JP7469867B2 - エリプソメータ及び半導体装置の検査装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 25
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 13
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 121
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 104
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 claims description 40
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 35
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 39
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 36
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000000391 spectroscopic ellipsometry Methods 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
- G01N21/211—Ellipsometry
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
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- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
- G02B27/286—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising for controlling or changing the state of polarisation, e.g. transforming one polarisation state into another
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
- G01N21/211—Ellipsometry
- G01N2021/213—Spectrometric ellipsometry
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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Description
実施形態1に係るエリプソメータを説明する。図1は、実施形態1に係るエリプソメータを例示した構成図である。図1に示すように、エリプソメータ1は、照明光学系10、集光光学系20、偏光光学素子30、受光光学系40を備えている。エリプソメータ1は、照明光L1が試料50で反射した反射光R1を受光して、エリプソメトリ係数Ψ及びΔを測定する。
次に、実施形態2に係るエリプソメータを説明する。本実施形態のエリプソメータ2では、偏光子18、ノマルスキープリズム32、検光子44が4分割されている。図7は、実施形態2に係るエリプソメータを例示した構成図である。図7に示すように、エリプソメータ2は、実施形態1のエリプソメータ1と、偏光子18、ノマルスキープリズム32、検光子44が異なっている。
次に、実施形態3に係るエリプソメータを説明する。図11は、実施形態3に係るエリプソメータを例示した構成図である。図11に示すように、エリプソメータ3は、モノクロメータを備えていない。これ以外の構成は、実施形態2のエリプソメータ2の構成と同様である。
次に、実施形態4に係るエリプソメータを説明する。本実施形態のエリプソメータは、受光光学系40において、検光子41の代わりに、偏光ビームスプリッタ45を配置する。以下、図面を参照して説明する。
次に、実施形態5に係るエリプソメータを説明する。本実施形態のエリプソメータは、実施形態4における偏光ビームスプリッタの代わりに、2つの三角柱を接合させた偏光ビームスプリッタを用いている。
次に、実施形態6に係るエリプソメータを説明する。本実施形態のエリプソメータは、照明光を斜入射させる。そして、試料を点照明し、対物レンズの瞳位置に画像検出器を配置する。
次に、実施形態7に係るエリプソメータを説明する。本実施形態のエリプソメータは、照明レンズで、面照射し、試料上の広がりを持った領域を測定する。図19は、実施形態7に係るエリプソメータを例示した構成図である。
次に、実施形態8に係るエリプソメータを説明する。本実施形態のエリプソメータは、瞳空間にノマルスキープリズムを配置する代わりに、像空間にビームディスプレーサ(beam displacer)を配置する。瞳空間は、試料50上の1点を照明した照明光の反射光が平行になる空間であり、像空間は、反射光が集光/拡散する空間である。
次に、実施形態9に係る半導体装置の検査装置を説明する。本実施形態の半導体装置の検査装置は、実施形態1~8に記載のエリプソメータを備えている。よって、本実施形態の半導体装置の検査装置は、半導体装置の検査に要する時間を短縮することができる。また、検査精度を向上させることができる。さらに、半導体装置のサイズの縮小化に貢献する。これ以外の構成及び効果は、実施形態1~8の記載に含まれている。
10 照明光学系
11 光源
12 モノクロメータ
13 ファイバー
14 照明レンズ
15、18 偏光子
18a、18b、18c、18d 分割片
16 ビームスプリッタ
17 対物レンズ
19a 瞳位置
19b 瞳共役位置
20 集光光学系
21、22 リレーレンズ
23 集光レンズ
30 偏光光学素子
31、32 ノマルスキープリズム
32a、32b、32c、32d 分割片
33 ビームディスプレーサ
40 受光光学系
41、44 検光子
42、42a、42b 画像検出器
43 画像処理部
44a、44b、44c、44d 分割片
45 偏光ビームスプリッタ
46、47 三角柱
46a、46b、46c、47a、47b、47c 側面
50 試料
52 像位置
L1 照明光
R1 反射光
Claims (17)
- 直線偏光を含む照明光が試料で反射した反射光を、互いに直交する偏光方向の2つの直線偏光に分離する偏光光学素子と、
各前記偏光方向と異なる方向における前記2つの直線偏光の成分を干渉させた干渉縞からエリプソメトリ係数を算出する受光光学系と、
を備え、
前記受光光学系は、
前記干渉縞を検出する画像検出器と、
前記干渉縞から前記エリプソメトリ係数を直接算出する画像処理部と、
を有し、
前記エリプソメトリ係数は、前記2つの直線偏光の強度の比と位相差であり、
前記偏光光学素子は、ノマルスキープリズムのみであり、
前記ノマルスキープリズムである前記偏光光学素子は、分離させた前記2つの直線偏光を、前記画像検出器上で同一点となるように偏向して出射させる、エリプソメータ。 - 照明光を生成する光源と、
前記光源から生成された前記照明光が入射され、一方向の直線偏光を含む前記照明光を透過させる偏光子と、
前記直線偏光を含む前記照明光で前記試料を照明するとともに、前記照明光が前記試料で反射した前記反射光を透過させる対物レンズと、
をさらに備える、
請求項1に記載のエリプソメータ。 - 前記試料に入射する前記照明光の光軸、及び、前記試料で反射した前記反射光の光軸は、前記試料に対して直交する、
請求項2に記載のエリプソメータ。 - 前記対物レンズは、前記照明光を点状に集光させて前記試料を照明し、
前記画像検出器は、前記対物レンズの瞳位置と共役な瞳共役位置に配置された、
請求項2または3に記載のエリプソメータ。 - 照明光を生成する光源と、
前記光源から生成された前記照明光が入射され、一方向の直線偏光を含む前記照明光を透過させる偏光子と、
前記直線偏光を含む前記照明光で前記試料を照明する照明レンズと、
前記照明光が前記試料で反射した前記反射光を透過させる集光レンズと、
をさらに備える、
請求項1に記載のエリプソメータ。 - 前記試料に入射する前記照明光の光軸、及び、前記試料で反射した前記反射光の光軸は、前記試料に対して傾斜した、
請求項5に記載のエリプソメータ。 - 前記照明レンズは、前記照明光を点状に集光させて前記試料を照明し、
前記画像検出器は、前記集光レンズの瞳位置に配置された、
請求項5または6に記載のエリプソメータ。 - 前記照明レンズは、前記照明光を前記試料における所定の広がりを有する領域に集光させて前記試料を照明し、
前記画像検出器は、前記試料の像位置に配置された、
請求項5または6に記載のエリプソメータ。 - 前記受光光学系は、各前記偏光方向と45[deg]傾いた方向における前記2つの直線偏光の成分を透過させる検光子をさらに有し、
前記画像検出器は、前記検光子を透過した各前記成分の前記干渉縞を検出する、
請求項2~8のいずれか1項に記載のエリプソメータ。 - 前記受光光学系は、各前記偏光方向と異なる方向における前記2つの直線偏光の成分を反射させるとともに、前記異なる方向と直交した方向における前記2つの直線偏光の成分を透過させる偏光ビームスプリッタを有し、
前記画像検出器は、
前記偏光ビームスプリッタで反射した各前記成分の前記干渉縞を検出する第1画像検出器と、
前記偏光ビームスプリッタを透過した各前記成分の前記干渉縞を検出する第2画像検出器と、
を含む、
請求項2~8のいずれか1項に記載のエリプソメータ。 - 前記受光光学系は、各前記偏光方向と異なる方向における前記2つの直線偏光の成分を反射させるとともに、前記異なる方向に直交した方向における前記2つの直線偏光の成分を透過させる偏光ビームスプリッタを有し、
前記偏光ビームスプリッタは、反射させた前記各成分及び透過させた前記各成分を同じ前記画像検出器上に出射する、
請求項2~8のいずれか1項に記載のエリプソメータ。 - 前記ノマルスキープリズムは、前記反射光の光軸に直交する面内で、前記光軸の周り1回転の回転角を等分割した中心角を有する扇型状の複数の分割片を含み、
各前記分割片は、各前記中心角の二等分線に直交する方向に、前記2つの直線偏光を分離する、
請求項1~11のいずれか1項に記載のエリプソメータ。 - 前記照明光は、単色光である、
請求項1~12のいずれか1項に記載のエリプソメータ。 - 前記照明光は、白色光であり、
前記受光光学系は、
前記干渉縞を検出する画像検出器と、
前記干渉縞をフーリエ変換し、前記フーリエ変換された前記干渉縞から前記エリプソメトリ係数を算出する画像処理部と、
を有する、
請求項1~12のいずれか1項に記載のエリプソメータ。 - 前記直線偏光を含む照明光は、完全偏光の直線偏光である、
請求項1~14のいずれか1項に記載のエリプソメータ。 - 前記直線偏光を含む照明光は、完全偏光の楕円偏光を含む、
請求項1~14のいずれか1項に記載のエリプソメータ。 - 請求項1~16のいずれか1項に記載の前記エリプソメータを備えた半導体装置の検査装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019212990A JP7469867B2 (ja) | 2019-11-26 | 2019-11-26 | エリプソメータ及び半導体装置の検査装置 |
KR1020200018249A KR20210065007A (ko) | 2019-11-26 | 2020-02-14 | 타원 분광기 및 반도체 장치의 검사 장치 |
US17/036,185 US11193882B2 (en) | 2019-11-26 | 2020-09-29 | Ellipsometer and inspection device for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019212990A JP7469867B2 (ja) | 2019-11-26 | 2019-11-26 | エリプソメータ及び半導体装置の検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021085698A JP2021085698A (ja) | 2021-06-03 |
JP7469867B2 true JP7469867B2 (ja) | 2024-04-17 |
Family
ID=76088822
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019212990A Active JP7469867B2 (ja) | 2019-11-26 | 2019-11-26 | エリプソメータ及び半導体装置の検査装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7469867B2 (ja) |
KR (1) | KR20210065007A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7420667B2 (ja) | 2020-07-03 | 2024-01-23 | 三星電子株式会社 | エリプソメータ及び半導体装置の検査装置 |
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2019
- 2019-11-26 JP JP2019212990A patent/JP7469867B2/ja active Active
-
2020
- 2020-02-14 KR KR1020200018249A patent/KR20210065007A/ko not_active Application Discontinuation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210065007A (ko) | 2021-06-03 |
JP2021085698A (ja) | 2021-06-03 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230531 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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