리소그래피 공정에서는, 마스크 또는 레티클 (이들을 총칭하는 경우에는 마스크라고 한다) 에 형성된 패턴을, 투영 광학계를 통해 포토레지스트가 도포된 유리 플레이트 또는 웨이퍼 등의 기판에 전사하는 노광 장치가 사용된다. 이 노광 장치에서는, 기판을 노광 위치에 높은 정밀도로 위치 결정할 필요가 있기 때문에, 기판은 기판 홀더 상에 진공 흡착 등에 의해 유지되고, 이 기판 홀더가 기판 테이블 상에 고정되어 있다.
최근에는, 스루풋 (단위 시간에 노광 처리할 수 있는 기판의 장 수) 을 향상시키기 위해서 기판을 보다 고속으로 이동시키는 것이 요구되고 있다. 또한, 기판에 전사하는 패턴의 미세화에 의해, 기계적인 안내면 (案內面) 의 정밀도 등에 영향을 받지 않고 고정밀도로 기판의 위치 결정을 실현하는 것도 요구되고 있다. 또한 메인터넌스의 기회를 줄이고 노광 장치의 가동 시간을 연장시키기 위해서 기계적인 마찰을 회피하여 장수명화하는 것도 요구되고 있다. 이러한 요구들을 만족시키기 위해서, 기판이 탑재된 기판 테이블을 비접촉으로 2 차원 방향으로 구동함으로써, 기판의 위치 결정을 실시하는 스테이지 장치가 개발되고 있다. 이 비접촉 구동 스테이지 장치의 구동원으로는, 예를 들어 가변 자기 저항 구동 방식의 리니어 펄스 모터를 2 축분 결합시킨 구조의 평면 모터가 알려져 있다.
상기 가변 자기 저항 구동 방식의 평면 모터로서, 현 상황에서는 소이어 모터와 같이 가변 자기 저항 구동 방식의 리니어 펄스 모터를 2 축분 결합시킨 구조가 주류이다. 이 가변 자기 저항 구동 방식의 리니어 펄스 모터는, 예를 들어 요철 형상의 치부 (齒部) 가 길이 방향을 따라 등간격으로 형성된 판 형상의 자성체로 구성된 고정자와, 고정자의 요철 형상의 치부와 대향하여, 이 요철 형상 치부와는 상이한 위상의 요철부를 갖는 복수의 전기자 코일이 영구 자석을 통해 연결된 가동자를 구비하고, 각 시점에 있어서의 고정자와의 가동자와의 사이의 자기 저항을 최소로 하고자 하여 발생되는 힘을 이용하여 가동자를 구동하는 모터이다.
또한 최근에는, 예를 들어 2 차원적으로 배열된 코일을 구비하는 고정부와, 2 차원적으로 배열된 영구 자석을 갖는 이동부로 이루어지고, 코일에 전류를 흐르게 함으로써 발생되는 로렌츠 힘을 이용하여, 고정부에 대하여 이동부를 2 차원적으로 구동하는 평면 모터 장치가 제안되어 있다 (특허 문헌 1 ∼ 3 참조).
특허 문헌 1 : 일본 공개특허공보 평11-164543호
특허 문헌 2 : 일본 공개특허공보 2003-224961호
특허 문헌 3 : 미국 특허 제5677758호
그러나, 상기 서술한 종래 기술에는 이하와 같은 문제가 존재한다.
상기 이동부는, 통상 레이저 간섭계 등의 계측 장치를 사용하여 위치 (및 속도 등) 가 계측되고 있는데, 이동부의 이동 범위 전체에 걸쳐서 위치 계측이 가능한 상태로 간섭계를 배치하면 비용이 대폭 증가한다는 문제가 발생한다.
특히, 상기 서술한 평면 모터 장치에 있어서의 이동부는, 직동 방식의 리니어 모터를 사용한 경우와 같이 리니어 모터에 있어서의 가동자와 고정자의 상대 위치를 모니터할 수 있는 구성으로는 되어 있지 않다. 그 때문에, 큰 폭의 비용 증가를 초래하지 않고 이동부의 위치를 계측할 수 있는 방책이 요망되었다.
본 발명은, 큰 폭의 비용 증가를 초래하지 않고 평면 모터 장치의 이동체의 위치를, 이동 범위에 걸쳐서 계측할 수 있는 스테이지 장치 및 노광 장치 그리고 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 실시형태를 나타내는 도 1 내지 도 10 에 대응시킨 이하의 구성을 채용하고 있다.
본 발명의 제 1 양태에 따르면, 소정의 이동면 (16a) 을 구비한 고정부 (16) 와, 이동면 (16a) 을 따라 제 1 방향 (Y 방향) 을 포함하는 복수의 방향으로 이동할 수 있는 제 1 이동체 (17) 를 갖는 평면 모터 장치 (15) 를 구비한 스테이지 장치로서, 제 1 이동체 (17) 의 이동과 동기하여, 이동면 (16a) 에 대하여 제 1 방향으로 이동하는 서브스테이지 (61A, 61B) 와, 서브스테이지 (61A, 61B) 에 적어도 일부가 형성되고, 서브스테이지 (61A, 61B) 와 이동면 (16a) 사이의 제 1 방향의 상대 위치에 관한 정보를 검출하는 제 1 계측 장치 (67) 와, 서브스테이지 (61A, 61B) 에 적어도 일부가 형성되고, 서브스테이지 (61A, 61B) 와 제 1 이동체 (17) 사이의 제 1 방향과 거의 직교하고 또한 이동면 (16a) 을 따르는 제 2 방향 (X 방향) 의 상대 위치에 관한 정보를 검출하는 제 2 계측 장치 (71, 72) 를 갖는 것을 특징으로 하는 스테이지 장치가 제공된다.
제 1 양태에서는, 제 1 이동체의 제 1 방향의 위치에 대해서는, 서브스테이지가 제 1 이동체와 동기 이동하기 때문에, 서브스테이지와 제 1 이동체의 상대 위치를 미리 어떤 값으로 설정해 두면 양자는 소정의 관계에 있다고 할 수 있다. 따라서, 제 1 계측 장치에 의해 서브스테이지와 이동면의 상대 위치에 관한 정보를 검출함으로써, 제 1 이동체와 이동면의 제 1 방향에 관한 상대 위치 정보를 얻을 수 있다. 또한, 제 1 이동체의 제 2 방향의 위치에 대해서는, 서브스테이지와 이동면의 상대 위치는 미리 소정의 관계에 있다. 따라서, 제 2 계측 장치에 의해 서브스테이지와 이동면의 상대 위치에 관한 정보를 검출함으로써, 제 1 이동체와 이동면의 제 2 방향에 관한 상대 위치 정보와 θz 방향의 상대 위치 정보를 얻을 수 있다. 또한, 제 2 계측 장치가 서브스테이지와 제 1 이동체 사이의 제 1 방향의 상대 위치에 관한 정보도 검출할 수 있게 한 구성으로 하면, 제 1 이동체와 이동면의 제 1 방향에 관한 상대 위치 정보를 보다 높은 정밀도로 구할 수도 있다.
이와 같이 제 1 양태에서는, 서브스테이지와 이동면의 위치 관계와 제 1 계측 장치 및 제 2 계측 장치에 의해, 제 1 이동체의 이동 범위 전체에 걸쳐서 그 위치에 관한 정보를 얻을 수 있어, 큰 폭의 비용 증가를 회피할 수 있다.
본 발명의 제 2 양태에 따르면, 앞서 기재된 스테이지 장치 (WST) 를 구비하는 노광 장치가 제공된다.
제 2 양태에서는, 상기 스테이지 장치 (WST) 를 구비하기 때문에 큰 폭의 비용 증가를 초래하지 않고, 이동체 (17), 즉 이동체 (17) 에 유지되는 기판 (W) 등의 위치에 관한 정보를 계측할 수 있게 된다.
본 발명의 제 3 양태에 따르면, 앞서 기재된 노광 장치 (10) 를 사용하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법이 제공된다.
제 3 양태에서는, 비용 증가를 억제한 노광 장치 (10) 로 디바이스를 제조할 수 있기 때문에, 디바이스의 비용 증가를 억제할 수 있게 된다.
또한, 알기 쉽게 설명하기 위해서, 일 실시예를 나타내는 도면의 부호에 대응시켜 설명하였지만, 본 발명이 실시예에 한정되지 않는 것은 말할 필요도 없다.
본 발명에서는, 평면 모터 장치의 이동체의 위치를, 큰 폭의 비용 증가를 초래하지 않고 이동 범위에 걸쳐서 계측할 수 있게 된다.
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 의한 노광 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2 는, 웨이퍼 스테이지의 구성을 나타내는 상면도이다.
도 3 은, 웨이퍼 스테이지에 형성되는 스테이지 유닛의 상면도이다.
도 4 는, 도 3 중의 A-A 선을 따른 화살표 방향으로 본 단면도이다.
도 5 는, 코어 부재의 확대도이다.
도 6 은, 도 4 중의 B-B 선을 따른 화살표 방향으로 본 단면도이다.
도 7 은, 도 4 중의 C-C 선을 따른 화살표 방향으로 본 단면도이다.
도 8a 는, 웨이퍼 스테이지의 정면도이다.
도 8b 는, 웨이퍼 스테이지의 정면도이다.
도 9 는, 마이크로 디바이스로서의 액정 표시 소자를 제조하는 제조 공정의 일부를 나타내는 플로우 차트이다.
도 10 은, 마이크로 디바이스로서의 반도체 소자를 제조하는 제조 공정의 일부를 나타내는 플로우 차트이다.
이하, 본 발명의 스테이지 장치 및 노광 장치 그리고 디바이스의 제조 방법의 실시형태를 도 1 내지 도 10 을 참조하여 설명한다.
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 의한 노광 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 도 1 에 나타내는 노광 장치 (10) 는 반도체 소자를 제조하기 위한 노광 장치로서, 레티클 (마스크) (R) 과 웨이퍼 (기판) (W) 를 동기 이동시키면서, 레티클 (R) 에 형성된 패턴을 순서대로 웨이퍼 (W) 상에 전사하는 스텝·앤드·스캔 방식의 축소 투영형 노광 장치이다.
또한 이하의 설명에 있어서는, 필요에 따라 도면 중에 XYZ 직교 좌표계를 설정하고, 이 XYZ 직교 좌표계를 참조하면서 각 부재의 위치 관계에 대하여 설명한다. 이 XYZ 직교 좌표계는, X 축 및 Z 축이 지면에 대하여 평행이 되도록 설정되고, Y 축이 지면에 대하여 수직이 되는 방향으로 설정되어 있다. 도면 중의 XYZ 좌표계는, 실제로는 XY 평면이 수평면에 평행한 면으로 설정되고, Z 축이 연직 상방향으로 설정된다. 또한, 노광시에 있어서의 웨이퍼 (W) 및 레티클 (R) 의 동기 이동 방향 (주사 방향) 은 Y 방향으로 설정되어 있는 것으로 한다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 노광 장치 (10) 는, 조명 광학계 (ILS) 와, 마스크로서의 레티클 (R) 을 유지하는 레티클 스테이지 (RST) 와, 투영 광학계 (PL) 와, 기판으로서의 웨이퍼 (W) 를 XY 평면 내에서 X 방향 및 Y 방향의 2 차원 방향으로 이동시키는 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 을 구비하는 스테이지 장치로서의 웨이퍼 스테이지 (WST) 와, 이들을 제어하는 주제어 장치 (MCS) 를 포함하여 구성된다. 또한, 도시를 생략하였지만, 웨이퍼 스테이지 (WST) 에는, 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 에 추가하여, 노광 장치 (10) 의 성능을 측정하는 각종 측정 기기가 설치된 스테이지 유닛을 형성해도 된다.
조명 광학계 (ILS) 는, 도시가 생략된 광원 유닛 (예를 들어 초고압 할로겐 램프 또는 엑시머 레이저 등의 레이저 광원) 으로부터 사출된 노광광의 정형 (整形) 및 조도 분포의 균일화를 실시하여 레티클 (R) 상의 직사각형 (또는 원호 형상) 의 조명 영역 (IAR) 에 균일한 조도로 조사한다. 레티클 스테이지 (RST) 는, 도시가 생략된 레티클 베이스 상에 스테이지 가동부 (11) 를 형성한 구성으로서, 노광시에는 스테이지 가동부 (11) 가 레티클 베이스 상을 소정의 주사 속도로 소정의 주사 방향을 따라 이동한다.
또한, 스테이지 가동부 (11) 의 상면에는 레티클 (R) 이 예를 들어 진공 흡착에 의해 유지된다. 이 스테이지 가동부 (11) 의 레티클 (R) 의 하방에는, 노광광 통과 구멍 (도시 생략) 이 형성되어 있다. 이 스테이지 가동부 (11) 의 단부 (端部) 에는 반사경 (12) 이 배치되어 있다. 이 반사경 (12) 의 위치를 레이저 간섭계 (13) 가 측정함으로써, 스테이지 가동부 (11) 의 위치가 검출된다. 레이저 간섭계 (13) 의 검출 결과는 스테이지 제어계 (SCS) 에 출력된다. 스테이지 제어계 (SCS) 는, 레이저 간섭계 (13) 의 검출 결과와, 스테이지 가동부 (11) 의 이동 위치에 기초한 주제어 장치 (MCS) 로부터의 제어 신호에 기초하여, 스테이지 가동부 (11) 를 구동한다. 또한, 도 1 에서는 도시를 생략하였지만, 레티클 스테이지 (RST) 의 상방에는 레티클 (R) 에 형성된 마크 (레티클 마크) 와 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 기준 위치를 결정하는 기준 부재에 형성된 기준 마크를 동시에 관찰하여 이들의 상대적인 위치 관계를 측정하는 레티클 얼라인먼트 센서가 형성되어 있다.
투영 광학계 (PL) 는, 예를 들어 축소 배율이
Figure pat00001
(
Figure pat00002
는, 예를 들어 4 또는 5) 인 축소 광학계로서, 레티클 스테이지 (RST) 의 하방에 배치되고, 그 광축 (AX) 의 방향이 Z 축 방향으로 설정되어 있다. 여기서는 텔레센트릭한 광학 배치가 되도록, 광축 (AX) 방향을 따라 소정 간격으로 배치된 복수 장의 렌즈 엘리먼트로 이루어지는 굴절 광학계가 사용되고 있다. 또한, 렌즈 엘리먼트는 광원 유닛으로부터 사출되는 광의 파장에 따라 적절한 것이 선택된다. 상기 조명 광학계 (ILS) 에 의해 레티클 (R) 의 조명 영역 (IAR) 이 조명되면, 레티클 (R) 의 조명 영역 (IAR) 내의 패턴의 축소 이미지 (부분 도립상) 가, 웨이퍼 (W) 상의 조명 영역 (IAR) 에 공액인 노광 영역 (IA) 에 형성된다.
도 2 는, 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 구성을 나타내는 상면도이다. 도 1, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 스테이지 (WST) 는, 베이스 부재 (14) 와, 이 베이스 부재 (14) 상면의 상방으로 수 ㎛ 정도의 클리어런스를 통해 후술하는 에어 슬라이더에 의해 부상 지지된 스테이지 유닛 (WST1 ∼ WST2) 과, 이들 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 각각을 XY 면 내에서 2 차원 방향으로 구동하는 구동 장치 (15) 와, 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 의 XY 평면에 있어서의 위치를 검출하는 검출 장치 (60A, 60B) 를 구비하고 있다. 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 은 웨이퍼 (W) 를 유지·반송하기 위해서 형성되어 있다.
스테이지 유닛 (WST1, WST2) 각각에 형성된 구동 장치 (15) 를 개별적으로 구동함으로써, 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 각각을 개별적으로 XY 면 내의 임의의 방향으로 이동시킬 수 있다.
도 2 에 나타내는 예에 있어서, 베이스 부재 (14) 의 -Y 측 단부의 위치가 웨이퍼 (W) 의 로딩 포지션이다. 노광 처리를 종료한 웨이퍼 (W) 를 언로드하는 경우, 및 미노광 처리의 웨이퍼 (W) 를 로드하는 경우에 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 중 어느 일방이 이 위치에 배치된다. 또한, 도 2 에 나타내는 예에 있어서, 스테이지 유닛 (WST1) 이 배치되어 있는 위치가 노광 포지션이다. 노광 처리를 실시하는 웨이퍼 (W) 를 유지하고 있는 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 중 어느 일방이 노광시에 이 위치에 배치된다. 상기 서술한 바와 같이, 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 은, 개별적으로 XY 면 내의 임의의 방향으로 이동할 수 있기 때문에, 로딩 포지션과 노광 포지션을 교대로 교체할 수 있다. 또한, 로딩 포지션에 있어서 웨이퍼의 포커싱 정보를 검출해 두도록 구성해도 된다.
여기서 구동 장치 (15) 는, 베이스 부재 (14) 의 상부에 형성된 (매립된) 고정부 (16) 와, 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 의 저부 (베이스 대향면측) 에 고정되고, 고정부 (16) 상의 이동면 (16a) 을 따라 이동하는 이동부 (제 1 이동체) (17) 를 포함하여 구성되는 평면 모터를 구비하고 있다. 또한, 이동부 (17), 베이스 부재 (14), 및 구동 장치 (15) 에 의해 평면 모터 장치가 구성되어 있다. 또한, 이하의 설명에 있어서는, 상기 구동 장치 (15) 를 편의상 평면 모터 장치 (15) 라고 하기로 한다.
웨이퍼 (W) 는, 예를 들어 진공 흡착에 의해 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 상에 고정되어 있다. 스테이지 유닛 (WST1, WST2) (제 2 스테이지 (28) ; 후술) 의 측면은 레이저 간섭계 (18) 로부터의 레이저 빔을 반사하는 반사면으로 되어 있다. 외부에 배치된 레이저 간섭계 (18) 에 의해, 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 의 XY 면 내에서의 위치가 예를 들어 0.5 ∼ 1㎚ 정도의 분해능으로 항상 검출되고 있다.
또한 도 1 에서는 대표적으로 레이저 간섭계 (18) 를 도시하고 있지만, 실제로는 도 2 에 나타내는 바와 같이, 베이스 부재 (14) 의 +Y 측에 위치하는 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 의 X 방향의 위치를 검출하는 레이저 간섭계 (18AX), 및 Y 방향의 위치를 검출하는 레이저 간섭계 (18AY), 베이스 부재 (14) 의 -Y 측에 위치하는 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 의 X 방향의 위치를 검출하는 레이저 간섭계 (18BX), 및 Y 방향의 위치를 검출하는 레이저 간섭계 (18BY) 로 구성된다.
스테이지 유닛 (WST1, WST2) 의 위치 정보 (또는 속도 정보) 는 스테이지 제어계 (SCS) 및 이것을 통해 주제어 장치 (MCS) 에 보내진다. 스테이지 제어계 (SCS) 에서는 주제어 장치 (MCS) 로부터의 지시에 따라 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 각각의 위치 정보 (또는 속도 정보) 에 기초하여 평면 모터 장치 (15) 를 통해 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 의 XY 면 내의 이동을 각각 제어한다.
여기서, 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 구성에 대하여 설명한다. 도 3 은 웨이퍼 스테이지 (WST) 에 형성되는 스테이지 유닛 (WST1) 의 상면도이고, 도 4 는 도 3 중의 A-A 선을 따른 화살표 방향으로 본 단면도이다. 또한, 도 3 및 도 4 에 있어서는 도 1 및 도 2 에 나타낸 부재와 동일한 부재에 대해서는 동일한 부호를 부여하였다. 또한, 스테이지 유닛 (WST1) 과 스테이지 유닛 (WST2) 은 동일 구성이기 때문에, 여기서는 스테이지 유닛 (WST1) 을 대표로 하여 설명한다.
도 3 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 스테이지 유닛 (WST1) 의 일부를 이루는 제 1 스테이지 (25) 는, 베이스 부재 (14) 의 상부에 형성된 고정부 (16) 상에 있어서, 고정부 (16) 와 소정의 간격 (수 ㎛ 정도) 을 갖고 부상 지지된다. 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 일부를 이루는 고정부 (16) 는, 주위에 코일 (21) 이 감겨져 있고, XY 면 내에 있어서 소정의 피치로 배열된 코어 부재 (22) 를 구비한다. 이 코어 부재 (22) 는, 예를 들어 SS400 상당의 저탄소강, 스테인리스 등의 자성체에 의해 형성되어 있고, 헤드부 (22a) 와 지주부 (22b) 로 이루어진다. 헤드부 (22a) 는 XY 면 내에 있어서의 단면 형상이 직사각형 형상이고, 지주부 (22b) 의 XY 면 내에 있어서의 단면 형상은 원형 형상이다. 헤드부 (22a) 와 지주부 (22b) 는 일체화되어 있고, 지주부 (22b) 의 주위에 코일 (21) 이 감겨져 있다.
도 5 는 코어 부재 (22) 의 확대도이다. 도 5 에 나타내는 바와 같이, 코일 (21) 은 단열재 (Ti) 를 개재시켜 코어 부재 (22) 의 지주부 (22b) 주위에 감겨져 있다. 이것은, 코일 (21) 에 전류를 흐르게 하였을 때에 발생하는 열이 코어 부재 (22) 에 전달됨으로써 발생하는 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 의 위치 결정 오차를 방지하기 위해서이다. 또한, 단열재 (Ti) 로는 단열성 및 내열성이 우수한 수지를 사용할 수 있다.
코어 부재 (22) 는, 헤드부 (22a) 의 선단부가 대략 한 면에 포함되도록 베이스 부재 (14) 상에 배열되어 있다. 이 때 코어 부재 (22) 는, 지주부 (22b) 가 베이스 부재 (14) 와 자기적으로 접속된다. 코어 부재 (22) 의 헤드부 (22a) 사이에는, 비자성체로 이루어지는 세퍼레이터 (23) 가 형성되어 있다. 이 세퍼레이터 (23) 는, 예를 들어 SUS, 세라믹스로 형성되어 있고, 인접하는 코어 부재 (22) 사이에서 자기 회로가 형성되지 않게 하기 위한 것이다.
세퍼레이터 (23) 상부의 높이 위치는, 코어 부재 (22) 의 헤드부 (22a) 선단부의 높이 위치와 동일해지도록 설정되어 있기 때문에, 고정부 (16) 의 상면 (이동면) 은 대략 평탄면이 된다. 또한, 세퍼레이터 (23) 는 코어 부재 (22) 의 헤드부 (22a) 사이에 형성되어 있고, 베이스 부재 (14) 와 코어 부재 (22) 의 헤드부 (22a) 및 세퍼레이터 (23) 에 의해 상하 방향이 끼워진 공간이 형성되게 된다. 이 공간에 냉매를 도입함으로써, 코일 (21) 을 냉각시킬 수 있게 된다.
고정부 (16) 의 상면에는 가이드 부재 (24) 가 형성되어 있다. 이 가이드 부재 (24) 는, 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 을 XY 면 내에서 이동시키는 안내판 역할을 하는 것으로서 비자성체로 형성되어 있다. 이 가이드 부재 (24) 는, 예를 들어 알루미나 (Al2O3) 를 평탄면인 고정부 (16) 의 상면에 용사하고, 고압 가스로 금속의 표면에 분사하여 형성된다.
고정부 (16) 에 형성되는 코일 (21) 에는, U 상 (相), V 상 및 W 상으로 이루어지는 3 상 교류가 공급된다. XY 면 내에서 배열된 코일 (21) 의 각각에 각 상의 전류를 소정의 순서로 소정의 타이밍으로 인가함으로써, 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 을 원하는 방향으로 원하는 속도로 이동시킬 수 있다. 도 6 은, 도 4 중의 B-B 선을 따른 화살표 방향으로 본 단면도이다. 도 6 에 나타내는 바와 같이, 단면 형상이 직사각형 형상인 코어 부재 (22) 의 헤드부 (22a) 가 XY 면 내에서 매트릭스 형상으로 배열되어 있고, 헤드부 (22a) 사이에 세퍼레이터 (23) 가 형성되어 있다.
도 6 에 있어서는, 각 코어 부재 (22) 에 감겨진 코일 (21) 에 인가되는 3 상 교류의 각 상을, 코어 부재 (22) 의 헤드부 (22a) 에 대응시켜 도시하고 있다. 도 6 을 참조하면, U 상, V 상 및 W 상의 각 상이 XY 면 내에서 규칙적으로 배열되어 있음을 알 수 있다.
웨이퍼 스테이지 (WST) 의 일부를 이루는 이동부 (17) 는, 제 1 스테이지 (25), 영구 자석 (26), 에어 패드 (27), 제 2 스테이지 (제 2 이동체) (28), 수평 구동 기구 (29), 및 수직 구동 기구 (30) 를 포함하여 구성된다. 제 1 스테이지 (25) 의 저면에는 영구 자석 (26) 과 에어 패드 (27) 가 규칙적으로 배열되어 있다. 영구 자석 (28) 으로는, 네오듐·철·코발트 자석, 알루미늄·니켈·코발트 (알니코) 자석, 페라이트 자석, 사마륨·코발트 자석, 또는 네오디뮴·철·붕소 자석 등의 희토류 자석을 사용할 수 있다.
도 7 은, 도 4 중의 C-C 선을 따른 화살표 방향으로 본 단면도이다. 도 7 에 나타내는 바와 같이, 영구 자석 (26) 은 인접하는 것이 서로 상이한 극이 되도록 XY 면 내에 소정의 간격으로 배열되어 있다. 이러한 배열에 의해, X 방향 및 Y 방향의 양 방향으로 교번 자계가 형성된다. 또한, 영구 자석 (26) 사이에는 진공 예압형 에어 패드 (27) 가 형성되어 있다. 이 에어 패드 (27) 는, 가이드 부재 (24) 를 향하여 에어 (공기) 를 분사함으로써, 고정부 (16) 에 대하여 이동부 (17) 를 예를 들어 수 미크론 정도의 클리어런스를 통해 부상 지지 (비접촉 지지) 시킨다.
제 2 스테이지 (28) 는, 수직 구동 기구 (30) 에 의해 제 1 스테이지 (25) 상에 지지되어 있다. 여기서 수직 구동 기구 (30) 는, 예를 들어 보이스 코일 모터 (VCM) 등을 포함하는 지지 기구 (30a, 30b, 30c) (도 3 참조) 를 구비하고 있고, 이들 지지 기구 (30a, 30b, 30c) 에 의해 제 2 스테이지 (28) 의 상이한 3 지점을 지지하고 있다. 지지 기구 (30a, 30b, 30c) 는 Z 방향으로 자유롭게 신축할 수 있도록 구성되어 있고, 이들 지지 기구 (30a, 30b, 30c) 를 동일한 신축량으로 구동함으로써, 제 2 스테이지 (28) 를 Z 방향으로 이동시킬 수 있고, 지지 기구 (30a, 30b, 30c) 를 독립적으로 구동하거나, 또는 서로 상이한 신축량으로 구동함으로써, 제 2 스테이지 (28) 의 X 축 둘레의 회전, 및 Y 축 둘레의 회전을 제어할 수 있다.
수평 구동 기구 (29) 는, 예를 들어 보이스 코일 모터 (VCM) 등을 포함하는 구동 기구 (29a, 29b, 29c) (도 3 참조) 를 구비하고 있어, 이들 구동 기구 (29a, 29b, 29c) 에 의해 제 2 스테이지 (28) 의 XY 면 내에 있어서의 위치 및 Z 축 둘레의 회전을 제어한다. 구체적으로는, 구동 기구 (29a, 29b) 를 동일한 신축량으로 구동함으로써 제 2 스테이지 (28) 의 Y 방향의 위치를 가변시킬 수 있고, 구동 기구 (29c) 를 구동함으로써 제 2 스테이지 (28) 의 X 방향의 위치를 가변시킬 수 있으며, 구동 기구 (29a, 29b) 를 서로 상이한 신축량으로 구동함으로써 제 2 스테이지 (28) 의 Z 축 둘레의 회전을 가변시킬 수 있다. 요컨대, 상기 서술한 평면 모터 (17) 에 의해 구동되는 제 1 스테이지 (25) 가 조동 스테이지이고, 수평 구동 기구 (29) 에 의해 구동되는 제 2 스테이지 (28) 가 미동 스테이지라고 할 수 있다. 또한, 수평 구동 기구 (29) 및 수직 구동 기구 (30) 는, 스테이지 제어계 (SCS) 의 제어하에서 제 2 스테이지 (28) 의 XY 면 내에 있어서의 위치 및 Z 방향의 위치를 조정한다.
도 1 로 돌아와, 본 실시형태의 노광 장치 (10) 는, 도 4 에 나타낸 에어 패드 (27) 에 대하여 가압 에어를 공급하기 위한 공기 펌프 (40) 를 구비한다. 공기 펌프 (40) 와 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 은 튜브 (41, 42) 를 통해 각각 접속되어 있다. 공기 펌프 (40) 로부터의 에어는, 튜브 (41) 를 통해 스테이지 유닛 (WST1) 에 공급됨과 함께, 튜브 (42) 를 통해 스테이지 유닛 (WST2) 에 공급된다. 또한, 도 4 에 나타낸 코일 (21) 을 냉각시키기 위한 냉각 장치 (43) 가 형성되어 있다. 이 냉각 장치 (43) 는, 냉매 공급관 (44) 과 냉매 배출관 (45) 에 의해 베이스 부재 (14) 에 접속되어 있다. 냉각 장치 (43) 로부터의 냉매는 냉매 공급관 (44) 을 통해 베이스 부재 (14) (고정부 (16) 내의 코일 (21) 이 형성되어 있는 부위) 에 공급되고, 베이스 부재 (14) 를 통한 냉매는 냉매 배출관 (45) 을 통해 냉각 장치 (43) 에 회수된다. 예를 들어 도 4 에 있어서는, 상하가 가이드 부재 (24) 와 베이스 (14) 에 의해 끼워지고, 내부에 코일 (21), 코어 부재 (22) 및 세퍼레이터 (23) 가 배치된 공간에 물 등의 냉매를 공급하도록 구성할 수 있다.
또한 도 1 에서는 도시를 생략하였지만, 노광 장치 (10) 에는 웨이퍼 (W) 에 형성된 얼라인먼트 마크의 위치 정보를 계측하기 위한 오프·액시스형 웨이퍼 얼라인먼트 센서가 투영 광학계 (PL) 의 측방에 형성되거나, 또는 투영 광학계 (PL) 를 통해 웨이퍼 (W) 에 형성된 얼라인먼트 마크의 위치 정보를 계측하는 TTL (Through The Lens) 형 얼라인먼트 센서가 형성되어 있다. 또한, 웨이퍼 (W) 에 대하여 경사 방향으로부터 슬릿 형상의 검출광을 조사하고, 그 반사광을 측정하여 웨이퍼 (W) 의 Z 방향의 위치 및 자세 (X 축 및 Y 축 둘레의 회전) 를 검출하고, 이 검출 결과에 기초하여 웨이퍼 (W) 의 Z 방향의 위치 및 자세를 보정하여 웨이퍼 (W) 의 표면을 투영 광학계 (PL) 의 이미지면에 맞추는 오토포커스 기구 및 오토레벨링 기구가 형성되어 있다.
검출 장치 (60A, 60B) 는, Y 방향에 대해서는 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 과 동기하여 이동하는 서브스테이지 (61A, 61B) 를 구비하고 있다. 여기서, 서브스테이지 (61A, 61B) 는 구조가 동일하기 때문에, 서브스테이지 (61B) 에 대해서는 서브스테이지 (61A) 의 구성 요소와 동일한 요소에 대해서는 동일 부호 (또는 적절히 부합에 B 를 부가한 부합) 를 부여하고, 이후에는 서브스테이지 (61A) 에 대하여 대표적으로 설명한다.
서브스테이지 (61A) 는, 고정부 (16) (베이스 부재 (14)) 의 -X 측의 끝가장자리를 따라 Y 방향으로 이동하는 가동자 (62), 가동자 (62) 의 양 끝으로부터 고정부 (16) 의 이동면 (16a) 상에 X 방향을 따라 연장 돌출되는 지지부 (63, 64) 를 구비하고 있다. 가동자 (62) 는, 고정부 (16) 의 측면 (16b) 에 Y 방향으로 연장되어 형성된 고정자 (65) 와의 전자기적 상호 작용에 의해 Y 방향으로 구동되는 리니어 모터 (LM) 를 구성하는 것이다. 이 리니어 모터 (LM) 로는, 무빙 코일형, 무빙 마그넷형의 어느 방식이어도 되고, 그 구동은 스테이지 제어계 (SCS) 에 의해 제어된다. 이 가동자 (62) 에는, Y 방향 및 Z 방향으로 간격을 두고 진공 예압형 에어 패드 (66) 가 형성되어 있다. 이 에어 패드 (66) 는, 고정부 (16) 의 측면 (16b) 을 향하여 에어 (공기) 를 분사함으로써, 고정부 (16) 에 대하여 가동자 (62) 를 예를 들어 수 미크론 정도의 클리어런스를 유지한 상태에서 비접촉으로 Y 방향으로 자유롭게 이동할 수 있도록 지지시킨다.
또한, 가동자 (62) 에는, 고정부 (16) 에 대한 서브스테이지 (61A) 의 Y 방향 (제 1 방향) 의 상대 위치를 검출하는 인코더 헤드 (제 1 계측 장치) (67) 가 형성되어 있다. 인코더 헤드 (67) 는, 고정부 (16) 에 고정자 (65) 와 일체적으로 형성된 인코더 스케일 (제 1 피검출 부재) (68) 을 판독함으로써, 고정부 (16) 에 대한 서브스테이지 (61A) 의 Y 방향의 위치를 검출하고, 그 검출 결과를 스테이지 제어계 (SCS) 에 출력한다.
지지부 (63, 64) 는, 스테이지 유닛 (WST1) 의 Y 방향의 크기보다 수 ㎜ 정도 큰 간격을 두고 평행하게 형성되어 있다. 즉, 스테이지 유닛 (WST1) 은, 서브스테이지 (61A) 에 대하여, Y 방향에 대해서는 수 ㎜ 정도의 이동 범위에서 상대 이동할 수 있고, 또한 X 방향에 대해서는 Y 방향보다 큰 이동 범위에서 상대 이동할 수 있도록 되어 있다. 또한, 지지부 (63, 64) 각각의 하면에는 에어 패드 (69, 70) 가 형성되어 있다 (도 8a 및 도 8b 에서는 에어 패드 (70) 만 도시). 에어 패드 (69, 70) 는, 에어 패드 (27) 와 동일하게, 가이드 부재 (24) (이동면 (16a)) 를 향하여 에어 (공기) 를 분사함으로써, 고정부 (16) 에 대하여 지지부 (63, 64) 를 예를 들어 수 미크론 정도의 클리어런스를 통해 부상 지지 (비접촉 지지) 시킨다.
지지부 (63, 64) 의 선단부에는 스테이지 유닛 (WST1) 의 Y 방향 양측에 위치하도록 인코더 헤드 (제 2 계측 장치) (71, 72) 가 형성되어 있다. 각 인코더 헤드 (71, 72) 는, 스테이지 유닛 (WST1) 의 제 1 스테이지 (25) 의 측면에, 인코더 헤드 (71, 72) 에 대향하여 형성된 X 방향으로 연장되는 인코더 스케일 (제 2 피검출 부재) (73, 74) 을 판독한다. 이로써, 서브스테이지 (61A) 에 대한 스테이지 유닛 (WST1) 의 X 방향의 위치를 검출하고, 그 검출 결과를 스테이지 제어계 (SCS) 에 출력한다.
지지부 (63, 64) 중 적어도 일방 (도 2 에서는 지지부 (63) ; 양방이어도 된다) 에는 센서 (80) 가 형성되어 있고, 서브스테이지 (61A) 에 대한 제 1 스테이지의 Y 방향에 관한 위치를 검출하여 그 결과를 스테이지 제어계 (SCS) 에 출력하도록 되어 있다. 센서 (80) 로는, 예를 들어 갭 센서 (정전 용량 센서 등) 나 인코더 등의 이미 알려진 것이 사용된다. 제 2 계측 장치로서 이와 같은 센서 (80) 를 포함하는 구성으로 할 수도 있다.
또한 지지부 (64) 는, 스테이지 유닛 (WST1) 에 각종 용력을 공급하기 위한 케이블·튜브류를 유지하는 배관 트레이를 구성하고 있다. 이런 종류의 케이블·튜브류로는, 예를 들어 스테이지 유닛 (WST1) 에 형성된 모터 (VCM 등의 액추에이터) 에 대하여 온도 조정용 냉매를 공급·배출하는 배관, 에어 베어링에 사용되는 에어를 공급하는 배관 (예를 들어 상기 서술한 튜브 (41, 42)), 웨이퍼 (W) 를 부압 흡인하기 위한 부압 (진공) 을 공급하는 배관, 각종 센서에 전력을 공급하는 배선, 각종 제어 신호·검출 신호를 공급하기 위한 시스템 배선 등이 여러 구동 기기, 제어 기기에 대하여 배치 형성된다. 본 실시형태에서는, 도 8a 및 도 8b 에 나타내는 바와 같이, 이들 케이블·튜브류를 대표적으로 배관 (용력 공급 부재) (75) 으로서 도시하고 있다 (도 2 에서는 도시 생략). 이 배관 (75) 은, 지지부 (64) 에 지지되어, 스테이지 유닛 (WST1) 의 제 1 스테이지 (25) 에 형성된 배관 유지부 (76) 를 통해 스테이지 유닛 (WST1) 에 접속된다.
배관 (75) 은 X 방향에 대해서는 굴곡부가 변동 가능하도록 되어 있기 때문에, 서브스테이지 (61) 의 지지부 (예를 들어 지지부 (64)) 와 배관 유지부 (76) (즉 제 1 스테이지 (25)) 사이에는 배관 (75) 에 의한 X 방향의 힘이 가해지지 않는다. 또한 Y 방향에 관해서는, 서브스테이지 (61) 와 제 1 스테이지 (25) 는 동기하여 이동하기 때문에, 양자 사이는 대략 소정의 값으로 고정된다. 그 때문에, 서브스테이지 (61) 의 지지부 (예를 들어 지지부 (64)) 와 배관 유지부 (76) (즉 제 1 스테이지 (25)) 사이에는 배관 (75) 에 의한 Y 방향의 힘도 가해지지 않는다. 따라서 제 1 스테이지 (25) 는, X 방향으로 이동해도 Y 방향으로 이동해도 배관 (75) 의 힘 (항력) 의 영향을 받지 않는다. 그 때문에, 이들 항력에서 기인되는 외란을 억제할 수 있다.
이상 설명한 구성의 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 을 이동시키는 경우에는, 3 상 교류로 구동하는 공지된 리니어 모터와 동일한 구동 방법을 사용할 수 있다. 요컨대, 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 이 X 방향으로 이동할 수 있게 구성된 리니어 모터와 Y 방향으로 이동할 수 있게 구성된 리니어 모터로 이루어지는 것으로 생각하고, 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 을 X 방향으로 이동시키는 경우에는, X 방향으로 배열된 각 코일 (21) 에 대하여 X 방향으로 이동할 수 있게 구성된 리니어 모터와 동일한 3 상 교류를 인가하면 된다. 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 을 Y 방향으로 이동시키는 경우에는, Y 방향으로 배열된 각 코일 (21) 에 대하여 Y 방향으로 이동할 수 있게 구성된 리니어 모터와 동일한 3 상 교류를 인가하면 된다.
또한 주사시에는, 노광 영역 (IA) 에 레티클 (R) 의 일부의 패턴 이미지가 투영되고, 투영 광학계 (PL) 에 대하여, 레티클 (R) 이 -X 방향 (또는 +X 방향) 으로 속도 V 로 이동하는 것에 동기하여, 웨이퍼 (W) 가 +X 방향 (또는 -X 방향) 으로 속도 β·V (β 는 투영 배율) 로 이동한다. 하나의 쇼트 영역에 대한 노광 처리가 종료되면, 주제어 장치 (MCS) 는 스테이지 유닛 (WST1) 을 스테핑 이동시켜 다음의 쇼트 영역을 주사 개시 위치로 이동시킨다. 이하 동일하게 스텝·앤드·스캔 방식으로 각 쇼트 영역에 대한 노광 처리가 순차로 실시된다.
여기서, 상기 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 이 베이스 부재 (14) 상 (고정부 (16) 상) 에서 이동하였을 때, 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 의 위치 (및 속도 등) 는, 레이저 간섭계 (18) (18AX, 18AY, 18BX, 18BY) 에 의해 제 2 스테이지 (28) 의 위치 (및 속도 등) 로서 검출된다. 또한, 스테이지 유닛 (WST1) 이, 예를 들어 노광 처리가 종료되어 웨이퍼 교환을 위한 로딩 포지션으로 이동하는 경우 등에는, 제 2 스테이지 (28) 가 레이저 간섭계 (18) 의 계측 가능 범위에서 벗어나는 경우가 있다. 예를 들어 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 이 노광 처리와 웨이퍼 교환 처리를 교대하는 경우, 도 8b 에 나타내는 바와 같이, X 방향에 관하여 고정부 (16) 상에서 레이저 간섭계 (18AY, 18BY) 를 사이에 둔 위치로 이동하였을 때에는, 적어도 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 의 Y 방향의 위치가 레이저 간섭계 (18AY, 18BY) 에서는 계측할 수 없게 된다.
그래서, 인코더 헤드 (67) 에 의한 인코더 스케일 (68) 의 계측과 센서 (80) 의 계측에 의해, 스테이지 유닛 (WST1) 의 Y 방향의 위치를 예를 들어 미크론 오더의 정밀도로 계측한다. 요컨대, 스테이지 유닛 (WST1) 이 베이스 부재 (14) (고정부 (16)) 상을 이동할 때, 스테이지 유닛 (WST1) 과 서브스테이지 (61A) 는 동기하여 이동한다. 이 때, 서브스테이지 (61) 의 위치는, 인코더 헤드 (67) 에 의해 인코더 스케일 (68) 을 계측함으로써 구해진다. 또한, 서브스테이지 (61A) 와 스테이지 유닛 (WST1) (제 1 스테이지 (25)) 의 상대 위치가 센서 (80) 에 의한 계측으로 구해진다. 이들 양 계측값에 의해 베이스 부재 (14) (고정부 (16)) 와 스테이지 유닛 (WST1) 사이의 Y 방향에 관한 위치를 구할 수 있다. 또한, 센서 (80) 에 의해, 예를 들어 서브스테이지 (61A) 와 스테이지 유닛 (WST1) 사이의 갭을 관리하여 양자가 충돌하지 않도록 리니어 모터 (LM) 또는 평면 모터 (17) 의 구동력을 제어하도록 해도 된다. 본 실시형태에서는, 이 센서 (80) 를 인코더 (인코더 헤드 (71, 72) 와 인코더 스케일 (73, 74) 의 조합) 와는 별도로 형성한 구성으로 하였지만, 양자를 동일한 장치 (제 2 계측 장치) 에서 겸용하도록 해도 된다.
스테이지 유닛 (WST1) 이 베이스 부재 (14) (고정부 (16)) 상을 X 방향으로 이동할 때에는 지지부 (63, 64) 사이의 간극을 따라 이동하는데, 이 때 인코더 헤드 (71, 72) 가 인코더 스케일 (73, 74) 을 각각 계측함으로써, 서브스테이지 (61A) (인코더 헤드 (71, 72)) 에 대한 스테이지 유닛 (WST1) 의 X 방향의 위치가 검출된다. 또한, 인코더 헤드 (71, 72) 에 의한 계측 결과의 차분을 구함으로써, Z 축 둘레의 회전 방향의 위치도 검출된다.
여기서 서브스테이지 (61A) 는, X 방향에 대해서는 고정부 (16) 에 대하여 거의 일정한 위치를 유지하고 있고, 또한, 서브스테이지 (61A) 에 있어서의 인코더 헤드 (71, 72) 의 위치도 일정하다. 그 때문에, 인코더 헤드 (71, 72) 의 계측 결과에 기초하여, 고정부 (16) 에 대한 스테이지 유닛 (WST1) 의 X 방향의 위치 및 Z 축 둘레의 회전 방향의 위치가 검출된다. 따라서, 스테이지 유닛 (WST1) 이 레이저 간섭계 (18) 의 계측 범위에서 벗어난 경우에도, 인코더 헤드 (67, 71, 72) 의 계측 결과에 기초하여, 스테이지 유닛 (WST1) 의 X 방향, Y 방향, Z 축 둘레의 회전 방향의 위치가 검출된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 과 Y 방향으로 동기 이동하는 서브스테이지 (61A, 61B) 를 형성하고, 이 서브스테이지 (61A, 61B) 에 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 의 위치 정보를 검출 가능하게 하는 인코더 헤드 (67, 71, 72) 를 형성하였기 때문에, 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 의 구동에 평면 모터 장치 (15) 를 사용하여, 레이저 간섭계 (18) 에 의한 이동 범위 전체에 걸친 위치 계측이 곤란한 경우에도, 레이저 간섭계 등을 별도 형성하는 경우와 비교하여 큰 폭의 비용 증가를 초래하지 않고, 용이하게 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 의 위치를 계측할 수 있게 된다. 특히 본 실시형태에서는, 설치가 용이한 인코더 헤드 (67, 71, 72) 및 인코더 스케일 (68, 73, 74) 을 사용하여 위치 계측을 실시하기 때문에, 비용 증가 방지 및 작업성의 향상에 대폭 기여할 수 있다. 또한 본 실시형태에서는, 스테이지 유닛 (WST1) 의 양측에 복수 형성된 인코더 헤드 (71, 72) 에 의해 스테이지 유닛 (WST1) 의 X 방향의 위치뿐만 아니라, Z 축 둘레의 회전 방향의 위치도 계측할 수 있도록 되어 있다.
또한 본 실시형태에서는, 서브스테이지 (61A, 61B) 가 배관 (75) 을 지지하는 배관 트레이 기능도 갖고 있기 때문에, 배관을 지지하여 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 과 동기 이동하는 스테이지를 별도 형성할 필요가 없어져, 장치의 소형화 및 저가격화에 기여할 수 있다. 또한 본 실시형태에서는, 이와 같이 서브스테이지 (61A, 61B) 가 배관 (75) 을 지지하여 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 과 동기 이동하기 때문에, 이 배관 (75) 을 통해 미진동이나 배관의 변형에 수반되는 항력 등의 외란을 차단할 수 있어, 스테이지 유닛 (WST1, WST2) 에 대한 위치 제어성이 향상된다. 따라서, 상기 웨이퍼 스테이지 (WST) 를 구비한 노광 장치 (10) 에서는, 웨이퍼 (W) 에 대한 위치 결정 제어나, 주사 노광시의 속도 제어를 효과적으로 제진 (制振) 한 상태, 또한 높은 안전성 하에서 실행할 수 있게 되어, 중첩 정밀도 등, 노광 처리에 관련된 정밀도를 확실하게 유지할 수 있다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명에 관련된 바람직한 실시형태에 대하여 설명하였지만, 본 발명이 이러한 예에 한정되지 않는 것은 말할 필요도 없다. 상기 서술한 예에서 나타낸 각 구성 부재의 모든 형상이나 조합 등은 일례로서, 본 발명의 주지로부터 일탈하지 않는 범위에서 설계 요구 등에 기초하여 여러 가지로 변경할 수 있다.
예를 들어 상기 실시형태에서는, 스테이지 유닛 (WST1) 의 이동부 (17) 에 영구 자석 (26) 이 형성되고, 고정부 (16) 에 코일 (21) 이 형성된 소위 무빙 마그넷형 웨이퍼 스테이지 (WST) 를 예로 들어 설명하였다. 그러나, 스테이지 유닛의 이동부에 코일이 형성되고, 고정부에 영구 자석이 형성된 소위 무빙 코일형 웨이퍼 스테이지에도 본 발명을 적용할 수 있다. 또한, 상기 실시형태에서는 웨이퍼 스테이지 (WST) 에 본 발명을 적용한 경우에 대하여 설명하였지만, 레티클 스테이지 (RST) 에도 적용할 수 있고, 또한 레티클 스테이지 (RST) 와 웨이퍼 스테이지 (WST) 의 양 스테이지에 적용할 수도 있다.
노광 장치 (10) 로는, 레티클 (R) 과 웨이퍼 (W) 를 동기 이동하여 레티클 (R) 의 패턴을 주사 노광하는 스텝·앤드·스캔 방식의 주사형 노광 장치 (스캐닝 스테퍼) 외에, 레티클 (R) 과 웨이퍼 (W) 를 정지 (靜止) 시킨 상태에서 레티클 (R) 의 패턴을 일괄 노광하고, 웨이퍼 (W) 를 순차로 스텝 이동시키는 스텝·앤드·리피트 방식의 투영 노광 장치 (스테퍼) 에도 적용할 수 있다. 또한, 본 발명은 웨이퍼 (W) 상에서 적어도 2 개의 패턴을 부분적으로 중첩시켜 전사하는 스텝·앤드·스티치 방식의 노광 장치에도 적용할 수 있다.
또한 상기 실시형태의 기판으로는, 반도체 디바이스 제조용 반도체 웨이퍼뿐만 아니라, 디스플레이 디바이스용 유리 기판이나, 박막 자기 헤드용 세라믹 웨이퍼, 혹은 노광 장치에서 사용되는 마스크 또는 레티클의 원판 (합성 석영, 실리콘 웨이퍼) 또는 필름 부재 등이 적용된다. 또한, 기판은 그 형상이 원형에 한정되지 않고, 직사각형 등 다른 형상이어도 된다.
또한 본 발명이 적용되는 노광 장치의 광원에는, KrF 엑시머 레이저 (248㎚), ArF 엑시머 레이저 (193㎚), F2 레이저 (157㎚) 등 뿐만 아니라, g 선 (436㎚) 및 i 선 (365㎚) 을 사용할 수 있다. 또한, 투영 광학계의 배율은 축소계뿐만 아니라 등배 또는 확대계여도 된다. 또한 상기 실시형태에서는 굴절형 투영 광학계를 예시하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 반사 굴절형이나 굴절형 광학계여도 된다.
또한 본 발명의 노광 장치는, 반도체 소자의 제조에 사용되어 디바이스 패턴을 반도체 기판 상에 전사하는 노광 장치, 액정 표시 소자의 제조에 사용되어 회로 패턴을 유리 플레이트 상에 전사하는 노광 장치, 박막 자기 헤드의 제조에 사용되어 디바이스 패턴을 세라믹 웨이퍼 상에 전사하는 노광 장치, 및 CCD 등의 촬상 소자의 제조에 사용되는 노광 장치 등에도 적용할 수 있다.
또한 본 발명은, 투영 광학계와 기판 사이에 국소적으로 액체를 채우고, 그 액체를 통해 기판을 노광하는, 소위 액침 노광 장치에 적용하였는데, 액침 노광 장치에 대해서는, 국제 공개 제99/49504호 팜플렛에 개시되어 있다. 또한 본 발명은, 일본 공개특허공보 평6-124873호, 일본 공개특허공보 평10-303114호, 미국 특허 제5,825,043호 등에 개시되어 있는 노광 대상 기판의 표면 전체가 액체 중에 침지되어 있는 상태에서 노광을 실시하는 액침 노광 장치에도 적용할 수 있다.
또한 상기 실시형태에서는, 스테이지 유닛이 복수 (2 기) 형성되는 구성을 예시하였지만, 이것에 한정되지 않고, 단수로 형성되는 구성이어도 된다.
또한, 스테이지 유닛이 복수 형성되는 것이 아니라, 일본 공개특허공보 평11-135400호 (대응 국제 공개 제1999/23692호 팜플렛) 나 일본 공개특허공보 2000-164504호 (대응 미국 특허 제6,897,963호) 에 개시되어 있는 바와 같이, 기판을 유지하는 기판 스테이지와, 기준 마크가 형성된 기준 부재나 각종 광전 센서를 탑재하여 노광에 관한 정보를 계측하는 계측 스테이지를 각각 구비한 노광 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다.
노광 장치 (10) 로는, 마스크로서의 레티클 (R) 과, 기판으로서의 웨이퍼 (W) 를 동기 이동하여 마스크의 패턴을 주사 노광하는 스텝·앤드·스캔 방식의 주사형 노광 장치 (스캐닝 스테퍼) 외에, 마스크와 기판을 정지시킨 상태에서 마스크의 패턴을 일괄 노광하고, 기판을 순차로 스텝 이동시키는 스텝·앤드·리피트 방식의 투영 노광 장치 (스테퍼) 에도 적용할 수 있다.
또한 스텝·앤드·리피트 방식의 노광에 있어서, 제 1 패턴과 기판을 거의 정지시킨 상태에서, 투영 광학계를 사용하여 제 1 패턴의 축소 이미지를 기판 상에 전사한 후, 제 2 패턴과 기판을 거의 정지시킨 상태에서, 투영 광학계를 사용하여 제 2 패턴의 축소 이미지를 제 1 패턴과 부분적으로 중첩시켜 기판 상에 일괄 노광해도 된다 (스티치 방식의 일괄 노광 장치). 또한, 스티치 방식의 노광 장치로는, 기판 상에서 적어도 2 개의 패턴을 부분적으로 중첩시켜 전사하고, 기판 (P) 을 순차로 이동시키는 스텝·앤드·스티치 방식의 노광 장치에도 적용할 수 있다.
상기 서술한 각 실시형태에 있어서는, 투영 광학계 (PL) 를 구비한 노광 장치를 예로 들어 설명하였지만, 투영 광학계 (PL) 를 사용하지 않는 노광 장치 및 노광 방법에 본 발명을 적용할 수 있다. 이와 같이 투영 광학계 (PL) 를 사용하지 않는 경우에도, 노광광은 렌즈 등의 광학 부재를 통해 기판에 조사되고, 그러한 광학 부재와 기판 사이의 소정 공간에 액침 공간이 형성된다.
노광 장치 (10) 의 종류로는, 기판에 반도체 소자 패턴을 노광하는 반도체 소자 제조용 노광 장치에 한정되지 않고, 액정 표시 소자 제조용 또는 디스플레이 제조용 노광 장치, 박막 자기 헤드, 촬상 소자 (CCD), 마이크로 머신, MEMS, DNA 칩, 혹은 레티클 또는 마스크 등을 제조하기 위한 노광 장치 등에도 널리 적용할 수 있다.
또한 상기 서술한 실시형태에 있어서는, 광투과성 기판 상에 소정의 차광 패턴 (또는 위상 패턴·감광 패턴) 을 형성한 광투과형 마스크를 사용하였지만, 이 마스크 대신에, 예를 들어 미국 특허 제6,778,257호에 개시되어 있는 바와 같이, 노광할 패턴의 전자 데이터에 기초하여 투과 패턴 또는 반사 패턴, 혹은 발광 패턴을 형성하는 전자 마스크 (가변 성형 마스크라고도 하고, 예를 들어 비발광형 화상 표시 소자 (공간 광 변조기 : Spatial Light Modulator (SLM) 라고도 한다) 의 일종인 DMD (Digital Micro-mirror Device) 등을 포함한다) 를 사용해도 된다. 또한 DMD 를 사용한 노광 장치는, 예를 들어 미국 특허 제6,778,257호에 개시되어 있다.
또한, 예를 들어 국제 공개 제2001/035168호 팜플렛에 개시되어 있는 바와 같이, 간섭 무늬를 기판 상에 형성함으로써, 기판 상에 라인·앤드·스페이스 패턴을 노광하는 노광 장치 (리소그래피 시스템) 에도 본 발명을 적용할 수 있다.
또한, 예를 들어 일본 공표특허공보 2004-519850호 (대응 미국 특허 제6,611,316호) 에 개시되어 있는 바와 같이, 2 개의 마스크의 패턴을 투영 광학계를 통해 기판 상에서 합성하고, 1 회의 주사 노광에 의해 기판 상의 하나의 쇼트 영역을 거의 동시에 이중 노광하는 노광 장치 등에도 본 발명을 적용할 수 있다. 또한, 프록시미티 방식의 노광 장치, 미러 프로젝션·얼라이너 등에도 본 발명을 적용할 수 있다.
이상과 같이, 상기 실시형태의 노광 장치 (10) 는, 각 구성 요소를 포함하는 각종 서브 시스템을 소정의 기계적 정밀도, 전기적 정밀도, 광학적 정밀도를 유지하도록 조립함으로써 제조된다. 이들 각종 정밀도를 확보하기 위해서, 이 조립 전후에는, 각종 광학계에 대해서는 광학적 정밀도를 달성하기 위한 조정, 각종 기계계에 대해서는 기계적 정밀도를 달성하기 위한 조정, 각종 전기계에 대해서는 전기적 정밀도를 달성하기 위한 조정이 이루어진다. 각종 서브 시스템을 노광 장치에 조립하는 공정은, 각종 서브 시스템 상호의, 기계적 접속, 전기 회로의 배선 접속, 기압 회로의 배관 접속 등이 포함된다. 이 각종 서브 시스템을 노광 장치에 조립하는 공정 전에, 각 서브 시스템 개개의 조립 공정이 있는 것은 말할 필요도 없다. 각종 서브 시스템을 노광 장치에 조립하는 공정이 종료되면 종합 조정이 실시되어, 노광 장치 전체로서의 각종 정밀도가 확보된다. 또한, 노광 장치의 제조는 온도 및 클린도 등이 관리된 클린 룸에서 실시하는 것이 바람직하다.
다음으로, 본 발명의 일 실시형태에 의한 노광 장치를 사용한 액정 표시 소자의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 9 는, 마이크로 디바이스로서의 액정 표시 소자를 제조하는 제조 공정의 일부를 나타내는 플로우 차트이다. 도 9 중의 패턴 형성 공정 (S1) 에서는, 본 실시형태의 노광 장치를 사용하여 마스크의 패턴을 웨이퍼 (W) 상에 전사 노광하는, 소위 광 리소그래피 공정이 실행된다. 이 광 리소그래피 공정에 의해, 웨이퍼 (W) 상에는 다수의 전극 등을 포함하는 소정 패턴이 형성된다. 그 후, 노광된 웨이퍼 (W) 는, 현상 공정, 에칭 공정, 박리 공정 등의 각 공정을 거침으로써, 웨이퍼 (W) 상에 소정의 패턴이 형성되고, 다음의 컬러 필터 형성 공정 (S2) 으로 이행된다.
컬러 필터 형성 공정 (S2) 에서는, R (Red), G (Green), B (Blue) 에 대응된 3 개의 도트 세트가 매트릭스 형상으로 다수 배열되거나, 또는 R, G, B 의 3 개의 스트라이프 필터 세트를 복수 수평 주사선 방향으로 배열한 컬러 필터를 형성한다. 그리고, 컬러 필터 형성 공정 (S2) 후에, 셀 조립 공정 (S3) 이 실행된다. 이 셀 조립 공정 (S3) 에서는, 패턴 형성 공정 (S1) 에서 얻어진 소정 패턴을 갖는 웨이퍼 (W), 및 컬러 필터 형성 공정 (S2) 에서 얻어진 컬러 필터 등을 사용하여 액정 패널 (액정 셀) 을 조립한다.
셀 조립 공정 (S3) 에서는, 예를 들어 패턴 형성 공정 (S1) 에서 얻어진 소정 패턴을 갖는 웨이퍼 (W) 와 컬러 필터 형성 공정 (S2) 에서 얻어진 컬러 필터 사이에 액정을 주입하여, 액정 패널 (액정 셀) 을 제조한다. 그 후, 모듈 조립공정 (S4) 에서, 조립된 액정 패널 (액정 셀) 의 표시 동작을 실시시키는 전기 회로, 백라이트 등의 각 부품을 장착하여 액정 표시 소자로서 완성시킨다. 상기 서술한 액정 표시 소자의 제조 방법에 의하면, 매우 미세한 패턴을 갖는 액정 표시 소자를 양호한 스루풋으로 얻을 수 있다.
다음으로, 본 발명의 실시형태에 의한 노광 장치를 반도체 소자를 제조하는 노광 장치에 적용하고, 이 노광 장치를 사용하여 반도체 소자를 제조하는 방법에 대하여 설명한다. 도 10 은, 마이크로 디바이스로서의 반도체 소자를 제조하는 제조 공정의 일부를 나타내는 플로우 차트이다. 도 10 에 나타내는 바와 같이, 먼저, 단계 S10 (설계 단계) 에 있어서, 반도체 소자의 기능·성능 설계를 실시하고, 그 기능을 실현하기 위한 패턴 설계를 실시한다. 계속해서, 단계 S11 (마스크 제작 단계) 에 있어서, 설계한 패턴을 형성한 마스크 (레티클) 를 제작한다. 한편, 단계 S12 (웨이퍼 제조 단계) 에 있어서, 실리콘 등의 재료를 사용하여 웨이퍼를 제조한다.
다음으로, 단계 S13 (웨이퍼 처리 단계) 에 있어서, 단계 S10 ∼ 단계 S12 에서 준비한 마스크와 웨이퍼를 사용하여, 후술하는 바와 같이, 리소그래피 기술 등에 의해 웨이퍼 상에 실제의 회로 등을 형성한다. 이어서, 단계 S14 (디바이스 조립 단계) 에 있어서, 단계 S13 에서 처리된 웨이퍼를 사용하여 디바이스 조립을 실시한다. 이 단계 S14 에는, 다이싱 공정, 본팅 공정, 및 패키징 공정 (칩 봉입) 등의 공정이 필요에 따라 포함된다. 마지막으로, 단계 S15 (검사 단계) 에 있어서, 단계 S14 에서 제조된 마이크로 디바이스의 동작 확인 테스트, 내구성 테스트 등의 검사를 실시한다. 이러한 공정을 거친 후에 마이크로 디바이스가 완성되어 이것이 출하된다.
또한, 액정 표시 소자 또는 반도체 소자 등의 마이크로 디바이스뿐만 아니라, 광 노광 장치, EUV 노광 장치, X 선 노광 장치 및 전자선 노광 장치 등에서 사용되는 레티클 또는 마스크를 제조하기 위해서, 마더 레티클로부터 유리 기판이나 실리콘 웨이퍼 등에 패턴을 전사하는 노광 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다. 여기서, DUV (심 자외) 나 VUV (진공 자외) 광 등을 사용하는 노광 장치에서는, 일반적으로 투과형 레티클이 사용되고, 레티클 기판으로는 석영 유리, 불소가 도핑된 석영 유리, 형석, 불화마그네슘, 또는 수정 등이 사용된다. 또한, 프록시미티 방식의 X 선 노광 장치나 전자선 노광 장치 등에서는, 투과형 마스크 (스텐실 마스크, 멤브레인 마스크) 가 사용되고, 마스크 기판으로는 실리콘 웨이퍼 등이 사용된다. 또한 이와 같은 노광 장치는, WO99/34255호, WO99/50712호, WO99/66370호, 일본 공개특허공보 평11-194479호, 일본 공개특허공보 2000-12453호, 일본 공개특허공보 2000-29202호 등에 개시되어 있다.
또한 법령으로 허용되는 한, 상기 각 실시형태 및 변형예에서 인용한 노광 장치 등에 관한 모든 공개 공보 및 미국 특허의 개시를 원용하여 본문 기재의 일부로 한다.
WST : 웨이퍼 스테이지 (스테이지 장치)
WST1, WST2 : 스테이지 유닛 (기판 스테이지)
10 : 노광 장치
14 : 베이스 부재 (고정부)
15 : 구동 장치 (평면 모터 장치)
16 : 고정부
16a : 이동면
17 : 이동부 (제 1 이동체)
28 : 제 2 스테이지 (제 2 이동체)
61A, 61B : 서브스테이지
67 : 인코더 헤드 (제 1 계측 장치)
68 : 인코더 스케일 (제 1 피검출 부재)
71, 72 : 인코더 헤드 (제 2 계측 장치)
73, 74 : 인코더 스케일 (제 2 피검출 부재)
75 : 배관 (용력 공급 부재)

Claims (13)

  1. 소정의 이동면을 구비한 고정부와, 상기 이동면을 따라 제 1 방향을 포함하는 복수의 방향으로 이동할 수 있는 제 1 이동체를 갖는 평면 모터 장치와,
    상기 제 1 이동체의 이동과 동기하여, 상기 이동면에 대하여 상기 제 1 방향으로 이동하는 서브스테이지와,
    상기 서브스테이지에 적어도 일부가 형성되고, 상기 서브스테이지와 상기 이동면 사이의 상기 제 1 방향의 상대 위치에 관한 정보를 검출하는 제 1 계측 장치와,
    상기 서브스테이지에 적어도 일부가 형성되고, 상기 서브스테이지와 상기 제 1 이동체 사이의 상기 제 1 방향과 교차하고 또한 상기 이동면을 따르는 제 2 방향의 상대 위치에 관한 정보를 검출하는 제 2 계측 장치를 구비하는, 스테이지 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 고정부에는, 상기 제 1 방향으로 연장되는 제 1 피검출 부재가 형성되고,
    상기 제 1 이동체에는, 상기 제 2 방향으로 연장되는 제 2 피검출 부재가 형성되고,
    상기 제 1 계측 장치는, 상기 제 1 피검출 부재를 판독한 결과에 기초하여 상기 고정부에 대한 상기 서브스테이지의 상기 제 1 방향의 상대 위치에 관한 정보를 검출하고,
    상기 제 2 계측 장치는, 상기 제 2 피검출 부재를 판독한 결과에 기초하여 상기 제 1 이동체에 대한 상기 서브스테이지의 상기 제 2 방향의 상대 위치에 관한 정보를 검출하는, 스테이지 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 계측 장치는, 상기 서브스테이지와 상기 제 1 이동체 사이의 상기 제 1 방향의 상대 위치에 관한 정보도 검출하는, 스테이지 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 서브스테이지와 상기 이동면 사이의 상기 제 2 방향의 상대 위치에 관한 정보는, 상기 제 1 이동체의 복수의 위치에 있어서 검출되는, 스테이지 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 계측 장치는, 상기 제 1 방향에 관하여 상기 제 1 이동체의 양측에 형성되는, 스테이지 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 서브스테이지와 상기 제 1 이동체는, 상기 제 2 방향에 관해서는 상기 제 1 방향에 관한 상대 이동 범위보다 큰 범위에서 상대 이동할 수 있도록 되어 있는, 스테이지 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 이동체에 그 제 1 이동체에 대하여 상대 이동할 수 있게 형성된 제 2 이동체와,
    상기 제 2 이동체의 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향의 위치를 계측하는 제 3 계측 장치를 추가로 구비한, 스테이지 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 서브스테이지는, 상기 제 1 이동체와 상기 제 2 이동체 중 적어도 일방에 용력을 공급하는 용력 공급 부재를 지지하는, 스테이지 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 이동체와 상기 서브스테이지는, 각각 복수 형성되어 서로 독립적으로 이동할 수 있는, 스테이지 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 복수의 제 1 이동체는 상기 고정부를 공유하여 각각 상기 고정자와의 사이에서 평면 모터 장치를 구성하고, 상기 복수의 서브스테이지는 각각 개별적으로 형성된 구동 장치에 의해 상기 제 1 방향으로 이동하는, 스테이지 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 스테이지 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 스테이지 장치는, 패턴이 노광되는 기판을 유지하여 이동하는 기판 스테이지와, 상기 노광에 관한 정보가 계측되는 계측 스테이지 중 적어도 어느 일방인 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 기재된 노광 장치를 사용하는, 디바이스의 제조 방법.
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101163435B1 (ko) 2003-04-09 2012-07-13 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
TW201834020A (zh) 2003-10-28 2018-09-16 日商尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TWI512335B (zh) 2003-11-20 2015-12-11 尼康股份有限公司 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法
TWI412067B (zh) 2004-02-06 2013-10-11 尼康股份有限公司 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法
EP3232270A3 (en) 2005-05-12 2017-12-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
EP2179329A1 (en) 2007-10-16 2010-04-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2009050976A1 (en) 2007-10-16 2009-04-23 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2009145048A1 (ja) 2008-05-28 2009-12-03 株式会社ニコン 空間光変調器の検査装置および検査方法、照明光学系、照明光学系の調整方法、露光装置、およびデバイス製造方法
JP5262455B2 (ja) * 2008-09-01 2013-08-14 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US20110042874A1 (en) * 2009-08-20 2011-02-24 Nikon Corporation Object processing apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
JP5861858B2 (ja) * 2010-03-29 2016-02-16 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US8598538B2 (en) * 2010-09-07 2013-12-03 Nikon Corporation Movable body apparatus, object processing device, exposure apparatus, flat-panel display manufacturing method, and device manufacturing method
NL2008696A (en) * 2011-05-25 2012-11-27 Asml Netherlands Bv A multi-stage system, a control method therefor, and a lithographic apparatus.
US9169895B2 (en) * 2011-11-29 2015-10-27 Hennessy Industries, Inc. Vehicle wheel balance weights
US8779635B2 (en) * 2012-04-10 2014-07-15 Kla-Tencor Corporation Arrangement of reticle positioning device for actinic inspection of EUV reticles
CN108983554A (zh) 2012-10-02 2018-12-11 株式会社尼康 曝光装置以及器件制造方法
US9785051B2 (en) * 2012-10-15 2017-10-10 Asml Netherlands B.V. Actuation mechanism, optical apparatus, lithography apparatus and method of manufacturing devices
CN105684108A (zh) 2013-09-04 2016-06-15 Ckd株式会社 电磁致动器用电枢线圈、电磁致动器、曝光装置及器件制造方法
WO2016104511A1 (ja) 2014-12-24 2016-06-30 株式会社ニコン 計測装置及び計測方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
KR102294481B1 (ko) 2014-12-24 2021-08-27 가부시키가이샤 니콘 이동체의 제어 방법, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 이동체 장치, 및 노광 장치
CN108168442B (zh) * 2018-03-28 2023-09-08 河北省同创交通工程配套产品产业技术研究院 一种止水带凹凸槽动态测量装置的动态测量方法
DE202019000816U1 (de) * 2019-02-20 2020-05-28 isel GmbH & Co. KG Planarläuferpositionsmesssystem
JP7536571B2 (ja) * 2020-09-15 2024-08-20 キオクシア株式会社 位置計測装置及び計測方法

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2369299A (en) 1942-05-16 1945-02-13 Kafowi Jan Apparatus for working metals
JPH01164543A (ja) 1987-12-21 1989-06-28 Okuma Mach Works Ltd ワーク判別方法
JPH01194479A (ja) 1988-01-29 1989-08-04 Murata Mfg Co Ltd 積層熱電素子およびその製造方法
JP3312387B2 (ja) * 1992-05-26 2002-08-05 ソニー株式会社 パターニング装置
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
US5677758A (en) 1995-02-09 1997-10-14 Mrs Technology, Inc. Lithography System using dual substrate stages
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
US6222614B1 (en) * 1996-12-06 2001-04-24 Nikon Corporation Exposure elements with a cable-relaying support
JPH10293611A (ja) * 1997-04-21 1998-11-04 Canon Inc 位置決め装置
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP4164905B2 (ja) * 1997-09-25 2008-10-15 株式会社ニコン 電磁力モータ、ステージ装置および露光装置
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
US6897963B1 (en) 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
JP4264676B2 (ja) 1998-11-30 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
TW449672B (en) * 1997-12-25 2001-08-11 Nippon Kogaku Kk Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same
JPH11194479A (ja) 1997-12-26 1999-07-21 Nikon Corp フォトマスクの製造方法及び装置
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
WO1999050712A1 (fr) 1998-03-26 1999-10-07 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition, photomasque et son procede de fabrication, micro-composant et son procede de fabrication
WO1999066370A1 (fr) 1998-06-17 1999-12-23 Nikon Corporation Procede relatif a l'elaboration d'un masque
JP2000012453A (ja) 1998-06-18 2000-01-14 Nikon Corp 露光装置及びその使用方法、露光方法、並びにマスクの製造方法
JP2000029202A (ja) 1998-07-15 2000-01-28 Nikon Corp マスクの製造方法
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
AU1554901A (en) * 1999-12-16 2001-06-25 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus
US6437463B1 (en) * 2000-04-24 2002-08-20 Nikon Corporation Wafer positioner with planar motor and mag-lev fine stage
JP2002043213A (ja) * 2000-07-25 2002-02-08 Nikon Corp ステージ装置および露光装置
US6842248B1 (en) * 2000-11-28 2005-01-11 Nikon Corporation System and method for calibrating mirrors of a stage assembly
EP1364257A1 (en) 2001-02-27 2003-11-26 ASML US, Inc. Simultaneous imaging of two reticles
JP2002305140A (ja) * 2001-04-06 2002-10-18 Nikon Corp 露光装置及び基板処理システム
JP4814438B2 (ja) * 2001-05-02 2011-11-16 日本トムソン株式会社 リニアモータを内蔵したステージ装置
EP1276016B1 (en) * 2001-07-09 2009-06-10 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
SG103893A1 (en) * 2001-11-30 2004-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3809381B2 (ja) * 2002-01-28 2006-08-16 キヤノン株式会社 リニアモータ、ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
US6937911B2 (en) * 2002-03-18 2005-08-30 Nikon Corporation Compensating for cable drag forces in high precision stages
SG107660A1 (en) * 2002-06-13 2004-12-29 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP2004260116A (ja) * 2003-02-27 2004-09-16 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2005046941A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Canon Inc ケーブル微動ユニット付きステージ装置
JP2005159322A (ja) * 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
JP4586367B2 (ja) * 2004-01-14 2010-11-24 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
JP2005285881A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2005317916A (ja) * 2004-03-30 2005-11-10 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP4677267B2 (ja) * 2005-04-04 2011-04-27 キヤノン株式会社 平面ステージ装置及び露光装置
JP2006351479A (ja) 2005-06-20 2006-12-28 Sumitomo Wiring Syst Ltd コネクタ

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