TWI651596B - 曝光補償計算的方法與系統 - Google Patents
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Abstract
一種曝光補償計算方法，包括下述步驟： A10：提供至少一半導體基材，該半導體基材包括多個對位符號； A20：對至少部分數量的對位符號進行測量，以得到一測量結果；及 A30：根據步驟A20的測量結果以建立一誤差模型，誤差模型還包括多個參數，相對於誤差模型其殘值符合一殘值容許範圍的對位符號之數量趨近最大值。
Description
一種曝光補償計算的方法，特別是一種使符合要求的對位符號之數量最大化的曝光補償計算的方法
半導體晶圓在製作上，通常是經過多種半導體製程技術定義，形成複雜且大量的半導體元件。而在高度積層化的製程中，其中一積層可能受到某些因素影響而定位偏移，則導致後續各積層陸續偏移，這會使該半導體元件或層之間無法正確連結或短路。 因此，控制每一個製程中的精密度與穩定，來準確控制層與層之間的疊對（overlay），確保後續製成的半導體元件具有較佳的良率與產能，乃是製程管理中相當重要的一環。 以半導體曝光來說，一般在曝光之前，會先偵測晶圓上特定區域的對位符號（alignment mark）進行對準。之後，再根據之前幾批晶圓所量測到的疊對誤差（overlay）結果進行運算，並將計算結果之疊對補償（overlay offset）做為當批晶圓曝光時所需要的補償。在實務上，每一個對位符號所產生的誤差可分兩種，分別是：鏡頭產生之誤差以及晶圓所產生之誤差。一般來說若對位符號位於鏡頭邊緣，其誤差值會大於鏡頭中心，晶圓所產生之誤差亦同，邊緣之對位符號誤差值較中心來的大。因此可將整個誤差模型描述為, i=1,2,…,n 其中，與分別為 X 與 Y 方向之第個對位符號之量測值，為第個對位符號所屬的曝光域在晶圓上之座標，則為第個對位符號在其曝光域中之座標，為第個對位符號之無法透過模型描述之X與Y方向殘值。透過數學理論之分析，我們可以將上述之疊對誤差模型獨立為與。 傳統計算與的方法是採用迴歸分析法，其目的在於找出與，使與達到最小。然而，隨著製程技術進步，市場對產品的需求變高，再曝光曝影過程所能容忍的殘值也逐變小，傳統的計算方案並無法得出滿足晶圓上滿足容忍殘值的對位符號數量最大化的結果 因此，如何計算出較佳的殘值結果，提高半導體元件的產能與良率，便是本領域具通常知識者值得去思量地。
有鑑於上述問題，本發明提供一種曝光補償計算方法，可有效提高半導體元件的產能與良率。 本發明提供一種曝光補償計算方法，包括下述步驟： A10：提供至少一半導體基材，該半導體基材包括多個對位符號； A20：對至少部分數量的對位符號進行測量，以得到一測量結果；及 A30：根據步驟A20的測量結果以建立一誤差模型，誤差模型還包括多個參數，相對於誤差模型其殘值符合一殘值容許範圍的對位符號之數量趨近最大值。 上述之曝光補償計算方法，其中，其中步驟A30還包括： A31：找出相對於誤差模型其殘值符合該殘值容許範圍的對位符號； A32：給予殘值符合殘值容許範圍該對位符號較大權重，其餘之對位符號給予較小權重； A33：根據每個對位符號的權重計算出修正之誤差模型； A34：比較原始之誤差模型與修正後之誤差模型中的參數；及 A35：若原始之誤差模型與修正後之誤差模型中的參數差異大於一預定值，以修正後之誤差模型代替原始之誤差模型並重新執行步驟A31至步驟A34，直到原始之誤差模型與修正後之誤差模型中的參數差異小於預定值。 上述之曝光補償計算方法，其中，在步驟A30中，誤差模型為：；；為各對位符號於水平方向之殘值；為各對位符號於垂直方向之殘值；及為與為一函數； 其中，i=1,2,…,n； 殘值容許範圍包括一水平殘值容許範圍與一垂直殘值容許範圍。 上述之曝光補償計算方法，其中，統計該殘值符合殘值容許範圍的對位符號之數量的統計方式如下：若，I=1；若，I=0；若，I=1；若，I=0； 其中，為水平殘值容許範圍，為垂直殘值容許範圍。 上述之曝光補償計算方法，其中，與為的函數；為第個該對位符號之一曝光域座標；則為第個對位符號在其該曝光域中之一座標。 上述之曝光補償計算方法，其中以最基本的線性模型為例，；； TRX為X方向的半導體基材或該曝光域位移效應而產生的疊對誤差量； TRY為Y方向的半導體基材或該曝光域位移效應而產生的疊對誤差量； GRX為X方向因半導體基材域旋轉效應產生的疊對誤差量； NOGR為Y方向因半導體基材域旋轉效應產生的疊對誤差量減去GRX； GMX為X方向因為半導體基材域擴大效應產生的疊對誤差量； GMY為Y方向因為半導體基材域擴大效應產生的疊對誤差量； FM為0.5倍的X方向曝光域擴大效應產生的疊對誤差 + 0.5倍 Y方向曝光域擴大效應產生的疊對誤差； AFM為0.5倍的X方向曝光域擴大效應產生的疊對誤差 - 0.5倍的Y方向曝光域擴大效應產生的疊對誤差。 FR為0.5倍的X方向曝光域旋轉效應產生的疊對誤差 + 0.5倍的Y方向曝光域旋轉效應產生的疊對誤差 AFR為0.5倍的X方向曝光域旋轉效應產生的疊對誤差 – 0.5倍的 Y方向曝光域旋轉效應產生的疊對誤差 本發明還提供一種曝光補償計算系統，包括一測量單元及一計算單元。測量單元適於測量至少一半導體基材上多個對位符號。計算單元適於根據該對位符號對應的測量結果以建立一誤差模型，誤差模型還包括多個參數，其中相對於該誤差模型其殘值符合依殘值容許範圍的對位符號之數量趨近最大值。 上述之曝光補償計算系統，其中，計算單元還適於找出相對於誤差模型其殘值符合該殘值容許範圍的該對位符號，並予殘值符合該殘值容許範圍的對位符號較大權重，其餘之對位符號給予較小權重，再根據每個該對位符號的權重計算出修正後之誤差模型；計算單元比較原始之誤差模型與該修正後之誤差模型中的該參數，若原始之誤差模型與修正後之誤差模型中的參數差異大於一預定值，以修正後之誤差模型代替原始之誤差模型並重新計算，直到原始之誤差模型與修正後之誤差模型中的參數差異小於預定值，並將修正後之誤差模型傳送至一補償單元，補償單元式於根據修正後之誤差模型對機台進行修正。 上述之曝光補償計算系統，其中該誤差模型為：；；為水平方向之殘值；垂直方向之殘值；其中，i=1,2,…,n； 殘值容許範圍還包括一水平殘值容許範圍與一垂直殘值容許範圍。 上述之曝光補償計算系統，其中，該計算單元還適於統計殘值符合該殘值容許範圍的對位符號之數量。 上述之曝光補償計算系統，其中，與為的函數；為第個對位符號之一曝光域座標則為第個對位符號在其該曝光域中之一座標。 上述之曝光補償計算系統，以常見的基本線性模型為例，；； TRX為X方向的半導體基材或該曝光域位移效應而產生的疊對誤差量； TRY為Y方向的半導體基材或該曝光域位移效應而產生的疊對誤差量； GRX為X方向因半導體基材域旋轉效應產生的疊對誤差量； NOGR為Y方向因半導體基材域旋轉效應產生的疊對誤差量減去GRX； GMX為X方向因為半導體基材域擴大效應產生的疊對誤差量； GMY為Y方向因為半導體基材域擴大效應產生的疊對誤差量； FM為0.5倍的X方向曝光域擴大效應產生的疊對誤差 + 0.5倍 Y方向曝光域擴大效應產生的疊對誤差； AFM為0.5倍的X方向曝光域擴大效應產生的疊對誤差 - 0.5倍的Y方向曝光域擴大效應產生的疊對誤差。 FR為0.5倍的X方向曝光域旋轉效應產生的疊對誤差 + 0.5倍的Y方向曝光域旋轉效應產生的疊對誤差 AFR為0.5倍的X方向曝光域旋轉效應產生的疊對誤差 – 0.5倍的 Y方向曝光域旋轉效應產生的疊對誤差
請參閱圖1，圖1所繪示為本發明之曝光補償計算方法的流程圖。首先，提供一半導體基材（步驟A10），半導體基材可為液晶面板、顯示器或半導體晶圓等不同的基材。在本實施例中，半導體基材為半導體晶圓，且半導體基材上包括有多個對位符號（alignment marks），這些對位符號是設置於半導體基材的表面上，作為曝光過程設備定位之用。此外，在較佳實施例中，本發明之曝光補償計算方法是一種非對稱式的曝光補償計算方法，也就是對位符號在水平與垂直方向的上的容忍誤差不同之半導體基材。 接下來，對至少一部份的對位符號進行測量，並透過測量可得到一測量結果（步驟A20）。再來，根據步驟A20所得到的測量結果建立一誤差模型，該誤差模型還包括了多個參數，且相對於誤差模型其殘值符合一殘值容許範圍的該對位符號之數量趨近最大值（步驟A30）。 具體來說，誤差模型中包括了多個參數與殘值。並且，對於殘值，會根據半導體基材的狀況定義殘值容許範圍。而本發明之目的便是找出殘值符合殘值容許範圍之對位符號最多的誤差模型。其中，在本實施例中，步驟A30是使用迴歸分析法算出誤差模型，並設定為原始之誤差模型。 而在步驟A30的誤差模型表示如下：；； 其中，為水平方向之測量結果，為垂直方向之測量結果；為各對位符號於水平方向之殘值，為各對位符號於垂直方向之殘值；與為一函數； i=1,2,…,n，表示半導體基材上對位符號的序號，即第1個對位符號至第n個對位符號。其中，與為的函數，為第個對位符號之一曝光域座標；則為第個對位符號在其該曝光域中之一座標。 更具體的說明，其中與的最基本的線性模型表示如下：；。 其中，TRX為X方向的半導體基材或曝光域位移效應而產生的疊對誤差量； TRY為Y方向的半導體基材或曝光域位移效應而產生的疊對誤差量；GRX為X方向因該半導體基材域旋轉效應產生的疊對誤差量； NOGR為Y方向因該半導體基材域旋轉效應產生的疊對誤差量減去GRX；GMX為X方向因為半導體基材域擴大效應產生的疊對誤差量；GMY為Y方向因為半導體基材域擴大效應產生的疊對誤差量；FM為0.5倍的X方向曝光域擴大效應產生的疊對誤差 + 0.5倍的Y方向曝光域擴大效應產生的疊對誤差；AFM為0.5倍的X方向曝光域擴大效應產生的疊對誤差 - 0.5倍的Y方向曝光域擴大效應產生的疊對誤差；FR為0.5倍的X方向曝光域旋轉效應產生的疊對誤差 + 0.5倍的Y方向曝光域旋轉效應產生的疊對誤差；AFR為0.5倍的X方向曝光域旋轉效應產生的疊對誤差 – 0.5倍的 Y方向曝光域旋轉效應產生的疊對誤差。在此，TRX、GRX、NOGR、GMX、GMY、FM、AFM、FR、AFR即為誤差模型之參數。 請參閱圖1B，圖1B所繪示為步驟A31至步驟A35的流程圖。關於誤差模型之說明如上，以下將說明找出殘值符合殘值容許範圍之對位符號最多的誤差模型的方法。在步驟A30中還包括以下步驟：首先，找出相對於誤差模型其殘值符合殘值容許範圍的對位符號（步驟A31）。具體來說，是經由x_spec-l＜abs()＜x_spec+u 與 y_spec-l＜abs()＜y_spec+u公式來尋找殘值符合殘值容許範圍的對位符號。x_spec為水平方向之殘值容許值，透過減去l值與加上u值便可定義水平殘值容許範圍；abs()則為水平方向殘值的絕對值。y_spec為垂直方向之殘值容許值，透過減去l值與加上u值便可定義垂直殘值容許範圍；abs()則為垂直方向殘值的絕對值。 再來，給予殘值符合該殘值容許範圍的對位符號較大權重，其餘之對位符號給予較小權重（步驟A32），並根據每個對位符號的權重計算出修正後的誤差模型（步驟A33）。在本實施例中，是使用加權回歸分析（weighted least square regression）來計算修正後之誤差模型。接下來，比較原始的誤差模型與修正後的誤差模型（步驟A34）。 經過比較之後，若原始之誤差模型與修正後之誤差模型中的參數差異大於一預定值，以修正後之誤差模型代替原始之誤差模型並重新執行步驟A31至步驟A34，直到原始之誤差模型與修正後之誤差模型中的參數差異小於預定值（步驟A35）。換言之，步驟A31至A35是將誤差模型透過權重的計算，藉此修正誤差模型的參數，反覆修正直到其差異性能夠小於預定值。而最後得出差異性小於預定值的誤差模型，便是滿足其殘值符合殘值容許範圍的該對位符號之數量趨近最大值的誤差模型。 此外，在其他實施例中，步驟A30是使用以下方法統計殘值符合該殘值容許範圍的該對位符號之數量：若，I=1；若，I=0；若，I=1；若，I=0； 其中，為該水平殘值容許範圍，為該垂直殘值容許範圍。 請參閱圖2A，圖2A所繪示為原始之誤差模型之示意圖。根據步驟A20所建立的誤差模型可由一線型L表示。在圖2A中，spec即為所定義的殘值值容許值，也可看出原始之誤差模型，可使多數的點P具有較小的殘值res，但會有部分的點（如點A）其殘值會超過殘值容許值spec。 請參閱圖2B，圖2B所繪示為修正後之誤差模型之示意圖。誤差模型經過步驟A31~A35反覆修正後，可由另一個線型L’表示。從圖2B中可以看出，修正後之誤差模型雖會使部分的點P殘值變大，但可確保殘值res在殘值容許值spec內的點能夠最大化，如點A在修正後的誤差模型中殘值res是小於殘值容許值spec。因此，透過本發明之曝光補償計算方法，能夠確保誤差模型中符合要求的對位符號的數量趨近於或達到最大。 請參閱圖3，圖3所繪示為一種曝光補償計算系統。曝光補償計算系統100適於測量半導體基材，並計算與補償修正機台。曝光補償計算系統100包括一測量單元110、一計算單元120與一補償單元130。測量單元110適於測量半導體基材上的多個對位符號，並可得出測量結果。計算單元120則適於根據測量單元110所得出的測量結果加以運算，以建立一誤差模型，誤差模型中包括了多個參數與殘值，且相對於誤差模型其殘值符合殘值容許範圍的對位符號之數量趨近最大值。 在計算的過程中，計算單元120還適於找出相對於誤差模型其殘值符合殘值容許範圍的該對位符號。計算單元120會給予其殘值符合殘值容許範圍的該對位符號較大的權重，其餘對位符號給予較小的權重。隨後根據每個對位符號的權重計算修正後之誤差模型。 得到修正後之誤差模型後，計算單元120會比較原始之誤差模型與修正後之誤差模型中的參數，比較修正前後誤差模型的差異。經過比較後，若原始之誤差模型與修正後之該誤差模型中的參數差異大於一預定值，計算單元120會以修正後之誤差模型代替原始之誤差模型並重新計算，直到原始之該誤差模型與修正後之該誤差模型中的參數差異小於預定值。反之，若原始之誤差模型與修正後之該誤差模型中的參數差異小於預定值，計算單元120則將修正之誤差模型傳送至補償單元130。補償單元130適於根據修正後之誤差模型對機台進行修正。 也就是說，原始的誤差模型會經過權重的計算與修正，且反覆進行計算與修正，直到誤差模型符合要求，也就是殘值符合殘值容許範圍的對位符號之數量趨近最大值的誤差模型，再透過這個誤差模型來校正曝光機台。在較佳實施例中，計算單元還適於統計該殘值符合該殘值容許範圍的該對位符號之數量。 在本實施例中，曝光補償計算系統100建立的誤差模型如下：；； 換言之，於本實施例中，曝光補償計算系統100是使用前述圖1A至圖2B所揭露的曝光補償計算方法來進行曝光補償。因此，誤差模型中的各個參數涵義可參閱前述有關於曝光補償計算方法之實施例（即步驟A10~A35）。曝光補償計算系統100之目的也與前述曝光補償計算方法相同或相似，找出其殘值符合殘值容許範圍的對位符號之數量趨近最大值的誤差模型。因此，曝光補償計算系統100是經由系統化、自動化的技術來實施前述之曝光補償計算方法，進一步對曝光機台進行補償，調整半導體基材上曝光的位置，讓曝光補償計算方法能夠具體應用於半導體製程中。 此外，在上述實施例中，為方便說明故與是以線性方程式釋例說明。而在某些實施例中，與也可為非線性方程式，例如非線性的5階模型，在非線性的5階模型，TRX、TRY、FM、AFM、FR、AFR等參數均可改寫成不同的方程式。若將經過改寫的TRX、TRY、FM、AFM、FR、AFR參數帶入上述實施力的基本線性模型中，即可完成高階的非線性模型，也可達到目前曝光設備可支援的5階曝光補償模型。 藉由本發明之曝光補償計算方法與曝光補償計算系統，可在半導體基材曝光的過程中進行誤差補償。且相對於傳統方式是確保大部分的點能夠具有較小殘值，而本發明之曝光補償計算方法與曝光補償計算系統則可找出符合殘值要求的點達到最大值的誤差模型，並藉此修正曝光機台，讓半導體晶圓曝光的結構能夠達到更高的要求。 本發明說明如上，然其並非用以限定本創作所主張之專利權利範圍。其專利保護範圍當視後附之申請專利範圍及其等同領域而定。凡本領域具有通常知識者，在不脫離本專利精神或範圍內，所作之更動或潤飾，均屬於本創作所揭示精神下所完成之等效改變或設計，且應包含在下述之申請專利範圍內。
A10~A35‧‧‧流程圖步驟
‧‧‧水平方向之測量結果
‧‧‧垂直方向之測量結果
‧‧‧水平方向之殘值
‧‧‧垂直方向之殘值
與‧‧‧函數
i‧‧‧對位符號的序號
‧‧‧為第個對位符號之一曝光域座標
‧‧‧為第個對位符號在其該曝光域中之一座標
TRX‧‧‧X方向的半導體基材或曝光域位移效應而產生的疊對誤差量；
TRY‧‧‧Y方向的半導體基材或曝光域位移效應而產生的疊對誤差量
GRX‧‧‧X方向因該半導體基材域旋轉效應產生的疊對誤差量
NOGR‧‧‧Y方向因該半導體基材域旋轉效應產生的疊對誤差量減去GRX
GMX‧‧‧X方向因為半導體基材域擴大效應產生的疊對誤差量
GMY‧‧‧Y方向因為半導體基材域擴大效應產生的疊對誤差量
FM‧‧‧0.5倍的X方向曝光域擴大效應產生的疊對誤差 + 0.5倍 Y方向曝光域擴大效應產生的疊對誤差；
AFM‧‧‧0.5倍的X方向曝光域擴大效應產生的疊對誤差 - 0.5倍的Y方向曝光域擴大效應產生的疊對誤差。
FR‧‧‧0.5倍的X方向曝光域旋轉效應產生的疊對誤差 + 0.5倍的Y方向曝光域旋轉效應產生的疊對誤差
AFR‧‧‧0.5倍的X方向曝光域旋轉效應產生的疊對誤差 – 0.5倍的 Y方向曝光域旋轉效應產生的疊對誤差
L、L’‧‧‧線型
spec‧‧‧殘值容許值
res‧‧‧殘值
A、P‧‧‧點
100‧‧‧曝光補償計算系統
110‧‧‧測量單元
120‧‧‧計算單元
130‧‧‧補償單元
圖1所繪示為本發明之曝光補償計算方法的流程圖。 圖2A所繪示為原始之誤差模型之示意圖。 圖2B所繪示為修正後之誤差模型之示意圖。 圖3所繪示為一種曝光補償計算系統。
Claims (8)
- 一種曝光補償計算方法，包括下述步驟：A10：提供至少一半導體基材，該半導體基材包括多個對位符號；A20：對至少部分數量的該對位符號進行測量，以得到一測量結果；及A30：根據步驟A20的該測量結果以建立一誤差模型，該誤差模型包括多個殘值，並使該殘值符合一殘值容許範圍的該對位符號之數量趨近最大值；其中步驟A30還包括：A31：找出相對於該誤差模型之該殘值符合該殘值容許範圍的該對位符號；A32：給予殘值符合該殘值容許範圍的該對位符號較大權重，其餘之該對位符號給予較小權重；A33：根據每個該對位符號的權重計算出修正後之該誤差模型；A34：比較原始之該誤差模型與修正後之該誤差模型中的參數；及A35：若原始之該誤差模型與修正後之該誤差模型中的參數差異大於一預定值，以修正後之該誤差模型代替原始之該誤差模型並重新執行步驟A31至步驟A34，直到原始之該誤差模型與修正後之該誤差模型中的參數差異小於該預定值。
- 如發明申請專利範圍第1項所述之曝光補償計算方法，在步驟A30中，該誤差模型為：OVXi=gX+RESXi；OVYi=gY+RESYi；OVXi為水平方向之測量結果；OVYi為垂直方向之測量結果； RESXi為各對位符號於水平方向之殘值；RESYi為各對位符號於垂直方向之殘值；及gX與gY為CFXi ,CFYi ,IFXi ,IFYi的函數；其中，i=1,2,...,n；該殘值容許範圍包括一水平殘值容許範圍與一垂直殘值容許範圍；CFXi與CFYi為第i個該對位符號之一曝光域座標；IFXi與IFYi則為第i個該對位符號在其該曝光域中之一座標。
- 如發明申請專利範圍第2項所述之曝光補償計算方法，其中，統計該殘值符合該殘值容許範圍的該對位符號之數量的統計方式如下：ΣI(|RESXi|<Xspec)若|RESXi|<Xspec，I=1；若|RESXi|Xspec，I=0；ΣI(|RESYi|<Yspec)若|RESYi|<Yspec，I=1；若|RESYi|Yspec，I=0；其中，Xspec為該水平殘值容許範圍，Yspec為該垂直殘值容許範圍。
- 如發明申請專利範圍第2項所述之曝光補償計算方法，其中，gX=(TRX)+(-GRX * CFY)+(-NOGR * CFY)+(GMX * CFX)+(FM * IFX)+(AFM * IFX)+(-FR * IFY)+(-AFR * IFY)；gY=(TRY)+(GRX * CFX)+(GMY * CFY)+(FM * IFY)+(-AFM * IFY)+(FR * IFX)+(-AFR * IFX)；TRX為X方向的該半導體基材或該曝光域位移效應而產生的疊對誤差量； TRY為Y方向的該半導體基材或該曝光域位移效應而產生的疊對誤差量；GRX為X方向因該半導體基材域旋轉效應產生的疊對誤差量；NOGR為Y方向因該半導體基材域旋轉效應產生的疊對誤差量減去GRX；GMX為X方向因為該半導體基材域擴大效應產生的疊對誤差量；GMY為Y方向因為該半導體基材域擴大效應產生的疊對誤差量；FM為0.5倍的X方向曝光域擴大效應產生的疊對誤差+0.5倍Y方向曝光域擴大效應產生的疊對誤差；AFM為0.5倍的X方向曝光域擴大效應產生的疊對誤差-0.5倍的Y方向曝光域擴大效應產生的疊對誤差；FR為0.5倍的X方向曝光域旋轉效應產生的疊對誤差+0.5倍的Y方向曝光域旋轉效應產生的疊對誤差；及AFR為0.5倍的X方向曝光域旋轉效應產生的疊對誤差-0.5倍的Y方向曝光域旋轉效應產生的疊對誤差。
- 一種曝光補償計算系統，包括：一測量單元，適於測量至少一半導體基材上多個對位符號；及一計算單元，適於根據該對位符號對應的測量結果以建立一誤差模型，該誤差模型包括多個殘值，並使該殘值符合依殘值容許範圍的該對位符號之數量趨近最大值；其中，該計算單元還適於找出相對於該誤差模型其該殘值符合該殘值容許範圍的該對位符號，並給予該殘值符合該殘值容許範圍的該對位符號較大權重，其餘之該對位符號給予較小權重，再根據每個該對位符號的權重計算出修正後之該誤差模型； 其中，該計算單元比較原始之該誤差模型與該修正後之該誤差模型中的該參數，若原始之該誤差模型與修正後之該誤差模型中的參數差異大於一預定值，以修正後之該誤差模型代替原始之該誤差模型並重新計算，直到原始之該誤差模型與修正後之該誤差模型中的參數差異小於該預定值，並將修正後之該誤差模型傳送至一補償單元，該補償單元適於根據修正後之該誤差模型對機台進行修正。
- 如發明申請專利範圍第5項所述之曝光補償計算系統，其中，該誤差模型為：OVXi=gX+RESXi；OVYi=gY+RESYi；RESXi為該水平方向之殘值；RESYi為該垂直方向之殘值；OVXi為水平方向之測量結果；OVYi為垂直方向之測量結果；gX與gY為CFXi ,CFYi ,IFXi ,IFYi的函數；其中，i=1,2,...,n；該殘值容許範圍還包括一水平殘值容許範圍與一垂直殘值容許範圍；CFXi與CFYi為第i個該對位符號之一曝光域座標；IFXi與IFYi則為第i個該對位符號在其該曝光域中之一座標。
- 如發明申請專利範圍第5項所述之曝光補償計算系統，其中，該計算單元還適於統計該殘值符合該殘值容許範圍的該對位符號之數量。
- 如發明申請專利範圍第6項所述之曝光補償計算系統，其中，gX=(TRX)+(-GRX * CFY)+(-NOGR * CFY)+(GMX * CFX)+(FM * IFX)+(AFM * IFX)+(-FR * IFY)+(-AFR * IFY)；gY=(TRY)+(GRX * CFX)+(GMY * CFY)+(FM * IFY)+(-AFM * IFY)+(FR * IFX)+(-AFR * IFX)；TRX為X方向的該半導體基材或該曝光域位移效應而產生的疊對誤差量；TRY為Y方向的該半導體基材或該曝光域位移效應而產生的疊對誤差量；GRX為X方向因該半導體基材域旋轉效應產生的疊對誤差量；NOGR為Y方向因該半導體基材域旋轉效應產生的疊對誤差量減去GRX；GMX為X方向因為該半導體基材域擴大效應產生的疊對誤差量；GMY為Y方向因為該半導體基材域擴大效應產生的疊對誤差量；FM為0.5倍的X方向曝光域擴大效應產生的疊對誤差+0.5倍Y方向曝光域擴大效應產生的疊對誤差；AFM為0.5倍的X方向曝光域擴大效應產生的疊對誤差-0.5倍的Y方向曝光域擴大效應產生的疊對誤差；FR為0.5倍的X方向曝光域旋轉效應產生的疊對誤差+0.5倍的Y方向曝光域旋轉效應產生的疊對誤差；及AFR為0.5倍的X方向曝光域旋轉效應產生的疊對誤差-0.5倍的Y方向曝光域旋轉效應產生的疊對誤差。
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Citations (3)
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| EP1744217A1 (en) * | 2005-07-12 | 2007-01-17 | ASML Netherlands B.V. | Method of selecting a grid model for correcting grid deformations in a lithographic apparatus and lithographic assembly using the same |
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-
2016
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Patent Citations (3)
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