TWI426354B - 微影裝置及元件製造方法 - Google Patents

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Description

微影裝置及元件製造方法
本發明係關於一種微影裝置、一種用於此微影裝置之圖案化元件，及一種用於製造一元件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化元件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化元件轉印至基板。
在本發明之微影裝置中，使用透射影像偵測元件，以便使光罩對準於晶圓載物台。該元件由在光罩上之結構(例如，光柵)及在透射影像偵測器板上之互補結構組成。使用透射影像偵測器來掃描結構之影像以判定影像之位置及焦點。透射影像偵測器具有少量(通常為4至8個)此等結構。在每一結構下方，光電二極體經定位以偵測光。通常，使用透射影像偵測器來量測第一階定位項，比如光罩相對於晶圓載物台之平移、放大率及旋轉。較高階失真仍未被解析。此等較高階失真可由於光罩加熱及/或透鏡加熱而發生。任何失真(包括此等較高階失真)均可導致疊對誤差。對於高產出率機器，此等較高階失真將變為疊對預算中之最大記入(post)中的一者。
在使用微影裝置之元件製造方法中，疊對為良率(亦即，正確製造之元件的百分比)中之重要因素。疊對為層相對於先前已形成之層被印刷的準確度。疊對誤差預算將通常為10奈米或更少，且為了達成此準確度，必須使基板對準於待以極大準確度轉印之光罩圖案。
需要減少由光罩或透鏡加熱引起之疊對誤差的影響。
根據本發明之一態樣，提供一種經配置以將一圖案自一圖案化元件轉印至一基板上之微影裝置，其中該裝置可操作以量測該圖案化元件之較高階失真及/或影像平面偏差，該裝置包含：一透射偵測元件；及一處理器，其經配置以使用自透射影像偵測器所接收之信號來模型化該圖案化元件之較高階失真；其中該圖案化元件具有一主要成像場及一周邊，且該裝置可操作以使用由包含於該周邊之至少三側中及/或包含於該影像場中之對準結構引起的信號來模型化該等較高階失真。
根據本發明之一態樣，提供一種判定一微影裝置之一圖案化元件之較高階失真的方法，該方法包含：產生一輻射光束；使用一圖案化元件在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束，該圖案化元件包含一主要成像場、一周邊及複數個對準結構；偵測透射通過該圖案化元件之該等對準結構且透射至一透射偵測元件中之輻射的透射；自該經偵測輻射產生量測信號；及使用由透射通過包含於該周邊之至少三側中及/或包含於該影像場中之對準結構之輻射引起的量測信號來判定該圖案化元件之較高階失真及/或影像平面偏差。
根據本發明之一態樣，提供一種用於一微影裝置中之圖案化元件，該圖案化元件具有一主要成像場及一周邊，其中該圖案化元件具備用於該圖案化元件之失真及/或場平面偏差之改良量測的額外對準結構。
本發明之其他特徵係如附加申請專利範圍中所描述。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包含：
-　照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射、DUV輻射或EUV輻射)；
-　支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位該圖案化元件之第一定位器PM；
-　基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗佈抗蝕劑之晶圓)W，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及
-　投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化元件。支撐結構以取決於圖案化元件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化元件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化元件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化元件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化元件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化元件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化元件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何元件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之元件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化元件可為透射或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可藉由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化元件(例如，光罩MA)上，且係藉由該圖案化元件而圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑而準確地定位光罩MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.　在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。
2.　在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.　在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
圖2示意性地描繪透射影像偵測元件，其亦被稱作透射影像偵測器或透射影像感測器。透射影像偵測器本身已為吾人自先前技術所知。投影光束PB入射於第一物件G0上，例如，光罩MA中之光柵。第一光柵G0包含複數個開口，該等開口經配置用於自投影光束PB產生影像。第一光柵G0中之開口各自發射源自投影光束PB之輻射光束。藉由G0中之複數個開口發射的輻射光束傳遞通過透鏡，例如，投影透鏡系統PS。此投影透鏡系統之光學屬性係使得在投影透鏡系統PS下方之給定平面處形成G0之影像G0'。透射影像偵測器TD定位於投影透鏡系統PS下方。透射影像偵測器TD包含狹槽圖案G1及光感測器PH元件。狹槽圖案G1為遍及光感測器PH元件之開口，該開口具有縫隙或正方形之形狀。有利地，將圖案施加於遍及光感測器PH元件之開口上會增加邊緣之數目，此情形可增加信號位準且因此增加光感測器PH之信號/雜訊比。
透射影像偵測器TD配置於基板台WT(見圖1)上。透射影像偵測器TD允許在三個正交方向X、Y及Z上晶圓相對於投影透鏡系統PS及光罩MA之位置的準確定位。藉由沿著此三個方向進行掃描，可將作為透射影像偵測器之XYZ位置之函數的影像G0'之強度映射於(例如)影像映射(3D映射)中，該影像映射包含取樣部位之座標及在每一部位處所取樣之強度。自3D映射，連接至透射影像偵測器TD之電腦或處理器可藉由使用(例如)使用最小平方擬合方法的頂部位置之拋物線擬合來導出影像之位置。
在使用中，應考慮的以上裝置之一問題為在光罩MA(或比例光罩)加熱之情況下的問題。在光罩MA之影像場之位置處的光罩MA將歸因於輻射之吸收而加熱。在此影像場外部之區域將保持相對較冷。此情形將導致光罩MA之失真及彎曲。不能僅藉由該場中之兩個量測位置來量測此失真及彎曲。
圖3展示根據目前先進技術之透射影像偵測器29的實例，其在微影層(litho layer)34中具有4個光柵30、31、32、33。微影層34被製造於石英窗35上。在光柵30、31、32、33中之每一者下方，提供關聯光電二極體36、37、38、39。僅使用影像場之隅角中的4個量測位置(此為標準的)意謂透射影像偵測器29僅可量測零階項及第一階項，比如光罩相對於晶圓載物台之平移、放大率、旋轉、焦點及焦點傾斜。較高階失真(被定義為高於1之一些或所有多項式之階數(二次方、立方，等等)之一些或所有失真)通常仍未被偵測，因為此等較高階失真通常需要在影像場中或其周圍之較多獨立量測位置。此等較高階失真可由於光罩加熱及/或透鏡加熱而發生，且可增加疊對誤差。
代替僅量測影像場之隅角中的少量量測位置，可使用透射影像偵測器來局域地量測實際光罩變形以減少疊對誤差。取決於經量測疊對誤差之所需準確度，可調整用以藉由透射影像偵測器來局域地量測實際光罩變形之量測位置的數目。可將經局域量測值放入矩陣中，且藉由使用前饋模型，可預測光罩之變形行為(包括較高階失真)，使得可獲得較小疊對誤差。此前饋模型為利用額外XY輸入而對已知「基本」光罩對準(RA)模型之擴展。藉由使用較多經量測獨立輸入，與已知「基本」光罩對準(RA)模型相比較，此模型對模型假定較不敏感。
該模型可包含第三階模型，其具有作為X及Y之函數的dX項及dY項，此意謂對於全分解需要20個參數，此又需要20個獨立量測來避免欠定組(underdetermined system)。實務上，可跳過一些參數(或項)或自其他參數加以模型化，從而減少所需輸入量測。然而，仍較佳的是具有沿著頂側/底側(X之函數)及左側/右側(Y之函數)兩者之dX、dY量測。
實務上，第三階模型歸因於機器之校正潛能(以及可用獨立輸入量測之數目，及雜訊傳播考慮)而可為最實務的，但此並非基本的，且在一些情況下(例如，當負載極不對稱時)或在未來，實際上可能值得包括一些第五階項或較高階項。
當利用額外XY輸入來擴展該模型時，待在光罩層級下量測之額外光柵可藉由極小鉻邊界環繞(例如，如在切割道中)或甚至根本無鉻邊界。在此等情況下，可能會發生歸因於場內光柵之有限或缺失鉻邊界的偽效應(spurious effect)，且應抑制此等效應。在此等情況下，可有利的是僅將標準RA光柵用於實際第一光罩對準，同時量測及儲存/校準場內光柵以用於後續差量量測/校正。在此情境中，僅使用標準RA光柵之較低階校正模型將用於第一光罩對準，而對於後續晶圓，可使用以絕對方式之標準RA光柵量測加上相對於第一光罩對準之額外XY光柵量測來應用相對較高階校正模型。
圖4展示當前結合(諸如)圖1所示之裝置中之透射影像偵測器所使用的標準光罩。標準光罩具有影像場400及周邊410。周邊410具備x及y光柵420之四個集合，每一隅角中一個集合，其中另外x及y光柵420係沿著頂部及底部且許多單方向光柵430係沿著諸側。通常，隅角光柵用於基本對準，而其他光柵用於光罩形狀校正中以判定影像平面偏差。
根據本發明之第一實施例，可以此標準形式將圖4之光罩用於圖1及圖2所描繪之裝置，且使用上文所描述之擴展型前饋模型將圖4之光罩用於局域光罩變形之計算。詳言之，光罩之所有四側(僅相對於頂部及底部)上之光柵的使用意謂可計算較高階失真(特別就y而言)。
圖5展示增強型光罩。標準光罩之一缺點為：沿著左側及右側所發現之光柵為「y光柵」，該等光柵經設計成執行沿著y軸之量測。雖然此情形係有用的，但沿著x軸之量測將歸因於失真之本性而更好，其相對於隅角趨向於更多地在諸側之中間失真(桶形失真)。因此，另一實施例使用一光罩(如圖5所示)，其中額外「x光柵」500係沿著每一側以及沿著頂部及底部。此情形允許x上之較高階項的較廣泛模型化。
圖6展示具有提供於影像場自身中之光柵矩陣600的另外增強型光罩。為了不干涉影像，已提議定位此等影像場光柵之最佳地點係在切割道610中，如所展示。此增強型光罩允許產生較密集矩陣以允許較準確的局域校正。當使用此光罩時，不僅可達成較詳細的第三階模型，而且可達成作為x及y兩者之函數的dx及dy之較高階模型化，其中多項式之階數取決於疊對問題及/或校正潛能(包括x-y截項)。
圖7展示具有在影像場切割道610中之光柵矩陣600及在該等切割道外部之影像場410中之另外光柵700的增強型光罩。此情形在影像為已知時係特別可能的，在影像為已知的情況下，可將光柵置放於不干涉影像自身的影像場中之任何地方。
較佳地，應在規則透射影像偵測器對準期間進行掃描以最小化對產出率之影響。在每一情況下，如已經描述之透射影像偵測器包含配置於微影層上之四個光柵(使用具有增加數目之光柵的改良透射影像偵測器來增加產出率係在本發明之範疇內)。光柵經定位成接收藉由置放於微影裝置(見圖1)之光罩台MT上之光罩上之標準RA光柵產生的影像。透射影像偵測器進一步包含輻射敏感感測器，該等輻射敏感感測器經配置以接收經歷該等光柵中之一者的輻射且產生量測信號。舉例而言，微影層可為以經配置成列之複數個光柵加以圖案化的鉻層。將量測信號輸入至處理元件，該處理元件經配置以判定投影系統(亦即，透鏡)及/或圖案化元件之較高階失真。可使用此等失真來調整微影裝置之組件，但亦可使用此等失真來改良基板台相對於圖案化元件之對準。
雖然以上技術已描述對準光柵之使用，但熟習此項技術者應瞭解，可在不脫離本發明之範疇的情況下使用任何對準標記、圖案或結構。此外，對準標記及切割道之數目及配置以及光罩之一般配置可顯著地不同於所展示之純說明性實例。又，藉由圍繞光柵添加較多鉻以減少雜散光，可改良準確度。
應注意，可使用任何類型之影像感測器或影像偵測器，且其未必限於所描述之透射影像偵測器。舉例而言，可使用波前偵測器或干涉計。又，可對透射影像偵測器進行改良，諸如改良擬合演算法以更好地處理變化之信號環境。
應注意，以上描述僅考慮疊對項。然而，因為透射影像偵測器在每次掃描時亦得到焦點結果，所以所揭示概念亦可應用為光罩形狀校正之擴展。此擴展可藉由添加額外焦點量測點而在空間域中，或藉由追蹤隨著時間推移的光罩形狀校正之改變(例如，歸因於光罩加熱)而在時間域中。
此外，亦可使用以上技術來量測由晶圓台之不足平坦度導致的影像平面偏差。
應注意，不必針對每一晶圓執行以上技術，因為此情形將導致可能過大而不實務之產出率損失。取而代之，可針對預定數目之晶圓將此等量測僅執行一次，該數目取決於計算/模型化軟體之誤差範圍，其在重新校準之間增加。或者，可離線進行此等量測。在每一情況下，可儲存結果以供未來使用。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化元件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化元件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化元件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5奈米至20奈米之範圍內的波長)，以及粒子束(諸如離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明之特徵(諸如用於處理之特徵)可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可基於本發明在不脫離申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
總之，本發明包括以下特徵中之一或多者：
1.　一種經配置以將一圖案自一圖案化元件轉印至一基板上之微影裝置，其中該裝置可操作以量測該圖案化元件之較高階失真及/或影像平面偏差，該裝置包含：一透射偵測元件；及一處理器，其經組態及配置以使用自該透射偵測元件所接收之信號來模型化該圖案化元件之較高階失真；其中該圖案化元件具有一主要成像場及一周邊，且該裝置可操作以使用由包含於該周邊之至少三側中及/或包含於該影像場中之對準結構引起的信號來模型化該等較高階失真。
2.　如特徵1之微影裝置，其中該透射偵測元件包含一透射影像偵測器。
3.　如特徵2之微影裝置，其中該透射影像感測器包含複數個對準結構及複數個輻射敏感感測器，使得該輻射亦透射通過該透射偵測元件之該等對準結構且係藉由該等輻射敏感感測器接收，以便產生量測信號。
4.　如特徵1之微影裝置，其中該透射偵測元件包含一干涉計。
5.　如前述特徵中任一項之微影裝置，其進一步包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一圖案化元件，其能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板，該透射偵測元件配置於該基板台上；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上。
6.　如前述特徵中任一項之微影裝置，其中該圖案化元件具備用於該圖案化元件之失真之改良量測的額外對準結構。
7.　如特徵6之微影裝置，其中該等額外對準結構中之至少一些提供於該圖案化元件之該周邊中，該等結構係用於在x方向或y方向上之對準的擴展型模型化。
8.　如特徵6或7之微影裝置，其中該等額外對準結構中之至少一些包含於該圖案化元件之該影像場內。
9.　如特徵8之微影裝置，其中該主要成像場係藉由切割道劃分，且包含於該影像場內之該等額外對準結構中之至少一些包含於該圖案化元件之該等切割道內。
10.　如前述特徵中任一項之微影裝置，其中該等額外對準結構包括用於焦點量測之結構。
11.　如特徵10之微影裝置，其中該裝置可操作以執行焦點項或影像平面偏差之擴展型模型化。
12.　如特徵10或11之微影裝置，其中該裝置可操作以追蹤隨著時間推移的該圖案化元件之形狀校正。
13.　如前述特徵中任一項之微影裝置，其中該透射偵測元件為具有十個以下對準結構之一習知元件。
14.　如前述技術方案中任一項之微影裝置，其可操作以使得較高階失真及/或影像平面偏差針對預定數目之晶圓僅被判定一次，且經儲存以供未來參考。
15.　如前述特徵中任一項之微影裝置，其可操作以使得較高階失真及/或影像平面偏差在該裝置離線時被判定，且經儲存以供未來參考。
16.　如前述特徵中任一項之微影裝置，其可操作以判定高於第三階失真之失真。
17.　一種判定一微影裝置之一圖案化元件之較高階失真的方法，該方法包含：使用一圖案化元件在一輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束，該圖案化元件包含一主要成像場、一周邊及複數個對準結構；偵測透射通過該圖案化元件之該等對準結構且透射至一透射偵測元件中之輻射的透射；自該經偵測輻射產生量測信號；及使用由透射通過包含於該周邊之至少三側中及/或包含於該影像場中之對準結構之輻射引起的量測信號來判定該圖案化元件之較高階失真及/或影像平面偏差。
18.　如特徵17之方法，其中該透射偵測元件包含十個以下對準結構。
19.　如特徵17或18之方法，其中使用一圖案化元件，該圖案化元件沿著其側具有額外對準結構以用於在x方向或y方向上之對準的擴展型模型化，該等額外對準結構對於基本較低階對準所需要之標準結構係額外的。
20.　如特徵17、18或19之方法，其中使用一圖案化元件，該圖案化元件具有包含於其影像場內之額外對準結構。
21.　如特徵20之方法，其中包含於該影像場內之該等額外對準結構中之至少一些包含於該圖案化元件之切割道內。
22.　如特徵17至21中任一項之方法，其中該等額外對準結構包括用於焦點量測之對準結構，該方法包括焦點項或影像平面偏差之擴展型模型化，以及追蹤隨著時間推移的該圖案化元件之形狀校正。
23.　如特徵17至22中任一項之方法，其中該判定步驟針對預定數目之晶圓僅進行一次，除了出於正常對準目的以外之該偵測步驟亦針對預定數目之晶圓僅進行一次。
24.　如特徵17至23中任一項之方法，其中該判定步驟係在離線時進行，除了出於正常對準目的以外之該偵測步驟亦係在離線時進行。
25.　如特徵17至24中任一項之方法，其中該透射偵測元件包含複數個對準結構及複數個輻射敏感感測器，使得該輻射亦透射通過該透射偵測元件之該等對準結構且係藉由該等輻射敏感感測器接收，以便產生量測信號。
26.　如特徵17至24中任一項之方法，其中判定高於第三階失真之失真。
27.　一種用於一微影裝置中之圖案化元件，該圖案化元件具有一主要成像場及一周邊，其中該圖案化元件具備用於該圖案化元件之失真及/或影像平面偏差之改良量測的額外對準結構。
28.　如特徵27之圖案化元件，其中該等額外對準結構中之至少一些亦提供於該周邊中，該等結構係用於對準之擴展型模型化，惟基本較低階對準所需要之標準結構除外。
29.　如特徵27或28之圖案化元件，其中該等額外對準結構中之至少一些包含於該圖案化元件之影像場內。
30.　如特徵29之圖案化元件，其中該影像場係藉由切割道劃分，且包含於該影像場內之該等額外對準結構中之至少一些包含於該圖案化元件之該等切割道內。
31.　如特徵27至30中任一項之圖案化元件，其中該等額外對準結構包括用於焦點量測之對準結構。
32.　如特徵27至31中任一項之圖案化元件，其中該等額外對準結構包括圍繞其邊界之額外鉻。
33.　一種對準裝置，其包含如特徵27至32中任一項之圖案化元件中的任一者。
29．．．透射影像偵測器
30．．．光柵
31．．．光柵
32．．．光柵
33．．．光柵
34．．．微影層
35．．．石英窗
36．．．光電二極體
37．．．光電二極體
38．．．光電二極體
39．．．光電二極體
400．．．影像場
410．．．周邊
420．．．光柵
430．．．光柵
500．．．光柵
600．．．光柵
610．．．切割道
700．．．光柵
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
G0．．．第一物件/第一光柵
G0'．．．影像
G1．．．狹槽圖案
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化元件/光罩
MT．．．支撐結構/光罩台
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PB．．．投影光束
PH．．．光感測器
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統/投影透鏡系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
TD．．．透射影像偵測器
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2示意性地描繪根據目前先進技術之透射影像偵測器；
圖3展示根據目前先進技術之透射影像偵測器的實例；
圖4展示可用於圖2及圖3之透射影像偵測器之光罩的實例；
圖5展示可用於圖2及圖3之透射影像偵測器之第一增強型光罩的實例；
圖6展示可用於圖2及圖3之透射影像偵測器之第二增強型光罩的實例；及
圖7展示可用於圖2及圖3之透射影像偵測器之第三增強型光罩的實例。
700．．．光柵

Claims (16)

  1. 一種經配置以將一圖案自一圖案化元件轉印至一基板上之微影裝置，其中該裝置可操作以量測該圖案化元件之第三階失真(third order distortion)或影像平面偏差兩者中之至少一失真，該裝置包含：一透射偵測元件；及一處理器，其經組態及配置以使用自該透射偵測元件所接收之信號來模型化該圖案化元件之較高階失真；其中該圖案化元件具有一主要成像場及一周邊，且該裝置可操作以使用由包含於該周邊之至少三側中或包含於該影像場中之對準結構引起的信號來模型化該等較高階失真；其中該周邊中之該對準結構包含用於沿著一x軸進行測量之多個光柵(gratings)及用於沿著一y軸進行測量之多個光柵，而該影像場中之該對準結構包含設置在該影像場之切割道(scribe lanes)中之光柵矩陣，該處理器經進一步組態及配置以利用該周邊中之該對準結構來執行一第一光罩對準且利用該影像場之該切割道中之該對準結構結合該周邊中之該對準結構來執行後續的光罩對準。
  2. 如請求項1之微影裝置，其中該透射偵測元件包含一透射影像偵測器。
  3. 如請求項2之微影裝置，其中該透射影像感測器包含複數個對準結構及複數個輻射敏感感測器，使得該輻射亦 透射通過該透射偵測元件之該等對準結構且係藉由該等輻射敏感感測器接收，以便產生量測信號。
  4. 如請求項1之微影裝置，其中該透射偵測元件包含一干涉計。
  5. 如請求項1之微影裝置，其進一步包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一圖案化元件，該圖案化元件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板，該透射偵測元件配置於該基板台上；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上。
  6. 如請求項1之微影裝置，其中該圖案化元件具備用於該圖案化元件之失真之一改良量測的額外對準結構。
  7. 如請求項6之微影裝置，其中該等額外對準結構中之至少一些提供於該圖案化元件之該周邊中，該等結構係用於在x方向或y方向上之對準的擴展型模型化。
  8. 如請求項1之微影裝置，其中該等額外對準結構包括用於焦點量測之結構。
  9. 如請求項1之微影裝置，其可操作以使得經量測之該至少一失真針對一預定數目之晶圓僅被判定一次，且經儲存以供未來參考。
  10. 如請求項1之微影裝置，其可操作以使得經量測之該至 少一失真在該裝置離線時被判定，且經儲存以供未來參考。
  11. 如請求項1之微影裝置，其中該處理器經進一步組態及配置以利用該第一光罩對準作為一第一階校正及利用由該影像場中之該對準結構推導得到之資訊作為一與該第一階校正有關之第三階測量來執行該後續的光罩對準。
  12. 一種判定一微影裝置之一圖案化元件之較高階失真的方法，該方法包含：使用一圖案化元件在一輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束，該圖案化元件包含一主要成像場、一周邊及複數個對準結構；偵測透射通過該圖案化元件之該等對準結構且透射至一透射偵測元件中之輻射的透射；自該經偵測輻射產生量測信號；及使用由透射通過包含於該周邊之至少三側或包含於該影像場中之對準結構之輻射引起的量測信號來判定該圖案化元件之第三階失真或影像平面偏差兩者中之至少一失真，其中該周邊中之該對準結構包含用於沿著一x軸進行測量之多個光柵及用於沿著一y軸進行測量之多個光柵，而該影像場中之該對準結構包含設置在該影像場之切割道中之光柵矩陣；且其中該判定進一步包含：利用該周邊中之該對準結構來執行一第一光罩對準且利用該影像場之該切割道中之該對準結構結合該周邊中之該對準結構來執行至少一 後續的光罩對準。
  13. 如請求項12之方法，其中使用一圖案化元件，該圖案化元件沿著其側具有額外對準結構以用於在x方向或y方向上之對準的擴展型模型化，該等額外對準結構對於基本較低階對準所需要之標準結構係額外的。
  14. 如請求項12之方法，其中使用一圖案化元件，該圖案化元件具有包含於其影像場內之額外對準結構。
  15. 如請求項12之方法，其中該等額外對準結構包括用於焦點量測之對準結構，該方法包括焦點項或影像平面偏差之擴展型模型化，以及追蹤隨著時間推移的該圖案化元件之形狀校正。
  16. 如請求項12之方法，其中該後續的光罩對準係藉由利用該第一光罩對準作為一第一階校正及藉由應用基於由該影像場中之該對準結構推導得到之測量的一第三階校正來執行。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2007615A (en) 2010-11-30 2012-05-31 Asml Netherlands Bv Method of operating a patterning device and lithographic apparatus.
CN102981374B (zh) 2012-12-11 2014-08-20 上海现代先进超精密制造中心有限公司 探测板组的胶合方法和夹具
NL2011687A (en) * 2012-12-14 2014-06-17 Asml Netherlands Bv Method of operating a lithographic apparatus, device manufacturing method and associated data processing apparatus and computer program product.
CN105900016B (zh) 2013-12-05 2018-02-13 Asml荷兰有限公司 用于测量衬底上的结构的方法和设备、用于误差校正的模型、用于实施这样的方法和设备的计算机程序产品
US10041997B2 (en) 2014-03-13 2018-08-07 Fei Efa, Inc. System and method for fault isolation by emission spectra analysis
US9903824B2 (en) 2014-04-10 2018-02-27 Fei Efa, Inc. Spectral mapping of photo emission
WO2016087388A1 (en) 2014-12-02 2016-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic method and apparatus
US10078272B2 (en) 2014-12-02 2018-09-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic method and apparatus
JP2018529996A (ja) 2015-09-24 2018-10-11 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィプロセスにおけるレチクル加熱及び／又は冷却の影響を低減する方法
EP3379356A1 (en) * 2017-03-23 2018-09-26 ASML Netherlands B.V. Method of modelling lithographic systems for performing predictive maintenance
EP3454129A1 (en) * 2017-09-07 2019-03-13 ASML Netherlands B.V. Beat patterns for alignment on small metrology targets
WO2024132446A1 (en) * 2022-12-23 2024-06-27 Asml Netherlands B.V. Methods and systems for determining reticle deformations

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006009188A1 (ja) * 2004-07-23 2006-01-26 Nikon Corporation 像面計測方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置
JP2008166482A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Nikon Corp ディストーションマッチング方法、露光システム、及び計測システム
JP2009147332A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Asml Netherlands Bv リソグラフィ投影装置で使用する透過像検出デバイス及びこのようなリソグラフィ装置のパターニングデバイス及び／又は投影システムの３次歪みを割り出す方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3735154C2 (de) * 1986-10-17 1994-10-20 Canon Kk Verfahren zum Erfassen der Lage einer auf einem Objekt vorgesehenen Marke
US4849313A (en) * 1988-04-28 1989-07-18 Vlsi Technology, Inc. Method for making a reticle mask
JP2666859B2 (ja) * 1988-11-25 1997-10-22 日本電気株式会社 目合せ用バーニヤパターンを備えた半導体装置
JP3064366B2 (ja) * 1990-09-19 2000-07-12 株式会社ニコン 投影露光装置、および該装置を用いる回路パターン製造方法
JPH07101695B2 (ja) 1990-09-19 1995-11-01 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JPH04229864A (ja) * 1990-12-27 1992-08-19 Nikon Corp フォトマスク検査装置
US5402224A (en) * 1992-09-25 1995-03-28 Nikon Corporation Distortion inspecting method for projection optical system
US5581324A (en) * 1993-06-10 1996-12-03 Nikon Corporation Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors
JPH07226357A (ja) * 1993-12-16 1995-08-22 Nikon Corp 位置検出装置
JP3506155B2 (ja) * 1995-02-21 2004-03-15 株式会社ニコン 投影露光装置
KR970003401A (ko) * 1995-06-20 1997-01-28 김주용 디스톨션 체크용 레티클
JP2988393B2 (ja) * 1996-08-29 1999-12-13 日本電気株式会社 露光方法
JPH10144249A (ja) * 1996-11-06 1998-05-29 Hitachi Ltd イオンビーム投射方法およびイオンビーム投射装置
TW500987B (en) * 2000-06-14 2002-09-01 Asm Lithography Bv Method of operating an optical imaging system, lithographic projection apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
KR100336525B1 (ko) 2000-08-07 2002-05-11 윤종용 반도체 장치의 제조를 위한 노광 방법
JP3605043B2 (ja) * 2001-04-18 2004-12-22 キヤノン株式会社 位置計測装置、露光装置、デバイス製造方法および位置計測方法
WO2003021352A1 (fr) * 2001-08-31 2003-03-13 Canon Kabushiki Kaisha Reticule et procede de mesure de caracteristiques optiques
AU2003211559A1 (en) * 2002-03-01 2003-09-16 Nikon Corporation Projection optical system adjustment method, prediction method, evaluation method, adjustment method, exposure method, exposure device, program, and device manufacturing method
JP2005197567A (ja) * 2004-01-09 2005-07-21 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 荷電粒子線転写マスクの検査方法、検査装置及び荷電粒子線転写マスク
US7221430B2 (en) * 2004-05-11 2007-05-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006017895A (ja) 2004-06-30 2006-01-19 Integrated Solutions:Kk 露光装置
US7333175B2 (en) * 2004-09-13 2008-02-19 Asml Netherlands, B.V. Method and system for aligning a first and second marker
US7308368B2 (en) * 2004-09-15 2007-12-11 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for vibration detection, method and apparatus for vibration analysis, lithographic apparatus, device manufacturing method, and computer program
KR100689816B1 (ko) * 2004-11-03 2007-03-08 삼성전자주식회사 노광장치 및 레티클 정렬상태 측정방법
US7224437B2 (en) * 2005-05-31 2007-05-29 Invarium, Inc Method for measuring and verifying stepper illumination
US8029947B2 (en) * 2005-09-01 2011-10-04 Micron Technology, Inc. Systems and methods for implementing and manufacturing reticles for use in photolithography tools
US7359029B2 (en) * 2006-05-25 2008-04-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method of reducing thermal distortion
JP4984038B2 (ja) 2006-07-27 2012-07-25 株式会社ニコン 管理方法
JP5132277B2 (ja) 2006-12-04 2013-01-30 キヤノン株式会社 計測装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2008205393A (ja) * 2007-02-22 2008-09-04 Canon Inc アライメントマークの位置検出の条件を決定する方法、露光装置及びデバイスの製造方法
US8237913B2 (en) * 2007-05-08 2012-08-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US20090002656A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Asml Netherlands B.V. Device and method for transmission image detection, lithographic apparatus and mask for use in a lithographic apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006009188A1 (ja) * 2004-07-23 2006-01-26 Nikon Corporation 像面計測方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置
JP2008166482A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Nikon Corp ディストーションマッチング方法、露光システム、及び計測システム
JP2009147332A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Asml Netherlands Bv リソグラフィ投影装置で使用する透過像検出デバイス及びこのようなリソグラフィ装置のパターニングデバイス及び／又は投影システムの３次歪みを割り出す方法

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