TWI606315B - Alignment error compensation system and lithography system - Google Patents

Description

對準誤差補償系統及微影系統

本發明是有關於一種補償系統及微影系統，特別是指一種用於半導體製程的對準誤差補償系統及微影系統。

半導體製程主要是在晶圓上反覆的以半導體製程技術定義而形成複雜且數量龐大的半導體元件，而在如此高度積層化的製程過程中，若受到製程影響，使得其中一積層的定位偏移時，則後續各積層可能也會受到影響逐漸偏移，使得半導體元件或是層間的電性無法連結而失效或短路，因此，控制每一個製程的精密度及穩定性以準確的控制層與層間的疊對(overlay)，確保後續製成之半導體元件的良率與生產效能，則是在製程管理中相對重要的因素。

以步進式對準機台為例說明，一般對準機台都會設置對準感測器，用於曝光前先偵測晶圓上特定區域的對位標識記號以進行對準的動作，之後，根據偵測到的疊對誤差值(mis-alignment)的結果，再經由運算後即可得到該對準機台的疊對補償值(overlay offset)，因此，之後若是該晶圓進行重工(rework)流程，會利用 該疊對補償值校正該對準機台，以確保曝光過程當層的圖案可精確的與前層的圖案進行對準。

但是，一般疊對補償值(overlay offset)的計算多數利用疊對誤差量測值進行X、Y方向的對稱計算方式而得，因此，並無法滿足X、Y方向非對稱性之疊對補償需求。例如，參閱圖1，在一般金氧半導體元件(MOS device)的製程中，位於前層的接觸孔(contact hole)11與擴散區12，及接觸孔11與位於當層的閘極(gate)13之間的距離要求並不相同，即X方向與Y方向的距離x、y並不相同，圖1以x<y做說明，因此，理論上對X方向的補償比重應該要大於Y方向，但是目前於進行疊對補償時，卻是將X、Y方向以對稱或各自獨立(independent)方式計算後進行補償，因此，並不適用於不對稱需求之結構的補償，所以於補償後仍會有無法精確對準，或者補償值非最佳化的疑慮。

因此，如何提供一種可更適用於具有不對稱對準結構之對準誤差補償方法，以確保曝光過程當層的圖案可精確的與前層的圖案進行對準，而更符合元件對準需求，或者提昇對準的精度，則是本發明之重點。

因此，本發明之目的，即在提供一種用於控制一對準機台對一半導體基材的對準校正的對準誤差補償系統。

於是本發明的對準誤差補償系統，包含：一接收儲存單元、一補值參數計算單元，及一容許誤差補償單元。

該接收儲存單元是接收並儲存取自該半導體基材的多個對位符號的對準誤差值。

該補值參數計算單元是對儲存於該接收儲存單元的該等對準誤差值進行X、Y方向其中至少一方向的不對等補償參數計算，而得到一補償參數。

該容許誤差補償單元是利用該補償參數對該對準機台進行對準校正補償。

此外，本發明之另一目的，即在提供一種可控制對準誤差的微影系統。

於是，本發明該微影系統包含：一微影單元、一接收儲存單元、一補值參數計算單元，及一容許誤差補償單元。

該微影單元是用於對一表面塗佈感光性材料之半導體基材進行微影製程。

該接收儲存單元是取得並儲存該半導體基材的至少兩個對位符號的對準誤差值。

該補值參數計算單元是將該等對位符號的對準誤差值進行X、Y方向其中至少一方向的不對等補償計算，而得到一補償參數。

該容許誤差補償單元是利用該補償參數對該微影單元進行對準校正補償。

本發明之功效：利用藉由該補值參數計算單元量測或計算而得的對準誤差值於X、Y方向至少一方向進行不對等轉換計算後得到的對準補償參數，而用於具有不對等對準結構的基材於微影製程的對準補償。

21‧‧‧原始資料取得步驟

22‧‧‧補償計算步驟

23‧‧‧補償步驟

31‧‧‧原始資料取得步驟

32‧‧‧輸入步驟

33‧‧‧補償計算步驟

34‧‧‧對準補償步驟

41‧‧‧載入步驟

42‧‧‧對準誤差補償計算步驟

43‧‧‧對準補償步驟

A-F‧‧‧轉換區域

G、H‧‧‧直線

I~P‧‧‧對準誤差轉換值

Z‧‧‧原始對準誤差值

本發明之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中：圖1是一俯視示意圖，說明習知具有不對稱對準結構的態樣；圖2是一文字流程圖，說明本發明對準誤差補償方法的第一實施例；圖3是一示意圖，說明該較佳實施例利用比例式進行不對等轉換的結果；圖4是一示意圖，說明該較佳實施例利用差距式進行不對等轉換的結果；圖5是一文字流程圖，說明本發明對準誤差補償方法的第二實施例；圖6是一文字流程圖，說明本發明的第三實施例。。

本發明對準誤差補償方法，特別是用在半導體元件的製程過程中，前層與當層具有不對稱對準結構(如圖1所示)的對準誤差補償方法，以確保具有不對稱結構之當層的圖案可精確並符合元件需求的與前層的圖案進行對準，而提昇元件對準的精度。

本發明對準誤差補償方法的實施例是藉由一對準誤差補償系統進行。

該對準誤差補償系統包含一接收儲存單元、一補值參數計算單元、一輸出單元，及一容許誤差補償單元。

該接收儲存單元可接收並儲存多個取自一半導體基材的對準誤差值，且該等對準誤差值可經由直接掃描量測或計算而得。

要說明的是，該對準誤差值可以是極座標(r,θ)或直角座標(x,y)的量測或計算結果，本發明實施例的對準誤差值是以直角座標為例做說明，但不限於此。

具體的說，該接收儲存單元可為一般的定址或定位設備，或者是對準誤差量測設備，例如步進機(stepper)、掃描機(scanner)，或是對準誤差量測機台所具有的儲存元件，可用於接收並儲存該些原始對準誤差值(x、y)；該對準誤差值是取自該半導體基材上多個當層對前層的對位符號的對準誤差值，或是晶圓對準 曝光過程中，將多個對位符號的座標量測值與對應的標準記號的預設座標值比對後而得。

該補值參數計算單元包括一個計算器，該計算器可對儲存於該接收儲存單元的多個原始對準誤差值進行補償參數值計算，得到一補償參數。其中，該補值參數計算單元還包括一個X/Y不對等補償條件輸入件，可用以輸入X、Y不對等條件，以供該計算器進行補償參數值計算，而得到該補償參數。

其中，該對準誤差值可以對準誤差值(x、y)表示，(x、y)為X、Y方向誤差值，該補償參數計算單元可以利用該計算器先將該等對準誤差值(x、y)進行X方向，及/或Y方向的不對等轉換，得到對應的對準誤差轉換值(x’，y’)後，再利用該等對準誤差轉換值(x’，y’)進行對準補償參數值計算，得到一補償參數。

或是，也可利用將該等對位符號於X、Y方向的不對等條件輸入該X/Y不對等補償條件輸入件，再以該計算器利用該等對位符號於X、Y方向不對等條件，直接進行補償參數值計算，而得到該補償參數。其中，要說明的是，該不對等條件可以是該等對位符號於X、Y方向的不對等誤差容許值、不對等規格，或權重資料值；且該不對等條件可以是X、Y方向各別的容許誤差的數值、比值，或是百分比方式表示。例如以：(0.2,0.1)、0.5(0.1/0.2)，或50%表示。

該補值參數計算單元可以是前述步進機(stepper)、掃描機(scanner)，或是對準誤差量測機台內建的運算系統、獨立的電腦系統，或者是對準誤差量測機台，利用該計算單元可將該等對準誤差值(x、y)經由該補償參數進行轉換，並經計算，而得到對準誤差殘餘值(residuals)。

該輸出單元可以是前述步進機(stepper)、掃描機(scanner)，或是對準誤差量測機台內建或是獨立的電腦系統，用以將該該補償參數輸入至該容許誤差補償單元。

該容許誤差補償單元用以將該補償參數輸入對準機台，利用該補償參數做為該對準機台對半導體基材的對準補償。

參閱圖2，本發明對準誤差補償方法的一第一實施例，包含一原始資料取得步驟21、一補償計算步驟22，及一補償步驟23。

該原始資料取得步驟21是取得一經由黃光製程之光阻覆蓋、對準與顯影等製程處理後的半導體基材上的多個當層對前層的對準誤差值(x、y)，其中該(x、y)即為X、Y方向誤差值。

該半導體基材可以是液晶面板、顯示器，或是半導體晶圓等不同用途的基板，於本實施例中該基材是以半導體晶圓為例做說明。該等對準誤差值(x、y)可以是利用對準機台與原始即存在該半導體晶圓表面的對位符號(alignment marks)，或是與經由一 後製程形成於該半導體晶圓的其中一積層表面的疊對符號(ovcrlay marks)，經由對準誤差量測機台進行量測的量測結果。且該等原始的對準誤差值(x、y)可經由該接收儲存單元量測後儲存於該接收儲存單元中。

要說明的是，前述該製程處理並不特定是用於IC(積體電路)的製造，也可以用於製作其它具有微米尺度或是奈米尺度的元件，例如光學系統、光罩圖案、磁儲存元件的檢測圖案、平面顯示器或液晶顯示器等，而該基材則可以是具有一前層(或底層)對準量測符號以用於製作該等元件的底材，或是已包含多層積層的底材。

該補償計算步驟22是先將多數的對準誤差值(x、y)進行X、Y方向其中至少一方向的不對等轉換，以得到多個對應的對準誤差轉換值(x’，y’)，接著，再利用該等對準誤差轉換值(x’，y’)進行對準誤差補償參數值計算，得到一補償參數。

具體的說，該步驟22是先將多數的對準誤差值(x、y)進行不對等轉換，以得到多個對應的對準誤差轉換值(x’，y’)，並令轉換後之對準誤差轉換值(x’，y’)滿足：x’=x-A，y’=y-B，其中，A=±(S_x/2)或0、B=±(S_y/2)或0，S_x及S_y為該等原始資料之X、Y方向的容許誤差預設值。其中，該容許誤差預設值可以是預設的規範值(SPEC)或是可忍受的誤差值(tolerance)。

詳細的說，該步驟22是對儲存於該接收儲存單元的該等對準誤差值(x、y)進行四則運算或線性函數運算，將該等原始對準誤差值(x、y)進行不對等轉換，而得到對應的對準誤差轉換值(x’，y’)。

例如，該步驟22可以是將該等對準誤差值(x、y)(即X、Y方向誤差值)分別或同時乘以一數值a、b，簡稱比例式，而將該等對準誤差值(x、y)轉換成對應的對準誤差轉換值(x’，y’)，令x’=ax，b’=by，其中，a不等於b，且a、b不為0；較佳地，a不等於b，且a、b均大於0，更佳地，a不等於b，且a=1或b=1。或是將該等對準誤差值(x、y)的x值或y值的其中之一分別加或減一預定數值m或n，或是將該等對準誤差值(x、y)的x值及y值分別加或減一預定數值m、n，簡稱差距式，而將該等對準誤差值(x、y)轉換成對應的對準誤差轉換值(x’，y’)，令x’=x±m，y’=y±n，其中，m不等於n，且m、n不為0。

要說明的是，前述該a、b及m、n的目的是要讓該等對準誤差值(x、y)變形而產生不對稱結果，因此，理論上任意值均可，然而，若考量實務上半導體元件佈線(layout)以及元件尺寸或線寬/線距的關係，較佳地，該a、b值大於0且不大於2，且m、n值不大於10nm。

該補償參數的計算是利用前述內建或外接的該補值參數計算單元將經由對準誤差值(x、y)轉換而得的對準誤差轉換值(x’，y’)再進行對準誤差補償參數值計算，而得到該補償參數。其中，該對準誤差補償參數為晶圓的旋轉(wafer rotation)、晶圓於X、Y方向的平移(wafer translation)、晶圓於X、Y方向的擴張(wafer expansion)、光罩的旋轉與縮放(reticle rotation and magnification)的補償參數，由於該對準誤差補償參數值的計算方法為本技術領域者周知，所以不再詳加敘述。

最後，進行該補償步驟23，將該補償計算步驟22計算而得的補償參數利用該輸出單元輸入至該容許誤差補償單元，再經由該容許誤差補償單元輸入該補償參數至對該對準機台，做為具有該等原始對準誤差值的基材的對準/對準補償值，以用來校正該對準機台。

具體的說，參閱圖3，圖3所示是將該等原始的對準誤差值(x、y)利用比例式進行不對等轉換的結果，其中，x’=x×a，y’=y×b，而因為控制a不等於b，因此當經過該步驟22轉換後而得的轉換結果即會產生不對稱的變形。例如以圖3中的A區域為例，是將原始對準誤差值Z的x及y，分別乘以數值a、b(a<b，且a、b均小於1)的轉換結果，因此，於A區域的各對準誤差轉換值相對原始對準誤差值Z，其對準誤差均比原始對準誤差值Z優化，然而 在X方向的對準誤差值變異量相對Y方向會變得更優化，因此，當利用該A區域內的對準誤差轉換值進行該補償計算步驟22的補償參數計算時，即可得到對Y方向有較大補償比重的對準誤差補償值；再以圖3中的F區域為例，F區域是將原始對準誤差值Z分別乘以數值a、b(a>1，b>1，且a>b)的轉換結果，因此，F區域中各對準誤差轉換值的對準誤差變異量均比原始對準誤差值Z惡化，且其X方向的對準誤差值變異量會比Y方向的對準誤差值變異量更為惡化，因此，當利用該F區域內的對準誤差轉換值進行該補償參數計算時，即可得到對X方向有較大補償比重的對準誤差補償參數。

參閱表1，表1是將圖3中的A~F區域、直線G及直線H相對原始對準誤差值Z的a、b值關係，及經過轉換後之轉換區域的對準誤差轉換值(x’,y’)，相對原始對準誤差值Z的變異量比較結果。

再參閱圖4，圖4則是說明將該原始對準誤差值(x、y)利用差距式，將該等原始對準誤差值(x、y)轉換成對應的對準誤差轉換值(x’，y’)的結果。以圖4中的對準誤差轉換值I為例說明，該對準誤差轉換值I(x’=x-m,y’=y+n)是將原始對準誤差值Z(x,y)分別進行(x-m)，及(y+n)，其中，m>0,n>0，的轉換結果。因此，該對準誤差轉換值I相對原始對準誤差值Z，其X方向的對準誤差值會比原始的原始對準誤差值Z優化，然而在Y方向的對準誤差值相對會變得惡化，因此，當利用該對準誤差轉換值I(x’=x-m，y’=y+n)進行該補償參數計算時，即可得到對Y方向有較大補償比重的對準誤差補償值。

參閱下表2，表2是將圖4中Z點的原始對準誤差值(x,y)經過不同的m、n值轉換而得之I-P點的對準誤差轉換值(x’,y’)，及該等對準誤差轉換值I-P相對原始對準誤差值Z的對準誤差補償值變異量比較結果。

此外，要再說明的是，為了讓該等對準誤差值(x、y)於轉換成對應的對準誤差轉換值(x’，y’)的過程可具有相同的趨勢，因此，較佳地，於轉換的過程中，須控制x/x’均大於y/y’，或是x/x’均小於y/y’，且x×y’不等於y×x’，而讓該等對準誤差轉換值(x’，y’)均可具有相同的變形趨勢；此外，為了在進行對準補償值的計算過程中，讓不對等的對準誤差補償可具有較高的貢獻度，因此，較佳地，會有至少一半數量的原始對準誤差值(x、y)會進行該轉換步驟22。

要說明的是，前述該第一實施例是以該等原始對準誤差值(x、y)均為正值，也就是均出現在第一象限為例做說明，而當該等原始對準誤差值(x、y)為分佈在不同象限時，則僅須將其正負符號加對準誤差入轉換值運算即可。以前述差距式為例，則x’=x+x/| x |×m，y’=y+y/| y |×n；以比例式為例，x’=x×x/| x |×a，y’=y×y/| y |×b，且較佳地，前述該a、b均大於0。

此外，要再說明的是，為了確保經過該轉換步驟22而得的該等對準誤差轉換值(x’、y’)仍位於同一象限，因此，當x>0，則平移m(m>0)，令x’=x+m；x<0，令x’=x-m(m>0)，同樣地，當y>0，則平移n(n>0)，令y’=y+n；y<0，則令 y’=y-n(n>0)；即可用以避免進行該轉步驟22時，因為有原始對準誤差值(x、y)過於接近X軸或Y軸，而產生象限變化的問題。

參閱圖5本發明對準誤差補償方法的一第二實施例包括一原始資料取得步驟31、一輸入步驟32、一補償計算步驟33，及一對準補償步驟34。

該原始資料取得步驟31是利用該接收儲存單元掃描並儲存於一半導體基材上的多個對位符號(alignment marks)(即原始資料)於該半導體基材的對準誤差值。

該輸入步驟32是將該等對位符號於X、Y方向的不對等條件輸入至該補值參數計算單元的X/Y不對等補償條件輸入件。

等補償計算步驟33，以該補值參數計算單元的計算器，利用輸入至該X/Y不對等補償條件輸入件的不對等條件，對該等對準誤差值(x、y)進行補償參數值計算，得到該補償參數。

其中，該不對等條件是針對單一次曝光、單一次圖案形成，或光阻重工、接收，該等對位符號於X、Y方向的不對等誤差容許值、不對等規格，或權重資料值；而該不對等條件，可以是該等原始資料於X、Y方向的容許誤差規格比值，例如X/Y=60/40、或是該等原始資料於X、Y方向的容許誤差值，例如|(X)|≦a，或|(Y)|≦b；或是該等原始資料於X、Y方向的規格偏移值，例如|(X)|-|(Y)|=k。

此外，要說明的是，該等原始資料於X、Y方向的不對等條件可以是在每次計算時輸入，或是於第一次輸入，之後，即可由該計算器直接抓取前次製程所設定之不對等條件資料，進行該補償參數值計算，而不須每次輸入。

最後，進行該對準補償步驟34，將計算而得的該補償參數輸入一對準機台，利用該補償參數做為對準或重工之機台的校正補償。

本發明的一第三實施例是說明利用本發明該對準誤差補償方法作為一微影系統於微影製程的對準誤差控制方法。

該微影系統除了包含了前述該等實施例所述的該接收儲存單元、補值參數計算單元，及該容許誤差補償單元之外，還包含了一用於對一表面塗佈感光性材料之半導體基材進行微影蝕刻製程的微影單元。

參閱圖6，本發明該第三實施例是利用該微影系統對一半導體基材進行圖案化的方法。該圖案化方法包含一載入步驟41、一對準誤差補償計算步驟42，及一對準補償步驟43。

該載入步驟41是將一個具有至少兩個對位符號的半導體基材表面塗佈一層感光性材料層，並載入一微影單元中，於本實施例中，該微影單元是一曝光機台，將該曝光機台與該半導體基材進行對準。

該對準誤差補償計算步驟42是將該等對位符號的對準誤差值進行X、Y方向的不對等補償計算，而得到一補償參數。

該不對等補償計算是利用該補值參數計算單元，將該等對準誤差值進行X、Y方向的不對等轉換，再進行補償參數值計算得到一補償參數，或是依據該等對位符號於X、Y方向的不對等條件，直接對該等對準誤差值進行補償參數值計算，而得到一補償參數。由於該補償計算方式與該第一、二實施例相同，因此不再多加贅述。

該對準補償步驟43是將該等補償參數輸入至該曝光機台，利用該補償參數做為該曝光機台對該半導體基材進行曝光微影製程的對準校正補償。

綜上所述，本發明利用依據位於半導體基材上的對位符號於X、Y方向的不對等條件，直接對該等對準誤差值進行不對等的補償參數值計算，而得到一補償參數，或是對儲存於該接收儲存單元的該等對準誤差值先進行X、Y方向的不對等轉換，再進行補償參數值計算得到一補償參數，使其更能滿足具有不對稱對準結構的對準誤差補償對準，以確保曝光過程當層的圖案可精確的與前層的圖案進行對準，而更提昇對準的精度，並符合元件需求，故確實能達成本發明之目的。

惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

21‧‧‧步驟

22‧‧‧步驟

23‧‧‧步驟

Claims (17)

1. 一種對準誤差補償系統，用於控制一對準機台對一半導體基材的對準校正，包含：一接收儲存單元，接收並儲存取自該半導體基材的多個對位符號的對準誤差值；一補值參數計算單元，對儲存於該接收儲存單元的該等對準誤差值進行X、Y方向其中至少一方向的不對等補償參數計算，而得到一補償參數，其中，該補值參數計算單元包括一個X/Y不對等補償條件輸入件，用以輸入一X、Y不對等條件，該補值參數計算單元是依據該等對位符號於X、Y方向的不對等條件，對該等對準誤差值進行X、Y方向的不對等補償計算，而得到該補償參數；及一容許誤差補償單元，利用該補償參數對該對準機台進行對準校正補償。
2. 如請求項第1項所述的對準誤差補償系統，其中，該對準誤差值以對準誤差值(x、y)表示，(x、y)為X、Y方向誤差值，該補值參數計算單元是將該等對準誤差值(x、y)進行X、Y方向的不對等轉換，得到多個對應的對準誤差轉換值(x’，y’)，控制令x不等於x’，或y不等於y’，並利用該等對準誤差轉換值進行對準補償參數值計算，得到該補償參數。
3. 如請求項第2項所述的對準誤差補償系統，其中，該補值參數計算單元是將至少一半數量的該等對準誤差值(x、y)進行轉換。
4. 如請求項第2項所述的對準誤差補償系統，其中，該補值參數計算單元，是令x’=x-A，y’=y-B，其中，A=±(S_x/2)、0，B=±(S_x/2)、0，S_x、S_y為該等原始資料之X、Y方向的容許誤差預設值。
5. 如請求項第2項所述的對準誤差補償系統，其中，該等對準誤差值(x、y)與轉換後的對準誤差轉換值(x’,y’)皆符合x/x’大於y/y’，或x/x’小於y/y’。
6. 如請求項第2項所述的對準誤差補償系統，其中，該補值參數計算單元是利用將該等對準誤差值(x、y)進行四則運算、線性函數運算，或多項式運算，而將該等對準誤差值(x、y)轉換成對應的對準誤差轉換值(x’，y’)。
7. 如請求項第6項所述的對準誤差補償系統，其中，該補值參數計算單元是將該等對準誤差值(x、y)分別乘以一數值a、b，而轉換成對應的對準誤差轉換值(x’=ax，y’=by)，其中，a不等於b，且a、b不為0。
8. 如請求項第6項所述的對準誤差補償系統，其中，該補值參數計算單元是將該等對準誤差值(x、y)的x值或y值的其中之一分別加或減一預定數值m或n，或是將該等對準誤差值(x、y)的x值及y值分別加或減一預定數值m、n，而將該等對準誤差值(x、y)轉換成對應的對準誤差轉換值(x’，y’)，其中，m不等於n，且m、n不為0。
9. 如請求項第1項所述的對準誤差補償系統，其中，該接收儲存單元為步進機、掃描機，或是對準誤差量測機台，該對準誤差值是取自該半導體基材上多個當層對前層的對 位符號的對準誤差值，或是晶圓對準曝光過程中，將多個對位符號的座標量測值與對應的標準記號的預設座標值比對後而得。
10. 如請求項第1項所述的對準誤差補償系統，其中，該不對等條件可以是X、Y方向各別誤差容許值的數值、比值，或是百分比表示。
11. 如請求項第1項所述的對準誤差補償系統，其中，該不對等條件，是針對單一次曝光、單一次圖案形成，或光阻重工，該等對位符號於X、Y方向的不對等誤差容許值、不對等規格，或權重資料值。
12. 如請求項第1項所述的對準誤差補償系統，還包含一輸出單元，將該補償參數輸入該容許誤差補償單元。
13. 一種微影系統，包含：一微影單元，用於對一表面塗佈感光性材料之半導體基材進行微影蝕刻製程；及一接收儲存單元，取得並儲存該半導體基材的至少兩個對位符號的對準誤差值；一補值參數計算單元，將該等對位符號的對準誤差值進行X、Y方向其中至少一方向的不對等補償計算，而得到一補償參數，其中，該補值參數計算單元包括一X/Y不對等補償條件輸入件，用以輸入一不對等條件，該不對等條件是該等對位符號於X、Y方向的不對等誤差容許值、不對等規格，或權重資料值；及 一容許誤差補償單元，利用該補償參數對該微影蝕刻單元進行對準校正補償。
14. 如請求項第13項所述的微影系統，其中，該補值參數計算單元是依據該等對位符號於X、Y方向的不對等條件，對該等對準誤差值進行X、Y方向的不對等補償計算，而得到該補償參數。
15. 如請求項第14項所述的微影系統，其中，該不對等條件可以是X、Y方向各別誤差容許值的數值、比值，或是百分比表示。
16. 如請求項第13項所述的微影系統，其中，該等對準誤差值以對準誤差值(x、y)表示，(x、y)為X、Y方向誤差值，該補值參數計算單元是將該等對準誤差值(x、y)進行X、Y方向的不對等轉換，得到多個對應的對準誤差轉換值(x’，y’)，控制令x不等於x’，或y不等於y’，並利用該等對準誤差轉換值進行不對等補償計算，得到該補償參數。
17. 如請求項第13項所述的微影系統，其中，該等對準誤差值是取自該半導體基材上多個當層對前層的對位符號的對準誤差值，或是該半導體基材對準曝光過程中，將多個對位符號的座標量測值與對應的標準記號的預設座標值比對後而得。