JPH04229864A - フォトマスク検査装置 - Google Patents
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Landscapes
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体等の回路パター
ンを転写する際に原版として使用されるフォトマスクの
検査装置に関し、詳しくは透過光の位相を変化させる位
相部材が特定部分に付加された位相シフトフォトマスク
における位相変化量を計測する技術に関するものである
。 【０００２】 【従来の技術】半導体回路をウエハ上に投影露光して転
写する際に原版として用いられるフォトマスクは、一般
にはガラス基板上にＣｒ（クロム）等の金属からなる遮
光パターンが形成された構造をなしている。 【０００３】しかし、このような構造のフォトマスクで
は、回路パターンが微細化すると、光の回折・干渉現象
のために投影像の十分なコントラストを得ることができ
ないという問題があり、近年、フォトマスク裸面部の特
定の箇所に位相部材を付加して透過光の位相を部分的に
変化させることにより像のコントラストを高める位相変
化フォトマスクが種々提案されている。例えば特公昭６
２−５０８１１号公報には、空間周波数変調型のフォト
マスクに関する技術が開示されている。 【０００４】かかる位相変化フォトマスクでは、位相を
正確に制御することが重要となるため、遮光パターンの
欠損の有無等の他に位相部材による位相変化量を検査す
ることが必要となるが、従来は、薄膜表面と基板・薄膜
界面との多重反射を利用して薄膜の膜厚や屈折率を測定
するエリプソメーター等を用いて位相変化量を求めてい
た。 【０００５】つまり、位相部材（主にＳｉＯ２ 膜等か
らなる）による位相変化量φの測定は、位相部材の厚さ
ｔと、フォトマスクが実際のリソグラフィ工程で用いら
れる際の露光波長λにおける位相部材の屈折率ｎをそれ
ぞれ求め、数式（１） として計算していた。 【０００６】φ＝ ２π・（ｎ−１）ｔ／λ …（１
） 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
位相変化フォトマスクの検査に用いられていたエリプソ
メーターは、上述したように基板・薄膜界面における反
射を利用して膜厚や屈折率の測定を行なう為、基板と薄
膜の屈折率差が小さい場合には計測が非常に困難であり
、両者の屈折率が等しい場合には界面での反射光強度が
零となるため測定が不可能となる。 【０００８】一方、半導体回路パターンの微細化に伴っ
てフォトリソグラフィーにおける光源は短波長化し、今
後は遠紫外線が光源の主流になると予想されている。紫
外線に対して高い透過率をもつ材質は少なく、位相部材
とフォトマスクの基板は共に二酸化ケイ素（石英ガラス
）で形成されることが考えられる。この場合、両者の屈
折率が等しくなり、上述したようにエリプソメーターを
利用しての位相変化量の測定は不可能である。 【０００９】更に、通常の材料は光の波長により屈折率
が異なるため（分散）、位相部材の膜厚と屈折率から位
相変化量を求めるには露光波長での屈折率を正確に知る
必要があるが、フォトマスクに位相部材を成膜する条件
によって位相部材の屈折率がかなり変化してしまうこと
があるため、位相部材の膜厚だけでなく、屈折率をその
つど計測する必要がある。このため、従来の方法では位
相変化量の計測に長時間を必要としていた。 【００１０】この発明は、かかる点に鑑みてなされたも
のであり、位相部材と基板の屈折率差によらず位相変化
量の正確な計測が可能であり、かつ露光波長における位
相変化量を簡易かつ高速に求めることのできる位相シフ
トフォトマスク用の検査装置を提供することを目的とす
るものである。 【００１１】 【課題を解決するための手段】請求項１のフォトマスク
検査装置は、所定波長の光ビームに対してほぼ透明な基
板に幾何学的な原画パターンを有し、該原画パターンの
少なくとも一部に前記透明基板を透過する光ビームの位
相を変化させる位相部材を備えたフォトマスクを検査対
象とし、上記の課題を達成するために、前記フォトマス
クの被検査パターンに、所定の波長範囲で波長を変化さ
せながら単色光又は準単色光を照射する照射光学系と、
前記照射光学系からの照射光による前記フォトマスクの
被検査パターンの像を所定の基準平面内に結像する検出
光学系と、前記フォトマスクの被検査パターンを透過し
た前記照射光の、前記基準平面での光量と前記被検査パ
ターンのフーリエ変換面での光量に対応する量をそれぞ
れを検出する光量検出手段とを備えたものである。 【００１２】請求項２のフォトマスク検査装置は、請求
項１の検査装置において、所定の波長範囲で波長を変化
させながら単色光又は準単色光を照射する代わりに、フ
ォトマスクの被検査パターンに、所定の波長範囲を含む
多波長光を照射することとし、フォトマスクの被検査パ
ターンを透過した照射光を分光手段によって単色光又は
準単色光に分離する構成としたものである。 【００１３】請求項３の発明のフォトマスク検査装置は
、請求項１，２の検査装置と同様のフォトマスクを検査
対象とし、上記の課題を達成するために、フォトマスク
の被検査パターンに、単色光又は準単色光を照射する照
射光学系と、該照射光学系からの照射光による前記フォ
トマスクの被検査パターンの像を所定の基準平面内に結
像する検出光学系と、前記フォトマスクの被検査パター
ンを透過した前記照射光の、前記基準平面での光量と前
記被検査パターンのフーリエ変換面での光量に対応する
量を検出する光量検出手段と、前記被検査パターンの中
心を基準として前記照射光学系の光軸に対して前記フォ
トマスクを傾斜させる傾斜手段とを備えたものである。 【００１４】 【作用】図２は本発明における位相変化量の測定の原理
を示す概念図である。図において、合成石英，ガラス等
からなる透明基板４０の下面にはＣｒ等からなる遮光部
４１と透明部（基板裸面部）が交互に設けられており、
遮光部４１を介して隣り合う透明部の一方には位相部材
（厚さｔ，屈折率ｎとする）４２が付加されている。遮
光部４１には反射防止膜を設けることもある。これらの
透明基板４０，遮光部４１，位相部材４２が、後述する
実施例におけるフォトマスク４に相当し、透明基板４０
は、結像レンズ５０ａ，５０ｂの光軸に対してほぼ直交
するように保持されている。 【００１５】フォトマスクの上方から波長λの光を位相
部材４２の付加されていない透明部Ａと位相部材４２の
付加された位相部材付加部Ｂとに照射すると、透明部Ａ
からの光と、位相部材付加部Ｂからの光は、結像レンズ
５０ａを通過した後に、透明基板４０に形成された被検
査パターンのフーリエ変換面Ｐ１ において同一点Ｃを
通る。位相部材付加部Ｂの透過光は、位相部材のない透
明部Ａの透過光に対して、数式（１） に応じて位相差
φが生じる。 【００１６】したがってフォトマスクの透明部Ａと位相
部材付加部Ｂを通った光はＣで干渉し合うため、位相差
φに応じて点Ｃ、すなわちフーリエ変換面Ｐ１ での光
の強度Ｉ１ が変化する。ここで、透明部Ａから光の振
幅をＡＡ ，強度をＩＡ とし、位相部材付加部Ｂから
の光の振幅をＡＢ ，強度をＩＢ とすると、Ｃでの光
の強度Ｉは数式（２） と表わせる。したがって、Ｃで
の光強度の最大値は（ＡＡ＋ＡＢ）２ であり、最小
値は（ＡＡ−ＡＢ）２となる。 【００１７】Ｉ＝ＩＡ＋ＩＢ＋２ＡＡＡＢ ＣＯＳφ
ＣＯＳφ＝｛Ｉ−（ＩＡ＋ＩＢ） ｝／２ＡＡＡＢ
…（２） 【００１８】位相部材４２の膜厚ｔが一定な
らば、数式（１） により位相差（位相変化量）φは光
の波長λと屈折率ｎにより決まることになる。さらに、
位相部材４２の屈折率ｎは光の波長λにより変化する。 すなわち、位相差φはフォトマスクに照射する光の波長
λによって変化する。 【００１９】したがって、位相シフトフォトマスクにお
いて位相部材による位相変化が理想的に行なわれた場合
には、透明部Ａ，位相部材付加部Ｂをそれぞれ透過した
光の位相差はπであり、フォトマスクに照射する光の波
長を変化させていった場合に、フーリエ変換面Ｐ１ で
の光強度Ｉ１ が露光波長λｅ で極小値をとることに
なる。 そして、位相変化量がπからずれた場合には、ずれた量
に応じて強度Ｉ１ が極小値をとる波長が変化すること
になる。 【００２０】一方、被検査パターンの結像レンズ５０ａ
，５０ｂによる結像面Ｐ２ では、透明部ＡはＡ’に位
相部材付加部ＢはＢ’にそれぞれ結像するため、透明部
Ａ，位相部材付加部Ｂの間の遮光部４１の幅が透明部Ａ
と位相部材付加部Ｂとを分離して結像するに足る大きさ
であれば、透明部Ａ，位相部材付加部Ｂをそれぞれを通
過した光は互いに干渉しあわないので、位相部材４２の
位相変化量によって（位相部材の厚さによって）結像面
Ｐ２ での光の強度Ｉ２ の変化はない。したがって、
フーリエ変換面Ｐ１ と結像面Ｐ２ での光量比の変化
は、フーリエ変換面Ｐ１ での強度変化によって生じる
ことになる。 【００２１】図３は、照射光の波長λを変化させたとき
の、結像面Ｐ２ における光量（光強度Ｉ２ ）に対す
るフーリエ変換面での光量（光強度Ｉ１ ）の比の変化
を示した図である。光量比Ｓの最大値ＳＭＡＸ ，最小
値ＳＭＩＮ に対して、露光波長λｅ での光量比をＳ
ｅ とすると、λｅ における位相差φはＳＭＩＮ と
なる波長をλＭＩＮ として、数式（２） を用いて数
式（３） と求めることができる。 【００２２】 φ＝ｃｏｓ−１ ・｛ｓｅ −１／２（ＳＭＡＸ＋ＳＭ
ＩＮ）｝／｛１／２（ＳＭＡＸ−ＳＭＩＮ）｝ …（
３） 【００２３】また、露光波長λｅ とλＭＩＮ
とで屈折率ｎが等しいとみなせるとき（位相部材４２の
位相変化量の誤差が大きくなければλｅ とλＭＩＮ
は差が小さく、わずかな波長の差による屈折率の差は無
視できる）、数式（１） よりλＭＩＮ では位相変化
量φがπであるから、数式（４） となる。よって、数
式（５） となるので、露光波長λｅ での位相変化量
は数式（６） と求めることができる。 【００２４】π＝ ２π・（ｎ−１）ｔ／λＭＩＮ
…（４） 【００２５】２（ｎ−１）ｔ ＝λＭＩＮ
… （５）【００２６】φ＝π・λＭＩＮ ／λ
…（６） 【００２７】したがって、数式（７）
が成り立つ。 λＭＩＮ ＞λのときｓｉｎ φ＜０ λＭＩＮ ＜λのときｓｉｎ φ＞０ …（７） 【
００２８】ここで、本発明において位相変化量の検出誤
差を低減するためには次に説明するような条件を満たす
ことが望ましい。まず、本発明でフーリエ変換面での光
量変化を結像面での光量を基準として求めているのは、
１つには位相部材４２による薄膜の干渉の影響を取り除
くためである。 【００２９】即ち、位相部材４２を透過した光の光量自
体が薄膜干渉によって変化してしまうため（この薄膜の
干渉による光量変化はフーリエ変換面Ｐ１でも結像面Ｐ
２ でも生じる）、透明部Ａと位相付加部分Ｂをそれぞ
れ透過した２光束の干渉に起因するフーリエ変換面Ｐ１
での光量変化を正確に求めるために、結像面Ｐ２ で
の光量に対するフーリエ変換面Ｐ１ での光量の比をと
っているわけである。 【００３０】又、位相部材４２が照射光に対する吸収を
もつ場合（通常透過率は１００％ではない）、位相部材
４２での光の吸収によって位相部材付加部Ｂからの光量
が変化してしまうが、結像面Ｐ２ での光量とフーリエ
変換面Ｐ１ での光量の比をとることでこの吸収の影響
をなくすことができる。 【００３１】さてここで、被検査パターンの透明部Ａと
位相部材付加部Ｂの間隔が結像レンズ５０ａ，５０ｂの
解像限界を超える程小さいと、基準としている結像面Ｐ
２ でも透明部Ａの透過光と位相部材付加部Ｂの透過光
が重なりあって２光束の干渉によって光量変化が生じる
ため、光量比の検出誤差の要因となる。特に、光量比の
最大値ＳＭＡＸ ，最小値ＳＭＩＮ 及び露光波長λｅ
での光量比Ｓｅ を用いて前記数式（３） から位相
変化量φを求める場合は、結像面Ｐ２ での干渉が直接
位相変化量の測定誤差に結びつくので、被検査パターン
はｄ＞＞λ／ＮＡ（但し、ｄは透明部Ａと位相部材付加
部Ｂの間の遮光部４１の幅、ＮＡは結像レンズ５０ａ，
５０ｂの結像面Ｐ２ 側の開口数、λは照射光の波長）
の条件を満たすことが望ましい。 【００３２】また、透明部Ａと位相付加部Ｂの面積が大
きく異なると、それぞれの透過光の光量差が大きくなり
、２光束干渉によるフーリエ変換面Ｐ１ での光量変化
が小さくなってしまう。このため、位相変化量の測定精
度を向上させるためには透明部Ａと位相付加部Ｂの面積
はほぼ等しくすることが望ましい。 【００３３】なお、図２では説明を簡単にするため、遮
光部４１を介して隣り合う１組の透明部Ａと位相付加部
Ｂだけを示しているが、透明部Ａと位相部材付加部Ｂは
照射領域内に複数存在していても良い。透明部Ａと位相
部材付加部Ｂはラインアンドスペースパターンや市松格
子パターンのように交互に配列されていても良いし、透
明部Ａと位相部材付加部Ｂが不規則に混在していても良
い。この場合も、透明部Ａと位相部材付加部Ｂの間隔は
結像レンズの解像限界を考慮して定めれば良く、透明部
Ａと位相部材付加部Ｂのそれぞれの総面積が等しくなる
ようにすることが望ましい。遮光部４１については透明
部Ａと位相部材付加部Ｂが分離して結像されれば、特に
必要なく、被検査パターンは透明部Ａと位相部材付加部
Ｂだけで構成されていても良い。 【００３４】また、透明部Ａと位相部材付加部Ｂの間隔
をａ，結像レンズ５０ａ，５０ｂの焦点距離をｆ，照明
光の波長をλとしたとき、Ａ，Ｂの２つの部分を透過し
た光束によるフーリエ変換面Ｐ１ での干渉縞の間隔は
、透明部Ａと位相部材付加部Ｂの配列のし方によらず
ｆ・λ／ａ と表わせ、光量の計測領域を ｆ・λ／
ａ 程度以下の幅の領域に限ることで、２光束干渉に
よるフーリエ変換面での光量変化を精度良く検知するこ
とができる。 【００３５】さて、次に、フォトマスクの照射光学系の
光軸に対する傾斜角θと位相部材４２による位相変化量
の関係について説明する。フォトマスクの傾斜角がθ（
θ≠０）のときの位相変化量をφ’とすると、φ’は数
式（８） と表わせる。但し、θ’は位相部材４２への
照射光の入射角で、ｓｉｎ θ’＝ｎ・ｓｉｎ θであ
る。よって、φ’はフォトマスクの傾斜角θを用いて数
式（９） と表わせる。 【００３６】従って、照射光の波長を露光波長に固定し
、被検査パターンの中心を基準としてフォトマスクを傾
斜させていった場合、光量比が最小となる傾斜角θＭＩ
Ｎ ではφ’＝πとなるから、数式（１０）と表わせ、
これを変形して数式（１１）となる。 【００３７】θ＝０のときには、数式（１２）となり、
ｎ＞＞ｓｉｎ θＭＩＮ として、数式（１３）となる
。ここで、θＭＩＮが小さいときにはｎ＞１であるから
ｎの微小変化によるφの変化は極めて小さい。従って、
位相部材４２の屈折率ｎはある代表値を用いても実際の
屈折率の変化は位相変化量φの計測にはほとんど影響し
ない。即ち、予め記憶しておいた位相部材４２の屈折率
ｎと、露光波長λｅ での光量比が最小となるフォトマ
スクの傾斜角θＭＩＮ から、数式（１３）によって、
露光光を垂直照明したときの位相変化量φを求めること
ができる。 【００３８】 【数１】 【００３９】 【数２】 【００４０】 【数３】 【００４１】 【数４】 【００４２】 【数５】 【００４３】 【数６】 【００４４】 【実施例】図１は本発明第１実施例によるフォトマスク
検査装置の構成図である。図において、白色光源１から
発せられた光ビームはレンズ３ａで一端集光された後、
分光器２に入射する。光ビームは、分光器２で所定波長
λ１ の単色光となり、レンズ３ｂを介して検査対象で
あるフォトマスク４に達する。分光器２は後述するコン
ピュータ８によって制御され、予め定められた所定の範
囲で光ビームの波長を変化させることができるようにな
っている。本実施例では白色光源１としてハロゲンラン
プ（または多波長レーザ光源）を、分光器２としては焦
点距離２５ｃｍのグレーティング型のものを使用してい
る。 これら白色光源，分光器２，レンズ３ａ，３ｂが本発明
の照射光学系を構成する。 【００４５】フォトマスク４は、水平面（照射光学系の
光軸に対して垂直な面）で２次元移動可能なステージＲ
Ｓ上に配置されている。図５は、フォトマスク４の平面
図であり、回路パターンＲＰの他に、同一製造工程で形
成されたテストパターンＴＰが設けられている。テスト
パターンＴＰは回路パターンＲＰとともに、クロム等の
遮光体ＬＳで囲まれたパターン領域ＰＡ（ここでは特に
ストリートライン相当領域）内に形成されている。 【００４６】テストパターンＴＰは図２で説明したよう
に、遮光部４１，透明部Ａ，位相部材付加部Ｂの基本単
位が繰り返されるいわゆるラインアンドスペースパター
ンとなっており、透明部Ａと位相部材付加部Ｂの面積比
はほぼ１：１となっている。 【００４７】ステージＲＳは、フォトマスク４を保持し
た後、検査に先立って、テストパターンＴＰがレンズ３
ｂからの光ビームの照射領域内に入るように、駆動手段
１１によって水平面内で移動される。この結果、光ビー
ムは、フォトマスク４のテストパターンＴＰの近傍を照
明することになる。 【００４８】フォトマスク４のテストパターンＴＰを透
過した光ビームは結像レンズ５に入射する。結像レンズ
５の瞳面（テストパターンＴＰのフーリエ変換面）には
、ハーフミラー５３が配置されており、結像レンズ５に
入射した光ビームはハーフミラー５３で２分割される。 【００４９】ハーフミラー５３を透過した光ビームは結
像レンズ５の結像面と受光面が合致するように配置され
た光電検出器７に入射し、ハーフミラー５３で反射され
た光ビームは受光面にスリット１０を備えた光電検出器
６に入射する。 【００５０】スリット１０の開口はその長手方向がテス
トパターンＴＰ（ラインアンドスペースパターン）の伸
長方向と平行になるように（開口の長手方向が紙面垂直
方向となるように）設けられており、開口の幅は、結像
レンズ５の焦点距離をｆ，光ビームの波長（例えば変動
させる波長範囲の中心波長を代表波長とする）をλ、テ
ストパターンＴＰの透明部Ａと位相部材付加部Ｂの間隔
をａとするとき、ｆ・λ／ａとなるように設定されてい
る。 【００５１】光電検出器６，７からの検出信号は、増幅
器でそれぞれ増幅されてコンピュータ８に送られる。コ
ンピューター８では、波長λ１ における波長光電検出
器６，７からの検出信号の比、即ち、結像面での光量に
対するフーリエ変換面での光量の比Ｓ１ を求める。 【００５２】コンピューター８は、光電検出器６，７か
らの検出信号を受けた後、分光器２に制御信号を送り、
フォトマスク４に照射する光ビームの波長を変化させる
。そして、変化させた波長λ２ の光ビームをテストパ
ターンＴＰに照射した際の、結像面及びフーリエ変換面
での透過光の光量を光電検出器６，７で検出する。コン
ピュータ８では波長λ１ のときと同様に、波長λ２
での光量比Ｓ２ を求める。 【００５３】このような動作を繰り返し、予め決めた波
長範囲（λ１ 〜λｅ 〜λｎ ）に対応する光量比（
Ｓ１ 〜Ｓｅ 〜Ｓｎ ）を測定しコンピュータ８に記
憶する。コンピュータ８はこれらの光量比の測定データ
に基づいて、位相部材による位相変化量を算出する。 【００５４】なお、光量比を検出すべき波長λの数ｎは
、位相変化量の算出精度を考慮すれば多い程良い。一方
、スループットを考えると、当然ながら、数ｎは少ない
方が望ましく、例えば、図３に示した曲線（サインカー
ブ）が近似にて得られる程度の数だけ、上記光量比の測
定を行なえば良い。また、波長範囲はフォトマスクが適
用される露光装置の露光波長を中心として定めれば良い
。 【００５５】以下に実際の測定例を示し、コンピュータ
８での演算について、具体的に説明する。本実施例では
、フォトマスク４が用いられる露光装置の露光光が水銀
ランプのＧ線（波長４３６ｎｍ ）である場合の位相部
材による位相変化量を求めた。フォトマスク４に照射す
る光ビームの波長を変化させる範囲は、２００ｎｍ 〜
５００ｎｍ であるとした。 【００５６】この波長範囲では光量比（光電変換器６の
検出信号値／光電検出器７の検出信号値）の最小値ＳＭ
ＩＮ は波長が４２６ｎｍ のときに０．１２２ 、最
大値ＳＭＩＮ は波長が２１９ｎｍ のときに０．９７
６ であった。また、露光波長λｅ （４３６ｎｍ）の
ときの光量比Ｓｅ は０．１２３ であった。この値を
前述した数式（３） を用いて計算すると、露光波長４
３６ｎｍ での位相変化量は数式（１４）となり、φ＝
０．９７８ πと求めることができる。 【００５７】 【数７】 【００５８】また、４２６ｎｍ と４３６ｎｍ では屈
折率はほぼ等しいとみなせば、数式（６） を用いて４
３６ｎｍ での位相変化量は、φ＝π・４２６／４３６
＝ ０．９７７πと求めることができる。位相部材の
分散がわかっていれば、この値を用いて数式（６） か
ら求めた位相変化量を補正することも可能である。数式
（６） によって位相変化量を求める場合には光量比が
最小となる波長λＭＩＮ がわかれば、最大光量比ＳＭ
ＡＸ ，最小光量比ＳＭＩＮ 自体を求める必要はない
。 【００５９】また、数式（６） によって位相変化量を
求める方法は、次のような点からも有利である。フォト
マスク４の基板は、一般にガラスや合成石英が用いられ
るが、これらの材料は２００ｎｍ 以下の短波長の光で
は透過できない。位相部材の位相変化量がπであるとき
、フーリエ変換面での光量は、前述したように露光波長
λｅ で最小となり、λｅ ／２波長で最大となる。 【００６０】しかるに、露光波長λｅ が４００ｎｍ
以下では、光量比が最大となる波長が２００ｎｍ 以下
となるので、最大光量比ＳＭＡＸ を測定することがで
きず、数式（３） からは位相変化量を求めることがで
きない。これに対し、数式（６） では最大光量比ＳＭ
ＡＸ を測定する必要はなく、露光波長が４００ｎｍ
以下（２００ｎｍ 以上）であっても、位相変化量を求
めることができる。 【００６１】図４は、本発明の第２実施例（請求項２に
対応）による装置の構成を示す図である。本実施例では
、フォトマスク４に照射する光ビームは白色光とし、光
電検出器６，７の前段で白色光を単色光に分離している
。図において、白色光源１から射出されたされた光ビー
ムは、レンズ３で集光されて白色光のままフォトマスク
４に達する。フォトマスク４は図１の場合と同様に、水
平面内で２次元移動可能なステージＲＳに載置されてお
り、検査に先立って、被検査パターン（テストパターン
ＴＰ）と光ビームの照射領域の位置合わせが行なわれる
。被検査パターンは、第１実施例と同じラインアンドス
ペースパターンである。 【００６２】フォトマスク４の被検査パターンを透過し
た光ビームは結像レンズ５に入射し、瞳位置に配置され
たハーフミラー５３で２分割される。ハーフミラー５３
を透過した光ビームは結像レンズ５の結像面に配置され
た光フアイバー９ａの端面に入射し、光ファイバー９ａ
内を通って、分光器２ａに至る。 【００６３】一方、ハーフミラー５３で反射された光ビ
ームは光ファイバー９ｂの端面に入射し、光ファイバー
９ｂ内を通って分光器２ｂに至る。光ファイバー９ｂの
端面に備えられたスリット１０は図１のスリットと同様
に構成されている。分光器２ａ，２ｂはコンピュータ８
に制御されて動作し、入射した白色光を指示された波長
λ１ の単色光とする。 【００６４】分光器２ａ，２ｂによって単色化された光
ビームはそれぞれ光電変換器６，７に入射し、ここで結
像面及びフーリエ変換面での光量に対応する量が検出さ
れる。光電変換器６，７の検出信号は増幅器で増幅され
てコンピュータ８に送られる。コンピューター８では、
波長λ１ での光電検出器６，７からの検出信号の比、
即ち、結像面での光量に対するフーリエ変換面での光量
の比Ｓ１ を求める。 【００６５】コンピューター８は、光電検出器６，７か
らの検出信号を受けた後、分光器２ａ，２ｂにそれぞれ
制御信号を送り、光電検出器６，７に入射する光ビーム
の波長をλ１ からλ２ に変化させる。そして、波長
λ２ での結像面及びフーリエ変換面での光量を光電検
出器６，７で検出する。コンピュータ８では波長λ１
のときと同様に、波長λ２ での光量比Ｓ２ を求める
。 【００６６】このような動作を繰り返し、予め決めた波
長範囲（λ１ 〜λｅ 〜λｎ ）に対応する光量比（
Ｓ１ 〜Ｓｅ 〜Ｓｎ ）を測定しコンピュータ８に記
憶させる。コンピュータ８はこれらの光量比の測定デー
タに基づいて、位相部材による位相変化量を算出する。 コンピュータ８での具体的な演算方法は第１の実施例で
説明した通りである。 【００６７】なお、図では２つの分光器２ａ，２ｂを用
いる構成としているが、光ファイバー９ａ，９ｂを切換
可能に１つの分光器に接続し、光ファイバー９ａからの
光ビームと光ファイバー９ｂからの光ビームを別々に分
光するようにしても良い。 【００６８】次に、再び図１を用いて第３実施例（請求
項３に対応）を説明する。本実施例では、フォトマスク
４に照射する光ビームの波長は、フォトマスクが実際に
用いられる露光装置での露光波長λｅ に固定されてい
る。 【００６９】また、フォトマスク４が載置されているス
テージＲＳは水平面内で二次元移動可能であるだけでな
く、フォトマスク４の被検査パターンの中心を基準とし
てフォトマスク４の光軸に対する傾斜角を調整できるよ
うになっている。図６は本実施例における駆動手段１１
の例を示した概念図である。 【００７０】図６において、フォトマスク４はモータＭ
Ｔ１ によって光軸ＡＸと直交する面内でＸ方向に、不
図示の別のモータでＹ方向に移動される。これにより、
まずテストパターンＴＰの中心を照射光学系の光軸ＡＸ
が通るようにフォトマスク４の水平面内の位置決めが為
される。 【００７１】次いで、テストパターンＴＰの中心を通る
水平面上の直線（図の場合はＹ軸と平行な直線）を回転
軸として、モータＭＴ２ によってフォトマスク４が回
転される。このモータＭＴ２ の回転量によってフォト
マスク４の光軸に対する傾斜角が決まる。 【００７２】図では、テストパターンＴＰの長手方向（
ライアンドスペースパターンの伸長方向）と平行な軸を
回転軸としてフォトマスク４を傾斜させているが、フォ
トマスク４を傾斜させる際の回転軸はテストパターンＴ
Ｐの中心を通る水平面上の直線であれば、テストパター
ンＴＰに平行な直線であっても、テストパターンＴＰと
交差する直線であっても構わない。 【００７３】但し、テストパターンＴＰの中心を基準と
せずに、フォトマスクを傾斜させるとテストパターンの
像の横ずれが生じるので、必ず、回転軸はテストパター
ンＴＰの中心を通る必要がある。 【００７４】図１に戻って、フォトマスク４のテストパ
ターンＴＰとレンズ３からの光ビーム（波長λｅ ）の
照射領域の位置合わせを行ない、更に、フォトマスク４
の光軸に対する傾斜角をθ１ に設定する。 【００７５】テストパターンＴＰを透過した光ビームは
結像レンズ５に入射し、実施例１で説明したと同様にし
て結像面での光量が光電検出器７で、フーリエ変換面で
の光量が光電変換器６で検出され、それぞれの検出信号
はコンピュータ８に送られる。コンピュータ８では光電
変換器６と光電変換器７の検出信号の比をとり、傾斜角
θ１ での光量比Ｓ１ を求める。 【００７６】続いて、コンピュータ８は駆動手段１１に
制御信号を送り、フォトマスク４の傾斜角をθ２ とし
、このときの光量比Ｓ２ を求める。この動作を繰り返
して一定範囲で傾斜角θを変化させながらそれぞれ光量
比を求め、光量比が最小となる傾斜角θＭＩＮ を求め
る。コンピューター８では、この傾斜角θＭＩＮ と予
め記憶されていた位相部材の屈折率ｎを用いて数式（１
３）から、露光光を垂直照明した場合の位相部材による
位相変化量を算出する。 【００７７】回路パターンＲＰとテストパターンＴＰは
同一製造工程で形成されており、両パターンにおける位
相変化量は同等とみなすことができ、上述のようにして
テストパターンＴＰの位相変化量を計測することで回路
パターンＲＰの位相変化量を知ることができる。 【００７８】上記の実施例においてはテストパターンＴ
Ｐはフォトマスク４の中央部に１つだけ設けてあるが、
テストパターンＴＰを設ける位置は特に限定されるもの
ではない。複数のテストパターンＴＰをフォトマスク４
の各領域に設ければ、位相部材による位相変化量の誤差
分布を検知することもできる。 【００７９】また、特にテストパターンＴＰを設けなく
とも、回路パターンＲＰの一部を被検査パターンとして
も良いことは言うまでもない。なお、被検査パターンの
透明部Ａと位相部材付加部Ｂとの面積比は１：１に限ら
れるものではなく、例えば１：２〜２：１程度であって
も構わない。 【００８０】また上記においては露光装置とは別の独立
した検査装置として説明したが、例えば第３実施例の場
合、検査用の照明光は露光波長に限定するので、本発明
の検査装置を露光装置に組み込むようにしても良い。 【００８１】照射光学系については特に詳述しなかった
が、クリティカル照明を採用してもケーラー照明を採用
しても良い。照射領域の大きさや形状については固定で
も構わないが、被検査パターン以外のパターンから生じ
る回折光や散乱光の影響を避けるために、フォトマスク
４とほぼ共役な面内に視野絞りを配置し、被検査パター
ンの大きさや形状に応じて開口を調節することが好まし
い。照射光学系の開口数ＮＡについては、小さい方が良
いが、フォトマスク４が用いられる露光装置の開口数と
等しくしても良い。 【００８２】なお、上記においては、フォトマスクを透
過した光ビームを直接受光する構成を取っているが、図
７に示されるように、透過光を反射させて受光する構成
としても良い。 【００８３】図７において、照射光学系（図示せず）か
らの光ビームは、ハーフミラー６０を透過し、透明基板
４０の透明部Ａと位相部材４２が付加された位相部材付
加部Ｂをそれぞれ通り、結像レンズ５０ａ，５０ｂを介
して高反射ミラーＭＲに至る。透明部Ａからの光ビーム
は高反射ミラーＭＲのＡ’で、位相部材付加部Ｂからの
光ビームは高反射ミラーＭＲのＢ’で反射され、再び同
じ光路を通って（透明部Ａからの光ビームは再度透明部
Ａを通り、位相部材付加部Ｂからの光ビームは再度位相
部材付加部Ｂを通る）、ハーフミラー６０で反射され、
結像レンズ５０ｃ，５０ｄに入射される。そして、結像
レンズ５０ｃ，５０ｄによって、透明部Ａの像がＡ”に
、位相部材付加部Ｂの像がＢ”に結ばれる。 【００８４】このような構成においては、光ビームが位
相部材４２を２回通ることになるので、結像面Ｐ２ と
フーリエ変換面Ｐ１ での光量比の変化量が２倍となり
、測定感度が向上する。なお、この場合には、光量比が
最大波長に対する露光波長を求めることになる。 【００８５】 【発明の効果】以上のように、本発明においては、被検
査パターンの透明部を透過した光ビームと位相部材付加
部を透過した光ビームの干渉に起因するフーリエ変換面
での光量変化を、結像面での光量を基準として検出し、
光量比の検出結果に基づいて位相部材の所定波長におけ
る位相変化量を求めるので、位相部材の膜厚，屈折率を
そのつど測定する必要がなく、簡易かつ高速に位相部材
の正確な位相変化量を計測することができる。また、フ
ォトマスクの基板と位相部材の屈折率差がほとんどなく
とも位相変化量の測定において何等支障をきたさない。 【００８６】また、本発明では、透明部と位相部材を透
過した２光束の干渉が照射光の波長（又はフォトマスク
の傾斜角）により異なることを利用しているので、被検
査パターンの透明部又は位相部材の面積比が厳密に等し
い必要がなく、被検査パターンの制約が少ない。 【００８７】更に、計測に使用する波長範囲で、位相部
材による光の吸収があるような場合でも、本発明ではフ
ーリエ変換面と結像面の２箇所で光量を測定し、その光
量比を求めるので、位相部材での光の吸収が測定誤差に
直接結びつかず高精度に位相変化量を求めることができ
る。
ンを転写する際に原版として使用されるフォトマスクの
検査装置に関し、詳しくは透過光の位相を変化させる位
相部材が特定部分に付加された位相シフトフォトマスク
における位相変化量を計測する技術に関するものである
。 【０００２】 【従来の技術】半導体回路をウエハ上に投影露光して転
写する際に原版として用いられるフォトマスクは、一般
にはガラス基板上にＣｒ（クロム）等の金属からなる遮
光パターンが形成された構造をなしている。 【０００３】しかし、このような構造のフォトマスクで
は、回路パターンが微細化すると、光の回折・干渉現象
のために投影像の十分なコントラストを得ることができ
ないという問題があり、近年、フォトマスク裸面部の特
定の箇所に位相部材を付加して透過光の位相を部分的に
変化させることにより像のコントラストを高める位相変
化フォトマスクが種々提案されている。例えば特公昭６
２−５０８１１号公報には、空間周波数変調型のフォト
マスクに関する技術が開示されている。 【０００４】かかる位相変化フォトマスクでは、位相を
正確に制御することが重要となるため、遮光パターンの
欠損の有無等の他に位相部材による位相変化量を検査す
ることが必要となるが、従来は、薄膜表面と基板・薄膜
界面との多重反射を利用して薄膜の膜厚や屈折率を測定
するエリプソメーター等を用いて位相変化量を求めてい
た。 【０００５】つまり、位相部材（主にＳｉＯ２ 膜等か
らなる）による位相変化量φの測定は、位相部材の厚さ
ｔと、フォトマスクが実際のリソグラフィ工程で用いら
れる際の露光波長λにおける位相部材の屈折率ｎをそれ
ぞれ求め、数式（１） として計算していた。 【０００６】φ＝ ２π・（ｎ−１）ｔ／λ …（１
） 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
位相変化フォトマスクの検査に用いられていたエリプソ
メーターは、上述したように基板・薄膜界面における反
射を利用して膜厚や屈折率の測定を行なう為、基板と薄
膜の屈折率差が小さい場合には計測が非常に困難であり
、両者の屈折率が等しい場合には界面での反射光強度が
零となるため測定が不可能となる。 【０００８】一方、半導体回路パターンの微細化に伴っ
てフォトリソグラフィーにおける光源は短波長化し、今
後は遠紫外線が光源の主流になると予想されている。紫
外線に対して高い透過率をもつ材質は少なく、位相部材
とフォトマスクの基板は共に二酸化ケイ素（石英ガラス
）で形成されることが考えられる。この場合、両者の屈
折率が等しくなり、上述したようにエリプソメーターを
利用しての位相変化量の測定は不可能である。 【０００９】更に、通常の材料は光の波長により屈折率
が異なるため（分散）、位相部材の膜厚と屈折率から位
相変化量を求めるには露光波長での屈折率を正確に知る
必要があるが、フォトマスクに位相部材を成膜する条件
によって位相部材の屈折率がかなり変化してしまうこと
があるため、位相部材の膜厚だけでなく、屈折率をその
つど計測する必要がある。このため、従来の方法では位
相変化量の計測に長時間を必要としていた。 【００１０】この発明は、かかる点に鑑みてなされたも
のであり、位相部材と基板の屈折率差によらず位相変化
量の正確な計測が可能であり、かつ露光波長における位
相変化量を簡易かつ高速に求めることのできる位相シフ
トフォトマスク用の検査装置を提供することを目的とす
るものである。 【００１１】 【課題を解決するための手段】請求項１のフォトマスク
検査装置は、所定波長の光ビームに対してほぼ透明な基
板に幾何学的な原画パターンを有し、該原画パターンの
少なくとも一部に前記透明基板を透過する光ビームの位
相を変化させる位相部材を備えたフォトマスクを検査対
象とし、上記の課題を達成するために、前記フォトマス
クの被検査パターンに、所定の波長範囲で波長を変化さ
せながら単色光又は準単色光を照射する照射光学系と、
前記照射光学系からの照射光による前記フォトマスクの
被検査パターンの像を所定の基準平面内に結像する検出
光学系と、前記フォトマスクの被検査パターンを透過し
た前記照射光の、前記基準平面での光量と前記被検査パ
ターンのフーリエ変換面での光量に対応する量をそれぞ
れを検出する光量検出手段とを備えたものである。 【００１２】請求項２のフォトマスク検査装置は、請求
項１の検査装置において、所定の波長範囲で波長を変化
させながら単色光又は準単色光を照射する代わりに、フ
ォトマスクの被検査パターンに、所定の波長範囲を含む
多波長光を照射することとし、フォトマスクの被検査パ
ターンを透過した照射光を分光手段によって単色光又は
準単色光に分離する構成としたものである。 【００１３】請求項３の発明のフォトマスク検査装置は
、請求項１，２の検査装置と同様のフォトマスクを検査
対象とし、上記の課題を達成するために、フォトマスク
の被検査パターンに、単色光又は準単色光を照射する照
射光学系と、該照射光学系からの照射光による前記フォ
トマスクの被検査パターンの像を所定の基準平面内に結
像する検出光学系と、前記フォトマスクの被検査パター
ンを透過した前記照射光の、前記基準平面での光量と前
記被検査パターンのフーリエ変換面での光量に対応する
量を検出する光量検出手段と、前記被検査パターンの中
心を基準として前記照射光学系の光軸に対して前記フォ
トマスクを傾斜させる傾斜手段とを備えたものである。 【００１４】 【作用】図２は本発明における位相変化量の測定の原理
を示す概念図である。図において、合成石英，ガラス等
からなる透明基板４０の下面にはＣｒ等からなる遮光部
４１と透明部（基板裸面部）が交互に設けられており、
遮光部４１を介して隣り合う透明部の一方には位相部材
（厚さｔ，屈折率ｎとする）４２が付加されている。遮
光部４１には反射防止膜を設けることもある。これらの
透明基板４０，遮光部４１，位相部材４２が、後述する
実施例におけるフォトマスク４に相当し、透明基板４０
は、結像レンズ５０ａ，５０ｂの光軸に対してほぼ直交
するように保持されている。 【００１５】フォトマスクの上方から波長λの光を位相
部材４２の付加されていない透明部Ａと位相部材４２の
付加された位相部材付加部Ｂとに照射すると、透明部Ａ
からの光と、位相部材付加部Ｂからの光は、結像レンズ
５０ａを通過した後に、透明基板４０に形成された被検
査パターンのフーリエ変換面Ｐ１ において同一点Ｃを
通る。位相部材付加部Ｂの透過光は、位相部材のない透
明部Ａの透過光に対して、数式（１） に応じて位相差
φが生じる。 【００１６】したがってフォトマスクの透明部Ａと位相
部材付加部Ｂを通った光はＣで干渉し合うため、位相差
φに応じて点Ｃ、すなわちフーリエ変換面Ｐ１ での光
の強度Ｉ１ が変化する。ここで、透明部Ａから光の振
幅をＡＡ ，強度をＩＡ とし、位相部材付加部Ｂから
の光の振幅をＡＢ ，強度をＩＢ とすると、Ｃでの光
の強度Ｉは数式（２） と表わせる。したがって、Ｃで
の光強度の最大値は（ＡＡ＋ＡＢ）２ であり、最小
値は（ＡＡ−ＡＢ）２となる。 【００１７】Ｉ＝ＩＡ＋ＩＢ＋２ＡＡＡＢ ＣＯＳφ
ＣＯＳφ＝｛Ｉ−（ＩＡ＋ＩＢ） ｝／２ＡＡＡＢ
…（２） 【００１８】位相部材４２の膜厚ｔが一定な
らば、数式（１） により位相差（位相変化量）φは光
の波長λと屈折率ｎにより決まることになる。さらに、
位相部材４２の屈折率ｎは光の波長λにより変化する。 すなわち、位相差φはフォトマスクに照射する光の波長
λによって変化する。 【００１９】したがって、位相シフトフォトマスクにお
いて位相部材による位相変化が理想的に行なわれた場合
には、透明部Ａ，位相部材付加部Ｂをそれぞれ透過した
光の位相差はπであり、フォトマスクに照射する光の波
長を変化させていった場合に、フーリエ変換面Ｐ１ で
の光強度Ｉ１ が露光波長λｅ で極小値をとることに
なる。 そして、位相変化量がπからずれた場合には、ずれた量
に応じて強度Ｉ１ が極小値をとる波長が変化すること
になる。 【００２０】一方、被検査パターンの結像レンズ５０ａ
，５０ｂによる結像面Ｐ２ では、透明部ＡはＡ’に位
相部材付加部ＢはＢ’にそれぞれ結像するため、透明部
Ａ，位相部材付加部Ｂの間の遮光部４１の幅が透明部Ａ
と位相部材付加部Ｂとを分離して結像するに足る大きさ
であれば、透明部Ａ，位相部材付加部Ｂをそれぞれを通
過した光は互いに干渉しあわないので、位相部材４２の
位相変化量によって（位相部材の厚さによって）結像面
Ｐ２ での光の強度Ｉ２ の変化はない。したがって、
フーリエ変換面Ｐ１ と結像面Ｐ２ での光量比の変化
は、フーリエ変換面Ｐ１ での強度変化によって生じる
ことになる。 【００２１】図３は、照射光の波長λを変化させたとき
の、結像面Ｐ２ における光量（光強度Ｉ２ ）に対す
るフーリエ変換面での光量（光強度Ｉ１ ）の比の変化
を示した図である。光量比Ｓの最大値ＳＭＡＸ ，最小
値ＳＭＩＮ に対して、露光波長λｅ での光量比をＳ
ｅ とすると、λｅ における位相差φはＳＭＩＮ と
なる波長をλＭＩＮ として、数式（２） を用いて数
式（３） と求めることができる。 【００２２】 φ＝ｃｏｓ−１ ・｛ｓｅ −１／２（ＳＭＡＸ＋ＳＭ
ＩＮ）｝／｛１／２（ＳＭＡＸ−ＳＭＩＮ）｝ …（
３） 【００２３】また、露光波長λｅ とλＭＩＮ
とで屈折率ｎが等しいとみなせるとき（位相部材４２の
位相変化量の誤差が大きくなければλｅ とλＭＩＮ
は差が小さく、わずかな波長の差による屈折率の差は無
視できる）、数式（１） よりλＭＩＮ では位相変化
量φがπであるから、数式（４） となる。よって、数
式（５） となるので、露光波長λｅ での位相変化量
は数式（６） と求めることができる。 【００２４】π＝ ２π・（ｎ−１）ｔ／λＭＩＮ
…（４） 【００２５】２（ｎ−１）ｔ ＝λＭＩＮ
… （５）【００２６】φ＝π・λＭＩＮ ／λ
…（６） 【００２７】したがって、数式（７）
が成り立つ。 λＭＩＮ ＞λのときｓｉｎ φ＜０ λＭＩＮ ＜λのときｓｉｎ φ＞０ …（７） 【
００２８】ここで、本発明において位相変化量の検出誤
差を低減するためには次に説明するような条件を満たす
ことが望ましい。まず、本発明でフーリエ変換面での光
量変化を結像面での光量を基準として求めているのは、
１つには位相部材４２による薄膜の干渉の影響を取り除
くためである。 【００２９】即ち、位相部材４２を透過した光の光量自
体が薄膜干渉によって変化してしまうため（この薄膜の
干渉による光量変化はフーリエ変換面Ｐ１でも結像面Ｐ
２ でも生じる）、透明部Ａと位相付加部分Ｂをそれぞ
れ透過した２光束の干渉に起因するフーリエ変換面Ｐ１
での光量変化を正確に求めるために、結像面Ｐ２ で
の光量に対するフーリエ変換面Ｐ１ での光量の比をと
っているわけである。 【００３０】又、位相部材４２が照射光に対する吸収を
もつ場合（通常透過率は１００％ではない）、位相部材
４２での光の吸収によって位相部材付加部Ｂからの光量
が変化してしまうが、結像面Ｐ２ での光量とフーリエ
変換面Ｐ１ での光量の比をとることでこの吸収の影響
をなくすことができる。 【００３１】さてここで、被検査パターンの透明部Ａと
位相部材付加部Ｂの間隔が結像レンズ５０ａ，５０ｂの
解像限界を超える程小さいと、基準としている結像面Ｐ
２ でも透明部Ａの透過光と位相部材付加部Ｂの透過光
が重なりあって２光束の干渉によって光量変化が生じる
ため、光量比の検出誤差の要因となる。特に、光量比の
最大値ＳＭＡＸ ，最小値ＳＭＩＮ 及び露光波長λｅ
での光量比Ｓｅ を用いて前記数式（３） から位相
変化量φを求める場合は、結像面Ｐ２ での干渉が直接
位相変化量の測定誤差に結びつくので、被検査パターン
はｄ＞＞λ／ＮＡ（但し、ｄは透明部Ａと位相部材付加
部Ｂの間の遮光部４１の幅、ＮＡは結像レンズ５０ａ，
５０ｂの結像面Ｐ２ 側の開口数、λは照射光の波長）
の条件を満たすことが望ましい。 【００３２】また、透明部Ａと位相付加部Ｂの面積が大
きく異なると、それぞれの透過光の光量差が大きくなり
、２光束干渉によるフーリエ変換面Ｐ１ での光量変化
が小さくなってしまう。このため、位相変化量の測定精
度を向上させるためには透明部Ａと位相付加部Ｂの面積
はほぼ等しくすることが望ましい。 【００３３】なお、図２では説明を簡単にするため、遮
光部４１を介して隣り合う１組の透明部Ａと位相付加部
Ｂだけを示しているが、透明部Ａと位相部材付加部Ｂは
照射領域内に複数存在していても良い。透明部Ａと位相
部材付加部Ｂはラインアンドスペースパターンや市松格
子パターンのように交互に配列されていても良いし、透
明部Ａと位相部材付加部Ｂが不規則に混在していても良
い。この場合も、透明部Ａと位相部材付加部Ｂの間隔は
結像レンズの解像限界を考慮して定めれば良く、透明部
Ａと位相部材付加部Ｂのそれぞれの総面積が等しくなる
ようにすることが望ましい。遮光部４１については透明
部Ａと位相部材付加部Ｂが分離して結像されれば、特に
必要なく、被検査パターンは透明部Ａと位相部材付加部
Ｂだけで構成されていても良い。 【００３４】また、透明部Ａと位相部材付加部Ｂの間隔
をａ，結像レンズ５０ａ，５０ｂの焦点距離をｆ，照明
光の波長をλとしたとき、Ａ，Ｂの２つの部分を透過し
た光束によるフーリエ変換面Ｐ１ での干渉縞の間隔は
、透明部Ａと位相部材付加部Ｂの配列のし方によらず
ｆ・λ／ａ と表わせ、光量の計測領域を ｆ・λ／
ａ 程度以下の幅の領域に限ることで、２光束干渉に
よるフーリエ変換面での光量変化を精度良く検知するこ
とができる。 【００３５】さて、次に、フォトマスクの照射光学系の
光軸に対する傾斜角θと位相部材４２による位相変化量
の関係について説明する。フォトマスクの傾斜角がθ（
θ≠０）のときの位相変化量をφ’とすると、φ’は数
式（８） と表わせる。但し、θ’は位相部材４２への
照射光の入射角で、ｓｉｎ θ’＝ｎ・ｓｉｎ θであ
る。よって、φ’はフォトマスクの傾斜角θを用いて数
式（９） と表わせる。 【００３６】従って、照射光の波長を露光波長に固定し
、被検査パターンの中心を基準としてフォトマスクを傾
斜させていった場合、光量比が最小となる傾斜角θＭＩ
Ｎ ではφ’＝πとなるから、数式（１０）と表わせ、
これを変形して数式（１１）となる。 【００３７】θ＝０のときには、数式（１２）となり、
ｎ＞＞ｓｉｎ θＭＩＮ として、数式（１３）となる
。ここで、θＭＩＮが小さいときにはｎ＞１であるから
ｎの微小変化によるφの変化は極めて小さい。従って、
位相部材４２の屈折率ｎはある代表値を用いても実際の
屈折率の変化は位相変化量φの計測にはほとんど影響し
ない。即ち、予め記憶しておいた位相部材４２の屈折率
ｎと、露光波長λｅ での光量比が最小となるフォトマ
スクの傾斜角θＭＩＮ から、数式（１３）によって、
露光光を垂直照明したときの位相変化量φを求めること
ができる。 【００３８】 【数１】 【００３９】 【数２】 【００４０】 【数３】 【００４１】 【数４】 【００４２】 【数５】 【００４３】 【数６】 【００４４】 【実施例】図１は本発明第１実施例によるフォトマスク
検査装置の構成図である。図において、白色光源１から
発せられた光ビームはレンズ３ａで一端集光された後、
分光器２に入射する。光ビームは、分光器２で所定波長
λ１ の単色光となり、レンズ３ｂを介して検査対象で
あるフォトマスク４に達する。分光器２は後述するコン
ピュータ８によって制御され、予め定められた所定の範
囲で光ビームの波長を変化させることができるようにな
っている。本実施例では白色光源１としてハロゲンラン
プ（または多波長レーザ光源）を、分光器２としては焦
点距離２５ｃｍのグレーティング型のものを使用してい
る。 これら白色光源，分光器２，レンズ３ａ，３ｂが本発明
の照射光学系を構成する。 【００４５】フォトマスク４は、水平面（照射光学系の
光軸に対して垂直な面）で２次元移動可能なステージＲ
Ｓ上に配置されている。図５は、フォトマスク４の平面
図であり、回路パターンＲＰの他に、同一製造工程で形
成されたテストパターンＴＰが設けられている。テスト
パターンＴＰは回路パターンＲＰとともに、クロム等の
遮光体ＬＳで囲まれたパターン領域ＰＡ（ここでは特に
ストリートライン相当領域）内に形成されている。 【００４６】テストパターンＴＰは図２で説明したよう
に、遮光部４１，透明部Ａ，位相部材付加部Ｂの基本単
位が繰り返されるいわゆるラインアンドスペースパター
ンとなっており、透明部Ａと位相部材付加部Ｂの面積比
はほぼ１：１となっている。 【００４７】ステージＲＳは、フォトマスク４を保持し
た後、検査に先立って、テストパターンＴＰがレンズ３
ｂからの光ビームの照射領域内に入るように、駆動手段
１１によって水平面内で移動される。この結果、光ビー
ムは、フォトマスク４のテストパターンＴＰの近傍を照
明することになる。 【００４８】フォトマスク４のテストパターンＴＰを透
過した光ビームは結像レンズ５に入射する。結像レンズ
５の瞳面（テストパターンＴＰのフーリエ変換面）には
、ハーフミラー５３が配置されており、結像レンズ５に
入射した光ビームはハーフミラー５３で２分割される。 【００４９】ハーフミラー５３を透過した光ビームは結
像レンズ５の結像面と受光面が合致するように配置され
た光電検出器７に入射し、ハーフミラー５３で反射され
た光ビームは受光面にスリット１０を備えた光電検出器
６に入射する。 【００５０】スリット１０の開口はその長手方向がテス
トパターンＴＰ（ラインアンドスペースパターン）の伸
長方向と平行になるように（開口の長手方向が紙面垂直
方向となるように）設けられており、開口の幅は、結像
レンズ５の焦点距離をｆ，光ビームの波長（例えば変動
させる波長範囲の中心波長を代表波長とする）をλ、テ
ストパターンＴＰの透明部Ａと位相部材付加部Ｂの間隔
をａとするとき、ｆ・λ／ａとなるように設定されてい
る。 【００５１】光電検出器６，７からの検出信号は、増幅
器でそれぞれ増幅されてコンピュータ８に送られる。コ
ンピューター８では、波長λ１ における波長光電検出
器６，７からの検出信号の比、即ち、結像面での光量に
対するフーリエ変換面での光量の比Ｓ１ を求める。 【００５２】コンピューター８は、光電検出器６，７か
らの検出信号を受けた後、分光器２に制御信号を送り、
フォトマスク４に照射する光ビームの波長を変化させる
。そして、変化させた波長λ２ の光ビームをテストパ
ターンＴＰに照射した際の、結像面及びフーリエ変換面
での透過光の光量を光電検出器６，７で検出する。コン
ピュータ８では波長λ１ のときと同様に、波長λ２
での光量比Ｓ２ を求める。 【００５３】このような動作を繰り返し、予め決めた波
長範囲（λ１ 〜λｅ 〜λｎ ）に対応する光量比（
Ｓ１ 〜Ｓｅ 〜Ｓｎ ）を測定しコンピュータ８に記
憶する。コンピュータ８はこれらの光量比の測定データ
に基づいて、位相部材による位相変化量を算出する。 【００５４】なお、光量比を検出すべき波長λの数ｎは
、位相変化量の算出精度を考慮すれば多い程良い。一方
、スループットを考えると、当然ながら、数ｎは少ない
方が望ましく、例えば、図３に示した曲線（サインカー
ブ）が近似にて得られる程度の数だけ、上記光量比の測
定を行なえば良い。また、波長範囲はフォトマスクが適
用される露光装置の露光波長を中心として定めれば良い
。 【００５５】以下に実際の測定例を示し、コンピュータ
８での演算について、具体的に説明する。本実施例では
、フォトマスク４が用いられる露光装置の露光光が水銀
ランプのＧ線（波長４３６ｎｍ ）である場合の位相部
材による位相変化量を求めた。フォトマスク４に照射す
る光ビームの波長を変化させる範囲は、２００ｎｍ 〜
５００ｎｍ であるとした。 【００５６】この波長範囲では光量比（光電変換器６の
検出信号値／光電検出器７の検出信号値）の最小値ＳＭ
ＩＮ は波長が４２６ｎｍ のときに０．１２２ 、最
大値ＳＭＩＮ は波長が２１９ｎｍ のときに０．９７
６ であった。また、露光波長λｅ （４３６ｎｍ）の
ときの光量比Ｓｅ は０．１２３ であった。この値を
前述した数式（３） を用いて計算すると、露光波長４
３６ｎｍ での位相変化量は数式（１４）となり、φ＝
０．９７８ πと求めることができる。 【００５７】 【数７】 【００５８】また、４２６ｎｍ と４３６ｎｍ では屈
折率はほぼ等しいとみなせば、数式（６） を用いて４
３６ｎｍ での位相変化量は、φ＝π・４２６／４３６
＝ ０．９７７πと求めることができる。位相部材の
分散がわかっていれば、この値を用いて数式（６） か
ら求めた位相変化量を補正することも可能である。数式
（６） によって位相変化量を求める場合には光量比が
最小となる波長λＭＩＮ がわかれば、最大光量比ＳＭ
ＡＸ ，最小光量比ＳＭＩＮ 自体を求める必要はない
。 【００５９】また、数式（６） によって位相変化量を
求める方法は、次のような点からも有利である。フォト
マスク４の基板は、一般にガラスや合成石英が用いられ
るが、これらの材料は２００ｎｍ 以下の短波長の光で
は透過できない。位相部材の位相変化量がπであるとき
、フーリエ変換面での光量は、前述したように露光波長
λｅ で最小となり、λｅ ／２波長で最大となる。 【００６０】しかるに、露光波長λｅ が４００ｎｍ
以下では、光量比が最大となる波長が２００ｎｍ 以下
となるので、最大光量比ＳＭＡＸ を測定することがで
きず、数式（３） からは位相変化量を求めることがで
きない。これに対し、数式（６） では最大光量比ＳＭ
ＡＸ を測定する必要はなく、露光波長が４００ｎｍ
以下（２００ｎｍ 以上）であっても、位相変化量を求
めることができる。 【００６１】図４は、本発明の第２実施例（請求項２に
対応）による装置の構成を示す図である。本実施例では
、フォトマスク４に照射する光ビームは白色光とし、光
電検出器６，７の前段で白色光を単色光に分離している
。図において、白色光源１から射出されたされた光ビー
ムは、レンズ３で集光されて白色光のままフォトマスク
４に達する。フォトマスク４は図１の場合と同様に、水
平面内で２次元移動可能なステージＲＳに載置されてお
り、検査に先立って、被検査パターン（テストパターン
ＴＰ）と光ビームの照射領域の位置合わせが行なわれる
。被検査パターンは、第１実施例と同じラインアンドス
ペースパターンである。 【００６２】フォトマスク４の被検査パターンを透過し
た光ビームは結像レンズ５に入射し、瞳位置に配置され
たハーフミラー５３で２分割される。ハーフミラー５３
を透過した光ビームは結像レンズ５の結像面に配置され
た光フアイバー９ａの端面に入射し、光ファイバー９ａ
内を通って、分光器２ａに至る。 【００６３】一方、ハーフミラー５３で反射された光ビ
ームは光ファイバー９ｂの端面に入射し、光ファイバー
９ｂ内を通って分光器２ｂに至る。光ファイバー９ｂの
端面に備えられたスリット１０は図１のスリットと同様
に構成されている。分光器２ａ，２ｂはコンピュータ８
に制御されて動作し、入射した白色光を指示された波長
λ１ の単色光とする。 【００６４】分光器２ａ，２ｂによって単色化された光
ビームはそれぞれ光電変換器６，７に入射し、ここで結
像面及びフーリエ変換面での光量に対応する量が検出さ
れる。光電変換器６，７の検出信号は増幅器で増幅され
てコンピュータ８に送られる。コンピューター８では、
波長λ１ での光電検出器６，７からの検出信号の比、
即ち、結像面での光量に対するフーリエ変換面での光量
の比Ｓ１ を求める。 【００６５】コンピューター８は、光電検出器６，７か
らの検出信号を受けた後、分光器２ａ，２ｂにそれぞれ
制御信号を送り、光電検出器６，７に入射する光ビーム
の波長をλ１ からλ２ に変化させる。そして、波長
λ２ での結像面及びフーリエ変換面での光量を光電検
出器６，７で検出する。コンピュータ８では波長λ１
のときと同様に、波長λ２ での光量比Ｓ２ を求める
。 【００６６】このような動作を繰り返し、予め決めた波
長範囲（λ１ 〜λｅ 〜λｎ ）に対応する光量比（
Ｓ１ 〜Ｓｅ 〜Ｓｎ ）を測定しコンピュータ８に記
憶させる。コンピュータ８はこれらの光量比の測定デー
タに基づいて、位相部材による位相変化量を算出する。 コンピュータ８での具体的な演算方法は第１の実施例で
説明した通りである。 【００６７】なお、図では２つの分光器２ａ，２ｂを用
いる構成としているが、光ファイバー９ａ，９ｂを切換
可能に１つの分光器に接続し、光ファイバー９ａからの
光ビームと光ファイバー９ｂからの光ビームを別々に分
光するようにしても良い。 【００６８】次に、再び図１を用いて第３実施例（請求
項３に対応）を説明する。本実施例では、フォトマスク
４に照射する光ビームの波長は、フォトマスクが実際に
用いられる露光装置での露光波長λｅ に固定されてい
る。 【００６９】また、フォトマスク４が載置されているス
テージＲＳは水平面内で二次元移動可能であるだけでな
く、フォトマスク４の被検査パターンの中心を基準とし
てフォトマスク４の光軸に対する傾斜角を調整できるよ
うになっている。図６は本実施例における駆動手段１１
の例を示した概念図である。 【００７０】図６において、フォトマスク４はモータＭ
Ｔ１ によって光軸ＡＸと直交する面内でＸ方向に、不
図示の別のモータでＹ方向に移動される。これにより、
まずテストパターンＴＰの中心を照射光学系の光軸ＡＸ
が通るようにフォトマスク４の水平面内の位置決めが為
される。 【００７１】次いで、テストパターンＴＰの中心を通る
水平面上の直線（図の場合はＹ軸と平行な直線）を回転
軸として、モータＭＴ２ によってフォトマスク４が回
転される。このモータＭＴ２ の回転量によってフォト
マスク４の光軸に対する傾斜角が決まる。 【００７２】図では、テストパターンＴＰの長手方向（
ライアンドスペースパターンの伸長方向）と平行な軸を
回転軸としてフォトマスク４を傾斜させているが、フォ
トマスク４を傾斜させる際の回転軸はテストパターンＴ
Ｐの中心を通る水平面上の直線であれば、テストパター
ンＴＰに平行な直線であっても、テストパターンＴＰと
交差する直線であっても構わない。 【００７３】但し、テストパターンＴＰの中心を基準と
せずに、フォトマスクを傾斜させるとテストパターンの
像の横ずれが生じるので、必ず、回転軸はテストパター
ンＴＰの中心を通る必要がある。 【００７４】図１に戻って、フォトマスク４のテストパ
ターンＴＰとレンズ３からの光ビーム（波長λｅ ）の
照射領域の位置合わせを行ない、更に、フォトマスク４
の光軸に対する傾斜角をθ１ に設定する。 【００７５】テストパターンＴＰを透過した光ビームは
結像レンズ５に入射し、実施例１で説明したと同様にし
て結像面での光量が光電検出器７で、フーリエ変換面で
の光量が光電変換器６で検出され、それぞれの検出信号
はコンピュータ８に送られる。コンピュータ８では光電
変換器６と光電変換器７の検出信号の比をとり、傾斜角
θ１ での光量比Ｓ１ を求める。 【００７６】続いて、コンピュータ８は駆動手段１１に
制御信号を送り、フォトマスク４の傾斜角をθ２ とし
、このときの光量比Ｓ２ を求める。この動作を繰り返
して一定範囲で傾斜角θを変化させながらそれぞれ光量
比を求め、光量比が最小となる傾斜角θＭＩＮ を求め
る。コンピューター８では、この傾斜角θＭＩＮ と予
め記憶されていた位相部材の屈折率ｎを用いて数式（１
３）から、露光光を垂直照明した場合の位相部材による
位相変化量を算出する。 【００７７】回路パターンＲＰとテストパターンＴＰは
同一製造工程で形成されており、両パターンにおける位
相変化量は同等とみなすことができ、上述のようにして
テストパターンＴＰの位相変化量を計測することで回路
パターンＲＰの位相変化量を知ることができる。 【００７８】上記の実施例においてはテストパターンＴ
Ｐはフォトマスク４の中央部に１つだけ設けてあるが、
テストパターンＴＰを設ける位置は特に限定されるもの
ではない。複数のテストパターンＴＰをフォトマスク４
の各領域に設ければ、位相部材による位相変化量の誤差
分布を検知することもできる。 【００７９】また、特にテストパターンＴＰを設けなく
とも、回路パターンＲＰの一部を被検査パターンとして
も良いことは言うまでもない。なお、被検査パターンの
透明部Ａと位相部材付加部Ｂとの面積比は１：１に限ら
れるものではなく、例えば１：２〜２：１程度であって
も構わない。 【００８０】また上記においては露光装置とは別の独立
した検査装置として説明したが、例えば第３実施例の場
合、検査用の照明光は露光波長に限定するので、本発明
の検査装置を露光装置に組み込むようにしても良い。 【００８１】照射光学系については特に詳述しなかった
が、クリティカル照明を採用してもケーラー照明を採用
しても良い。照射領域の大きさや形状については固定で
も構わないが、被検査パターン以外のパターンから生じ
る回折光や散乱光の影響を避けるために、フォトマスク
４とほぼ共役な面内に視野絞りを配置し、被検査パター
ンの大きさや形状に応じて開口を調節することが好まし
い。照射光学系の開口数ＮＡについては、小さい方が良
いが、フォトマスク４が用いられる露光装置の開口数と
等しくしても良い。 【００８２】なお、上記においては、フォトマスクを透
過した光ビームを直接受光する構成を取っているが、図
７に示されるように、透過光を反射させて受光する構成
としても良い。 【００８３】図７において、照射光学系（図示せず）か
らの光ビームは、ハーフミラー６０を透過し、透明基板
４０の透明部Ａと位相部材４２が付加された位相部材付
加部Ｂをそれぞれ通り、結像レンズ５０ａ，５０ｂを介
して高反射ミラーＭＲに至る。透明部Ａからの光ビーム
は高反射ミラーＭＲのＡ’で、位相部材付加部Ｂからの
光ビームは高反射ミラーＭＲのＢ’で反射され、再び同
じ光路を通って（透明部Ａからの光ビームは再度透明部
Ａを通り、位相部材付加部Ｂからの光ビームは再度位相
部材付加部Ｂを通る）、ハーフミラー６０で反射され、
結像レンズ５０ｃ，５０ｄに入射される。そして、結像
レンズ５０ｃ，５０ｄによって、透明部Ａの像がＡ”に
、位相部材付加部Ｂの像がＢ”に結ばれる。 【００８４】このような構成においては、光ビームが位
相部材４２を２回通ることになるので、結像面Ｐ２ と
フーリエ変換面Ｐ１ での光量比の変化量が２倍となり
、測定感度が向上する。なお、この場合には、光量比が
最大波長に対する露光波長を求めることになる。 【００８５】 【発明の効果】以上のように、本発明においては、被検
査パターンの透明部を透過した光ビームと位相部材付加
部を透過した光ビームの干渉に起因するフーリエ変換面
での光量変化を、結像面での光量を基準として検出し、
光量比の検出結果に基づいて位相部材の所定波長におけ
る位相変化量を求めるので、位相部材の膜厚，屈折率を
そのつど測定する必要がなく、簡易かつ高速に位相部材
の正確な位相変化量を計測することができる。また、フ
ォトマスクの基板と位相部材の屈折率差がほとんどなく
とも位相変化量の測定において何等支障をきたさない。 【００８６】また、本発明では、透明部と位相部材を透
過した２光束の干渉が照射光の波長（又はフォトマスク
の傾斜角）により異なることを利用しているので、被検
査パターンの透明部又は位相部材の面積比が厳密に等し
い必要がなく、被検査パターンの制約が少ない。 【００８７】更に、計測に使用する波長範囲で、位相部
材による光の吸収があるような場合でも、本発明ではフ
ーリエ変換面と結像面の２箇所で光量を測定し、その光
量比を求めるので、位相部材での光の吸収が測定誤差に
直接結びつかず高精度に位相変化量を求めることができ
る。
【図１】本発明第１実施例及び第３実施例にかかるフォ
トマスク装置の構成図である。
トマスク装置の構成図である。
【図２】本発明の原理を説明図するための概念図である
。
。
【図３】波長による光量比の変化の様子を示す線図であ
る。
る。
【図４】本発明第２実施例によるフォトマスク検査装置
の構成図である。
の構成図である。
【図５】本発明におけるフオトマスクの例を示す平面図
である。
である。
【図６】第３実施例における駆動手段の例を示す概念図
である。
である。
【図７】本発明の実施例の変形例を示す構成図である。
１ 白色光源
２，２ａ，２ｂ 分光器
４ フォトマスク
４１ 遮光部
４２ 位相部材
５ 結像光学系
５３ ハーフミラー
６，７ 光電検出器
８ コンピュータ
９ａ，９ｂ 光ファイバー
１０ スリット
１１ 駆動手段
Claims (7)
- 【請求項１】 所定波長の光ビームに対してほぼ透明
な基板に幾何学的な原画パターンを有し、該原画パター
ンの少なくとも一部に前記透明基板を透過する光ビーム
の位相を変化させる位相部材を備えたフォトマスクを検
査対象とし、前記フォトマスクの被検査パターンに、所
定の波長範囲で波長を変化させながら単色光又は準単色
光を照射する照射光学系と、該照射光学系からの照射光
による前記フォトマスクの被検査パターンの像を所定の
基準平面内に結像する検出光学系と、前記フォトマスク
の被検査パターンを透過した前記照射光の、前記基準平
面での光量と前記被検査パターンのフーリエ変換面での
光量に対応する量とを、前記所定範囲の各波長毎に検出
する光量検出手段とを備えたことを特徴とするフォトマ
スク検査装置。 - 【請求項２】 所定波長の光ビームに対してほぼ透明
な基板に幾何学的な原画パターンを有し、該原画パター
ンの少なくとも一部に前記透明基板を透過する光ビーム
の位相を変化させる位相部材を備えたフォトマスクを検
査対象とし、前記フォトマスクの被検査パターンに、所
定の波長範囲を含む多波長光を照射する照射光学系と、
該照射光学系からの照射光による前記フォトマスクの被
検査パターンの像を所定の基準平面内に結像する検出光
学系と、前記フォトマスクの被検査パターンを透過した
前記照射光を単色光又は準単色光に分離する分光手段と
、前記フォトマスクの被検査パターンを透過した前記照
射光の、前記基準平面での光量と前記被検査パターンの
フーリエ変換面での光量に対応する量とを、前記所定範
囲の各波長毎に検出する光量検出手段とを備えたことを
特徴とするフォトマスク検査装置。 - 【請求項３】 所定波長の光ビームに対してほぼ透明
な基板に幾何学的な原画パターンを有し、該原画パター
ンの少なくとも一部に前記透明基板を透過する光ビーム
の位相を変化させる位相部材を備えたフォトマスクを検
査対象とし、前記フォトマスクの被検査パターンに、単
色光又は準単色光を照射する照射光学系と、前記照射光
学系からの照射光による前記フォトマスクの被検査パタ
ーンの像を所定の基準平面内に結像する検出光学系と、
前記フォトマスクの被検査パターンを透過した前記照射
光の、前記基準平面での光量と前記被検査パターンのフ
ーリエ変換面での光量に対応する量とを検出する光量検
出手段と、前記被検査パターンの中心を基準として前記
照射光学系の光軸に対して前記フォトマスクを傾斜させ
る傾斜手段とを備えたことを特徴とするフォトマスク検
査装置。 - 【請求項４】 前記被検査パターンの透明部と位相部
材との面積比がほぼ１対１であることを特徴とする請求
項１乃至３記載のフォマスク検査装置。 - 【請求項５】 前記光量検出手段は、前記基準平面で
の光量に対する前記被検査パターンのフーリエ変換面で
の光量の比の最小値，最大値、及び前記所定波長での光
量比に基いて、前記所定波長における前記位相部材によ
る位相変化量を算出する演算手段を備えたことを特徴と
する請求項１又は２記載のフォトマスク検査装置。 - 【請求項６】 前記光量検出手段は、前記基準平面で
の光量に対する前記被検査パターンのフーリエ変換面で
の光量の比が最小値をとるときの前記照射光の波長と前
記所定波長との比に基いて、前記所定波長における前記
位相部材による位相変化量を算出する演算手段とを備え
たことを特徴とする請求項１又は２記載のフォトマスク
検査装置。 - 【請求項７】 前記光量検出手段は、前記基準平面で
の光量に対する前記被検査パターンのフーリエ変換面で
の光量の比が最小値をとるときの前記傾斜手段による傾
斜量に基いて、前記所定波長における前記位相部材によ
る位相変化量を算出する演算手段を備えたことを特徴と
する請求項３記載のフォトマスク検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2415192A JPH04229864A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | フォトマスク検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2415192A JPH04229864A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | フォトマスク検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04229864A true JPH04229864A (ja) | 1992-08-19 |
Family
ID=18523582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2415192A Pending JPH04229864A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | フォトマスク検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04229864A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006090728A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Nec Corp | 光検査方法及び光検査装置並びに光検査システム |
| JP2008076379A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-04-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 溝パターンの深さの測定方法および測定装置 |
| CN101995776A (zh) * | 2009-08-20 | 2011-03-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备和器件制造方法 |
| WO2019225360A1 (ja) * | 2018-05-22 | 2019-11-28 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | フォトマスク検査装置およびフォトマスク検査方法 |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP2415192A patent/JPH04229864A/ja active Pending
Cited By (7)
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| KR100745643B1 (ko) * | 2004-09-21 | 2007-08-02 | 닛본 덴끼 가부시끼가이샤 | 광학 검사 장치 및 광학 검사 방법 |
| US7423745B2 (en) | 2004-09-21 | 2008-09-09 | Nec Corporation | Optical inspection apparatus and optical inspection method |
| JP4645113B2 (ja) * | 2004-09-21 | 2011-03-09 | 日本電気株式会社 | 光検査方法及び光検査装置並びに光検査システム |
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