JP2009266899A - 表面処理方法および表面処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板とレジストの密着性を向上するための疎水化処理による基板の裏面の汚染を抑制できる表面処理方法を提供すること。
【解決手段】表面処理方法は、基板1とレジストとの密着性を高めるために、前記レジストが塗布される基板1の表面を疎水化処理するための表面処理方法であって、基板1と前記レジストとの密着性を高めるための表面処理剤3の蒸気を基板1の表面に供給する際に、基板1の裏面に表面処理剤3の蒸気が供給されることを防止する。
【選択図】図1
【解決手段】表面処理方法は、基板1とレジストとの密着性を高めるために、前記レジストが塗布される基板1の表面を疎水化処理するための表面処理方法であって、基板1と前記レジストとの密着性を高めるための表面処理剤3の蒸気を基板1の表面に供給する際に、基板1の裏面に表面処理剤3の蒸気が供給されることを防止する。
【選択図】図1
Description
本発明は、基板とレジストの密着性を向上するための表面処理方法および表面処理装置に関する。
半導体製造におけるリソグラフィー工程では、基板とレジストとの密着性を向上させるため、基板上にレジストを塗布する前に、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)等の疎水化処理剤を基板上に塗布するという処理(疎水化処理)が行われている(特許文献1)。HDMSを用いた疎水化処理は、基板の表面を親水性から疎水性にするという疎水化処理であり、HDMSは疎水化処理材として働く。
しかし、従来の疎水化処理では、HMDSが基板の裏面に回り込んでしまい、基板の裏面の端部(ベベル)や、それよりも内側の裏面部分が汚染される。裏面が汚染された基板を露光装置内に搬送すると、露光ステージ上にHMDSが付着する。露光ステージ上に付着したHMDSはデフォーカスの原因となる。
特開2001−215713号公報
本発明の目的は、基板とレジストの密着性を向上するための疎水化処理による基板の裏面の汚染を抑制できる表面処理方法および表面処理装置を提供することにある。
本発明の一態様による表面処理方法は、基板とレジストとの密着性を高めるために、前記レジストが塗布される前記基板の表面を疎水化処理するための表面処理方法であって、前記基板と前記レジストとの密着性を高めるための表面処理剤の蒸気を前記基板の表面に供給する際に、前記基板の裏面に前記表面処理剤の蒸気が供給されることを防止することを特徴とする。
本発明の一態様による表面処理装置は、基板とレジストとの密着性を高めるために、前記レジストが塗布される前記基板の表面を疎水化処理するための表面処理装置であって、前記基板と前記レジストとの密着性を高めるための疎水化処理剤の蒸気を前記基板の表面に供給するための供給手段と、前記基板の裏面に前記表面処理剤の蒸気が供給されることを防止するための供給防止手段とを具備してなることを特徴とする。
本発明によれば、疎水化処理による基板の裏面の汚染を抑制できる表面処理方法および表面処理装置を実現できるようになる。
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態の疎水化処理装置の断面を示す断面図である。図2は、第1の実施形態の疎水化処理装置の上面を示す上面図である。なお、以下の図において、既出の図と対応する部分には既出の図と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
図1は、第1の実施形態の疎水化処理装置の断面を示す断面図である。図2は、第1の実施形態の疎水化処理装置の上面を示す上面図である。なお、以下の図において、既出の図と対応する部分には既出の図と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
本実施形態の疎水化処理装置は、基板1を加熱するためのホットプレート2と、基板1上にHMDS3を塗布するための塗布装置4と、基板1の裏面の端部(ベベル)や、それよりも内側の裏面部分にHMDS3が塗布されることを抑制するための塗布防止装置5(51,53)とを備えている。
基板1は、Siウエハ等の半導体ウエハである。Siウエハのサイズは例えば300mmである。基板1は、ホットプレート2に設けられた複数のピン21上に支持される。
塗布装置4(供給手段)は、HMDS液を気化してHMDS3を生成し、この気化されたHMDS3を基板1に吹き付けるようになっている。
塗布防止装置5(供給防止手段)は、基板1の周囲を囲むように設けられ、HMDS3が基板1の周囲から基板1の裏面に回り込むことを防止するためのカップ51と、基板1の裏面に回り込もうとするHMDS3をガス52の力によって基板1の裏面の外に押し出すことで、HMDS3が基板1の周辺から基板1の裏面に回り込むことを防止するためのガス噴射装置53とを備えている。
ガス噴射装置53は、ホットプレート2を貫通し、基板1の裏面側において、基板1の中央部から基板1の周囲部に向かって流れるガス5が生成されるようにガス供給管531と、ガス供給管54内にガス5を供給するためのガス供給装置532とを備えている。
ガス5は、N2 ガス等の不活性ガスである。ガス供給管531のガス5の出口(噴射口)533は、例えば、図2に示すように、環状に形成されている。出口(噴射口)533は、基板1の裏面の中心から例えば60mm以内の領域にある。
カップ51の上部と基板1との間には隙間61がある。この隙間61から基板1の裏面に入り込もうとするHMDS3は、ガス52によって裏面の外に押し出される。この押し出されたガス52は、カップ51の下部とホットプレート2の下部との間(排気口)62から排気される。すなわち、ガス噴射装置52によってHMDS3の気流を制御することで、HMDS3が基板1の裏面に塗布されることを防止する。ここで、ガス供給管531のガスの出口(噴射口)533が環状に形成されている場合、基板1の裏面の全方位において、裏面に入り込もうとするHMDS3をガス52によって裏面の外に押し出すことが可能となる。
ここでは、排気口62をカップ51とホットプレート2とで構成する例を示したが、例えば、図3に示すように、カップ51の底に排気口62を設ける構成としても構わない。
また、図4に示すように、隙間61を無くすために、カップ51で基板1の周縁部を覆うような構成することも可能である。この場合、基板1の周縁部は中央部に比べてHMDS3の供給量が低下しやすい。HMDS3の供給量の低下は、基板1の周縁部とレジストとの間における密着性の低下を招く可能性がある。したがって、必要に応じて、HMDS3の量や圧力などを調整し、基板1の周縁部に必要な量のHMDS3が供給されるようにする。
次に、本実施形態の疎水化処理方法について述べる。
まず、カップ51により周辺部が覆われたホットプレート2上に基板1を載置し、ホットプレート2により基板1を加熱する。
次に、ガス噴射装置53を動作させ、基板1の裏面中央部から裏面周辺部に向かってガス52を流す。
次に、ガス52を流している状態で、塗布装置4により基板上1に気化されたHMDS3を吹き付ける。このとき、HMDS3の基板1の裏面へのHMDS3の塗布は防止されるので、HMDS3による基板1の裏面の汚染は抑制される。したがって、本実施形態によれば、HMDS3による基板1の裏面の汚染を抑制しながら、HMDS3による基板1の表面の疎水化処理を行うことできるようになる。
以上述べた本実施形態によれば、塗布防止装置5により基板1の裏面へのHMDS3の塗布を防止できるので、HMDS3による基板1の裏面の汚染を抑制しながら、塗布装置4により基板1の表面にHMDS3を塗布し、基板1の表面を疎水化処理することができるようになる。
(第2の実施形態)
図5は、第2の実施形態の洗浄装置を模式的に示す図である。
図5は、第2の実施形態の洗浄装置を模式的に示す図である。
本実施形態の洗浄装置は、基板1上にレジストを塗布した後に、基板1の裏面を洗浄するためのものである。基板1上にレジストを塗布する前に、基板1とレジストとの密着性を高めるために、基板1の表面はHMDSで疎水化処理されている。
本実施形態の洗浄装置は、基板1を保持するための基板保持板70と、基板保持板70に保持された基板1の裏面を洗浄するための第1の裏面洗浄装置71と、基板保持板70に保持された基板1の裏面を洗浄するための第2の裏面洗浄装置72と、基板保持版70を回転させるための回転機構73とを備えている。
基板保持板70は、静電チャク等の周知の機構で基板1を保持するようになっている。
第1の裏面洗浄装置71は、第1の洗浄ノズル710と、第1の洗浄ノズル710に第1の洗浄液供給するための第1の洗浄液供給装置712とを備えている。第1の洗浄液は、レジストの溶解性が高く、洗浄性が高いシクロヘキサノンの溶液である。シクロヘキサノン以外の有機溶剤も使用可能である。
第2の裏面洗浄装置72は、第2の洗浄ノズル720と、第2の洗浄ノズル720に第2の洗浄液を供給するための第2の洗浄液供給装置722とを備えている。第2の洗浄液は、さまざまな基板に対して接触角が低いPGME(プロピレングリコールモノメチルエーテル)とPGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)との混合溶剤の溶液である。
回転機構73は、基板保持版70の裏面に取り付けられた回転軸730と、回転軸730を回転させるためのモーター731とを備えている。なお、モーター731の電源や制御装置等の周知の装置は省略して図示していない。
次に、図6−図8を用いて、本実施形態の洗浄方法について説明する。
まず、図6に示すように、基板1を基板保持版70上に保持し、回転機構73により基板保持版70を回転させ、基板1を回転させる。基板1上には図示しないレジストが塗布されている。
次に、図7に示すように、基板1を回転させた状態で、第1の裏面洗浄装置71を用いて、基板1の裏面を洗浄する。具体的には、第1の洗浄液供給装置712により第1の洗浄ノズル710に第1の洗浄液711が供給され、第1の洗浄ノズル710から吐出された第1の洗浄液711により基板1の裏面は洗浄される。基板1の裏面のうち、基板保持版70で覆われていない領域、特に基板1の裏面の周縁部(端部)が洗浄される。この洗浄(第1の洗浄)は、主として、レジストの塗布工程で、基板1の裏面に塗布されたレジストの除去を目的としている。
次に、図8に示すように、基板1を回転させた状態で、第2の裏面洗浄装置72を用いて、基板1の裏面を洗浄する。具体的には、第2の洗浄液供給装置722により第2の洗浄ノズル720に第2の洗浄液721が供給され、第2の洗浄ノズル720から吐出された第2の洗浄液721により基板1の裏面は洗浄される。第1の洗浄の場合と同様に、基板保持版70で覆われていない領域、特に基板1の裏面の周縁部(端部)が洗浄される。この洗浄(第2の洗浄)は、主として、第1の洗浄で発生したパーティクルの除去を目的としている。第1の洗浄で発生したパーティクルが基板1の裏面に残ると、露光ステージが汚染される。このような露光ステージの汚染はデフォーカスの原因となり、プロセスマージンの減少をもたらす。なお、第2の洗浄液721の溶剤は乾燥して基板裏面には残らない。
第1の洗浄でパーティクルが発生する理由は以下のように考えられる。基板1の表面はHMDSにより疎水化処理される。この疎水化処理の際にHMDSが基板1の裏面に回り込み、裏面に残留する。この裏面に残留したHMDSによって、シクロヘキサノン(第1の洗浄液711)の基板1の裏面に対する接触角が大きくなる。このように接触角が大きい場合、シクロヘキサノンが凝集しやすいため、シクロヘキサノンのパーティクルが生じる。
なお、第2の洗浄液721は、PGMEとPGMEAとの混合溶剤の溶液には限定されず、第1の洗浄液711の溶剤(シクロヘキサノン)を洗浄でき、かつ、凝集しないように乾燥する溶剤の溶液であればよい。
以上述べたように本実施形態によれば、レジストに対する洗浄性が高い第1の洗浄液で基板裏面を洗浄し、その後、第1の洗浄液の溶剤が基板裏面に残らないように第2の洗浄液で基板裏面を洗浄することで、基板裏面にパーティクルを残さずに、レジストの塗布工程で基板裏面に塗布されてしまったレジストを除去できるようになる。
なお、露光装置に入れる直前の塗布ユニットの基板にのみ、実施形態の洗浄装置を適用する。全ての塗布ユニットの基板に対してそれぞれ実施形態の洗浄装置を用意すると、コストが増加するからである。
レジストのエッジカットがない場合には、第2の洗浄時において、レジストのベベルでのカット形状をきれいにするために、レジストのカット面まで第2の洗浄液が回り込まないようにすることが望ましい。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。例えば、第1の実施形態と第2の実施形態とを組み合わせても構わない。すなわち、第1の実施形態に従ってHMDSによる基板裏面の汚染を抑制しながら、基板表面を疎水化処理し、次いで、基板裏面の清浄性を確実なものにするために、第2の実施形態に従って基板裏面を洗浄しても構わない。
また、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
1…基板、2…ホットプレート、3…HMDS、4…塗布装置(供給手段)、5…塗布防止装置(供給防止手段)、21…ピン、22…ヒーター、51…カップ、52…ガス(供給防止手段)、53…ガス噴射装置(供給防止手段)、61…隙間、62…排気口、70…基板保持板、71…第1の裏面洗浄装置、72…第2の裏面洗浄装置、73…回転機構、531…ガス供給管、532…ガス供給装置、533…噴射口、710…第1の洗浄ノズル、711…第1の洗浄液、712…第1の洗浄液供給装置、720…第2の洗浄ノズル、721…第2の洗浄液、722…第2の洗浄液供給装置、730…回転軸、731…モーター。
Claims (5)
- 基板とレジストとの密着性を高めるために、前記レジストが塗布される前記基板の表面を疎水化処理するための表面処理方法であって、
前記基板と前記レジストとの密着性を高めるための表面処理剤の蒸気を前記基板の表面に供給する際に、前記基板の裏面に前記表面処理剤の蒸気が供給されることを防止することを特徴とする表面処理方法。 - 前記基板の裏面に前記表面処理剤の蒸気が供給されることを防止することは、前記表面処理剤の蒸気が前記基板の周囲から前記基板の裏面に回り込むことを防止するために、前記基板の周囲を囲むようにカップを設け、かつ、前記基板の裏面側において、前記基板の中央部から前記基板の周囲部に向かって流れるガスを生成することを含むことを特徴とする請求項1に記載の表面処理方法。
- 前記表面処理剤は、有機シリコン化合物またはフルオロカーボン系化合物であることを特徴とする請求項1または2に記載の表面処理方法。
- 前記ガスは不活性ガスであることを特徴する請求項1または2に記載の表面処理方法。
- 基板とレジストとの密着性を高めるために、前記レジストが塗布される前記基板の表面を疎水化処理するための表面処理装置であって、
前記基板と前記レジストとの密着性を高めるための疎水化処理剤の蒸気を前記基板の表面に供給するための供給手段と、
前記基板の裏面に前記表面処理剤の蒸気が供給されることを防止するための供給防止手段と
を具備してなることを特徴とする表面処理装置。
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2008
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