JP2011253864A - 露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】対象ワーク23上に所定のマスク18aパターンを露光する露光装置10である。露光光を用いたアライメント光をマスク18aのマスク側アライメントマーク51に照射可能なアライメント照明ユニット30と、アライメント照明ユニット30から出射されマスク18aおよび投影レンズ20を経たアライメント光を入射させるアライメントカメラユニット40と、を備える。アライメントカメラユニット40は、入射されたアライメント光におけるマスク18aに対する光学的な位置関係を、対象ワーク23とは異なる位置で対象ワーク23と等しくするダミーワーク領域(42a)に、マスク側アライメントマーク像53を形成する結像光学系と、撮像装置に対する対象ワーク23とダミーワーク領域との光学的な位置関係を等しくする撮像光学系と、を有する。
【選択図】 図3
Description
18a マスク
20 投影レンズ
23 対象ワーク
30 アライメント照明ユニット
40 アライメントカメラユニット
41a (反射部としての)接合面
41c (露光光遮断部としての紫外線遮断膜が設けられた)下端面
42 (ダミーワーク部としての)ミラー
42a (ダミーワーク領域としての)反射面
43 (結像レンズの一部としての)結像レンズ
44 (撮像装置としての)カメラ
45 (露光光遮断部としての)遮光部材
46 (照明部としての)リング照明
51 マスク側アライメントマーク
53 マスク側アライメントマーク像
Claims (6)
- パターンとマスク側アライメントマークとが形成されたマスクに露光光を照射し、該マスクを透過した露光光を投影レンズで対象ワークに結像させて、該対象ワーク上に所定のマスクパターンを露光する露光装置であって、
露光光に含まれる波長帯域の光を用いたアライメント光を前記マスクの前記マスク側アライメントマークに照射可能なアライメント照明ユニットと、
画像の取得のための撮像装置を有し前記アライメント照明ユニットから出射され前記マスクおよび前記投影レンズを経たアライメント光を入射させるアライメントカメラユニットと、を備え、
該アライメントカメラユニットは、入射されたアライメント光における前記マスクに対する光学的な位置関係を、前記対象ワークとは異なる位置で該対象ワークと等しくするダミーワーク領域に、アライメント光によるマスク側アライメントマーク像を形成する結像光学系と、
前記撮像装置に対する前記対象ワークと前記ダミーワーク領域との光学的な位置関係を等しくする撮像光学系と、を有することを特徴とする露光装置。 - 前記結像光学系は、前記ダミーワーク領域に平面を形成するダミーワーク部と、
前記アライメント照明ユニットから出射され前記マスクおよび前記投影レンズを経て前記アライメントカメラユニットに入射したアライメント光を前記ダミーワーク部へ向けて進行させる反射部と、を有し、
前記マスクと前記ダミーワーク部とが、前記投影レンズおよび前記反射部を経る光路において光学的に共役な位置関係であることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 - 前記反射部は、ハーフミラーであり、
前記撮像光学系は、前記反射部と、前記対象ワークから前記反射部を経て前記撮像装置へと至る光路に設けられた結像レンズと、を有し、
前記ダミーワーク部と前記撮像装置とが、前記反射部を透過した光路において光学的に共役な位置関係であり、
前記対象ワークと前記撮像装置とが、前記反射部を経る光路において光学的に共役な位置関係であることを特徴とする請求項2に記載の露光装置。 - 前記アライメントカメラユニットは、入射されたアライメント光が、前記対象ワークへと到達することを防止する露光光遮断部を有することを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記アライメントカメラユニットは、前記対象ワークを非露光光で照明する照明部を有することを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記アライメント照明ユニットは、前記マスクに露光光を照射する照射光路に対して進退自在に設けられており、
前記アライメントカメラユニットは、前記投影レンズと前記対象ワークとの間で、前記マスクパターンを前記対象ワークに投影する投影光路に対して進退自在に設けられていることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の露光装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010125439A JP5523207B2 (ja) | 2010-06-01 | 2010-06-01 | 露光装置 |
KR1020110046350A KR101277430B1 (ko) | 2010-06-01 | 2011-05-17 | 노광 장치 |
CN201110130113XA CN102269934A (zh) | 2010-06-01 | 2011-05-19 | 曝光装置 |
US13/134,183 US20110292362A1 (en) | 2010-06-01 | 2011-05-31 | Exposure apparatus |
TW100119009A TWI432917B (zh) | 2010-06-01 | 2011-05-31 | 曝光裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010125439A JP5523207B2 (ja) | 2010-06-01 | 2010-06-01 | 露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011253864A true JP2011253864A (ja) | 2011-12-15 |
JP5523207B2 JP5523207B2 (ja) | 2014-06-18 |
Family
ID=45021862
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010125439A Active JP5523207B2 (ja) | 2010-06-01 | 2010-06-01 | 露光装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110292362A1 (ja) |
JP (1) | JP5523207B2 (ja) |
KR (1) | KR101277430B1 (ja) |
CN (1) | CN102269934A (ja) |
TW (1) | TWI432917B (ja) |
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- 2011-05-19 CN CN201110130113XA patent/CN102269934A/zh active Pending
- 2011-05-31 US US13/134,183 patent/US20110292362A1/en not_active Abandoned
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US20110292362A1 (en) | 2011-12-01 |
KR101277430B1 (ko) | 2013-06-20 |
CN102269934A (zh) | 2011-12-07 |
KR20110132231A (ko) | 2011-12-07 |
JP5523207B2 (ja) | 2014-06-18 |
TW201144948A (en) | 2011-12-16 |
TWI432917B (zh) | 2014-04-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130515 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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