TWI403856B - 微影裝置及器件製造方法 - Google Patents

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Description

微影裝置及器件製造方法
本發明係關於一種微影裝置及一種器件製造方法。尤其係，其有關藉由微影裝置曝露之批次基板的製程及對準校正。
微影裝置係一機器，其將需要圖案施加至基板上，通常係施加至該基板之一目標部分上。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造。在該實例中，可使用一圖案化器件(另稱為遮罩或標線片)以產生一欲形成於積體電路之個別層上的電路圖案。此圖案可轉移至一基板(如矽晶圓)上之目標部分(如包含部分、一個或數個晶粒)上。圖案一般係經由成像轉移至該基板上設置之一輻射敏感材料(光阻)層上。一般而言，一單一基板將包含連續圖案化之相鄰目標部分之網路。已知微影裝置包括步進器，其中藉由將整個圖案一次曝光於目標部分上來照射各目標部分；及掃描器，其中藉由透過輻射光束於既定方向("掃描"方向)中掃描圖案而同時平行於或反平行於此方向掃描該基板來照射各目標部分。藉由將該圖案壓印至基板上，亦可以將該圖案從該圖案化器件轉移至該基板。
微影裝置之一特徵係精度，微影裝置使用其將相同基板之各光阻層曝光，使得相同基板上之所有層被對準。為了對準基板之該等層，固持基板之台必須加以控制，使得基板本身係在相同地方對準，用於每一次曝光。相同設置係用於數批次之基板，且因此一批次基板之對準對於各基板及各基板之各層而言亦必須相同，以供一特定曝光設置將所有基板之所有層依相同方式精確地曝光。
實行對準之方式係一基板上之各層皆包括一些對準標示組，其界定基板之位置及形狀。此位置及形狀係藉由數學模型描述。一般係使用比所需更多之對準標示來描述該模型，且因此有殘餘的標示資料。當正施加於曝光的一層("曝光層")係精確定位在先前層之頂部時，基板層之對準係成功。當對準策略不成功時，重疊誤差發生且在基板上產生較不令人滿意的曝光圖案，其可使產生之積體電路等等根本不能運作，或若重疊誤差足夠嚴重時，該基板及其所有層都必須重作。此減少令人滿意之曝光基板的輸出。
在基板對準期間，存在著從不同標示類型、不同光束色彩(或波長)及欲從對準標示繞射的不同的繞射階中選擇之可能性。所有此等不同可能性提供不同未對準結果。在標示測量期間，係作出一決定以使用哪一標示類型、多少標示、哪一光束色彩、及哪一繞射階。
重疊測量或計量發生在一專用的重疊計量工具中之一微影裝置之外。在基板已曝光，且基板上各(預定數目)或所有光阻層被顯影後，一批次基板係發送至重疊計量工具且使一些基板重疊測量。有若干測量重疊誤差的方法。大多數係涉及使用係出現在光阻層和先前層內之一組重疊目標或標示，且該二者之相對定位係藉由反射/繞射一來自疊置標示之輻射光束來測量。此等重疊標示可與對準標示分離，或可將相同標示用於二目的。若使含標示之二層完美地對準，當將一重疊計量光束導引至該標示上時，繞射光束將顯示無標示之未對準或重疊。該等標示可包括一光柵或週期性陣列的結構。疊置標示之未對準造成繞射光束產生變化。標示(如光柵)未對準之程度造成繞射光束產生相等程度的變化。所計算之未對準值可儲存在資料庫中，且未來未對準值與此等資料庫值比較，以決定重疊誤差之程度。當資料庫含有足夠資料時，未對準值可與重疊誤差排列一致而無須再計算由繞射光束產生之影像，因為資料庫將含有所有需要的資料。
在此項技術狀態中，相同數目之對準標示(如16對)係用於各批次之基板。為了補償對準中之波動，在該等基板上會進行非經常性之對準調整，因此該等對準標示係對準先前層的對準標示。"製程校正"(對準校正形成其部分)係針對各批次來定製對準模型。例如，若一特定微影裝置在基板曝光期間具有一稍微順時針方向旋轉之趨勢，則用於該裝置之對準模型可併入一逆時針方向旋轉。製程校正係基於已藉由該微影裝置曝光之先前批次。
此項技術狀態之問題，係當一些基板具有不同數目之對準標示或在與其他基板不同處之對準標示，或若一未對準係如此極端，以致於來自對準標示的可用對準資訊，係不足以決定所需之製程校正或對準校正。製程校正係取決於相同標示之對準，且因此若遺漏一對準標示或係在不同地方，則調整控制器不具有此正確輸入資訊，且所以可能相對於錯誤標示進行。例如，若所有先前批次之基板皆具有16對標示，且包括一僅具有14對標示之基板，則控制器嘗試僅用14對輸入以一針對16對之演算法進行其計算，來調整基板的位置。因此不僅難以計算製程校正，且可能進行之校正會因為輸入資訊錯誤之事實上而使對準不佳。
本發明之特徵包括決定欲對各基板及各基板之各層的對準進行之製程校正。
在一具體實施例中，係提供一種將一基板對準及曝光之方法，其包括測量在至少一先前批次之基板上重疊一對準標示中的變化；藉由將用於至少一先前批次之基板的對準標示之加權重疊變化相加，來計算用於該基板之製程校正；將該製程校正應用於該基板的對準；及將該基板曝光。
在另一具體實施例中，係提供一種將一基板對準及曝光之方法，其包括基於一理想基板提供一模型，該基板包括一具有一預設位置之對準標示；針對先前批次之基板的數目之對準標示來測量離該預設位置的偏移；藉由將用於該等先前批次之基板的加權測量偏移相加，來計算用於該基板之對準標示偏移；將該已計算偏移應用於該基板的對準；及將該基板曝光。
圖1示意性描述依據本發明之一具體實施例的微影裝置。該裝置包括一照明系統(照明器)IL，其係配置成用以調節輻射光束B(例如，UV輻射或EUV輻射)。一支撐物(例如遮罩台)MT係配置成用以支撐一圖案化器件(例如遮罩)MA，且係連接至一第一定位器PM，其係配置成用以依據某些參數來精確地定位圖案化器件。一基板台(例如晶圓台)WT係配置以固持一基板(如已塗布光阻的晶圓)W，且係連接至一第二定位器PW，其係配置以依據某些參數來精確地定位基板位置。一投射系統(例如折射式投射系統)PL係配置成藉由圖案化器件MA，將賦予輻射光束B之圖案投射至基板W之一目標部分C(例如包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包含各種類型的光學組件，例如折射式、反射式、磁性、電磁性、靜電式或其他類型的光學組件，或其任何組合，以引導、成形、及/或控制輻射。
該支撐物會支撐(例如承載)圖案化器件的重量。其以取決於該圖案化器件的方向、該微影裝置的設計以及其他條件(例如該圖案化器件是否固持於真空環境中)之方式，來固持該圖案化器件。該支撐物可使用機械、真空、靜電或其他夾緊技術來固持圖案化器件。該支撐物可為一框架或台，例如，其視需要為固定式或可移動式。該支撐物可確保圖案化器件處於(例如)相對於該投射系統之一所需位置。本文所使用的任何名詞"標線片"或"遮罩"皆可視為與更通用名詞"圖案化器件"同義。
本文中所使用的名詞"圖案化器件"應廣泛地解釋成指可用於以圖案將一輻射光束賦予其斷面，例如可於該基板之一目標部分中產生一圖案之任何器件。應注意，賦予該輻射光束之圖案可能不會確切地對應於該基板之目標部分中的需要圖案，例如若該圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵。一般而言，賦予該輻射光束之圖案將會對應於一器件中產生於該目標部分中之一特定功能層，例如積體電路。
該圖案化器件可為透射型或反射型。圖案化器件之範例包括遮罩、可程式鏡陣列以及可程式LCD面板。遮罩在微影中係為人熟知，且包括例如二進制、交替式相移、及衰減式相移等遮罩類型，以及各種混合遮罩類型。可程式鏡陣列之一範例採用小鏡的矩陣配置，各鏡可個別地傾斜，以致朝不同方向反射一進入輻射光束。該等傾斜鏡面在一輻射光束中賦予一圖案，該輻射光束係由該鏡矩陣反射。
本文使用之名詞"投射系統"應廣義地解釋為包含任何類型的投射系統，包含折射、反射、折反射、磁性、電磁性及靜電光學系統，或其任何組合，其適於所使用的曝光輻射，或其他諸如使用浸漬液體或使用真空等因素。本文所使用的名詞"投射透鏡"皆可視為與更通用名詞"投射系統"同義。
如在此所描述，該裝置係透射類型(如採用一透射遮罩)。或該裝置可為反射類型(例如，採用一上述類型之可程式鏡陣列，或採用一反射遮罩)。
該微影裝置可為具有二(雙級)或更多基板台(及/或二或更多遮罩台)之類型。在此"多級"機器中，可平行使用額外的台，或可在一或更多台上實行預備步驟，而將一或多個其他台用於曝光。
該微影裝置亦可為一其中藉由一具有相對較高折射率的液體(例如水)覆蓋該基板的至少一部分之類型，以填充該投射系統與該基板間之一空間。亦可將浸漬液體施加於該微影裝置之其他空間中，例如該遮罩與該投射系統間。浸漬技術在此項技術中係為人熟知，其係用來增加投射系統之數值孔徑。本文所使用之名詞"浸漬"並非意指一結構(例如，一基板)必須浸入液體中，而僅意指該液體在曝光期間係位於該投射系統與該基板之間。
參考圖1，照明器IL接收來自輻射源SO之輻射。該輻射源與微影裝置可為分離實體，例如當該輻射源為準分子雷射時。在此等情況下，不認為該輻射源會形成微影裝置之部分，且該輻射會藉助包含(例如)適合引導鏡及/或光束擴張器之光束輸送系統BD而從該輻射源SO傳遞至該照明器IL。在其他情況下，該輻射源可為該微影裝置之一整合部分，例如當該輻射源為一水銀燈時。該輻射源SO與照明器IL，連同需要時的光束輸送系統BD，可稱為輻射系統。
照明器IL可包括一用於調整輻射光束之角強度分布的調整器AD。一般而言，可以調整該照明器之一光瞳平面中強度分佈的至少外及/或內徑範圍(一般分別稱為σ－外及σ－內)。此外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如一積分器IN及一聚光器CO。該照明器可用以調節輻射光束，以在其斷面中具有所需均勻度及強度分布。
輻射光束B係入射至圖案化器件(例如遮罩MA)上，該器件係固持於支撐物(例如遮罩台MT)上並藉由圖案化器件加以圖案化。在行經遮罩MA後，輻射光束B穿過投射系統PL，其將光束聚焦在基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF(如，干涉式器件、線性編碼器或電容感測器)，基板台WT能準確地移動，如以在輻射束B之路徑中定位不同目標部分C。同樣地，第一定位器PM及另一位置感測器(未顯示於圖1中)可用以相對於輻射束B之路徑準確地定位遮罩MA，如自遮罩庫以機械方式取得後或在掃描期間。一般而言，可藉助一長衝程模組(粗略定位)及一短衝程模組(精細定位)來實現遮罩台MT之移動，該等模組形成第一定位器PM之部分。同樣地，基板台WT的移動可使用一長衝程模組及一短衝程模組來實現，該等模組會形成第二定位器PW的部分。在一步進器之情況下(與掃描器相反)，遮罩台MT可僅連接至一短衝程驅動器，或可加以固定。可使用遮罩對準標示M1、M2以及基板對準標示P1、P2來對準遮罩MA及基板W。儘管圖示該等基板對準標示佔用專用目標部分，然而其可位於目標部分(此等係稱為劃線道對準標示)間的空間內。同樣地，在其中遮罩MA上設置多個晶粒之情形中，該等遮罩對準標示可位於該等晶粒之間。
所述之裝置可用於以下至少一模式中：1.在步進模式中，遮罩台MT及基板台WT基本上係固持靜止，同時將賦予該輻射光束之一整個圖案一次(即單一靜態曝光)投射至一目標部分C上。隨後，該基板台WT接著在X及/或Y方向中偏移，以便能曝光一不同目標部分C。在步進模式中，該曝光場之最大大小會限制單一靜態曝光中所成像的目標部分C之大小。
2.在掃描模式中，係同步掃描遮罩台MT與基板台WT，同時將賦予該輻射光束之圖案投射至一目標部分C上(即單一動態曝光)。基板台WT相對於遮罩台MT之速度及方向可由投射系統PS之(縮)放率及影像反轉特徵來決定。在掃描模式中，該曝光場之最大大小會限制單一動態曝光中該目標部分之寬度(在非掃描方向中)，而掃描運動之長度則會決定該目標部分之高度(在掃描方向中)。
3.在另一模式中，遮罩台MT基本上係靜止地固持一可程式圖案化器件，且移動或掃描該基板台WT，同時一賦予輻射光束的圖案係投射至一目標部分C上。在此模式中，一般會利用一脈衝式輻射源，且該可程式圖案化器件係在掃描期間，基板台WT之各移動後，或在相繼輻射脈衝間視需要而加以更新。此操作模式可易於應用於利用可程式圖案化器件(例如上述類型的可程式鏡陣列)的無遮罩微影中。
亦可使用上述模式的組合及/或變化或完全不同使用模式。
校正對準之已知方法已描述於上，且包括基於先前批次基板中的重疊誤差之測量產生一製程校正。另一方面，本發明基於相對於一預設模型之先前批次基板的對率標示之測量偏移，來產生一對準校正(稱為殘餘偏移校正)。本發明及先前技術間之差係先前技術中之製程校正被用來改變一對準模型的值，而本發明提出一種方法，使用其能在不同對準標示類型、數目、色彩或次序之情況下，決定相對於一預設模型之偏移。
一般而言，藉由投射系統曝光之各批次基板係根據一對準策略來曝光，該對準策略係基於一基板形狀及位置之數學模型概念。然而，各批次基板(且的確一整個系列之批次基板)可具有應用於對準策略之一固定組製程校正，以補償在特定微影裝置中之假影。例如，一特定微影裝置可在X軸中以一稍微未對準將基板曝光，且因此將一製程校正應用於該模型，使得微影裝置在X軸中之相反方式以一稍微運動將基板曝光。使用一固定組製程校正之問題係當異常發生(諸如不同數目之對準標示係出現在不同批次的基板上)時，其不必然與對準策略吻合。
對於一特定微影機器，或係欲根據特定設計依相同方式將相同類型基板之一特定組機器曝光時，會產生一表示該理想基板之模型。通常使用二類型的模型：一6參數模型(併入X位置、Y位置、X旋轉、Y旋轉、X放大(或膨脹)及Y放大)；或一較簡單的4參數模型(併入位置、旋轉及放大，但不分離X及Y方向，僅X及Y位置)。複數個模型可界定有關將微影裝置中之基板相對於將賦予圖案化光束之投射系統來定位之任何數目的參數。
係有並非模型之部分或無法模型化的某些位置值。此等位置值係稱為對準殘餘。與理想值相比，在對準殘餘之測量基板中的偏移稱為一測量殘餘偏移。用於此偏移之校正係稱為殘餘偏移校正，其係一類型之對準校正。該等對準殘餘係從測量雜訊及基板變形或基板形狀中之變化計算出。不同模型將基於不同假設併入不同對準殘餘，例如基板係彎曲或平直。該等測量殘餘偏移可為各批次基板之平均殘餘。當提供已發現具有一偏移之一基板時，此等平均值被儲存及用於校正。
每次將一基板引入一用於曝光之機器時，其亦決定是否需要一不同類型之製程校正。可基於應用於各批次基板之平均模型校正來計算製程校正。需要製程校正之一原因可能係要補償運行相同程式之微影機器間的差。一些微影機器與其他機器稍微地不同地將基板曝光，例如曝光圖案中具有稍微旋轉或平移。
在先前技術中用於各基板之製程校正，係基於將基板上的所有對準標示皆用於對準之假設。當並非此情況時，可能發生一誤差。此係其中另一殘餘偏移校正有助於防止曝光中的其他誤差，其係藉由允許對準標示中之改變。
圖2顯示一具有標準基板對準標示1、2、3、4及5之基板W。預設對準標示係1、2、3及4。此提供一由虛線交叉所顯示之對準，其係標示為"正確格柵"；即預設格柵。一格柵係上述數學模型之二維表示法。若一被引入之基板其中對準標示數字4無法對準，則標示數字5可取代用作一備用標示。若此發生之情況中，與標示數字5相關之資訊被儲存在控制器內用於校正。在所示的範例中，討論中之微影裝置順時針方向旋轉曝光圖案，及亦相對於模型基板方向在X及Y二方向中偏移該圖案。基板對準係藉由標示"切換格柵"之虛線交叉顯示；即其中係使用除了預設標示外之標示的格柵。使用此切換格柵係因為對準標示不再在與預設記號相同的地方中。對於標示1、2及3，未對準係可使用製程校正或(更明確言之)對準校正來校正，但對於標示4，未對準可能太大。
圖3顯示製程校正(及對準校正)之方式係針對以不同批次基板之對準標示中的變化來決定。重疊計量係針對各批次基板決定。此係針對例如n-3至n之一系列批次進行。一批次基板可使一單一光阻層在引入重疊計量工具前曝光，而後再引入該微影裝置內，使得各批次n-3至n係(事實上)具有不同數目之曝光層的批次。來自各批次之一些基板中的重疊誤差程度被測量，且輸入控制系統20內。各批次之各重疊計量檢查之後，係實行該後續批次之對準及曝光。一旦此後續批次(例如批次n)已對準及曝光，其重疊被測量。重疊計量資料連同來自針對各批次之對準及曝光的對準資料，係輸入控制系統20內。如一範例，該控制系統可在將製程校正及殘餘偏移傳回至用於後續批次(例如批次n+1)之後續"對準及曝光"製程前，如以下計算製程校正及對準殘餘偏移：PCn =0.5 Ovln-1 +0.3 Ovln-2 +0.2 Ovln-3 (1)
ROCn =0.5 mROn-1 +0.3 mROn-2 +0.2 mROn-3 (2)；其中PCn =批次n之製程校正；OvLn =批次n之測量重疊； ROCn =批次n之校正組的殘餘；mROn =批次n之測量殘餘偏移。
來自該對準及曝光且進入控制系統20之對準資料可含有在作用格柵(即，目前用作所有偏移之一參考的預設或"正確"格柵)中特定之一組對準標示、次序及/或色彩的對準資料。此等額外標示之測量係僅正在重疊計量工具上測量之基板上需要，因為僅有此等基板將用於決定製程校正。
供應至用於基板層之曝光的投射系統之殘餘偏移資訊含有一資訊，舉例來說，該資訊顯示該標示是否已被拒絕或增加或已改變位置。此允許更有效的對準及曝光，以致改進基板上之層的對準。此係藉由減少測量重疊誤差而證明。
藉由分別將先前批次之個別加權測量重疊及先前批次的加權測量殘餘偏移相加，來計算製程校正及殘餘偏移校正，如圖3顯示。該等基板上之層的重疊計量已在以上討論。當然，對準殘餘可包括與任何不同類型之對準標示有關的資訊。
雖然本文特定參考製造積體電路(IC)時使用的微影裝置，但應瞭解此處所提之微影裝置可有其他應用，例如製造整合型光學系統、導引及偵測圖案，用於磁域記憶體、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。應了解，就此類替代應用而言，此處使用的名詞"晶圓"或"晶粒"可被分別視為較通用名詞"基板"或"目標部分"的同義詞。本文所參考的基板可在曝光前或後，在例如一循軌(係通常會將一光阻層施加於基板上並顯影經曝光光阻的工具)、計量工具及/或檢查工具中處理。在可應用的情況下，本文之揭示內容可應用於此類及其他基板處理工具。此外，例如為了產生一多層積體電路，可對該基板進行多次處理，因而本文所使用名詞基板亦可指已包含多個已處理層的基板。
雖然以上可能已特別參考使用在光學微影之背景中的本發明之具體實施例，但應明白本發明可用在其他應用中，例如壓印微影，且若情況允許，並不限定於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中的佈局界定產生於一基板上的圖案。可將該圖案化器件之佈局壓於供應至該基板之一光阻層中，在其上該光阻係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在光阻固化後，該圖案化器件從該光阻移離，在其中留下一圖案。
本文所用名詞"輻射"及"光束"涵蓋所有類型的電磁輻射，包含紫外線(UV)輻射(例如波長為或約365、355、248、193、157或126奈米)與遠紫外線(EUV)輻射(例如波長為5至20奈米範圍內)，以及粒子束，例如離子束或電子束。
名詞"透鏡"在允許情況下可指各種類型的光學組件之任一者或組合，該等組件包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
儘管以上已說明本發明之特定具體實施例，應明白本發明可用以上未說明其他方式實施。例如，本發明可採取以下形式：一電腦程式，其含有描述一如上所揭示方法的機器可讀取指令之一或更多序列；或資料儲存媒體(如半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中的此一電腦程式。
上文所述旨在說明而非限制。因此，熟習本技術的人士將明白，可對本發明進行修改，而不脫離以下所提出之申請專利範圍的範疇。
1．．．基板對準標示
2．．．基板對準標示
3．．．基板對準標示
4．．．基板對準標示
5．．．基板對準標示
20．．．控制系統
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束輸送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IL．．．照明器
IF．．．位置感測器
IN．．．積分器/入口
M1．．．遮罩對準標示
M2．．．遮罩對準標示
MA．．．遮罩/圖案化器件
MT．．．支撐結構/遮罩台
P1．．．基板對準標示
P2．．．基板對準標示
PL．．．投射系統
PM．．．第一定位器
PS．．．投射系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．晶圓/基板
WT．．．基板台/晶圓台
圖1描述依據本發明之一具體實施例的微影裝置；圖2描述依據本發明另一具體實施例之微影裝置；以及圖3描述使用圖2中所示之本發明具體實施例將一圖案轉移至一基板的模式。
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束輸送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IL．．．照明器
IF．．．位置感測器
IN．．．積分器/入口
M1．．．遮罩對準標示
M2．．．遮罩對準標示
MA．．．遮罩/圖案化器件
MT．．．支撐結構/遮罩台
P1．．．基板對準標示
P2．．．基板對準標示
PL．．．投射系統
PM．．．第一定位器
PS．．．投射系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．晶圓/基板
WT．．．基板台/晶圓台

Claims (13)

  1. 一種將一基板對準及曝光之方法，該基板包含組態成用以對準該基板之後續曝光層的對準標示，該方法包含：基於一批次中每一基板之實際對準標示資料及對準標示資料之一預設模型間之差來計算一剩餘偏差，該批次包含複數個基板；為該批次之基板決定該等剩餘偏差之一平均值；基於該等剩餘偏差之平均值來計算一對準校正，以校正經計算之該基板的剩餘偏差；將該對準校正施加至該基板；及將該基板曝光。
  2. 如請求項1之方法，其中該預設模型對準標示資料包含一預期基板形狀及位置之一數學模型。
  3. 如請求項1之方法，其中該實際對準標示資料包含根據該等對準標示相對於該預設模型之預設位置及相對於其他對準標示之相對位置，在實際基板形狀及位置上之資料。
  4. 一種將一基板對準及曝光之方法，其包含：基於預設基板位置及形狀值計算一對準模型；相對於該對準模型，測量在至少一第一批次之基板中每一基板之對準標示的重疊變化；決定該至少第一批次之基板上的該等重疊變化的一平均值；針對該至少一第一批次基板中每一基板，基於實際對 準標示資料與該對準模型之預設資料之差，來計算剩餘偏差決定該至少第一批次之基板的該等剩餘偏差之一平均值；基於該至少第一批次之基板之該等重疊變化及剩餘偏差之該等平均值，來計算用於該基板位置及形狀之一校正；將該校正施加至該基板之該對準模型；及將該基板曝光。
  5. 如請求項4之方法，其中係使用複數個先前批次之基板，且將一較大加權提供給最近被曝光之批次之基板，該較大加權係大於提供給先前批次之加權。
  6. 如請求項4之方法，其中若該已測量重疊變化係大於一預定限定值，則被測量之該對準標示被拒絕且使用一替代對準標示。
  7. 如請求項4之方法，其另包含：相對於該對準模型，測量在一第二批次之基板上每一基板之對準標示的重疊變化；決定該第二批次之基板上的該等重疊變化的一平均值；針對該第二批次之基板中每一基板，基於實際對準標示資料與該對準模型之該預設資料之差，來計算剩餘偏差；決定該第二批次之基板的該等剩餘偏差之一平均值；基於該第二批次之基板之該等重疊變化之該等平均值 及剩餘偏差與該至少第一批次之該等平均值之差，來計算用於該基板位置及形狀之校正；將該等校正施加至該基板之該對準模型；及將該基板曝光。
  8. 一種將一基板對準及曝光之方法，其包含：根據一預設基板提供一模型，該預設基板包含一至少一具有一預設位置之對準標示；針對複數個先前批次之基板的至少一對準標示，測量該至少一對準標示離該預設位置的該偏移，以提供一已測量偏移；藉由將用於該複數個先前批次之基板的該等對準標示之加權測量偏移相加，來計算用於該基板之一對準標示偏移；比較該等計算之對準標示偏移與該模型之一預定臨界值；將該已計算對準標示偏移施加至該基板；及將該基板曝光。
  9. 如請求項8之方法，其中測量離該預設位置之該偏移包含測量自該對準標示之一表面繞射的輻射之至少二頻率的性質，且其中該至少二頻率為紫外線(UV)輻射或遠紫外線(EUV)輻射，該紫外線輻射之波長約為365、355、248、193、157或126奈米，該遠紫外線輻射之波長為5至20奈米範圍內。
  10. 如請求項8之方法，其中該對準標示係一光柵，且計算 該對準標示偏移包含測量自該光柵之一表面繞射的一對準輻射光束之至少二繞射階的該等性質。
  11. 如請求項8之方法，其中係使用複數個先前批次之基板，且將一較大加權提供給最近曝光之批次之基板，該較大加權係大於提供給先前批次之加權。
  12. 如請求項8之方法，其中若該已計算對準偏移係大於一預定限定值，被測量之該至少一對準標示被拒絕且使用一替代對準標示。
  13. 如請求項8之方法，其中該模型包含一對準模型，其具有一預設X位置、Y位置、X旋轉、Y旋轉、X放大及Y放大。
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