JPH01194479A - 積層熱電素子およびその製造方法 - Google Patents
積層熱電素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH01194479A JPH01194479A JP63020119A JP2011988A JPH01194479A JP H01194479 A JPH01194479 A JP H01194479A JP 63020119 A JP63020119 A JP 63020119A JP 2011988 A JP2011988 A JP 2011988A JP H01194479 A JPH01194479 A JP H01194479A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor ceramic
- type semiconductor
- layer
- thermoelectric element
- plates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ産業上の利用分野
この発明は、複数のｐ型半導体セラミック仮とｎ型半導
体セラミック板とを交互に積層してなる熱電素子および
その製造方法に関する。
体セラミック板とを交互に積層してなる熱電素子および
その製造方法に関する。
（ｂ）従来の技術
従来、熱電素子の熱起電力を高めるために、複数のｎ型
半導体層とｎ型半導体層とを積層して多層化することが
行われている。
半導体層とｎ型半導体層とを積層して多層化することが
行われている。
例えば、特開昭６１−２６３１７６号で開示された熱電
素子は複数のｎ型半導体層とｎ型半導体層とを交互に積
み重ね、両層の界面にＰ’Ｎ接合部を残して空隙層を形
成し、その空隙層にガラス質を充填させて絶縁層を形成
することによって、積層熱電素子を構成している。
素子は複数のｎ型半導体層とｎ型半導体層とを交互に積
み重ね、両層の界面にＰ’Ｎ接合部を残して空隙層を形
成し、その空隙層にガラス質を充填させて絶縁層を形成
することによって、積層熱電素子を構成している。
［Ｃ）発明が解決しようとする問題点
ところで、一般に熱電素子の性能指数をＺとすればＺは
次の式で示される。
次の式で示される。
Ｚ−α２／にρ
ここでαはゼーベック係数、Ｋは熱伝導率、ρは比抵抗
である。
である。
上記従来例では、複数の半導体層間にガラス質が充填さ
れて絶縁層が形成されているが、ガラス自体の熱伝導率
は一般に太き（、熱電素子全体の熱伝導率Ｋが増大し、
性能指数Ｚが低下する。たとえばこの熱電素子を熱セン
サに用いる場合、感度の減少を招く。
れて絶縁層が形成されているが、ガラス自体の熱伝導率
は一般に太き（、熱電素子全体の熱伝導率Ｋが増大し、
性能指数Ｚが低下する。たとえばこの熱電素子を熱セン
サに用いる場合、感度の減少を招く。
この発明の目的は、熱電素子全体の熱伝導率を小さくし
て性能指数を増大さセた積層熱電素子およびその製造方
法を提供することにある。
て性能指数を増大さセた積層熱電素子およびその製造方
法を提供することにある。
ｆｄ１問題点を解決するための手段
この発明の熱電素子は、複数のｎ型半導体セラミック層
とｎ型半導体セラミック層とを交互に積層してなる積層
熱電素子において、 ｎ型半導体セラミック層とｎ型半導体セラミック層の両
層間の一端部に両層間を電気的に接続する電極を介在さ
せ、この電極を除く他の領域に絶縁樹脂層を介在させた
ことを特徴としている。
とｎ型半導体セラミック層とを交互に積層してなる積層
熱電素子において、 ｎ型半導体セラミック層とｎ型半導体セラミック層の両
層間の一端部に両層間を電気的に接続する電極を介在さ
せ、この電極を除く他の領域に絶縁樹脂層を介在させた
ことを特徴としている。
また、この発明の積層熱電素子の製造方法は、隣接する
他の半導体セラミック板との電気的接続部に導電ペース
トを、電気的絶縁部に空隙形成用ペーストを、それぞれ
複数のｎ型半導体セラミック板およびｎ型半導体セラミ
ック板に塗布し、ｎ型半導体セラミック板とｎ型半導体
セラミック板とを交互に積層し、焼き付けることによっ
て各セラミック板間に電極と空隙層を形成し、この空隙
層に樹脂溶液を注入または含浸させたのち、乾燥硬化す
ることを特徴としている。
他の半導体セラミック板との電気的接続部に導電ペース
トを、電気的絶縁部に空隙形成用ペーストを、それぞれ
複数のｎ型半導体セラミック板およびｎ型半導体セラミ
ック板に塗布し、ｎ型半導体セラミック板とｎ型半導体
セラミック板とを交互に積層し、焼き付けることによっ
て各セラミック板間に電極と空隙層を形成し、この空隙
層に樹脂溶液を注入または含浸させたのち、乾燥硬化す
ることを特徴としている。
ｔｅ１作用
この発明の積層熱電素子においては、ｎ型半導体セラミ
ック層とｎ型半薄体セラミック層の両層間の一端部に両
層間を電気的に接続する電極が介在されているとともに
、この電極を除く他の領域に絶縁樹脂層が介在されてい
る。この絶縁樹脂層の熱伝導率はｎ型半導体セラミック
層およびｎ型半導体セラミック層の熱伝導率よりはるか
に小さい。このため積層熱電素子全体の熱伝導率を小さ
くすることができる。これにより性能指数Ｚの低下を防
ぎ、たとえば高感度の熱センサを構成することができる
。
ック層とｎ型半薄体セラミック層の両層間の一端部に両
層間を電気的に接続する電極が介在されているとともに
、この電極を除く他の領域に絶縁樹脂層が介在されてい
る。この絶縁樹脂層の熱伝導率はｎ型半導体セラミック
層およびｎ型半導体セラミック層の熱伝導率よりはるか
に小さい。このため積層熱電素子全体の熱伝導率を小さ
くすることができる。これにより性能指数Ｚの低下を防
ぎ、たとえば高感度の熱センサを構成することができる
。
この発明の積層熱電素子の製造方法においては、複数の
ｎ型半導体セラミック板およびｎ型半導体セラミック板
のおのおのに、隣接する他の半導体セラミック板との電
気的接続部に導電ペーストが塗布され、電気的絶縁部に
空隙形成用ペーストが塗布される。その後、ｎ型半導体
セラミック板とｎ型半導体セラミック板とが交互に積層
され、焼付られることにより、各セラミック板は導電ペ
ーストにより電気的に接続されるとともに接合される。
ｎ型半導体セラミック板およびｎ型半導体セラミック板
のおのおのに、隣接する他の半導体セラミック板との電
気的接続部に導電ペーストが塗布され、電気的絶縁部に
空隙形成用ペーストが塗布される。その後、ｎ型半導体
セラミック板とｎ型半導体セラミック板とが交互に積層
され、焼付られることにより、各セラミック板は導電ペ
ーストにより電気的に接続されるとともに接合される。
このとき、空隙形成用ペーストは気化されて空隙層が形
成される。その後、この空隙層に絶縁樹脂溶液が注入ま
たは含浸されて乾燥硬化されることによって、絶縁樹脂
により空隙層が充填される。これにより一体化された積
層熱電素子が得られる。
成される。その後、この空隙層に絶縁樹脂溶液が注入ま
たは含浸されて乾燥硬化されることによって、絶縁樹脂
により空隙層が充填される。これにより一体化された積
層熱電素子が得られる。
なお、ｐ型半導体セラミックには、ＮｉＯ，Ｆｅｏ、Ｃ
ｏｏ、ＭｎＯの一種または二種以上か、らなる材料にＬ
＋２０をドープした材料、ｎ型半ｍ体セラミックには、
ＢａＴｉ０．＋、またはＢａＴｉ０．に５ｒＴｉ０３．
ＣａＴｉ０＝、ＰｂＴｉＯ３の一種もしくは二種以上を
含んだ材料に希土類もしくはｐＪ ｂｚ ０５ 、 Ｔ
ａ ２０ｓから一種以上をドープした材料、またはＴ
ｉＯ２にＮｂ２Ｏ５もしくは’ｒａｚｏｓをドープした
材料、またはＺｎｏにＡｌ２Ｏ３もしくはＧａｚ ０３
をドープした材料を用いることができる。
ｏｏ、ＭｎＯの一種または二種以上か、らなる材料にＬ
＋２０をドープした材料、ｎ型半ｍ体セラミックには、
ＢａＴｉ０．＋、またはＢａＴｉ０．に５ｒＴｉ０３．
ＣａＴｉ０＝、ＰｂＴｉＯ３の一種もしくは二種以上を
含んだ材料に希土類もしくはｐＪ ｂｚ ０５ 、 Ｔ
ａ ２０ｓから一種以上をドープした材料、またはＴ
ｉＯ２にＮｂ２Ｏ５もしくは’ｒａｚｏｓをドープした
材料、またはＺｎｏにＡｌ２Ｏ３もしくはＧａｚ ０３
をドープした材料を用いることができる。
また、電極材料としてＰｔ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ１．ｌ！
、Ｎｉ中から一種以上を、絶縁体材料としてＢａ０−Ｔ
ｉＯｘ−３ｉＯ□系材料を用いることができる。
、Ｎｉ中から一種以上を、絶縁体材料としてＢａ０−Ｔ
ｉＯｘ−３ｉＯ□系材料を用いることができる。
（ｆｌ実施例
ｐ型半導体セラミックとして、Ｎｉ０９９．５ｍｏ１％
に対してＬｉ２Ｏを０．５ｍｏｆｆｉ％ドープした材料
を５０Ｘ２０Ｘ０．２５ｍｍのグリーンシートとして成
形し、空気中において１２５０℃で１時間焼成し、焼結
板を得た。
に対してＬｉ２Ｏを０．５ｍｏｆｆｉ％ドープした材料
を５０Ｘ２０Ｘ０．２５ｍｍのグリーンシートとして成
形し、空気中において１２５０℃で１時間焼成し、焼結
板を得た。
一方ｎ型半導体セラミックとして、ＢａＴｉ○３８０ｍ
ｏ／％、ＣａＴｉＣ）＋ １９．５ｍｏ／％に対して
Ｙ２Ｏ３を０．５ｍｏ１％ドープした材料を５０Ｘ２０
Ｘ０．２５ｍｍのグリーンシートとして成形し、空気中
において１３００ ’Ｃで１時間焼成し焼結板を得た。
ｏ／％、ＣａＴｉＣ）＋ １９．５ｍｏ／％に対して
Ｙ２Ｏ３を０．５ｍｏ１％ドープした材料を５０Ｘ２０
Ｘ０．２５ｍｍのグリーンシートとして成形し、空気中
において１３００ ’Ｃで１時間焼成し焼結板を得た。
続いて、両方の焼結板をダイヤモンドカッタで１０Ｘ５
Ｘ０．２ｍｍ （厚みは焼成による収縮後の寸法）のサ
イズにカプトした。
Ｘ０．２ｍｍ （厚みは焼成による収縮後の寸法）のサ
イズにカプトした。
その後、カットした複数のｎ型半導体セラミック板およ
びｎ型半導体セラミック板の各々に、隣接する他の半導
体セラミック板との電気的接続部に導電ペーストを印刷
し、電気的絶縁部に空隙形成用ペーストを印刷した。第
２図はその一例を表し、１はｎ型半導体セラミック板、
３は導電ペースト、４は空隙形成用ペーストを示してい
る。ここで、導電ペーストはＡｇ、フェス、フリット溶
剤を混練してペースト状にしたもの、また、空隙形成用
ペーストは、カーボン、フェス、溶剤を混練してペース
ト状にしたカーボンペーストを用いた。
びｎ型半導体セラミック板の各々に、隣接する他の半導
体セラミック板との電気的接続部に導電ペーストを印刷
し、電気的絶縁部に空隙形成用ペーストを印刷した。第
２図はその一例を表し、１はｎ型半導体セラミック板、
３は導電ペースト、４は空隙形成用ペーストを示してい
る。ここで、導電ペーストはＡｇ、フェス、フリット溶
剤を混練してペースト状にしたもの、また、空隙形成用
ペーストは、カーボン、フェス、溶剤を混練してペース
ト状にしたカーボンペーストを用いた。
第１図は導電ペーストと空隙形成用ペーストをそれぞれ
印刷した半導体セラミック板の積層前の状態を示す斜視
図である。図においてｌａ、ｌｂ、ｌｃ、ｌｄはｎ型半
導体セラミック板、２ａ。
印刷した半導体セラミック板の積層前の状態を示す斜視
図である。図においてｌａ、ｌｂ、ｌｃ、ｌｄはｎ型半
導体セラミック板、２ａ。
２ｂ、２ｃはｎ型半導体セラミック板である。また、３
ｂ〜３ｆは導電ペースト、４ａ〜４ｆは空隙形成用ペー
ストである。このように各ペーストを印刷した半導体セ
ラミック板を積層し、第３図（Ａ）の断面図に示すよう
に半導体セラミック板の積層体を形成した。
ｂ〜３ｆは導電ペースト、４ａ〜４ｆは空隙形成用ペー
ストである。このように各ペーストを印刷した半導体セ
ラミック板を積層し、第３図（Ａ）の断面図に示すよう
に半導体セラミック板の積層体を形成した。
この積層体を乾燥させた後９５０°Ｃまで加熱すること
によって導電ペーストの焼付および空隙形成用ペースト
の気化を行った。第３図（Ｂ）はこのときの状態を示し
ている。
によって導電ペーストの焼付および空隙形成用ペースト
の気化を行った。第３図（Ｂ）はこのときの状態を示し
ている。
その後、ポリスチレン系またはエポキシ系の樹脂溶液に
積層体を浸漬し、真空脱気した後、加圧含浸させた。な
お、その際、のちに取出電極を形成すべき箇所に樹脂溶
液が付着しないようにテーピイングを行った。
積層体を浸漬し、真空脱気した後、加圧含浸させた。な
お、その際、のちに取出電極を形成すべき箇所に樹脂溶
液が付着しないようにテーピイングを行った。
その後樹脂溶液槽から積層体を取り出し、加熱乾燥させ
て樹脂を硬化させた。これにより各半導体セラミック板
間を絶縁樹脂によって充填した。
て樹脂を硬化させた。これにより各半導体セラミック板
間を絶縁樹脂によって充填した。
第３図（Ｃ）は絶縁樹脂充填後の積層体の断面し１を示
している。図において５は充填された絶縁樹脂である。
している。図において５は充填された絶縁樹脂である。
第１図および第３図（Ａ）〜（Ｃ）に示した例は説明上
層数を少なくして表しているが、ｐ型半導体層とｎ型半
導体層をそれぞれ１０層としてｌＱＸ５Ｘ５ｍｍの積層
体を形成し、これをＩＯ×５ （積層方向）×２ （ス
ライス幅）の寸法にスライスして熱電素子を作成したと
ころ、約２５ｍＶ／にの熱起電力が得られた。また、上
記実施例によればｐ型半導体セラミックの温度に対する
ゼーベック係数の絶対値が負特性、ｎ型半導体セラミッ
クの温度に対するゼーベック係数の絶対値が正特性であ
る。このため、両生導体セラミック板を積層した熱電素
子は正負キャンセルされて平坦な温度特性を備えている
。
層数を少なくして表しているが、ｐ型半導体層とｎ型半
導体層をそれぞれ１０層としてｌＱＸ５Ｘ５ｍｍの積層
体を形成し、これをＩＯ×５ （積層方向）×２ （ス
ライス幅）の寸法にスライスして熱電素子を作成したと
ころ、約２５ｍＶ／にの熱起電力が得られた。また、上
記実施例によればｐ型半導体セラミックの温度に対する
ゼーベック係数の絶対値が負特性、ｎ型半導体セラミッ
クの温度に対するゼーベック係数の絶対値が正特性であ
る。このため、両生導体セラミック板を積層した熱電素
子は正負キャンセルされて平坦な温度特性を備えている
。
（ｇ）発明の効果
以上のようにこの発明によれば、ｐ型半導体セラミック
層とｎ型半導体セラミック層間の電気的接続部以外の領
域に絶縁樹脂層を介在させたことにより、素子全体の熱
伝導率Ｋを小さくし、性能指数Ｚを増大させることがで
きる。これにより高感度の熱センサを構成することがで
きる。
層とｎ型半導体セラミック層間の電気的接続部以外の領
域に絶縁樹脂層を介在させたことにより、素子全体の熱
伝導率Ｋを小さくし、性能指数Ｚを増大させることがで
きる。これにより高感度の熱センサを構成することがで
きる。
第１図はこの発明の実施例である積層熱電素子の製造途
中の状態を示す斜視図、第２図は半導体セラミック板と
これに印刷したペーストについて示す図、第３図（Ａ）
〜（Ｃ）は同積層熱電素子の製造途中における構造を示
す断面図である。 １ａ〜１ｄ−ｎ型半導体セラミック板、２ａ〜２Ｃ−ｎ
型半導体セラミック板、３ａ〜３ｆ−導電ペーストおよ
び焼付後の電極、４ａ〜４ｆ−空隙形成用ペースト、 ５−絶縁樹脂
中の状態を示す斜視図、第２図は半導体セラミック板と
これに印刷したペーストについて示す図、第３図（Ａ）
〜（Ｃ）は同積層熱電素子の製造途中における構造を示
す断面図である。 １ａ〜１ｄ−ｎ型半導体セラミック板、２ａ〜２Ｃ−ｎ
型半導体セラミック板、３ａ〜３ｆ−導電ペーストおよ
び焼付後の電極、４ａ〜４ｆ−空隙形成用ペースト、 ５−絶縁樹脂
Claims (2)
- （１）複数のｐ型半導体セラミック層とｎ型半導体セラ
ミック層とを交互に積層してなる積層熱電素子において
、 ｐ型半導体セラミック層とｎ型半導体セラミック層の両
層間の一端部に両層間を電気的に接続する電極を介在さ
せ、この電極を除く他の領域に絶縁樹脂層を介在させた
ことを特徴とする積層熱電素子。 - （２）隣接する他の半導体セラミック板との電気的接続
部に導電ペーストを、電気的絶縁部に空隙形成用ペース
トを、それぞれ複数のｐ型半導体セラミック板およびｎ
型半導体セラミック板に塗布し、ｐ型半導体セラミック
板とｎ型半導体セラミック板とを交互に積層し、焼き付
けることによって各セラミック板間に電極と空隙層を形
成し、この空隙層に樹脂溶液を注入または含浸させたの
ち乾燥硬化することを特徴とする積層熱電素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63020119A JPH01194479A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 積層熱電素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63020119A JPH01194479A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 積層熱電素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01194479A true JPH01194479A (ja) | 1989-08-04 |
Family
ID=12018234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63020119A Pending JPH01194479A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 積層熱電素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01194479A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2010073398A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2012-05-31 | 富士通株式会社 | 熱電変換素子の製造方法及び熱電変換素子 |
| EP2998983A2 (en) | 2006-12-27 | 2016-03-23 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus and device fabricating method |
-
1988
- 1988-01-29 JP JP63020119A patent/JPH01194479A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2998983A2 (en) | 2006-12-27 | 2016-03-23 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus and device fabricating method |
| JPWO2010073398A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2012-05-31 | 富士通株式会社 | 熱電変換素子の製造方法及び熱電変換素子 |
| US8501518B2 (en) | 2008-12-26 | 2013-08-06 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing thermoelectric conversion element and thermoelectric conversion element |
| JP5360072B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2013-12-04 | 富士通株式会社 | 熱電変換素子の製造方法 |
| US8940571B2 (en) | 2008-12-26 | 2015-01-27 | Fujitsu Limited | Thermoelectric conversion element |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6462464B2 (en) | Stacked piezoelectric device and method of fabrication thereof | |
| US5523645A (en) | Electrostrictive effect element and methods of producing the same | |
| JP3239959B2 (ja) | マイクロ波用非可逆回路素子 | |
| JPH0732273B2 (ja) | 電歪効果素子 | |
| JPH04253382A (ja) | 電歪効果素子 | |
| JPH11340081A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JPH01194479A (ja) | 積層熱電素子およびその製造方法 | |
| JPS63153870A (ja) | 電歪効果素子 | |
| JP2779896B2 (ja) | 積層電子部品の製造方法 | |
| JP2689756B2 (ja) | 急変サーミスタおよびその製造方法 | |
| JP2004281957A (ja) | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JPS61174681A (ja) | 積層圧電体の製造方法 | |
| JPH01183862A (ja) | 積層熱電素子およびその製造方法 | |
| JPH06314602A (ja) | セラミック電子部品 | |
| JP3528972B2 (ja) | Ｎｔｃサーミスタ | |
| JPH0476969A (ja) | 電歪効果素子 | |
| JPH01183863A (ja) | 積層熱電素子 | |
| JPS639168A (ja) | 電歪式変位素子 | |
| JP2003109820A (ja) | 積層型インダクタ及びその製造方法 | |
| JPS60154581A (ja) | 積層圧電体およびその製造方法 | |
| JPH08181032A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH0534122Y2 (ja) | ||
| JPH01262678A (ja) | 積層熱電素子およびその製造方法 | |
| JPH0280927A (ja) | 積層熱電素子およびその製造方法 | |
| JPH01147879A (ja) | 積層型圧電素子の製造方法 |