JP2004012598A - 投影露光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】精度の高い位置合わせが可能な投影露光装置を提供する。
【解決手段】フォトマスク50のマスクマーク51を露光光照明装置4により露光光で照射し、投影露光レンズ70を介して結像部5に結像し、これをCCDカメラ2に撮像してデータ化して演算制御装置11に記録し、記録されたマスクマーク51’として使用する。次に、赤外線照明装置3により赤外光で基板マーク61を照射して基板マーク61の画像を得て、前記マスクマーク51’と基板マーク61の位置誤差を検出し、位置合わせを行う。マスクマーク51’と基板マーク61は同時に表示装置12上に重ね合わせて表示される。
【選択図】 図1
【解決手段】フォトマスク50のマスクマーク51を露光光照明装置4により露光光で照射し、投影露光レンズ70を介して結像部5に結像し、これをCCDカメラ2に撮像してデータ化して演算制御装置11に記録し、記録されたマスクマーク51’として使用する。次に、赤外線照明装置3により赤外光で基板マーク61を照射して基板マーク61の画像を得て、前記マスクマーク51’と基板マーク61の位置誤差を検出し、位置合わせを行う。マスクマーク51’と基板マーク61は同時に表示装置12上に重ね合わせて表示される。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、投影露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
フォトレジストなどの感光材料を塗布したプリント配線基板表面にフォトマスクに描かれた所定のパターンを露光装置により感光焼き付けし、その後エッチング工程により基板上にパターンを形成するフォトリソグラフィ法が種々の分野で広く応用されており、プリント配線基板等も近年露光装置を用いて製造されている。
投影露光装置は、フォトマスクの回路パターンを投影露光レンズ等の光学系を介して投影露光する事によりプリント配線基板にマスクと同一もしくは一定の倍率でパターンを描くタイプのものであり、従来から集積回路の製造に用いられているが、近年この投影露光装置をプリント配線基板の製造に用いる試みがなされている。
露光装置を用いた露光に際して、フォトマスクと配線基板の位置合わせを行う必要があり、通常はフォトマスク側と基板側の両方に位置合わせ用マークを配置し、フォトマスク上の位置合わせマークを、基板上に投影し、これと基板上の位置合わせマークとをCCDカメラ等で計測して、合致させることが行われている。この時、フォトマスク側のマークを投影する際に、露光波長光を用いると、基板上のフォトレジストが感光するため、露光波長光以外の波長のものを用いるのが普通である。通常は露光波長として紫外線を用いており、マーク投影には赤外線を用いている。
しかしながら、投影露光装置では、露光波長に合わせた投影露光レンズ等の光学系を介してフォトマスクのマークを投影するため、赤外線を用いて投影した場合マークの結像位置がずれて正確な位置合わせができない問題が生ずる。
これを解決するためには補正レンズを用いる方法がある。
また、特許2629709号や特許2720873号で集積回路製造に関して提案されているように、露光対象物と離間した位置にフォトマスクマークを結像して露光対象物の感光を防止する技術をプリント配線基板の露光装置に転用することも考えられる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかし補正レンズを用いる場合には、補正レンズに加えて補正レンズの位置制御のための装置等が必要になり、装置コストが増大する問題がある。
また、離間した位置にフォトマスクマークを結像する場合には、結像した像を一定時間記憶保持する性質を有する物質、例えば残光が長いタイプの蛍光物質等を結像面として用い、該残光がある間に位置合わせを行うことになるが、正確な位置合わせを行うためには前回の残光を完全に消去する必要があり、そのための設備が必要となる上、消去のために余分な時間を要する等の問題がある。
本発明は上記従来技術の問題を解決することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、回路等のパターンを描いたフォトマスクと、該フォトマスクのパターンを露光される露光対象物を搭載するステージと、該フォトマスクとステージの一方又は両方を移動させてフォトマスクと露光対象物の位置関係を調整する位置調整装置と、該フォトマスクのパターンを露光対象物に対して、縮小/拡大可能に露光する投影光学系と、を備えた投影露光装置において、前記フォトマスク上に設けられ、位置合わせのために用いられるマスクマークと、前記露光対象物に上に設けられ、位置合わせのために用いられる対象物マークと、前記マスクマークを露光波長と同一の波長の光で照射するマスクマーク照明光源と、前記ステージ上の前記露光対象物搭載範囲外の所定の位置に設置され、前記露光波長と同一の波長の光で照射されたマスクマークの像を前記投影光学系を介して、前記照射中にのみ結像するマスクマーク結像体と、該照射中にマスクマーク結像体に結像されたマスクマークの像を撮像し、該像をデータ化して記憶するマスクマーク検出装置と、前記対象物マークを露光波長とは異なる波長の非露光波長光で照射する対象物マーク照明光源と、前記非露光波長光により照射される対象物マークを撮像する対象物マーク検出装置とを備え、前記データ化されたマスクマーク像と前記撮像された対象物マーク像に基づいてマスクマークと対象物マークの位置合わせを可能とした、ことを特徴とする。
上記構成においては、マスクマークは投影光学系を介して投影されるため、正確なマスクマーク像を得ることができる。また、マスクマーク結像体は、露光対象物搭載範囲外の所定の位置に設置されるため、露光対象物が感光する等の問題は生じない。更にマスクマーク検出装置により、照射中にマスクマーク結像体に結像されたマスクマークの像を撮像してデータ化して記憶するため、マスクマークの像を所定時間記憶保持する必要がなく、露光光を照射中のみに結像すれば良い。そのため、結像体として、残光タイプの蛍光物質等を必要とせず、またそのための消去装置等を必要としない、等の効果がある。
また前記マスクマーク検出装置により検出されたマスクマークと、前記マスクマーク結像体の所定位置と、前記対象物マーク検出装置により検出された対象物マークとに基づいて、前記マスクマーク位置と前記対象物マーク位置とを一致させるように前記位置調整装置を制御する制御装置を設けることも可能である。
また前記マスクマーク検出装置によりデータ化されたマスクマークを画像化する手段と、該画像化マスクマークと前記撮像された対象物マークの画像とを表示する手段と、を更に備え、該表示されたマスクマークと対象物マークを重ね合わせて表示することも可能である。
更に前記マスクマーク結像体を、前記非露光波長光に近い波長でマスクマーク像を現すタイプのものとすれば、同一の装置で撮像が可能であるから、前記マスクマーク検出装置と前記対象物マーク検出装置を同一の装置として実現することが可能になる。
【0005】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1はプリント配線基板を製造するための投影露光装置であり、フォトレジストを施されたプリント配線基板60はステージ62上に載置され、移動装置63によりXYZ及びθ方向に移動可能になっている。
なお、移動装置63は演算制御装置11に制御される。
【0006】
露光すべき回路等のパターンが描かれたフォトマスク50は投影露光レンズ70を介してプリント配線基板60に対向して設けられており、マスクステージ52に支持されてその位置を調整することができるようになっている。また露光光源71からの紫外線の露光により回路等のパターンを、投影露光レンズ70により決定される所定の倍率で拡大或いは縮小或いは等倍にプリント配線基板60に焼き付けるようなっている。
【0007】
なお、図1ではフォトマスク50とプリント配線基板60は上下方向に配設されているが、これに限定されるものではなく、逆であっても良いし、或いはフォトマスク50とプリント配線基板60を垂直に立てて配設する構造も可能である。
また、プリント配線基板60を移動させるのではなくフォトマスク50を移動させることも可能であり、更に両者を移動させるように構成することも可能である。
【0008】
フォトマスク50にはマスクマーク51が設けられており、プリント配線基板60には基板マーク61が設けられている。このマスクマーク51と基板マーク61を用いて位置合わせを行うようになっている。
【0009】
マーク検出装置1は本体部分にCCDカメラ2、赤外線照明装置3、を備えており、更に露光光照明装置4、結像部5及び画像処理装置10、演算制御装置11、表示装置12、駆動制御装置13と接続している。
マーク検出装置1は移動可能であり、駆動制御装置13を介して演算制御装置11により移動制御されている。
マーク検出装置1は必要に応じて、複数個設けることが可能であり、2個或いは4個設けるのが普通である。
【0010】
図2に示すようにステージ62を移動して結像部5をマーク検出装置1の下に位置させ、またマーク検出装置1を移動させて結像部5を視野にいれた状態で、露光光照明装置4は露光波長である紫外線をマスクマーク51部分のみに照射して、投影露光レンズ70を介してマスクマーク51の像を図2に示すように結像部5に結像させるようになっている。露光光照明装置4は概略直径8mm程度の範囲を照射するように構成されている。ステージ62とマーク検出装置1の移動量は演算制御装置11により制御され、またその移動量は記録されるようになっている。
このように得られたマスクマーク51の像は露光波長により結像されるため、投影露光レンズ70による位置ずれ等の問題が生じない。
【0011】
結像部5は図3に示すようにステージ62の最大基板搭載範囲65の外側に配置されており、露光光照明装置4からの露光波長の照射により最大基板搭載範囲65上に搭載されるプリント配線基板60のフォトレジストを感光することがないように構成されている。
【0012】
結像部5は、露光波長により像を現すことのできるものであれば使用可能であるが、この実施形態では蛍光部材を用いており、露光波長光により励起して可視光或いは赤外光を発して像を現すように構成されている。これにより、マスクマーク51の撮像と基板マーク61の撮像を同一のマーク検出装置1とCCDカメラ2を用いて行えるようになっている。
なお、蛍光部材としては残光のないタイプのものを用いており、これにより像の消去装置や消去時間をなくして工程の時間短縮を図ることが可能になっている。
【0013】
該結像部5上のマスクマーク51の像はマーク検出装置1のCCDカメラ2により撮像され、該像データが画像処理装置10に送られ、ここで所定の処理をした上、マイクロコンピュータを主体に構成されている演算制御装置11に該マスクマーク51の像データが記録されるようになっている。この像データは、表示装置12において再度画像化されて表示されるようになっている。またマスクマーク51の位置データに基づいてマーク像を新たに作成しても良い。
マーク検出装置1にはハーフミラーなど適宜の光学装置が含まれており、投影露光レンズ70からの紫外線を透過させて結像部5に照射しつつ、結像部5の像をCCDカメラ2に撮像させることができるようになっている。したがって、マスクマーク51の像は露光光照明装置4の照射中に撮像し、結像部5上に残像を必要としない。
【0014】
一方、プリント配線基板60上の基板マーク61は図1に示すようにステージ62の移動によりマーク検出装置1の下に位置させてマーク検出装置1の視野に入れた上、赤外線照明装置3からの赤外線により照射して、CCDカメラ2により撮像するように構成されている。この像は、画像処理装置10で所定の処理を受けて、演算制御装置11に画像信号が送られるように構成されている。ステージ62の移動量は演算制御装置11において記憶されるようになっている。
【0015】
演算制御装置11においては、ステージ62とマーク検出装置1の移動データにより基本的な位置修正をした上で、前記記憶されたマスクマーク51のデータと基板マーク61のデータに基づいて、その位置誤差が計測され、該誤差をゼロにするように駆動制御装置13と移動装置63を介してステージ62を移動させるように構成されている。
【0016】
また、記憶されたマスクマーク51のデータ信号を表示装置12において画像化して表示し、同時に基板マーク61も表示装置12に表示して、両画像をステージ62とマーク検出装置1の移動データに基づいて位置補正した上で重ね合わせて表示し、視覚的に両者の位置の確認も行えるようになっている。図4にその状態を示す。
カメラ視野20内に捉えられた基板マーク61が、再画像化されたマスクマーク51’を基準として重ね合わせて表示されるようになっている。
【0017】
動作を説明する。
最初に図2に示すように、ステージ62を移動させて結像部5をマーク検出装置1の下に位置せしめ、この状態で露光光照明装置4から紫外線をマスクマーク51に照射し、マスクマーク51の像を結像部5上に結像し、同時にこの像をCCDカメラ2で撮像する。撮像終了後、露光光照明装置4からの紫外線の照射は停止する。
このマスクマーク51の像データは画像処理装置10に送られ、ここで所定の処理を受けて、演算制御装置11に記録され、且つ表示装置12において再度画像化されて表示される。
【0018】
次にマーク検出装置1の位置は動かさずに、ステージ62を移動させてプリント配線基板60の基板マーク61をマーク検出装置1の下に位置させ、赤外線照明装置3から非露光光である赤外光を照射し、同様に基板マーク61を撮像して画像処理装置10、演算制御装置11におくり、基板マーク61と記憶されたマスクマーク51’の位置誤差を求めて、この誤差がゼロになるようにステージ62を移動させて位置合わせを行うようになっている。この状態を表示装置12で画像表示したものが図4に示す状態である。
【0019】
以上の位置合わせが終わったら、露光光照明装置4及びマーク検出装置1を退避させて、露光光源71による露光を実行する。
【0020】
以上説明した構成では、マスクマーク51の像は露光光により得られるため、投影露光レンズ70に起因するずれ等の誤差がない。また、最大基板搭載範囲65の外に設定された結像部5上に結像されるため、露光光によるプリント配線基板60への悪影響がない。
また、マスクマーク51の像は電子信号のデータとして演算制御装置11に記録されるため、結像部5に画像を残存させる機能を持たせる必要がなく、更に該画像の消去のための設備や消去のための時間が不要であり、設備の簡略化と工程の迅速化を図ることができる。
また、結像部5として蛍光体を用いることにより、マスクマーク51の像を可視光或いは赤外光として得られ、同一のマーク検出装置1を用いてマスクマーク51と基板マーク61の像を得ることが出来る、等の効果がある。
【0021】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の投影露光装置によれば、高精度な位置合わせが可能であり、またプリント配線基板に悪影響を与えることがない等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を示す概略図正面図。
【図2】本発明の一実施形態の動作を示す概略正面図。
【図3】本発明の一実施形態における結像部5の配置状態を示す説明図。
【図4】本発明の一実施形態におけるマスクマーク51’と基板マーク61の表示状態を示す説明図。
【符号の説明】
1:マーク検出装置、2:CCDカメラ、3:赤外線照明装置、4:露光光照明装置、5:結像部、10:画像処理装置、11:演算制御装置、12:表示装置、13:駆動制御装置、20:カメラ視野、50:フォトマスク、51:マスクマーク、52:マスクステージ、60:プリント配線基板、61:基板マーク、62:ステージ、63:移動装置、65:最大基板搭載範囲、70:投影露光レンズ、71:露光光源。
【発明の属する技術分野】
この発明は、投影露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
フォトレジストなどの感光材料を塗布したプリント配線基板表面にフォトマスクに描かれた所定のパターンを露光装置により感光焼き付けし、その後エッチング工程により基板上にパターンを形成するフォトリソグラフィ法が種々の分野で広く応用されており、プリント配線基板等も近年露光装置を用いて製造されている。
投影露光装置は、フォトマスクの回路パターンを投影露光レンズ等の光学系を介して投影露光する事によりプリント配線基板にマスクと同一もしくは一定の倍率でパターンを描くタイプのものであり、従来から集積回路の製造に用いられているが、近年この投影露光装置をプリント配線基板の製造に用いる試みがなされている。
露光装置を用いた露光に際して、フォトマスクと配線基板の位置合わせを行う必要があり、通常はフォトマスク側と基板側の両方に位置合わせ用マークを配置し、フォトマスク上の位置合わせマークを、基板上に投影し、これと基板上の位置合わせマークとをCCDカメラ等で計測して、合致させることが行われている。この時、フォトマスク側のマークを投影する際に、露光波長光を用いると、基板上のフォトレジストが感光するため、露光波長光以外の波長のものを用いるのが普通である。通常は露光波長として紫外線を用いており、マーク投影には赤外線を用いている。
しかしながら、投影露光装置では、露光波長に合わせた投影露光レンズ等の光学系を介してフォトマスクのマークを投影するため、赤外線を用いて投影した場合マークの結像位置がずれて正確な位置合わせができない問題が生ずる。
これを解決するためには補正レンズを用いる方法がある。
また、特許2629709号や特許2720873号で集積回路製造に関して提案されているように、露光対象物と離間した位置にフォトマスクマークを結像して露光対象物の感光を防止する技術をプリント配線基板の露光装置に転用することも考えられる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかし補正レンズを用いる場合には、補正レンズに加えて補正レンズの位置制御のための装置等が必要になり、装置コストが増大する問題がある。
また、離間した位置にフォトマスクマークを結像する場合には、結像した像を一定時間記憶保持する性質を有する物質、例えば残光が長いタイプの蛍光物質等を結像面として用い、該残光がある間に位置合わせを行うことになるが、正確な位置合わせを行うためには前回の残光を完全に消去する必要があり、そのための設備が必要となる上、消去のために余分な時間を要する等の問題がある。
本発明は上記従来技術の問題を解決することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、回路等のパターンを描いたフォトマスクと、該フォトマスクのパターンを露光される露光対象物を搭載するステージと、該フォトマスクとステージの一方又は両方を移動させてフォトマスクと露光対象物の位置関係を調整する位置調整装置と、該フォトマスクのパターンを露光対象物に対して、縮小/拡大可能に露光する投影光学系と、を備えた投影露光装置において、前記フォトマスク上に設けられ、位置合わせのために用いられるマスクマークと、前記露光対象物に上に設けられ、位置合わせのために用いられる対象物マークと、前記マスクマークを露光波長と同一の波長の光で照射するマスクマーク照明光源と、前記ステージ上の前記露光対象物搭載範囲外の所定の位置に設置され、前記露光波長と同一の波長の光で照射されたマスクマークの像を前記投影光学系を介して、前記照射中にのみ結像するマスクマーク結像体と、該照射中にマスクマーク結像体に結像されたマスクマークの像を撮像し、該像をデータ化して記憶するマスクマーク検出装置と、前記対象物マークを露光波長とは異なる波長の非露光波長光で照射する対象物マーク照明光源と、前記非露光波長光により照射される対象物マークを撮像する対象物マーク検出装置とを備え、前記データ化されたマスクマーク像と前記撮像された対象物マーク像に基づいてマスクマークと対象物マークの位置合わせを可能とした、ことを特徴とする。
上記構成においては、マスクマークは投影光学系を介して投影されるため、正確なマスクマーク像を得ることができる。また、マスクマーク結像体は、露光対象物搭載範囲外の所定の位置に設置されるため、露光対象物が感光する等の問題は生じない。更にマスクマーク検出装置により、照射中にマスクマーク結像体に結像されたマスクマークの像を撮像してデータ化して記憶するため、マスクマークの像を所定時間記憶保持する必要がなく、露光光を照射中のみに結像すれば良い。そのため、結像体として、残光タイプの蛍光物質等を必要とせず、またそのための消去装置等を必要としない、等の効果がある。
また前記マスクマーク検出装置により検出されたマスクマークと、前記マスクマーク結像体の所定位置と、前記対象物マーク検出装置により検出された対象物マークとに基づいて、前記マスクマーク位置と前記対象物マーク位置とを一致させるように前記位置調整装置を制御する制御装置を設けることも可能である。
また前記マスクマーク検出装置によりデータ化されたマスクマークを画像化する手段と、該画像化マスクマークと前記撮像された対象物マークの画像とを表示する手段と、を更に備え、該表示されたマスクマークと対象物マークを重ね合わせて表示することも可能である。
更に前記マスクマーク結像体を、前記非露光波長光に近い波長でマスクマーク像を現すタイプのものとすれば、同一の装置で撮像が可能であるから、前記マスクマーク検出装置と前記対象物マーク検出装置を同一の装置として実現することが可能になる。
【0005】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1はプリント配線基板を製造するための投影露光装置であり、フォトレジストを施されたプリント配線基板60はステージ62上に載置され、移動装置63によりXYZ及びθ方向に移動可能になっている。
なお、移動装置63は演算制御装置11に制御される。
【0006】
露光すべき回路等のパターンが描かれたフォトマスク50は投影露光レンズ70を介してプリント配線基板60に対向して設けられており、マスクステージ52に支持されてその位置を調整することができるようになっている。また露光光源71からの紫外線の露光により回路等のパターンを、投影露光レンズ70により決定される所定の倍率で拡大或いは縮小或いは等倍にプリント配線基板60に焼き付けるようなっている。
【0007】
なお、図1ではフォトマスク50とプリント配線基板60は上下方向に配設されているが、これに限定されるものではなく、逆であっても良いし、或いはフォトマスク50とプリント配線基板60を垂直に立てて配設する構造も可能である。
また、プリント配線基板60を移動させるのではなくフォトマスク50を移動させることも可能であり、更に両者を移動させるように構成することも可能である。
【0008】
フォトマスク50にはマスクマーク51が設けられており、プリント配線基板60には基板マーク61が設けられている。このマスクマーク51と基板マーク61を用いて位置合わせを行うようになっている。
【0009】
マーク検出装置1は本体部分にCCDカメラ2、赤外線照明装置3、を備えており、更に露光光照明装置4、結像部5及び画像処理装置10、演算制御装置11、表示装置12、駆動制御装置13と接続している。
マーク検出装置1は移動可能であり、駆動制御装置13を介して演算制御装置11により移動制御されている。
マーク検出装置1は必要に応じて、複数個設けることが可能であり、2個或いは4個設けるのが普通である。
【0010】
図2に示すようにステージ62を移動して結像部5をマーク検出装置1の下に位置させ、またマーク検出装置1を移動させて結像部5を視野にいれた状態で、露光光照明装置4は露光波長である紫外線をマスクマーク51部分のみに照射して、投影露光レンズ70を介してマスクマーク51の像を図2に示すように結像部5に結像させるようになっている。露光光照明装置4は概略直径8mm程度の範囲を照射するように構成されている。ステージ62とマーク検出装置1の移動量は演算制御装置11により制御され、またその移動量は記録されるようになっている。
このように得られたマスクマーク51の像は露光波長により結像されるため、投影露光レンズ70による位置ずれ等の問題が生じない。
【0011】
結像部5は図3に示すようにステージ62の最大基板搭載範囲65の外側に配置されており、露光光照明装置4からの露光波長の照射により最大基板搭載範囲65上に搭載されるプリント配線基板60のフォトレジストを感光することがないように構成されている。
【0012】
結像部5は、露光波長により像を現すことのできるものであれば使用可能であるが、この実施形態では蛍光部材を用いており、露光波長光により励起して可視光或いは赤外光を発して像を現すように構成されている。これにより、マスクマーク51の撮像と基板マーク61の撮像を同一のマーク検出装置1とCCDカメラ2を用いて行えるようになっている。
なお、蛍光部材としては残光のないタイプのものを用いており、これにより像の消去装置や消去時間をなくして工程の時間短縮を図ることが可能になっている。
【0013】
該結像部5上のマスクマーク51の像はマーク検出装置1のCCDカメラ2により撮像され、該像データが画像処理装置10に送られ、ここで所定の処理をした上、マイクロコンピュータを主体に構成されている演算制御装置11に該マスクマーク51の像データが記録されるようになっている。この像データは、表示装置12において再度画像化されて表示されるようになっている。またマスクマーク51の位置データに基づいてマーク像を新たに作成しても良い。
マーク検出装置1にはハーフミラーなど適宜の光学装置が含まれており、投影露光レンズ70からの紫外線を透過させて結像部5に照射しつつ、結像部5の像をCCDカメラ2に撮像させることができるようになっている。したがって、マスクマーク51の像は露光光照明装置4の照射中に撮像し、結像部5上に残像を必要としない。
【0014】
一方、プリント配線基板60上の基板マーク61は図1に示すようにステージ62の移動によりマーク検出装置1の下に位置させてマーク検出装置1の視野に入れた上、赤外線照明装置3からの赤外線により照射して、CCDカメラ2により撮像するように構成されている。この像は、画像処理装置10で所定の処理を受けて、演算制御装置11に画像信号が送られるように構成されている。ステージ62の移動量は演算制御装置11において記憶されるようになっている。
【0015】
演算制御装置11においては、ステージ62とマーク検出装置1の移動データにより基本的な位置修正をした上で、前記記憶されたマスクマーク51のデータと基板マーク61のデータに基づいて、その位置誤差が計測され、該誤差をゼロにするように駆動制御装置13と移動装置63を介してステージ62を移動させるように構成されている。
【0016】
また、記憶されたマスクマーク51のデータ信号を表示装置12において画像化して表示し、同時に基板マーク61も表示装置12に表示して、両画像をステージ62とマーク検出装置1の移動データに基づいて位置補正した上で重ね合わせて表示し、視覚的に両者の位置の確認も行えるようになっている。図4にその状態を示す。
カメラ視野20内に捉えられた基板マーク61が、再画像化されたマスクマーク51’を基準として重ね合わせて表示されるようになっている。
【0017】
動作を説明する。
最初に図2に示すように、ステージ62を移動させて結像部5をマーク検出装置1の下に位置せしめ、この状態で露光光照明装置4から紫外線をマスクマーク51に照射し、マスクマーク51の像を結像部5上に結像し、同時にこの像をCCDカメラ2で撮像する。撮像終了後、露光光照明装置4からの紫外線の照射は停止する。
このマスクマーク51の像データは画像処理装置10に送られ、ここで所定の処理を受けて、演算制御装置11に記録され、且つ表示装置12において再度画像化されて表示される。
【0018】
次にマーク検出装置1の位置は動かさずに、ステージ62を移動させてプリント配線基板60の基板マーク61をマーク検出装置1の下に位置させ、赤外線照明装置3から非露光光である赤外光を照射し、同様に基板マーク61を撮像して画像処理装置10、演算制御装置11におくり、基板マーク61と記憶されたマスクマーク51’の位置誤差を求めて、この誤差がゼロになるようにステージ62を移動させて位置合わせを行うようになっている。この状態を表示装置12で画像表示したものが図4に示す状態である。
【0019】
以上の位置合わせが終わったら、露光光照明装置4及びマーク検出装置1を退避させて、露光光源71による露光を実行する。
【0020】
以上説明した構成では、マスクマーク51の像は露光光により得られるため、投影露光レンズ70に起因するずれ等の誤差がない。また、最大基板搭載範囲65の外に設定された結像部5上に結像されるため、露光光によるプリント配線基板60への悪影響がない。
また、マスクマーク51の像は電子信号のデータとして演算制御装置11に記録されるため、結像部5に画像を残存させる機能を持たせる必要がなく、更に該画像の消去のための設備や消去のための時間が不要であり、設備の簡略化と工程の迅速化を図ることができる。
また、結像部5として蛍光体を用いることにより、マスクマーク51の像を可視光或いは赤外光として得られ、同一のマーク検出装置1を用いてマスクマーク51と基板マーク61の像を得ることが出来る、等の効果がある。
【0021】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の投影露光装置によれば、高精度な位置合わせが可能であり、またプリント配線基板に悪影響を与えることがない等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を示す概略図正面図。
【図2】本発明の一実施形態の動作を示す概略正面図。
【図3】本発明の一実施形態における結像部5の配置状態を示す説明図。
【図4】本発明の一実施形態におけるマスクマーク51’と基板マーク61の表示状態を示す説明図。
【符号の説明】
1:マーク検出装置、2:CCDカメラ、3:赤外線照明装置、4:露光光照明装置、5:結像部、10:画像処理装置、11:演算制御装置、12:表示装置、13:駆動制御装置、20:カメラ視野、50:フォトマスク、51:マスクマーク、52:マスクステージ、60:プリント配線基板、61:基板マーク、62:ステージ、63:移動装置、65:最大基板搭載範囲、70:投影露光レンズ、71:露光光源。
Claims (4)
- 回路等のパターンを描いたフォトマスクと、該フォトマスクのパターンを露光される露光対象物を搭載するステージと、該フォトマスクとステージの一方又は両方を移動させてフォトマスクと露光対象物の位置関係を調整する位置調整装置と、該フォトマスクのパターンを露光対象物に対して、縮小/拡大可能に露光する投影光学系と、を備えた投影露光装置において、
前記フォトマスク上に設けられ、位置合わせのために用いられるマスクマークと、
前記露光対象物に上に設けられ、位置合わせのために用いられる対象物マークと、
前記マスクマークを露光波長と同一の波長の光で照射するマスクマーク照明光源と、
前記ステージ上の前記露光対象物搭載範囲外の所定の位置に設置され、前記露光波長と同一の波長の光で照射されたマスクマークの像を前記投影光学系を介して、前記照射中にのみ結像するマスクマーク結像体と、
該照射中にマスクマーク結像体に結像されたマスクマークの像を撮像し、該像をデータ化して記憶するマスクマーク検出装置と、
前記対象物マークを露光波長とは異なる波長の非露光波長光で照射する対象物マーク照明光源と、
前記非露光波長光により照射される対象物マークを撮像する対象物マーク検出装置と、を備え、
前記データ化されたマスクマーク像と前記撮像された対象物マーク像に基づいてマスクマークと対象物マークの位置合わせを可能とした、
ことを特徴とする投影露光装置。 - 前記マスクマーク検出装置により検出されたマスクマークと、前記マスクマーク結像体の所定位置と、前記対象物マーク検出装置により検出された対象物マークとに基づいて、前記マスクマーク位置と前記対象物マーク位置とを一致させるように前記位置調整装置を制御する制御装置、
を更に備えた請求項1に記載の投影露光装置。 - 前記マスクマーク検出装置によりデータ化されたマスクマークを画像化する手段と、
該画像化マスクマークと前記撮像された対象物マークの画像とを表示する手段と、を更に備えた、
請求項1に記載の投影露光装置。 - 前記マスクマーク結像体が、前記非露光波長光に近い波長でマスクマーク像を現し、
前記マスクマーク検出装置と前記対象物マーク検出装置が同一の装置である、
請求項1又は2の投影露光装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100428058C (zh) * | 2005-06-03 | 2008-10-22 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 光刻机投影物镜奇像差原位检测方法 |
JP2011253864A (ja) * | 2010-06-01 | 2011-12-15 | Topcon Corp | 露光装置 |
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