JP3336358B2 - フォトマスク検査装置及び方法並びに位相変化量測定装置 - Google Patents
フォトマスク検査装置及び方法並びに位相変化量測定装置Info
- Publication number
- JP3336358B2 JP3336358B2 JP31030691A JP31030691A JP3336358B2 JP 3336358 B2 JP3336358 B2 JP 3336358B2 JP 31030691 A JP31030691 A JP 31030691A JP 31030691 A JP31030691 A JP 31030691A JP 3336358 B2 JP3336358 B2 JP 3336358B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- phase
- slit
- double
- photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Description
【０００１】本発明は、被検物体に設けられた光の位相
を変化させる位相部材の位相変化量を測定する位相変化
量測定装置に関するものであり、例えば、半導体等の回
路パターンを基板（ウエハ）に転写する際に、投影原版
（マスク、あるいはレチクル）として使用されるフォト
マスクに設けられた光位相部材の位相変化量を測定する
装置に関するものである。
を変化させる位相部材の位相変化量を測定する位相変化
量測定装置に関するものであり、例えば、半導体等の回
路パターンを基板（ウエハ）に転写する際に、投影原版
（マスク、あるいはレチクル）として使用されるフォト
マスクに設けられた光位相部材の位相変化量を測定する
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体回路をウエハ上に投影露光して転
写する際に、原版として用いられるフォトマスクは、一
般的に、ガラス基板上にクロム（Ｃｒ）等の金属による
遮光パターンが形成された構造をなしている。しかし、
このような構造のフォトマスクでは、回路パターンが微
細化すると、光の回折・干渉現象のためにウエハ上での
投影像の十分なコントラストを得ることができないとい
う問題があり、近年、フォトマスクの透過部（裸面部）
の特定の箇所に位相部材（位相シフト部）を付加し、こ
れの透過光の位相を部分的に変化させることにより、投
影像のコントラストを高める位相シフト型のフォトマス
クが種々提案されている。例えば、特公昭６２−５０８
１１号公報には、空間周波数変調型のフォトマスクに関
する技術が開示されている。
写する際に、原版として用いられるフォトマスクは、一
般的に、ガラス基板上にクロム（Ｃｒ）等の金属による
遮光パターンが形成された構造をなしている。しかし、
このような構造のフォトマスクでは、回路パターンが微
細化すると、光の回折・干渉現象のためにウエハ上での
投影像の十分なコントラストを得ることができないとい
う問題があり、近年、フォトマスクの透過部（裸面部）
の特定の箇所に位相部材（位相シフト部）を付加し、こ
れの透過光の位相を部分的に変化させることにより、投
影像のコントラストを高める位相シフト型のフォトマス
クが種々提案されている。例えば、特公昭６２−５０８
１１号公報には、空間周波数変調型のフォトマスクに関
する技術が開示されている。
【０００３】このような位相シフト型フォトマスクで
は、位相部材の位相変化量を正確に制御して製造するこ
とが極めて重要であるため、遮光パターンの欠損の有無
の他に、位相部材の位相変化量を検査することが必要で
ある。そこで、従来においては、薄膜表面と基板・薄膜
界面との多重反射を利用して薄膜の膜厚や屈折率を測定
するエリプソメーター等を用いて位相部材の位相変化量
を求めていた。
は、位相部材の位相変化量を正確に制御して製造するこ
とが極めて重要であるため、遮光パターンの欠損の有無
の他に、位相部材の位相変化量を検査することが必要で
ある。そこで、従来においては、薄膜表面と基板・薄膜
界面との多重反射を利用して薄膜の膜厚や屈折率を測定
するエリプソメーター等を用いて位相部材の位相変化量
を求めていた。
【０００４】つまり、位相部材（主にＳｉＯ2 の膜等か
らなる）による位相変化量φの測定は、まず位相部材の
厚さｔと、フォトマスクが実際のリソグラフィー工程で
用いられる際の露光波長λにおける位相部材の屈折率ｎ
とをそれぞれ求め、以下の数式１により計算していた。
らなる）による位相変化量φの測定は、まず位相部材の
厚さｔと、フォトマスクが実際のリソグラフィー工程で
用いられる際の露光波長λにおける位相部材の屈折率ｎ
とをそれぞれ求め、以下の数式１により計算していた。
【０００５】
【数１】φ＝２π（ｎ−１）ｔ／λ ・・・・・ （１）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
位相シフト型フォトマスクの検査に用いられるエリプソ
メーターは、上述したように、薄膜表面と基板・薄膜界
面との多重反射を利用して薄膜の膜厚や屈折率の測定を
行うことができるものの、位相部材の位相変化量φを求
める場合、位相部材の厚さｔのみならず、成膜条件によ
って変化する位相部材の屈折率ｎをその都度計測する必
要があり、迅速なる位相変化量φを検出することが困難
である。しかも、基板と薄膜の屈折率差が小さい場合に
は、位相変化量の計測が非常に困難である。しかも、両
者の屈折率が等しい場合には、界面での反射光の強度が
零となるため、位相変化量の計測が不可能となる。
位相シフト型フォトマスクの検査に用いられるエリプソ
メーターは、上述したように、薄膜表面と基板・薄膜界
面との多重反射を利用して薄膜の膜厚や屈折率の測定を
行うことができるものの、位相部材の位相変化量φを求
める場合、位相部材の厚さｔのみならず、成膜条件によ
って変化する位相部材の屈折率ｎをその都度計測する必
要があり、迅速なる位相変化量φを検出することが困難
である。しかも、基板と薄膜の屈折率差が小さい場合に
は、位相変化量の計測が非常に困難である。しかも、両
者の屈折率が等しい場合には、界面での反射光の強度が
零となるため、位相変化量の計測が不可能となる。
【０００７】一方、半導体回路パターンの微細化に伴っ
てフォトリソグラフィーにおける光源は短波長化してお
り、今後は遠紫外線の光源が主流になるものと予想され
る。ところが、紫外線に対して高い透過率特性を持つ材
料は少ないため、位相部材とフォトマスクの基板は共に
石英ガラスで形成ことが考えられる。この場合、両者の
屈折率は等しくなるので、上述したエリプソメーターを
利用した位相部材の位相変化量の計測が不可能となる。
てフォトリソグラフィーにおける光源は短波長化してお
り、今後は遠紫外線の光源が主流になるものと予想され
る。ところが、紫外線に対して高い透過率特性を持つ材
料は少ないため、位相部材とフォトマスクの基板は共に
石英ガラスで形成ことが考えられる。この場合、両者の
屈折率は等しくなるので、上述したエリプソメーターを
利用した位相部材の位相変化量の計測が不可能となる。
【０００８】また、位相シフト型フォトマスクにおける
位相部材は、上記した数式１で表される位相変化量φが
πとなるように位相部材の屈折率ｎ、厚さｔを制御する
わけであるが、フォトマスクに位相部材を成膜する条件
（例えば位相部材を形成する場合、温度・圧力・組成等
の条件）によって屈折率ｎが微妙に変化し、位相部材の
厚さｔについても実際の製造工程でばらつきがでる。
位相部材は、上記した数式１で表される位相変化量φが
πとなるように位相部材の屈折率ｎ、厚さｔを制御する
わけであるが、フォトマスクに位相部材を成膜する条件
（例えば位相部材を形成する場合、温度・圧力・組成等
の条件）によって屈折率ｎが微妙に変化し、位相部材の
厚さｔについても実際の製造工程でばらつきがでる。
【０００９】例えば、露光波長λを365nm 、位相部材の
屈折率ｎを1.5 、位相変化量の許容誤差を10°までとす
ると、上記の数式１より位相部材の厚さｔは±20nm以内
となるが、この許容誤差範囲内に位相部材の厚さを制御
して製造することは、現在の技術水準では極めて困難で
ある。このため、位相部材が所定の設計値どおりに構成
されているか位相部材の位相変化量φを効率良く測定す
ることが切望されている。
屈折率ｎを1.5 、位相変化量の許容誤差を10°までとす
ると、上記の数式１より位相部材の厚さｔは±20nm以内
となるが、この許容誤差範囲内に位相部材の厚さを制御
して製造することは、現在の技術水準では極めて困難で
ある。このため、位相部材が所定の設計値どおりに構成
されているか位相部材の位相変化量φを効率良く測定す
ることが切望されている。
【００１０】本発明は、上記の問題点に鑑みてならされ
たものであり、位相部材の屈折率差によらず、位相部材
の位相変化量を精度良く迅速に計測可能な位相変化量測
定装置を提供することを目的としている。
たものであり、位相部材の屈折率差によらず、位相部材
の位相変化量を精度良く迅速に計測可能な位相変化量測
定装置を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による位相変化量
測定装置は、上記の目的を達成するために、例えば図１
に示す如く、コヒーレントな平行光ＬC を供給する平行
光供給手段（１，２，３，４，５）と、その平行光供給
手段（１，２，３，４，５）からの平行光ＬC によっ
て、被検物体（９）に所定の間隔で２つのスリット状の
光を形成する２重スリット光形成手段（６，７，８）
と、その２重スリット光形成手段（６，７）により被検
物体９を介した光Ｌ１，Ｌ２によって被検物体９のフー
リエ面ＦＰ上に形成されるフーリエ像を検出する検出手
段（１３）とを有するようにしたものである。
測定装置は、上記の目的を達成するために、例えば図１
に示す如く、コヒーレントな平行光ＬC を供給する平行
光供給手段（１，２，３，４，５）と、その平行光供給
手段（１，２，３，４，５）からの平行光ＬC によっ
て、被検物体（９）に所定の間隔で２つのスリット状の
光を形成する２重スリット光形成手段（６，７，８）
と、その２重スリット光形成手段（６，７）により被検
物体９を介した光Ｌ１，Ｌ２によって被検物体９のフー
リエ面ＦＰ上に形成されるフーリエ像を検出する検出手
段（１３）とを有するようにしたものである。
【００１２】また、本発明の位相変化量測定装置は、例
えば図７に示す如く、コヒーレントな平行光を供給する
平行光供給手段（１，２，３，４，５）と、その平行光
供給手段（１，２，３，４，５）からの平行光ＬC によ
って照明された被検物体９からの光を所定の間隔の２つ
のスリット状の光に形成する２重スリット光形成手段
（６，７，８）と、その２重スリット光形成手段を介し
た光Ｌ１，Ｌ２によって被検物体９のフーリエ面ＦＰ上
に形成されるフーリエ像を検出する検出手段（１３）と
を有するようにしても良い。
えば図７に示す如く、コヒーレントな平行光を供給する
平行光供給手段（１，２，３，４，５）と、その平行光
供給手段（１，２，３，４，５）からの平行光ＬC によ
って照明された被検物体９からの光を所定の間隔の２つ
のスリット状の光に形成する２重スリット光形成手段
（６，７，８）と、その２重スリット光形成手段を介し
た光Ｌ１，Ｌ２によって被検物体９のフーリエ面ＦＰ上
に形成されるフーリエ像を検出する検出手段（１３）と
を有するようにしても良い。
【００１３】
【作用】本発明による位相変化量測定装置の原理につい
て図５及び図６を参照しながら詳述する。図５に示す如
く、検出用対物レンズＯＬの前側（光源側）焦点位置に
は、紙面に対し垂直な方向に長手方向を持つ２つのスリ
ット（長方形状の開口部）を有する２重スリット板ＳＬ
が配置されており、対物レンズＯＬの後側（検出側）焦
点位置（２重スリット板ＳＬのフーリエ変換面ＦＰ位
置）には、検出器Ｄが配置されている。
て図５及び図６を参照しながら詳述する。図５に示す如
く、検出用対物レンズＯＬの前側（光源側）焦点位置に
は、紙面に対し垂直な方向に長手方向を持つ２つのスリ
ット（長方形状の開口部）を有する２重スリット板ＳＬ
が配置されており、対物レンズＯＬの後側（検出側）焦
点位置（２重スリット板ＳＬのフーリエ変換面ＦＰ位
置）には、検出器Ｄが配置されている。
【００１４】そして、２重スリット板ＳＬに対し、平行
光束供給手段（照明光学系）によってコヒーレントな平
行光束ＬC を照射すると、この２重スリット板ＳＬを通
過した回折光は、対物レンズＯＬにより集光されて、こ
の検出用対物レンズＯＬの瞳面ＦＰ（フーリエ変換面）
上にはフーリエ像としての干渉縞ＩＦ1 が形成される。
光束供給手段（照明光学系）によってコヒーレントな平
行光束ＬC を照射すると、この２重スリット板ＳＬを通
過した回折光は、対物レンズＯＬにより集光されて、こ
の検出用対物レンズＯＬの瞳面ＦＰ（フーリエ変換面）
上にはフーリエ像としての干渉縞ＩＦ1 が形成される。
【００１５】ここで、回折光Ｌ1', Ｌ2'の回折角θと
し、フーリエ変換面ＦＰ上での座標をξ＝sin θとする
と、点線で示す如き各開口部からの回折光Ｌ1', Ｌ2'に
よって両者の光路長差が回折光の波長λの整数倍、即ち
ｍλ（ｍ：整数）となる場合に、フーリエ変換面ＦＰ上
では強め合う干渉縞ＩＦ1 が形成される。この時、回折
光Ｌ1', Ｌ2'による光路長差をδ、２重スリット板ＳＬ
のスリット中心間の距離をｄとするとき、以下の数式２
の如き関係が成立する。
し、フーリエ変換面ＦＰ上での座標をξ＝sin θとする
と、点線で示す如き各開口部からの回折光Ｌ1', Ｌ2'に
よって両者の光路長差が回折光の波長λの整数倍、即ち
ｍλ（ｍ：整数）となる場合に、フーリエ変換面ＦＰ上
では強め合う干渉縞ＩＦ1 が形成される。この時、回折
光Ｌ1', Ｌ2'による光路長差をδ、２重スリット板ＳＬ
のスリット中心間の距離をｄとするとき、以下の数式２
の如き関係が成立する。
【００１６】
【数２】δ＝ｄsin θ＝ｍλ ・・・・・ （２） 一方、図６は図５の２重スリット板ＳＬの一方のスリッ
トの対物レンズＯＬ側近傍に位相物体ＰＯを配置した様
子を示しており、２重スリット板ＳＬの対物レンズ側近
傍の位置Ｏは被検面を示している。
トの対物レンズＯＬ側近傍に位相物体ＰＯを配置した様
子を示しており、２重スリット板ＳＬの対物レンズ側近
傍の位置Ｏは被検面を示している。
【００１７】図６に示す如く、２重スリット板ＳＬの一
方のスリットに位相物体ＰＯが配置されると、点線で示
す如き各スリットからの回折光Ｌ1', Ｌ2'による干渉縞
ＩＦ2 は、位相物体ＰＯの位相変化量に応じて図５の干
渉縞ＩＦ1 に対し横方向にΔだけずれる。この時、回折
光Ｌ1', Ｌ2'とによる光路長差δ’には、位相物体ＰＯ
の位相変化量ψ、２重スリット板ＳＬの一方の開口部に
位相物体ＰＯを配置した時の回折角をθ’とするとき、
以下の数式３の如き関係が成立する。
方のスリットに位相物体ＰＯが配置されると、点線で示
す如き各スリットからの回折光Ｌ1', Ｌ2'による干渉縞
ＩＦ2 は、位相物体ＰＯの位相変化量に応じて図５の干
渉縞ＩＦ1 に対し横方向にΔだけずれる。この時、回折
光Ｌ1', Ｌ2'とによる光路長差δ’には、位相物体ＰＯ
の位相変化量ψ、２重スリット板ＳＬの一方の開口部に
位相物体ＰＯを配置した時の回折角をθ’とするとき、
以下の数式３の如き関係が成立する。
【００１８】
【数３】 δ’＝ｄsin θ’＝ｍλ＋ψλ／（２π） ・・・・・ （３） 従って、位相物体ＰＯの位相変化量ψは、数式３と数式
２との差より定量的に求められ、sin θ’−sin θを
Δ、フーリエ変換面上に形成される干渉縞のピッチをＰ
（＝λ／ｄ）とすると、以下の数式４の如くなる。
２との差より定量的に求められ、sin θ’−sin θを
Δ、フーリエ変換面上に形成される干渉縞のピッチをＰ
（＝λ／ｄ）とすると、以下の数式４の如くなる。
【００１９】
【数４】 Δ＝ψλ／（２πｄ）＝ψＰ／（２π） ・・・・・ （４） この数式４を変形すれば以下の数式５の如くなる。
【００２０】
【数５】 ψ＝２πｄΔ／λ＝２πΔ／Ｐ ・・・・・ （５） 以上の如く、２重スリット板ＳＬの近傍の位相物体ＰＯ
によるフーリエ像（干渉縞）の横ずれ量Δを検出器Ｄに
よって検出すれば、上記の数式５に基づいて位相物体Ｐ
Ｏの位相変化量ψを定量的に求めることができる。
によるフーリエ像（干渉縞）の横ずれ量Δを検出器Ｄに
よって検出すれば、上記の数式５に基づいて位相物体Ｐ
Ｏの位相変化量ψを定量的に求めることができる。
【００２１】なお、図６では、位相物体ＰＯの被検面Ｏ
は２重スリット板ＳＬの検出側近傍としているが、原理
的には、これを２重スリット板ＳＬの光源側近傍として
も良い。また、フーリエ面ＦＰを形成するために対物レ
ンズＯＬを図２及び図３では設けているが、被検面Ｏに
対して検出器Ｄが十分に離れて配置されていれば、この
検出器Ｄにて実質的なフーリエ像を検出することができ
る。
は２重スリット板ＳＬの検出側近傍としているが、原理
的には、これを２重スリット板ＳＬの光源側近傍として
も良い。また、フーリエ面ＦＰを形成するために対物レ
ンズＯＬを図２及び図３では設けているが、被検面Ｏに
対して検出器Ｄが十分に離れて配置されていれば、この
検出器Ｄにて実質的なフーリエ像を検出することができ
る。
【００２２】さらに、図５及び図６では、位相物体ＰＯ
の位相変化量を検出するために２重スリット板ＳＬを用
いているが、本発明は２重スリットの干渉の原理を利用
しているため、２つの微小開口を持つ２重ピンホール板
としても良い。
の位相変化量を検出するために２重スリット板ＳＬを用
いているが、本発明は２重スリットの干渉の原理を利用
しているため、２つの微小開口を持つ２重ピンホール板
としても良い。
【００２３】
【実施例】図１は本発明の第１実施例による位相シフト
型フォトマスクの検査装置の概略構成図を示しており、
この図を参照しながら第１実施例について詳述する。水
銀アーク灯１は、検査対象とする位相シフト型フォトマ
スク９がウエハ上に投影露光される際に使用される露光
波長と同一波長の光を発する光源であり、これの輝点が
楕円鏡２の第１焦点位置に位置するように設けられてい
る。この水銀アーク灯１からの光は、楕円鏡２によりこ
れの第２焦点位置に集光された後、光の空間的コヒーレ
ンスを高めるための微小開口部を有する開口絞り（ピン
ホール等）３を介した後、反射鏡４、コリメータレンズ
５を介して平行光束ＬCとなる。
型フォトマスクの検査装置の概略構成図を示しており、
この図を参照しながら第１実施例について詳述する。水
銀アーク灯１は、検査対象とする位相シフト型フォトマ
スク９がウエハ上に投影露光される際に使用される露光
波長と同一波長の光を発する光源であり、これの輝点が
楕円鏡２の第１焦点位置に位置するように設けられてい
る。この水銀アーク灯１からの光は、楕円鏡２によりこ
れの第２焦点位置に集光された後、光の空間的コヒーレ
ンスを高めるための微小開口部を有する開口絞り（ピン
ホール等）３を介した後、反射鏡４、コリメータレンズ
５を介して平行光束ＬCとなる。
【００２４】ここで、楕円鏡２と反射鏡４の内の少なく
とも一方はダイクロイックミラーで構成されており、こ
れは検査用の光のみを反射させ、検査光を単色光化させ
る機能を有している。このとき、さらに干渉フィルター
を照明光路内に配置しても良い。なお、楕円鏡２と反射
鏡４とを単に反射鏡として構成した場合には、検査光を
単色光させるための干渉フィルターを照明光路内に配置
しても良い。
とも一方はダイクロイックミラーで構成されており、こ
れは検査用の光のみを反射させ、検査光を単色光化させ
る機能を有している。このとき、さらに干渉フィルター
を照明光路内に配置しても良い。なお、楕円鏡２と反射
鏡４とを単に反射鏡として構成した場合には、検査光を
単色光させるための干渉フィルターを照明光路内に配置
しても良い。
【００２５】さて、コリメータレンズ５によって平行光
束化された光ＬC は、２つのスリットを持つ２重スリッ
ト板６に達する。この２重スリット板６は、紙面に対し
垂直な方向に長手方向を持つ２つのスリット６ａ，６ｂ
を有しており、具体的には、図２の２重スリット板６の
平面図に示す如く、各スリット６ａ，６ｂは、スリット
の中心間の距離ｄSLとなるようにＹ方向（長手方向）の
長さａ、Ｘ方向（短手方向）の長さｂで構成されてい
る。従って、コリメータレンズ５を介した平行光束ＬC
は、２重スリット板６により制限され、ここには２重ス
リット状の光が形成される。
束化された光ＬC は、２つのスリットを持つ２重スリッ
ト板６に達する。この２重スリット板６は、紙面に対し
垂直な方向に長手方向を持つ２つのスリット６ａ，６ｂ
を有しており、具体的には、図２の２重スリット板６の
平面図に示す如く、各スリット６ａ，６ｂは、スリット
の中心間の距離ｄSLとなるようにＹ方向（長手方向）の
長さａ、Ｘ方向（短手方向）の長さｂで構成されてい
る。従って、コリメータレンズ５を介した平行光束ＬC
は、２重スリット板６により制限され、ここには２重ス
リット状の光が形成される。
【００２６】この２重スリット板６を通過した光Ｌ1,Ｌ
2 は、リレー光学系７，８を通過して、位相シフト型フ
ォトマスク９上に導かれる。ここで、２重スリット板６
とフォトマスク９とは、リレー光学系７，８に関して共
役に設けられているため、このマスク９上には２重スリ
ット板６の像、すなわち２つのスリット像が形成され
る。この各スリット像中心間の距離ｄSLI は、フォトマ
スク９に形成される周期的なパターンのピッチｄと等し
くなるように構成されており、フォトマスク９上へのリ
レー光学系７，８の倍率をβとするとき、２重スリット
板６のスリット中心間の距離ｄSLは、以下に示す数式６
の関係で構成されている。
2 は、リレー光学系７，８を通過して、位相シフト型フ
ォトマスク９上に導かれる。ここで、２重スリット板６
とフォトマスク９とは、リレー光学系７，８に関して共
役に設けられているため、このマスク９上には２重スリ
ット板６の像、すなわち２つのスリット像が形成され
る。この各スリット像中心間の距離ｄSLI は、フォトマ
スク９に形成される周期的なパターンのピッチｄと等し
くなるように構成されており、フォトマスク９上へのリ
レー光学系７，８の倍率をβとするとき、２重スリット
板６のスリット中心間の距離ｄSLは、以下に示す数式６
の関係で構成されている。
【００２７】
【数６】ｄSL＝ｄSLI ／β＝ｄ／β ・・・・・ （６） 検査対象としての位相シフト型フォトマスク９には、所
定の周期的なピッチｄで遮光部９ａと透過部９ｂが形成
されると共に、遮光部９ａを跨がるように設けられた位
相シフト部９ｃが形成されている。そして、このフォト
マスク９は、リレー光学系７，８の光軸と垂直な平面内
で２次元的に移動可能なステージ１０に保持されてお
り、このステージ１０は駆動手段１３により２次元駆動
される。駆動手段１３は内部にステージ１０のＸ，Ｙ方
向を計測する干渉計等のステージ位置計測系を備えてお
り、後述する演算手段１５により制御されている。
定の周期的なピッチｄで遮光部９ａと透過部９ｂが形成
されると共に、遮光部９ａを跨がるように設けられた位
相シフト部９ｃが形成されている。そして、このフォト
マスク９は、リレー光学系７，８の光軸と垂直な平面内
で２次元的に移動可能なステージ１０に保持されてお
り、このステージ１０は駆動手段１３により２次元駆動
される。駆動手段１３は内部にステージ１０のＸ，Ｙ方
向を計測する干渉計等のステージ位置計測系を備えてお
り、後述する演算手段１５により制御されている。
【００２８】さて、フォトマスク９の透過部９ｂと位相
シフト部９ｃとを各々通過した２重スリット板６からの
光束Ｌ1,Ｌ2 は検出用対物レンズ１１（フーリエ変換レ
ンズ）を通過することにより、これの後側焦点位置（フ
ーリエ変換面ＦＰ）にはフーリエ像、即ち所定の周期的
なピッチＰを持つ干渉縞ＦＩが形成される。このフーリ
エ像が形成される位置には、例えばリニアーセンサーの
１次元センサー、あるいは走査型スリットを備えたフォ
トディテクター等の光電検出器１２が設けられており、
この光電検出器１２にて干渉縞ＦＩの位置が検出され
る。この場合に検出される干渉縞ＦＩは、図１に示す如
く、光Ｌ2 が位相シフト部９ｃを通過する位置Ａでのも
のである。従って、フォトマスク９を保持するステージ
１０が２次元的に移動されると、位相シフト部９ｃの各
位置での干渉縞ＦＩを光電検出器１２にて検出すること
ができる。なお、駆動手段内のステージ位置計測系で検
出されるステージ１０の座標（Ｘ，Ｙ）を検出用対物レ
ンズ１１の光軸Ａｘとマスク９とが交わる位置でのもの
とすると、位相シフト部９ｃを計測する時の座標は（Ｘ
±ｄ／２，Ｙ）となるように後述する演算手段１５にて
補正されて、走査位置と検出位置との整合した対応付け
が行われている。
シフト部９ｃとを各々通過した２重スリット板６からの
光束Ｌ1,Ｌ2 は検出用対物レンズ１１（フーリエ変換レ
ンズ）を通過することにより、これの後側焦点位置（フ
ーリエ変換面ＦＰ）にはフーリエ像、即ち所定の周期的
なピッチＰを持つ干渉縞ＦＩが形成される。このフーリ
エ像が形成される位置には、例えばリニアーセンサーの
１次元センサー、あるいは走査型スリットを備えたフォ
トディテクター等の光電検出器１２が設けられており、
この光電検出器１２にて干渉縞ＦＩの位置が検出され
る。この場合に検出される干渉縞ＦＩは、図１に示す如
く、光Ｌ2 が位相シフト部９ｃを通過する位置Ａでのも
のである。従って、フォトマスク９を保持するステージ
１０が２次元的に移動されると、位相シフト部９ｃの各
位置での干渉縞ＦＩを光電検出器１２にて検出すること
ができる。なお、駆動手段内のステージ位置計測系で検
出されるステージ１０の座標（Ｘ，Ｙ）を検出用対物レ
ンズ１１の光軸Ａｘとマスク９とが交わる位置でのもの
とすると、位相シフト部９ｃを計測する時の座標は（Ｘ
±ｄ／２，Ｙ）となるように後述する演算手段１５にて
補正されて、走査位置と検出位置との整合した対応付け
が行われている。
【００２９】光電検出器１２からの検出信号は、信号処
理回路１４でｉ−Ｖ変換、Ａ／Ｄ変換を含む処理が行わ
れる。マイクロコンピュータ等の演算手段１５は内部に
記憶部を有しており、ここにはキーボード等の入力手段
１６を介して設計データが予め記憶されている。そし
て、演算手段１５は、記憶情報と信号処理回路１４から
の処理信号とに基づいて、フォトマスク９の走査位置に
応じたフーリエ像の横ズレ量を求め、上記の数式５によ
って位相シフト部９ｃの位相変化量ψを算出し、その結
果がＣＲＴモニター等の表示手段１７にて表示される。
理回路１４でｉ−Ｖ変換、Ａ／Ｄ変換を含む処理が行わ
れる。マイクロコンピュータ等の演算手段１５は内部に
記憶部を有しており、ここにはキーボード等の入力手段
１６を介して設計データが予め記憶されている。そし
て、演算手段１５は、記憶情報と信号処理回路１４から
の処理信号とに基づいて、フォトマスク９の走査位置に
応じたフーリエ像の横ズレ量を求め、上記の数式５によ
って位相シフト部９ｃの位相変化量ψを算出し、その結
果がＣＲＴモニター等の表示手段１７にて表示される。
【００３０】次に、図３及び図４を参照しながら第１実
施例による信号処理方法について説明する。図３の
（ａ）は、図３の（ｂ）に示す如く、２重スリット板６
からの光Ｌ1,Ｌ2 が共にフォトマスク９の透過部９ｂを
通過した場合でのフーリエ像（干渉縞ＩＦ１）の様子を
示す図であり、図４の（ａ）は、図４の（ｂ）に示す如
く、２重スリット板６からの一方の光Ｌ1 がフォトマス
ク９の透過部９ｂを、他方の光Ｌ2 が（２ｎ＋１）πの
位相差を発生させるフォトマスク９上の位相シフト部９
ｃを通過した場合でのフーリエ像（干渉縞ＩＦ２）の様
子を示す図である。但し、図３の（ａ）及び図４の
（ａ）のフーリエ像（干渉縞）は、フォトマスク９上に
形成される２つのスリット像の短手方向の幅（図２では
ｂ）を共にｄ／４とした時のものであり、各図において
光強度を縦軸に、フーリエ変換面の位置ξ（＝sin θ）
を横軸にとっている。
施例による信号処理方法について説明する。図３の
（ａ）は、図３の（ｂ）に示す如く、２重スリット板６
からの光Ｌ1,Ｌ2 が共にフォトマスク９の透過部９ｂを
通過した場合でのフーリエ像（干渉縞ＩＦ１）の様子を
示す図であり、図４の（ａ）は、図４の（ｂ）に示す如
く、２重スリット板６からの一方の光Ｌ1 がフォトマス
ク９の透過部９ｂを、他方の光Ｌ2 が（２ｎ＋１）πの
位相差を発生させるフォトマスク９上の位相シフト部９
ｃを通過した場合でのフーリエ像（干渉縞ＩＦ２）の様
子を示す図である。但し、図３の（ａ）及び図４の
（ａ）のフーリエ像（干渉縞）は、フォトマスク９上に
形成される２つのスリット像の短手方向の幅（図２では
ｂ）を共にｄ／４とした時のものであり、各図において
光強度を縦軸に、フーリエ変換面の位置ξ（＝sin θ）
を横軸にとっている。
【００３１】図３の（ｂ）に示す如く、２重スリット板
６からの光Ｌ1,Ｌ2 が共にフォトマスク９の透過部９ｂ
を通過した場合においては、図３の（ａ）に示す如く、
フーリエ変換面の中心では最も強い光強度を有し、これ
より周辺に行くに従って減衰するピッチＰの明暗の干渉
縞ＩＦ１が形成される。一方、図４の（ｂ）に示す如
く、２重スリット板６からの光Ｌ1,Ｌ2 のいずれか一方
が位相シフト部９ｃを通過した場合においては、図４の
（ａ）に示す如く、フーリエ変換面の中心から僅かに離
れた位置に２つの最も強い光強度を有し、これより周辺
に行くに従って減衰するピッチＰの明暗の干渉縞ＩＦ２
が形成されが、この干渉縞ＩＦ２は、上記の干渉縞ＩＦ
１と比べて点線で示す曲線の範囲内で横方向にΔだけ全
体的にずれたものとなる。
６からの光Ｌ1,Ｌ2 が共にフォトマスク９の透過部９ｂ
を通過した場合においては、図３の（ａ）に示す如く、
フーリエ変換面の中心では最も強い光強度を有し、これ
より周辺に行くに従って減衰するピッチＰの明暗の干渉
縞ＩＦ１が形成される。一方、図４の（ｂ）に示す如
く、２重スリット板６からの光Ｌ1,Ｌ2 のいずれか一方
が位相シフト部９ｃを通過した場合においては、図４の
（ａ）に示す如く、フーリエ変換面の中心から僅かに離
れた位置に２つの最も強い光強度を有し、これより周辺
に行くに従って減衰するピッチＰの明暗の干渉縞ＩＦ２
が形成されが、この干渉縞ＩＦ２は、上記の干渉縞ＩＦ
１と比べて点線で示す曲線の範囲内で横方向にΔだけ全
体的にずれたものとなる。
【００３２】従って、この横ずれ量Δが位相シフト部９
ｃの位相変化量ψに対応するため、第１の信号処理方法
としては、まず演算手段１５は、駆動手段１３中のステ
ージ位置計測系からの位置情報に基づいて走査位置（位
相シフト部の検出位置）を求める。次に、演算手段１５
は、フーリエ像ＩＦ２での座標原点（フーリエ像ＩＦ１
の最大強度を示す位置）を基準位置とし、これからの干
渉縞ＩＦ２の最大強度位置のズレ量Δを演算手段１５に
て検出し、上記の数式５に基づいて演算することによ
り、位相シフト部９ｃの位相変化量ψを求める。そし
て、演算手段１５は、現在の走査位置での位相シフト部
９ｃの位相変化量ψが演算手段１５の記憶部内に記憶さ
れた設計データの情報と比較して、許容誤差範囲内で構
成されているかを判断し、表示手段１７を介して計測結
果が表示される。
ｃの位相変化量ψに対応するため、第１の信号処理方法
としては、まず演算手段１５は、駆動手段１３中のステ
ージ位置計測系からの位置情報に基づいて走査位置（位
相シフト部の検出位置）を求める。次に、演算手段１５
は、フーリエ像ＩＦ２での座標原点（フーリエ像ＩＦ１
の最大強度を示す位置）を基準位置とし、これからの干
渉縞ＩＦ２の最大強度位置のズレ量Δを演算手段１５に
て検出し、上記の数式５に基づいて演算することによ
り、位相シフト部９ｃの位相変化量ψを求める。そし
て、演算手段１５は、現在の走査位置での位相シフト部
９ｃの位相変化量ψが演算手段１５の記憶部内に記憶さ
れた設計データの情報と比較して、許容誤差範囲内で構
成されているかを判断し、表示手段１７を介して計測結
果が表示される。
【００３３】第２の信号処理方法としては、フォトマス
ク９の検査に先立って、２重スリット板６からの光Ｌ1,
Ｌ2 が共にフォトマスク９の透過部９ｂを通過するよう
にステージ１０を移動させて図４の（ａ）に示した如き
干渉縞ＩＦ１の最大強度を示す位置を検出し、この位置
を基準位置として演算手段１５内部の記憶部に記憶させ
る。
ク９の検査に先立って、２重スリット板６からの光Ｌ1,
Ｌ2 が共にフォトマスク９の透過部９ｂを通過するよう
にステージ１０を移動させて図４の（ａ）に示した如き
干渉縞ＩＦ１の最大強度を示す位置を検出し、この位置
を基準位置として演算手段１５内部の記憶部に記憶させ
る。
【００３４】次に、フォトマスク９の検査を開始し、ま
ず演算手段１５は、駆動手段１３中のステージ位置計測
系からの位置情報に基づいて走査位置（位相シフト部の
検出位置）を求め、上記基準位置に対するフーリエ像Ｉ
Ｆ２の最大強度位置、即ちズレ量Δを検出する。そし
て、演算手段１５は、上記の数式５に基づいて演算する
ことにより、位相シフト部９ｃの位相変化量ψを求め、
現在の走査位置での位相シフト部９ｃの位相変化量ψ
と、演算手段１５の記憶部内に記憶された設計データの
情報と比較して、許容誤差範囲内で構成されているかを
判断し、最終的にこの計測結果を表示手段１７を介して
表示させる。
ず演算手段１５は、駆動手段１３中のステージ位置計測
系からの位置情報に基づいて走査位置（位相シフト部の
検出位置）を求め、上記基準位置に対するフーリエ像Ｉ
Ｆ２の最大強度位置、即ちズレ量Δを検出する。そし
て、演算手段１５は、上記の数式５に基づいて演算する
ことにより、位相シフト部９ｃの位相変化量ψを求め、
現在の走査位置での位相シフト部９ｃの位相変化量ψ
と、演算手段１５の記憶部内に記憶された設計データの
情報と比較して、許容誤差範囲内で構成されているかを
判断し、最終的にこの計測結果を表示手段１７を介して
表示させる。
【００３５】なお、別の信号処理方法としては、図３の
（ａ）に示した如き干渉縞ＩＦ１の強度がピークとなる
位置あるいはボトムとなる複数の位置を演算手段１５内
の記憶部に予め記憶、あるいはフォトマスク９の計測に
先立って上記の複数の位置を検出して記憶させ、次に、
検出されるフーリエ像ＩＦ２の強度がピークとなる位置
あるいはボトムとなる複数の位置を検出し、各複数の検
出位置のずれ量Δの平均をとって、位相シフト部９ｃの
平均的な位相変化量ψを求めても良い。この場合、迅速
なフォトマスクの検出が可能となるばかりか、平均化効
果によりさらに高精度の位相シフト部９ｃ位相変化量ψ
を検出することができる。
（ａ）に示した如き干渉縞ＩＦ１の強度がピークとなる
位置あるいはボトムとなる複数の位置を演算手段１５内
の記憶部に予め記憶、あるいはフォトマスク９の計測に
先立って上記の複数の位置を検出して記憶させ、次に、
検出されるフーリエ像ＩＦ２の強度がピークとなる位置
あるいはボトムとなる複数の位置を検出し、各複数の検
出位置のずれ量Δの平均をとって、位相シフト部９ｃの
平均的な位相変化量ψを求めても良い。この場合、迅速
なフォトマスクの検出が可能となるばかりか、平均化効
果によりさらに高精度の位相シフト部９ｃ位相変化量ψ
を検出することができる。
【００３６】以上においては、検査対象として周期的な
遮光パターンに位相シフト部が形成されたフォトマスク
について説明したが、これに限るものでなく、フォトマ
スク全面に位相部材が形成されたものについても検査で
きることは言うまでもない。次に、本発明の第２実施例
について図７を参照しながら説明する。第２実施例で
は、図１に示す２重スリット板６とフォトマスク９との
配置を逆にしたものであり、図７において、図１と同じ
機能を持つ部材については同じ符号を付してある。
遮光パターンに位相シフト部が形成されたフォトマスク
について説明したが、これに限るものでなく、フォトマ
スク全面に位相部材が形成されたものについても検査で
きることは言うまでもない。次に、本発明の第２実施例
について図７を参照しながら説明する。第２実施例で
は、図１に示す２重スリット板６とフォトマスク９との
配置を逆にしたものであり、図７において、図１と同じ
機能を持つ部材については同じ符号を付してある。
【００３７】水銀アーク灯から発する光は、楕円鏡２に
より集光され、開口絞り３、反射鏡４、コリメータレン
ズ５を介して平行光束ＬC となり、検査対象としての位
相シフト型のフォトマスク９を照明する。このフォトマ
スク９と２重スリット板６は、リレー光学系７、８に関
して共役に配置されており、このフォトマスク９を通過
したリレー光学系７、８によって２重スリット板６上に
は平行光束ＬC により照明された領域のフォトマスク９
の像が形成される。
より集光され、開口絞り３、反射鏡４、コリメータレン
ズ５を介して平行光束ＬC となり、検査対象としての位
相シフト型のフォトマスク９を照明する。このフォトマ
スク９と２重スリット板６は、リレー光学系７、８に関
して共役に配置されており、このフォトマスク９を通過
したリレー光学系７、８によって２重スリット板６上に
は平行光束ＬC により照明された領域のフォトマスク９
の像が形成される。
【００３８】この時、２重スリット板６のスリット中心
間の距離ｄSLは、このスリット板６上に形成されるフォ
トマスク９像の周期的なパターンのピッチｄ’と等しく
なるように構成されており、２重スリット板６へのリレ
ー光学系７，８による倍率をβとするとき、２重スリッ
ト板６のスリット中心間の距離ｄSLは、以下に示す数式
７の関係で構成されている。
間の距離ｄSLは、このスリット板６上に形成されるフォ
トマスク９像の周期的なパターンのピッチｄ’と等しく
なるように構成されており、２重スリット板６へのリレ
ー光学系７，８による倍率をβとするとき、２重スリッ
ト板６のスリット中心間の距離ｄSLは、以下に示す数式
７の関係で構成されている。
【００３９】
【数７】ｄSL（＝ｄ')＝ｄβ ・・・・・ （７） さて、２重スリット板６を通過した光Ｌ1,Ｌ2 は検出用
対物レンズ（フーリエ変換レンズ）１１によって集光さ
れ、この対物レンズ１１の後側焦点位置に設けられた光
電検出器１２上にフーリエ像としての干渉縞ＩＦが形成
される。
対物レンズ（フーリエ変換レンズ）１１によって集光さ
れ、この対物レンズ１１の後側焦点位置に設けられた光
電検出器１２上にフーリエ像としての干渉縞ＩＦが形成
される。
【００４０】ここで、２重スリット板６からの光Ｌ1,Ｌ
2 が共にフォトマスク９の透過部９ｂを既に通過した場
合においては、図３の（ａ）に示す如き干渉縞ＩＦ１が
光電検出器１２上に形成され、２重スリット板６からの
光Ｌ1,Ｌ2 の一方がフォトマスク９の透過部９ｂを、他
方がフォトマスク９の位相シフト部９ｃを既に通過した
場合においては、図４の（ａ）に示す如き干渉縞ＩＦ２
が光電検出器１２上に形成される。
2 が共にフォトマスク９の透過部９ｂを既に通過した場
合においては、図３の（ａ）に示す如き干渉縞ＩＦ１が
光電検出器１２上に形成され、２重スリット板６からの
光Ｌ1,Ｌ2 の一方がフォトマスク９の透過部９ｂを、他
方がフォトマスク９の位相シフト部９ｃを既に通過した
場合においては、図４の（ａ）に示す如き干渉縞ＩＦ２
が光電検出器１２上に形成される。
【００４１】従って、この光電検出器１２、信号処理回
路１４を介して得られる干渉縞の情報と、入力手段１６
を介して入力された設計データの情報と、駆動手段１８
中のスリット位置計測系からの位置情報とに基づいて、
演算手段１５は、第１実施例で説明した如き所定の演算
を実行することによって、位相シフト型のフォトマスク
の検査を行うことができる。
路１４を介して得られる干渉縞の情報と、入力手段１６
を介して入力された設計データの情報と、駆動手段１８
中のスリット位置計測系からの位置情報とに基づいて、
演算手段１５は、第１実施例で説明した如き所定の演算
を実行することによって、位相シフト型のフォトマスク
の検査を行うことができる。
【００４２】このように、第２実施例でも、第１実施例
と同様に、高精度かつ迅速な位相シフト型のフォトマス
クの検査が達成でき、またフォトマスク全面に位相部材
が形成されたものについても検査できる。以上において
説明した第１及び第２実施例では、フォトマスク９の走
査はステージ１０を２次元的に移動させることにより行
っているが、リレー光学系内のレンズ８の前側焦点位置
（レンズ７の後側焦点位置）に振動ミラー（あるいは多
面の反射面を持つポリゴンミラー）等を配置し、これを
振動（あるいは回転）させることにより、フォトマスク
９の全面に光を走査させることが可能となる。
と同様に、高精度かつ迅速な位相シフト型のフォトマス
クの検査が達成でき、またフォトマスク全面に位相部材
が形成されたものについても検査できる。以上において
説明した第１及び第２実施例では、フォトマスク９の走
査はステージ１０を２次元的に移動させることにより行
っているが、リレー光学系内のレンズ８の前側焦点位置
（レンズ７の後側焦点位置）に振動ミラー（あるいは多
面の反射面を持つポリゴンミラー）等を配置し、これを
振動（あるいは回転）させることにより、フォトマスク
９の全面に光を走査させることが可能となる。
【００４３】 また、各実施例とも、フーリエ面を形成
するために検出用対物レンズ（フーリエ変換レンズ）１
１を設けているが、このレンズは必須のものでない。つ
まり、第１実施例では、フォトマスク９と光電検出器１
２との距離、第２実施例では２重スリット板６と光電検
出器１２との距離が十分に長ければ、光電検出器１２に
は実質的にフーリエ像（干渉縞）が形成されるため、検
出側に光電検出器１２だけを配置しても良い。
するために検出用対物レンズ（フーリエ変換レンズ）１
１を設けているが、このレンズは必須のものでない。つ
まり、第１実施例では、フォトマスク９と光電検出器１
２との距離、第２実施例では２重スリット板６と光電検
出器１２との距離が十分に長ければ、光電検出器１２に
は実質的にフーリエ像（干渉縞）が形成されるため、検
出側に光電検出器１２だけを配置しても良い。
【００４４】さらに、図８に示す如く、フォトマスク９
上において透過部９ｂと遮光部９ａとが周期的なピッチ
ｄで形成され、これの１ピッチ毎に遮光部９ａ間を跨が
る位相シフト部９ｃが形成されている場合には、平行供
給手段（照明光学系）によって、遮光部９ａの幅（ｄ／
２）以上の光束径ｄC を持つ平行光束ＬC をこのフォト
マスク９に照明し、このフォトマスクの遮光部９ａを利
用して、このフォトマスク９上を通過した斜線で示す光
Ｌ1,Ｌ2 をフーリエ面で検出しても良い。
上において透過部９ｂと遮光部９ａとが周期的なピッチ
ｄで形成され、これの１ピッチ毎に遮光部９ａ間を跨が
る位相シフト部９ｃが形成されている場合には、平行供
給手段（照明光学系）によって、遮光部９ａの幅（ｄ／
２）以上の光束径ｄC を持つ平行光束ＬC をこのフォト
マスク９に照明し、このフォトマスクの遮光部９ａを利
用して、このフォトマスク９上を通過した斜線で示す光
Ｌ1,Ｌ2 をフーリエ面で検出しても良い。
【００４５】ここで、好ましき平行光束ＬC の径ｄC の
範囲は、
範囲は、
【００４６】
【数８】ｄ／２＜ｄC ＜５ｄ／２ ・・・・・ （８） とすることが良い。この場合、平行光束径ｄC が下限値
に近くなる程、フォトマスク９の位相シフト部９ｃの微
小領域での位相変化量を検出でき、平行光束径ｄC が下
限値に近くなる程、フォトマスク９の位相シフト部９ｃ
の光透過領域の平均的な位相変化量を検出できる。この
数式８の下限を越えると、２重スリットの干渉を引き起
こすことができなくなるため、位相シフト部９ｃの位相
変化量を検出することができなくなり、逆に数式８の上
限を越えると、照明効率の低下を招くため好ましくな
い。
に近くなる程、フォトマスク９の位相シフト部９ｃの微
小領域での位相変化量を検出でき、平行光束径ｄC が下
限値に近くなる程、フォトマスク９の位相シフト部９ｃ
の光透過領域の平均的な位相変化量を検出できる。この
数式８の下限を越えると、２重スリットの干渉を引き起
こすことができなくなるため、位相シフト部９ｃの位相
変化量を検出することができなくなり、逆に数式８の上
限を越えると、照明効率の低下を招くため好ましくな
い。
【００４７】なお、本発明による装置では、所定のピッ
チｄの周期パターンを持つ位相シフト型フォトマスクを
検査対象としているが、このピッチｄとは異なるピッチ
の周期パターンを持つ位相シフト型フォトマスクを検査
することも可能である。この場合には、図１及び図７に
示した２重スリット板６とは異なるスリットの中心間の
距離ｄSL’を持つ別途の２重スリット板と交換すれば良
い。
チｄの周期パターンを持つ位相シフト型フォトマスクを
検査対象としているが、このピッチｄとは異なるピッチ
の周期パターンを持つ位相シフト型フォトマスクを検査
することも可能である。この場合には、図１及び図７に
示した２重スリット板６とは異なるスリットの中心間の
距離ｄSL’を持つ別途の２重スリット板と交換すれば良
い。
【００４８】
【発明の効果】以上の如く、本発明によれば、２重スリ
ットの干渉の原理を利用して、フーリエ変換面上に形成
される干渉縞を検出することにより、簡素な構成にもか
かわらず、位相部材の位相変化量を迅速かつ高精度な検
出が実現できる。また、位相シフト型のフォトマスクの
検査に用いた場合、フォトマスクの基板と位相部材との
屈折率差が無くとも、位相部材の位相変化量の測定に何
ら支障を来すことなく、常に安定した計測が達成でき
る。
ットの干渉の原理を利用して、フーリエ変換面上に形成
される干渉縞を検出することにより、簡素な構成にもか
かわらず、位相部材の位相変化量を迅速かつ高精度な検
出が実現できる。また、位相シフト型のフォトマスクの
検査に用いた場合、フォトマスクの基板と位相部材との
屈折率差が無くとも、位相部材の位相変化量の測定に何
ら支障を来すことなく、常に安定した計測が達成でき
る。
【図１】図１は本発明による第１実施例の概略構成図で
ある。
ある。
【図２】図２は２重スリット板の平面図である。
【図３】図３は、２重スリット板からの光Ｌ1,Ｌ2 が共
にフォトマスクの透過部を通過した様子及びこの時のフ
ーリエ像の様子を示す図である。
にフォトマスクの透過部を通過した様子及びこの時のフ
ーリエ像の様子を示す図である。
【図４】図４は、２重スリット板６からの一方の光Ｌ1
がフォトマスクの透過部を、他方の光Ｌ2 が位相シフト
部９ｃを通過した様子及びこの時のフーリエ像の様子を
示す図である。
がフォトマスクの透過部を、他方の光Ｌ2 が位相シフト
部９ｃを通過した様子及びこの時のフーリエ像の様子を
示す図である。
【図５】図５は、本発明による原理を模式的に示す図で
ある。
ある。
【図６】図６は、図５の被検面に位相部材が存在すると
きの様子を模式的に示す図である。
きの様子を模式的に示す図である。
【図７】図７は本発明による第２実施例の概略構成図で
ある。
ある。
【図８】本発明の原理を利用した変形例を示す図であ
る。
る。
１・・・・・ 水銀アーク灯 ２・・・・・ 楕円鏡 ３・・・・・ 開口絞り ４・・・・・ 反射鏡 ５・・・・・ コリメータレンズ ６，ＳＬ・・・・・ ２重スリット板 ７，８・・・・・ リレー光学系 ９・・・・・ 位相シフト型フォトマスク ９ａ・・・・・ 遮光部 ９ｂ・・・・・ 透過部 ９ｃ・・・・・ 位相シフト部 １０・・・・・ ステージ １１，ＯＬ・・・・・ 検出用対物レンズ（フーリエ変換レン
ズ） １２，Ｄ・・・・・ 検出器（光電検出器） １３・・・・・ 駆動手段 １４・・・・・ 信号処理回路 １５・・・・・ 演算手段 １６・・・・・ 入力手段 １７・・・・・ 表示手段 ＦＰ・・・・・ フーリエ変換面 ＦＩ・・・・・ フーリエ像 ＩＦ，ＩＦ１，ＩＦ２・・・・・ 干渉縞
ズ） １２，Ｄ・・・・・ 検出器（光電検出器） １３・・・・・ 駆動手段 １４・・・・・ 信号処理回路 １５・・・・・ 演算手段 １６・・・・・ 入力手段 １７・・・・・ 表示手段 ＦＰ・・・・・ フーリエ変換面 ＦＩ・・・・・ フーリエ像 ＩＦ，ＩＦ１，ＩＦ２・・・・・ 干渉縞
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 1/00 - 1/16
Claims (4)
- 【請求項１】被検物体に設けられた光の位相を変化させ
る位相部材の位相変化量を測定する位相変化量測定装置
において、 コヒーレントな平行光を供給する平行光供給手段と、前記 平行光供給手段からの平行光によって、前記被検物
体の被検面上に所定の間隔で２つのスリット状の光を形
成する２重スリット光形成手段と、前記スリット状の光の一方が前記被検面上の前記位相部
材を透過し、また前記スリット状の光の他方が前記被検
面上の前記位相部材のない透過領域を透過することで、
夫々の透過光が前記被検物体のフーリエ面上で干渉を起
こし、そこに形成される フーリエ像を検出する検出手段
とを有し、 前記検出手段の検出結果に基づき、前記位相部材の位相
変化量を測定する ことを特徴とする位相変化量測定装
置。 - 【請求項２】前記２重スリット光形成手段は、２つのス
リット状の開口が所定の間隔で設けられた２重スリット
板と、該２重スリット板の像を前記被検面に形成するリ
レー光学系とを有することを特徴とする請求項１記載の
位相変化量測定装置。 - 【請求項３】被検物体に設けられた光の位相を変化させ
る位相部材の位相変化量を測定する位相変化量測定装置
において、 コヒーレントな平行光を、前記被検物体の位相部材に供
給すると共に、前記被検物体の前記位相部材のない透過
領域に供給する平行光供給手段と、前記平行光供給手段による前記被検物体からの透過光
を、 所定の間隔の２つのスリット状の光に形成する２重
スリット光形成手段と、前記２重スリット光形成手段を透過した光が前記被検物
体のフーリエ面上で干渉を起こし、そこに 形成されるフ
ーリエ像を検出する検出手段とを有することを特徴とす
る位相変化量測定装置。 - 【請求項４】前記２重スリット光形成手段は、前記被検
物体の像を形成する投影光学系と、該投影光学系で形成
される前記被検物体像の位置に配置され、２つのスリッ
ト状の開口が所定の間隔で設けられた２重スリット板と
を有することを特徴とする請求項３記載の位相変化量測
定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31030691A JP3336358B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | フォトマスク検査装置及び方法並びに位相変化量測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31030691A JP3336358B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | フォトマスク検査装置及び方法並びに位相変化量測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05142755A JPH05142755A (ja) | 1993-06-11 |
| JP3336358B2 true JP3336358B2 (ja) | 2002-10-21 |
Family
ID=18003638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31030691A Expired - Fee Related JP3336358B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | フォトマスク検査装置及び方法並びに位相変化量測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3336358B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015187573A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-10-29 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 位相差測定装置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0500671D0 (en) * | 2005-01-14 | 2005-02-23 | Univ Aston | Passive optical device |
| JP4641873B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2011-03-02 | 小糸工業株式会社 | 発光状態測定装置 |
| KR101484937B1 (ko) * | 2008-07-02 | 2015-01-21 | 삼성전자주식회사 | 위상반전 마스크의 위상 측정 방법 및 이를 수행하기 위한장치 |
| JP6994881B2 (ja) * | 2017-09-21 | 2022-02-04 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 位相差測定装置および位相差測定方法 |
| CN108845364B (zh) * | 2018-04-08 | 2019-09-20 | 西安交通大学 | 一种低g值双缝干涉式MEMS微重力测量装置 |
| JP7023790B2 (ja) * | 2018-05-22 | 2022-02-22 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | フォトマスク検査装置およびフォトマスク検査方法 |
| EP3588671A1 (en) | 2018-06-29 | 2020-01-01 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | A non-reciprocal device comprising asymmetric phase transport of waves |
| KR102375006B1 (ko) * | 2019-11-19 | 2022-03-16 | 주식회사 이솔 | 고성능 euv 마스크의 위상 측정장치 |
-
1991
- 1991-11-26 JP JP31030691A patent/JP3336358B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015187573A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-10-29 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 位相差測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05142755A (ja) | 1993-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5576829A (en) | Method and apparatus for inspecting a phase-shifted mask | |
| JP3796369B2 (ja) | 干渉計を搭載した投影露光装置 | |
| US6677601B2 (en) | Method of detecting position of mark on substrate, position detection apparatus using this method, and exposure apparatus using this position detection apparatus | |
| US7746479B2 (en) | Wavefront-aberration measuring device and exposure apparatus including the device | |
| KR101790830B1 (ko) | 간섭계, 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법 | |
| JP3209645B2 (ja) | 位相シフトマスクの検査方法およびその方法に用いる検査装置 | |
| US6961132B2 (en) | Interference system and semiconductor exposure apparatus having the same | |
| JP3336358B2 (ja) | フォトマスク検査装置及び方法並びに位相変化量測定装置 | |
| US6198527B1 (en) | Projection exposure apparatus and exposure method | |
| JP2013024747A (ja) | 計測装置、露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP3612903B2 (ja) | 収差測定方法及び収差測定装置並びにそれを備えた露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP3139020B2 (ja) | フォトマスク検査装置およびフォトマスク検査方法 | |
| JP3047446B2 (ja) | 位相シフト用マスクの検査方法及び検査装置 | |
| JPH0936032A (ja) | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JP3624984B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| US20160025480A1 (en) | Interferometric level sensor | |
| JP3117095B2 (ja) | 投影光学系の検査方法 | |
| JP2010073818A (ja) | 測定装置、露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH0719811A (ja) | 位置ズレ及びギャップ検出方法 | |
| JPH04229864A (ja) | フォトマスク検査装置 | |
| JPH04181251A (ja) | フォトマスク検査装置 | |
| JP3047459B2 (ja) | フォトマスク検査装置およびフォトマスク検査方法 | |
| JP2791120B2 (ja) | 位置検出装置及び方法 | |
| JP4078361B2 (ja) | 投影光学系の光学性能測定方法及び投影露光装置 | |
| JPH0950959A (ja) | 投影露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |