TW201013323A - Peripheral exposure device and peripheral exposure method - Google Patents
Peripheral exposure device and peripheral exposure method Download PDFInfo
- Publication number
- TW201013323A TW201013323A TW097148162A TW97148162A TW201013323A TW 201013323 A TW201013323 A TW 201013323A TW 097148162 A TW097148162 A TW 097148162A TW 97148162 A TW97148162 A TW 97148162A TW 201013323 A TW201013323 A TW 201013323A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- exposure
- unit
- peripheral
- substrate
- exposure unit
- Prior art date
Links
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 title claims abstract description 98
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 123
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 32
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 4
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 241000283973 Oryctolagus cuniculus Species 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706835—Metrology information management or control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706843—Metrology apparatus
- G03F7/706849—Irradiation branch, e.g. optical system details, illumination mode or polarisation control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706843—Metrology apparatus
- G03F7/706851—Detection branch, e.g. detector arrangements, polarisation control, wavelength control or dark/bright field detection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
201013323 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 _ 本發明有關在基板的圖案區域的周邊區域照射含有紫 外線的光來進行周邊曝光的周邊曝光裝置。 【先前技術】 利用曝光裝置對大型基板的圖案進行曝光處理之後， 需要預先對存在於圖案區域周邊的周邊區域上的不需要的 光阻劑墨液（以下稱光阻劑）進行曝光，使其不會成為其 後工序的障礙《在專利文獻！（曰本特許第3211〇79號公 報）中，使可調節照射光的開口部的光源裝置在基板周圍 -旋轉來進行周邊曝光。該周邊曝光裝置不旋轉基板，而是 -通過光源裝置在基板周圍旋轉並調節照射光的開口部來均 勻地對周邊進行曝光。 疋見有的周邊曝光裝置存在如下所示的問題點。 ❸s有的周邊曝光裝置利用觀察裝置將形成在基板上的識別 。己號作為標>^而進行識別，並根據該標記的資訊而對準基 板來進行周邊曝光的準備。具體地，為了獲取正確的基板 位置資訊’觀察裝置對整個基板進行掃描，並對整個基板 的旋轉方向、以及χ、γ方向的位置進行修整。因此，隨著 基板的大型化，辟埋丨、7 Τ Η0 β« sr . 使仵以下問碭更加顯者：觀察裝置對基板 整體的掃#田時間、承載著基板的台座的整合動作時間等的 對準工序所需的時間變長，整個周邊曝光工序的處理時間
2244-10206-PF 201013323 , 另外’圖案區域和周邊區域的界限是被嚴格規定的， 且該界限為imm以下。周邊曝光裝置需要確保該界限來防 止圖案區域的二次曝光。在以G8系列用的液晶基板為物件 的曝光裝置中’基板的典型尺寸為21 6 0麗><2 400mm，厚度 為〇_ 7mm，且正在向大尺寸發展。該基板將長邊中的一邊 作為第1基準邊，用作從玻璃製作到形成各圖案後分離到 各面板上為止的基準，且將正交於該基準邊的邊作為第2 φ 基準邊。雖然可以確保該第1基準邊及第2基準邊的直線 性，但是無法確保與這些基準邊對向的邊的直線性。從而， 現有的周邊曝光裝置還存在進行對向邊的周邊曝光處理時 •不能確保界限的問題。即，現有的周邊曝光裝置還存在如 . 下問題：由於基板的移動和曝光用光源的移動不是根據一 _個資訊源、’因Λ基板的基準邊的周料光區域不平行於第 2列以後的周邊曝光區域，並且在極端的情況下周邊曝光 的光線會侵入圖案區域。從而，需要確保基準邊的周邊曝 © *區域平行於第2列以後的周邊曝光區域。 【發明内容】 本發明是鐾於上述問題點而進行，提供簡化對準工 序，且能夠正確地確保平行於基準邊的周邊曝光區域的周 邊曝光裝置及周邊曝光方法。 作為解決課題的手段，第 用紫外光對形成於回路圖案區 光的周邊曝光裝置，該回路圖 1觀點的周邊曝光裝置是利 域的周圍的周邊區域進行曝 案區域形成在矩形基板上。
2244-10206-PF 201013323 ==裝置包！··保持矩形基板的曝光台；設置在矩 單元上方’從照射口向周邊區域照射紫外光的曝光 在曝光1方向驅動曝光台和曝光單元的驅動部；配置 =二檢測矩形基板的—邊的邊緣而算出基板與第 的算出4 2的傾斜度算出元件；基於傾斜度算出元件 == 矩形基板正交的垂線方向為基準旋轉基 參 ❷ 邊巴域门^後’由傾斜度算出元件檢測出邊緣而特定周 =:同時利用驅動部相對驅動曝光台和曝光單元，並 吏兔外先與邊緣平行地從曝光單元照射的控制部。 行，可控制向第一方向移動的一邊相對于基板成平 :從而由曝光單元照射的紫外光可以 適當的照射範圍。 Τ订也”、、射 f 2觀點的周邊曝光裝置的曝光單^裝在托架上， 仲/托架在曝光台的上方沿著與第i方向交又的第2方向延 中’且曝光單70可以在托架上沿第2方向移動。 第3觀點的周邊曝光裝置的傾斜度算出元件具有在第 1方向互相隔開的第i位置檢測器及第2位置檢測器。 曝光點的周邊曝光裝置’在第3觀點所記載的周邊 曝=置中，曝光單元包含配置在第2方向的第】曝光單 ==單元。第1曝光單元上安裝有第1位置檢測 =第2位置檢測m曝光單元和第2曝光單元基於 第1位置檢測器的檢測結果而照射紫外光。 第5觀點的周邊曝光方法是斧有照射紫外光的曝光單 凡’且利用紫外光對形成於回路圖案區域的周圍的周邊區
2244-10206-PF 7 201013323 •域進行曝光的周邊曝光方法，該回路圖案區域形成在矩形 • 基板上。該方法包含：將矩形基板保持在曝光臺上的保持 工序，利用设置在曝光單元上的位置檢測器檢測矩形基板 的邊的邊緣而算出基板自第1方向的傾斜度的傾斜度算 出工序，基於傾斜度算出結果而旋轉基板或曝光單元的旋 轉工序；向第1方向相對地驅動曝光單元和曝光台的驅動 工序，利用傾斜度算出元件檢測邊緣而特定周邊區域，同 φ 時與邊緣平行地從曝光單元照射紫外光的照射工序。 第6觀點的周邊曝光方法，曝光單元包含第丨曝光單 元和第2曝光單元，且第！曝光單元及第2曝光單元安裝 在托架上，該托架在曝光台的上方沿著與第1方向交叉的 第2方向延伸。在保持工序之後，第1曝光單元及第2曝 光單元移動至矩形基板的周邊曝光區域上。 第7觀點的周邊曝光方法，在第5觀點及第6觀點所 記載的周邊曝光方法中’位置檢測器由在帛i方向上互相 參隔開的第1位置檢測器及第2位置檢測器構成，且根據第 1位置檢測器及第2位置檢測器檢測矩形基板的一邊的邊 緣。 第8觀點的周邊曝光方法，在第7觀點所記載的周邊 曝光方法中，驅動工序由第丨位置檢測器或第2位置檢測 器確認矩形基板的邊緣之後，相對驅動曝光單元和曝光台。 第9觀點的周邊曝光方法，在第5觀點至第8觀點所 記載的周邊曝光方法中，驅動工程向第1方向相對驅動曝 光單元和曝光台之後，旋轉矩形基板或曝光單元，再向第
2244- 10206-PF 8 201013323 1方向驅動曝光單元和曝光台。 【實施方式】 〈周邊曝光裝置100的構成〉
以下，參照附圖對有關本發明的周邊曝光裝置1 0 0的 實施例進行說明。圖1A及圖1B表示本發明的周邊曝光裝 置1〇〇的整體形狀。圖1A是周邊曝光裝置1〇〇的俯視圖； 圖1B是其側視圖。 周邊曝光装置100主要由框體11及門型托架21構 成°框體11的上面設置有旋轉台14及曝光台15,在曝光 台1 5上承載並吸附固定基板sw。門型托架21上設置有照 射紫外光的曝光單元31，在本實施例中設置有3個第1曝 光單元31a、第2曝光單元31b及第3曝光單元31c。另外， 在周邊曝光裝置1〇〇上設置用於控制裝置的主控制部9〇, 根據來自各部分的資訊來控制各個裝置，從而進行正確的 周邊曝光處理。以下，進行詳細說明。 本實施例中使用的基板sw的尺寸為例 216〇隨2400随的矩形，厚度為〇·7μ。將該基板別的 1A左側的γ軸方向（第] 弟1方向）的一邊規定為第丨基準 SN! ’將圖1A下側的χ軸方向（第2方向）垂直於第^ 準邊SN1的一邊規定為第2 、 及笛9 Α淮“ $第2基準邊SN2。第！基準邊Sj 及第2基準邊SN2在破璃的制、止、風 十ί一 磲的製&過程中作為基準而製作 在進行液晶曝光時從來ί 而“ 回路圖案之後分離到多個液 面板為止制作基準，且精密地形成。. £
2244-10206-PF 9 201013323 設置在框體11上面的旋轉台14可以沿0方向旋轉基 板SW，且可以進行基板sw朝向Θ方向旋轉的微調及基板 SW的90度旋轉。在此，本實施例中由於基板Μ是沿著規 定的通道進人到周邊曝光裝£ 1GG内，因此沒有搭載使曝 先台15向Z方向移動的台座，但也可以在框體u或者旋 轉台14的上面設置修正基板別的z方向的位置的移動台 座。 φ 在旋轉台14的上面設置有承載基板SW的曝光台15。 在該曝光台15的上面豎立設置有多個支推基板的圓柱 (未圖示）。基板SW承載在該多個圓柱的頂上，且利用吸 •附元件（未圖示）吸附固定。由此，可以防止基板sw的塗 布有感光材料的-面與感光材料之外的物質接觸。另外， _可以防止基板SW的搬運元件（未圖示）的把手與曝光台座 1 5的幹擾。 搭載3個曝光單元31的門型托架21以跨立基板別的 ❹形狀被設置’且門型托架21可以在基板sw的上面沿U 方向（第-方向）移動。門型托架21和框體U由托架移 動機構22被連接’門魏架21可以通過運行托架移動機 構22的驅動裝置而在基板抑上面沿第i方向移動。在此， 驅動裝置可使用由例如線性移動裝置或滾珠螺杆、滑道、 螺杆驅動用電機等構成的移動裝置，只要是可以正確地控 制位置及移動速度的裝置即可。 .另外’在門型托架21的中央前面的3處設置有在叉軸 方向（第2方向）並列的滑動機構犯。在上述設置於3處
2244-102D6-PF 10 201013323 二滑動機構32a、，2滑動機構32b及第3滑動機構 C刀別連接第1曝光單元3la、第2曝光單元训及 3曝光單元31c。在滑動裝置 上叹置有未圖不的驅動裝 置，通過運行驅動裝置可以使各個曝光單元3ι移動至第2 方向的規定位置上。在此，驅動梦 動衷置與托条移動機構22相 问，只要是可以正確地控制位置 件都可。 置的裝置，採取任何移動元 在本實施例中，門型托架21上搭載了 3個曝光單元 這種配置在基…—面形成2列圖案的情況時有 效。即，適合於存在3列周邊曝光區域的製造線。因此， 在基板別的一面形成3列以上圖案的情況存在以下方法： 增加移動門型托架21的通過次數的 方法’或者增加搭載在 托架21上的曝光單元31的數 1扪数重的方法。通過使用這 些方法周邊曝光裝置1〇〇可以適合 曝光。 、口於各種圖案尺寸的周邊 參 雖然3個曝光單元31為相同的構成，但在第！曝光單 -3^上設置有位置檢測器5卜由於其他的第2曝光單元 31b及第3曝光單元仏上無需設置位置檢測器5卜以下 作為代表對搭載了位置檢測器51的第丨曝光單元…的構 成進行說明。 圖2A、圖2β及圖沈是表示第1曝光單元3U的構成 的圖，圖^是表示從-γ方向所觀察的第1曝光單元31a 的構成的側視圖。圖2B是袅亍你士 & 疋表不從+X方向所觀察的第1曝 …3“的構成的正視圖。圖％是表示從照射口側
2244-10206-PF 11 201013323 軸方向）所觀察的第1曝光單元31a的構成的仰視圖。 第1曝光單元31a由橢圓反射鏡35、水銀燈36、第j 投影透鏡37、第2投影透鏡38、快門機構39、遮光機構 40以及位置檢測器51構成。作為第i曝光單元31&的光 學系的橢圓反射鏡35、水銀燈36、第i投影透鏡37以及 第2投影透鏡38收放在箱型的盒子中，在圖2A及圖⑼中 以虛線表示。 φ 水銀燈36的光線在橢圓反射鏡35上反射，朝照射口 侧（-z轴方向）改變方向，通過第i投影透鏡37而矯正 為平行光，其次通過第2投影透鏡38而限制成具體的周邊 曝光光EL的形狀。在第】投影透鏡37和第2投影透鏡” 之間安裝有遮斷光線的快門機構39。快門機構39由遮斷 光線的感光板39P以及開閉感光板39p的電機等的驅動元 件39m構成。快門機構39通過在期望的時機開放快門來控 制光線照射的時機。 ❹ 通過第1曝光單元31a的第2投影透鏡38的光線通過 照射口 33,向盒子外射出。通過照射口 33的光線由遮光 機構40根據需要進行調整。遮光機構4〇由遮光板4〇p和 驅動電機40m構成，可以通過運行驅動電機4〇m來進行遮 光板40p的插入及退避。 例如，遮光機構4 0可以根據需要遮蔽從照射口 3 3射 出的平行光線來對應於要求從基板的邊緣到圖案區域小於 7〇咖的基板》W，這裏平行光線由第2投影透鏡38形成最 大尺寸，具體為70mmx70nm。另外，同樣還可以對應於不 2244-10206-PF 12 201013323 僅是從基板的邊緣而是將圖案和圖案的距離設計成7〇jnm 以下的基板sw。 在第1曝光單元31a的下方的照射口 33的近旁設置有 一對第1位置檢測器51 a及第2位置檢測器51 b。由於第1 位置檢測器51a及第2位置檢測器51b為相同的結構，沒 有特別指定的情況以位置檢測器51進行說明。
第1位置檢測器51 a和第2位置檢測器51 b將照射口 33夾在中間，且在γ軸方向相隔規定的間隔kd而設置。 例如，本實施例的周邊曝光裝置1〇〇的照射區域的寬度為 70mm ’第1位置檢測器51a和第2位置檢測器分別設 置在距該照射區域140mm的規定間隔的位置上。 圖3是表示位置檢測器51的側視圖的圖，圖示了其内 部構成。位置檢測3 51由紅外線光源52、控制光學系53 及感測器54構成，在U字型的框架的前端上對面地設置紅 外線光源52和感測器54。位置檢測器51可以利用控制光 學系53使從紅外線光源52射出的紅外線成為平行的紅外 線光線IL，並通過基板SW的邊緣遮蔽紅外線光線il來利 用感測器54測量基板SW的邊緣位置。在此，感測器“只 要能夠將其被遮蔽的敎值快速且準確地傳達到主控制部 90即可，例如，可以使用線性感測器及CCD感測器等。 周邊曝光裝f1〇〇的主控制部9〇通過帛i位置檢測器 ^和第2位置檢測器51b檢測出基板別的邊緣位置來測 :二板sw的傾斜度，從而旋轉台座14向補正傾斜度的方 轉。以下，對主控制部的基板位置控制系的控制方 2244-l〇2〇6_pp 13 201013323 法進行說明。 〈基板位置控制系的控制方法〉 圖4疋主控制部9 〇的基板位置控制系的控制方塊圖。 主控制部90由演算部91、驅動控制部92及單元控制部93 構成。 演算部91根據第1位置檢測器51a和第2位置檢測器 51b輸出的位置資訊而演算基板的傾斜度W0。其演算結果 ❹傳至驅動控制部92。驅動控制部92驅動旋轉台14，使基 板SW的傾斜度W6»成為。 圖5是表示演算部91處理的基板傾斜度的算出方 法的圖。基板SW沿+Y方向移動的情況，首先檢測到基板 sw的第1基準邊SN1的第i位置檢測器51&獲得距基準線 (Y軸）的間隔距離a。其次，第2位置檢測器51b獲得第 1基準邊SN1和基準線（γ轴）的間隔距離b。第i位置檢 測器51a和第2位置檢測器51b的間隔設計成間隔距離c。 ©决算部91可以由以上的值㈣數學式丨來算出基板別的 傾斜度㈣。由此，驅動控制部92通過使旋轉台14向基 板sw的傾斜度we的反方向旋轉，使第〗基準邊SN1與基 準線（Y軸）平行，可以不與圖案重疊地安全地進行基板 SW的周邊曝光。在這裏為了易於說明，沿+γ方向移動了基 板SW ’但也可以沿-Υ方向移動門型托架21。
We=tan1{^^\ ^ C (1) 在此，也可以僅由第1位置檢測器51a或第2位置檢
2244^10206-PF 14 201013323 測器5 1 b复4r A5 土、丨+ 择得距某Γ 0。具體地’第1位置檢測器… …移動線(YW的間隔距離”其次’通過使門型托 L距離隔距離c而使第1位置檢測器51a也僅移動 轴）的Hi因此，第1位置檢測器…獲得距基準線Π :的。由此，可以利用數學式1來算出基板 SW的傾斜度w 0。 參 再i欠回到圖4,在第i基準邊SN1與基準線（Υ轴）平 ^單讀制部93根據距基準線的間隔距離移動第W 单凡la、第2曝光單元31b及第3曝光軍元3ic。此時， =相對於最初檢測第i基準邊SN1 (圖5)的位置檢測器 51而調整曝光單元3…置，從而進行與基準線平行的 =方型托架21Γ:Υ方向(在圖5中是基板 °移動的If況，單兀控制部93根據第】位置 檢測器…的檢測結果調整曝光單元31的配置，而門型托 架心+Y方向（在圖5中是基板別沿―γ方向）移動的情 :’早兀控制部93根據第2位置檢測器训的檢測結果調 曝先單几31的配置。這樣，單元控制部93切換位置檢 測器5!而調整3處的曝光單元31的配置，使曝光單元μ 成為最優的配置。 〈主控制部9 0的流程圖〉
圖6是用於進行周邊曝光處理的主控制部90的流程 圖。流程圖表示插入基板卯後的步驟，從各台座、控制元 件在原點待機的狀態開始進行說明。光源的點亮及總滅的 控制不在此流程圖表示m㈣圖示圖6的流輕圖 2244-10206-PF 15 201013323 •的步驟，表示周邊曝光裝置100的運行狀況。 在步驟SU中，基板sw被搬運進來，且由主控制部 90控制使基板SW被吸附固定在曝光台15上。通常，基板 SW的搬運由機器人或傳送帶等從插入口 16 (參照圖1A) 插入，承載在賢立有圓柱的曝光台15上。已搬運進來的基 sw在圓柱的頂端被真空吸附或靜電吸附而被吸附固 定。基板SW的第1基準邊SN1位於第】曝光單元3ia側， Ο第2基準邊別2位於插入口 16的相反面。參照圖7A(a)。 在步驟S12 t，主控制部90開始將門型托架21向4 向移動J：至第1位置檢測器5 J a和第2位置檢測器训 檢測完基板sw的第i基準邊SN1為止。參照圖7川）。 、在步驟S13中’主控制部9〇的演算部91由第i位置 檢測器51a和第2位置檢測器51b的感測器54的值算出基 板SW的傾斜度W 0。 在步驟S14中，主控制部90的驅動控制部根據基 板SW的傾斜度的算出結果，通過使旋轉台14沿著傾 斜度Μ 0反方向旋轉來修正旋轉方向的偏差。主控 90在修正旋轉方向的偏差的 炷 偈差的同時進仃控制，使得如圖7Α (〇的箭頭所示地再次使門型托架21向插入〇 夫昭 圖1Α)侧移動。在此，在該時刻基板別的第i基準邊= 與基準線平行，第2基準邊SN2垂直於基準線。在此 使在該門型托架21向插人σ 16移動期間，也可
位置檢測器51a和第2位置檢測器51b獲取傾斜度J 1 訊而進行反饋處理。參照圖7A (c)。 資 2244-10206-PF 16 201013323 . 在步驟S15中，主控制部9 0使第1位置檢測器5丨a獲 取基板sw的端面的位置資訊，另外使門型托架21移動至 田第1位置檢測器51 a距基板Sf的端面相隔規定距離SD 後停止。在本實施例中規定距離SD為140mm，這是門型托 呆21加速而達到一定速度所必要的距離。參照圖7 a ( d )。 在步驟S16中，主控制部90準備第！基準邊SN1的周 邊曝光。由帛1基準邊SN1的位置資訊將設置於3處的曝 ❹光單元31移動至規定的位置以及對照射區域進行調整。在 也可以採取曝光單元31的位置及照射區域的調整在步 驟S15階段進行，在步驟S16中進行微調或反饋處理的方 法。參照圖7A ( e)。 在步驟S17中，主控制部90開始將門型托架21向、 方向移動，當由第1位置檢測器51 a檢測出基板SW的端 面，則開始對第1基準邊SN1進行周邊曝光。預先將規定 距離SD設定為14〇mm，因此在第j位置檢測器51&到達基 •板sw的端面的階段，門型托架21已到達曝光所必要的規 定速度。主控制部90起動配置在3處的曝光單元31的快 門機構39的驅動元件39ffl，並開放感光板39p而開始進行 將第1基準邊SN1作為基準的周邊曝光。在曝光處理中， 主控制部90可以通過每隔規定間隔或一直由第1位置檢測 盗51a對第1基準邊SN1進行檢測，且對曝光單元31位置 和照射區域進行調整而形成平行於第〗基準邊SN1的3個 曝光區域EA。參照圖7A ( f )。 另外’主控制部90根據第1基準邊SN1的位置資訊，
2244-10206-PF 17 201013323 調整遮光機構40照射周邊曝光光EL，使第1曝光單元31a • 的曝光區域從第1基準邊SN1的位置向外偏離約〇 5min(沒 有基板的空間）。圖8是表示利用遮光機構4〇調整了周邊 曝光光EL的狀態的圖。主控制部90利用遮光機構4〇的遮 光板40p對從照射口 33射出的控制成平行光的周邊曝光光 EL進行控制，使周邊曝光光EL到達從第i基準邊的 位置資訊向外〇· 5min的位置。即，由於周邊曝光光el照射 φ 基板SW的第1基準邊SN1的上面u及端面s，使得附著在 端面s上的不需要的光阻劑曝光，在此，由於遮光機構4〇 能夠精密地控制作為平行光的周邊曝光光EL的照射範 圍’因此可以將圖案界限控制在以下而進行曝光。 再次回到圖6,在步驟S18中，主控制部9〇在第2位 置檢測器51b確認第2基準邊SN2的時刻停止周邊曝光。 主控制部90起動配置在3處的曝光單元31的快門機構⑽ 的驅動元件39m，且鎖閉感光板39p而停止基板別的曝光。 • 3外’主控制部90從第2位置檢測器51b檢測的第2基準 邊SN2的終端開始逐漸使門型托架21的移動速度變慢。然 後門型托架21停止在距第2基準邊SN2規定距離SD的 位置上。參照圖7B ( g)。
在步驟S19卜主控制部90使基板別沿順時針方向 旋轉90度，根據第2基準邊SN2的位置資訊向規定的位置 移動配置在3處的曝光單元31並調整照射區域。由於第2 基準邊SN2的位置資訊是在步驟S18中獲得的因此可以 得知從旋轉台u的旋轉中心沿順時針方向旋轉9()度的位 2244-10206-PF 1R 201013323 置。參照圖7B ( h)。 在步驟S20中主控制部90開始第2基準邊SN2的周邊 曝光。由於第2位置檢測器51b到達第1基準邊SN1的階 段，門型托架21已達到曝光所需的規定速度，因此主控制 部90起動快門機構39的驅動元件39m，開放感光板39p 開始進行將第2基準邊SN2作為基準的曝光（成為第2基 準邊SN2的周邊曝光的起始點）。在曝光處理中，主控制 φ 部90每隔規定間隔或一直由第2位置檢測器51b對第2基 準邊SN2進行檢測。然後，主控制部9 〇通過調整曝光單元 31的位置和照射區域，能夠對基板進行平行於第2基 準邊SN2的周邊曝光。參照圖7B (丨）。 在此，在步驟S20中與步驟S17相同地，主控制部9〇 根據第2基準邊SN2的位置資訊，調整遮光機構4〇照射周 邊曝光光EL，使第1曝光單元31a的曝光區域從第2基準 邊SN2的位置向外偏離約〇. 5随在步驟S21中，主控制部 Φ 90在第1位置檢測器51a確認第i基準邊SN1的時刻停止 周邊曝光。主控制部9〇起動快門機構39的驅動元件39爪， 且鎖閉感光板39p而停止基板sw的曝光。另外，主控制部 9〇從第1位置檢測器51a檢測的第2基準邊SN2的終端開 始逐漸使門型托架21的移動速度變慢而停止在規定位置 上。參照圖7B ( j )。 以上利用周邊曝光裝置100的周邊曝光處理已結 束，.基板SW由機恶又—& 裔人或傳送帶取出並搬運到下一工序。此
時，也可以旋轉旋輕A ° 4 ’使基板SW回到與插入時相同
2244-10206-PF 19 201013323 的方向另外，也可以不旋轉旋轉台14而解除基板sw的 固疋’以與插入時正交的方向取出基板SW。此時，由於門 ^•托架21可月^會成為取出基板μ時的障礙，因此在旋轉 基板SW後或者取出之前使門型托架21從基板SW的取出通 道退避。 在此，已由周邊曝光裝置1〇〇進行周邊曝光處理的基 板SW可以在其後的顯像工序中，除去成為基板搬運工序的 障礙的光阻劑等的異物。 根據以上所述，由於周邊曝光裝置100將第i基準邊 SN1及第2基準邊SN2作為基準位置而對曝光單元31的位 置進行控制，因此可以與第1基準邊SN1及第2基準邊SN2 平行地進行曝光處理。另外，由於周邊曝光裝置利用 位置檢測器51對第1基準邊SN1僅測量一次即可進行基板 的對準，因此對準所需的時間短，可以縮短周邊曝光工序 的時間。 在此’本實施例所示的周邊曝光裝置100使承載基板 SW的曝光台沿61方向移動，使承載照射紫外線的曝光單 元31的門型托架21向γ方向（第i方向）移動，由此進 行周邊曝光處理。但是，由於這些移動只要是相對運行即 可，因此也可以使曝光台—併具有γ軸方向及0方向的移 動功能。另外，同樣地也可以使門型托架21 一併具有γ轴 方向及0方向的移動功能。 【圖式簡單說明】 ’
2244-10206-PF 20 201013323 圖iA是周邊曝光裝置 固1D 直J〇〇的俯視圖。 圖1β是圈1A的側视圖。 圖2Α是表示從_γ方 構成的側視圖。 觀察的第】曝光單元313的 圖2Β是表示從+χ方向 構成的正視圖。 所觀察的第1曝光單元…的 圖2C是表示從照射口側（ ❹置〜 傾"Ζ軸方向）所觀察的第1 曝先早TO 31a的構成的仰視圖。 圖3是表示位置檢測器51的侧視圖的圖。 是主控制部90的基板位置控制系的控制方塊圖。 是表示演算部91處理的基板傾斜度的算出方 法的圖。 圖6是主控制部90的流程圖。 圖？A(a)〜（f)是圖示圖6的流程圖的步驟的圖。 ❹ 圖 圖 圖7B(gMj)是圖示圖6的流程圖的步驟的圖。 圖8是表示利用遮光機構40調整了周邊曝光光乩的 狀態的圖。 【主要元件符號說明】 11 一框體， 14— 旋轉台， 15— 曝光台， 1 6—插入口， • 21一門型托架，
2244-10206-PF 21 201013323 22—托架移動機構， 31— 曝光單元（31a—第1曝光單元、31b—第2曝光 ' 單元、31c—第3曝光單元）， 32— 滑動機構（32a—第1滑動機構、32b—第2滑動 機構、32c—第3滑動機構）， 33— 照射口， 35—橢圓反射鏡， 36一水銀燈， 參 37— 投影透鏡， 38— 投影透鏡， 39 —快門機構（39m —驅動元件、39p —感光板）， 40 —遮光機構（40m —驅動電機、40p —遮光板）， 51 —位置檢測器（51a—第1位置檢測器、51b—第2 位置檢測器）， 52 —紅外線光源， φ 53—控制光學系， 5 4—感測器， 90—主控制部， 91 一演算部， 92— 驅動控制部， 93— 單元控制部， 100—周邊曝光裝置， E A—曝光區域， EL—周邊曝光光， 2244-10206-PF 22 201013323 IL一紅外線光線， KD—間隔' s—端面 ， u—上面 、 SD—規定距離， SN1—第1基準邊， SN2—第2基準邊， SW—基板。
2244-10206-PF
Claims (1)
- 201013323 十、申請專利範圍： 1· 一種周輕光t置，利用紫外光對形成於回路圖案 區域的周圍的周邊區域進行曝光，該回路圖案區域形成在 矩形基板上，其特徵在於包含： 曝光台，保持上述矩形基板； 曝光單a认置在上述矩形基板面上方從照射口向 上述周邊區域照射紫外光； ㈣部，向第1方向相對驅動上述曝光台和上述曝光 — 單元； /傾斜度算出元件，配置在上述曝光單元上檢測上述矩 形基板的—邊的邊緣而算出基板自上述第1方向的傾斜 • 度；以及 控制部，基於上述傾斜度算出元件的傾斜度算出結 果，將與上述矩形基板正交的垂線方向為基準旋轉上述基 板或上述曝光單元後，由上述傾斜度算出元件檢測出上述 • 邊緣而特定上述周邊區域，同_利用上述驅動部相對驅動 上述曝光台和上述曝光單元，並且使紫外光與上述邊緣平 行地從上述曝光單元照射。 2. 如申明專利範圍第1項所述的周邊曝光裝置，其中， 上述曝光單元安裝在托架上，該托架在上述曝光台的上方 沿著與上述第1方向交叉的第2方向延伸， 上述曝光單元可以在上述托架上沿上述第2方向移動。 3. 如申請專利範圍第1或2項所述的周邊曝光裴置， 其中，上述傾斜度算出元件具有在上述第1方向互相隔開 2244-10206-PF 24 201013323 的第1位置檢測器及第2位置檢測器β 4.如申請專利範圍第3項所述的周邊曝光裝置，其中， 上述曝光單元包含配置在上述第2方向的第1曝光單元和 第2曝光單元，且上述第1曝光單元上安裝有上述第1位 置檢測器及上述第2位置檢測器，上述第1曝光單元和上 述第2曝光單元基於上述第〗位置檢測器的檢測結果而照 射紫外光。 5. —種周邊曝光方法，具有照射紫外光的曝光單元， 且利用紫外光對形成於回路圖案區域的周圍的周邊區域進 行曝光，該回路圖案區域形成在矩形基板上，其特徵在於 具有： 、 將上述矩形基板保持在曝光臺上的保持工序； 利用設置在上述曝光單元上的位置檢測器檢測上述矩 形基板的-邊的邊緣而算出基板與第】方向的傾斜度的傾 斜度算出工序； ❹ 基於上述傾斜度算出結果而旋轉上述基板或上述曝光 單元的旋轉工序； 向上述第1方向相對地驅動上述 曝先早70和上述曝光 台的驅動工序； 利用上述傾斜度算出元件檢測硌 饱^邊緣而特定上述周邊區 域’同時與上述邊緣平行地從上述 一 gg f 义曝先早疋照射紫外光的 照射工序。 6. 如申請專利範圍第5項所诚认m * 喟所气的周邊曝光方法，豆中 上述曝光單元包含第1曝光單元 '、 Z曝光單7L，且上述 2244-10206-PF 25 201013323 第1曝光單元及上述第2曝光單元安裝在托架上，該托架 . 在上述曝光台的上方沿著與上述第1方向交叉的第2方向 延伸， 在上述保持工序之後，上述第丨曝光單元及第2曝光 單元移動至上述矩形基板的周邊曝光區域上。 7. 如申請專利範圍第5或6項所述的周邊曝光方法， 其中，上述位置檢測器由在第1方向上互相隔開的第j位 ⑩ 置檢測器及第2位置檢測器構成，且根據上述第1位置檢 測器及第2位置檢測器檢測上述矩形基板的一邊的邊緣。 8. 如申請專利範圍第7項所述的周邊曝光方法，其 中’上述驅動工序由上述第1位置檢測器或上述第2位置 檢測器確認上述矩形基板的邊緣之後，相對驅動上述曝光 單元和上述曝光台。 9. 如申請專利範圍第5、6或8項項所述的周邊曝光方 法，其中，上述驅動工程向第1方向相對驅動上述曝光單 ® 元和上述曝光台之後’旋轉上述矩形基板或上述曝光單 元，再向上述第1方向驅動上述曝光單元和上述曝光台。 10. 如申請專利範圍第7項所述的周邊曝光方法，其 中，上述驅動工程向第1方向相對驅動上述曝光單元和上 述曝光台之後，旋轉上述矩形基板或上述曝光單元，再向 上述第1方向驅動上述曝光單元和上述曝光台。 2244-10206-PF 26
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008249764A JP5281350B2 (ja) | 2008-09-29 | 2008-09-29 | 周辺露光装置及び周辺露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201013323A true TW201013323A (en) | 2010-04-01 |
Family
ID=42209629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW097148162A TW201013323A (en) | 2008-09-29 | 2008-12-11 | Peripheral exposure device and peripheral exposure method |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5281350B2 (zh) |
| KR (1) | KR20100036154A (zh) |
| CN (1) | CN101713926B (zh) |
| TW (1) | TW201013323A (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102768976B (zh) * | 2011-05-05 | 2015-11-25 | 上海微电子装备有限公司 | 一种基板预对准装置及方法 |
| US8802359B2 (en) | 2011-11-29 | 2014-08-12 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | UV glass production method |
| CN103293867B (zh) * | 2012-03-05 | 2015-07-22 | 上海微电子装备有限公司 | 一种方形基板预对准装置及方法 |
| CN103365125B (zh) * | 2012-04-11 | 2015-08-26 | 上海微电子装备有限公司 | 一种工艺基底边缘场的调平方法 |
| CN104678710B (zh) * | 2013-11-26 | 2017-02-15 | 上海微电子装备有限公司 | 边缘曝光装置 |
| KR101681636B1 (ko) * | 2014-11-28 | 2016-12-02 | 세메스 주식회사 | 에지 노광 장치 및 방법, 기판 처리 장치 |
| JP6596257B2 (ja) * | 2015-08-03 | 2019-10-23 | 東京応化工業株式会社 | 紫外線照射装置及び紫外線照射方法 |
| JP6923344B2 (ja) * | 2017-04-13 | 2021-08-18 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 周縁処理装置および周縁処理方法 |
| CN111580352B (zh) * | 2020-06-08 | 2021-06-29 | 吉林大学 | 一种用于数字光刻系统中旋转转台转心的测量和校正方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3413947B2 (ja) * | 1994-04-04 | 2003-06-09 | 株式会社ニコン | 周辺露光装置 |
| JP2728042B2 (ja) * | 1995-08-22 | 1998-03-18 | 日本電気株式会社 | 基板アライメント装置 |
| JP2000306794A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-11-02 | Ushio Inc | 角形基板の周辺露光方法 |
| CN100561353C (zh) * | 2005-11-04 | 2009-11-18 | 株式会社Orc制作所 | 激光束曝光装置及其方法 |
| JP4702888B2 (ja) * | 2006-02-17 | 2011-06-15 | 株式会社山武 | 位置検出方法および位置合わせ方法 |
-
2008
- 2008-09-29 JP JP2008249764A patent/JP5281350B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-11 TW TW097148162A patent/TW201013323A/zh unknown
- 2008-12-17 CN CN2008101871358A patent/CN101713926B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-01-06 KR KR1020090000625A patent/KR20100036154A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2010079147A (ja) | 2010-04-08 |
| KR20100036154A (ko) | 2010-04-07 |
| JP5281350B2 (ja) | 2013-09-04 |
| CN101713926A (zh) | 2010-05-26 |
| CN101713926B (zh) | 2012-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW201013323A (en) | Peripheral exposure device and peripheral exposure method | |
| JP3757430B2 (ja) | 基板の位置決め装置及び露光装置 | |
| TWI637241B (zh) | 邊緣曝光裝置、邊緣曝光方法、程式及電腦記錄媒體 | |
| TWI362572B (zh) | ||
| TW201104784A (en) | Alignment apparatus for semiconductor wafer | |
| TW201027268A (en) | Exposure apparatus and photomask | |
| JP5813555B2 (ja) | 露光描画装置及び露光描画方法 | |
| TWI412902B (zh) | Exposure drawing device | |
| WO2006051700A1 (ja) | 液晶表示装置用基板の製造方法 | |
| TW202101134A (zh) | 接合裝置及接合方法 | |
| TWI391796B (zh) | 曝光裝置及被曝光體 | |
| TWI570519B (zh) | 曝光微影裝置以及曝光微影方法 | |
| TWI380134B (en) | Exposure pattern forming method | |
| JP2004325544A (ja) | ディスプレイパネルの貼り合わせ装置 | |
| TWI270755B (en) | Substrate positioning mechanism, substrate positioning method, substrate conveying device, and image forming device | |
| JP4773160B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP4631497B2 (ja) | 近接露光装置 | |
| JP2004012598A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP5828178B2 (ja) | プリアライメント装置及びプリアライメント方法 | |
| JP2003247819A (ja) | 基板貼合装置および基板貼合方法 | |
| TWI643693B (zh) | 雷射束退火設備及控制該設備之方法 | |
| JP2005099117A (ja) | 露光方法及びその方法で用いられる基板のアライメント方法 | |
| KR20030046317A (ko) | 웨이퍼 주변 노광방법 및 장치 | |
| JP5236362B2 (ja) | プロキシミティ露光装置及びプロキシミティ露光装置の基板搬送方法 | |
| JP2001022086A (ja) | 大面積露光システム |