CN102891095B - 半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 - Google Patents

半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 Download PDF

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Abstract

本发明涉及半导体装置的制造方法以及半导体制造装置，提供一种具备遮光部的形成工序而能够实现成品率的提高的半导体装置的制造方法，其中该遮光部在对形成在晶片的外缘上的负性抗蚀剂利用曝光显影处理来形成预定的图案的情况下，进一步防止曝光光线对位于晶片的外缘上的负性抗蚀剂供给。该制造方法具有：准备在晶片（1）的表面上依次形成有导电层（2）以及负性抗蚀剂（3）的晶片（5）的工序；在晶片（5）的外缘的至少一部分横跨负性抗蚀剂（3）的表面上和侧面地涂敷遮光材料（32）的工序；对负性抗蚀剂（3）进行曝光的工序；除去遮光材料（32）的工序；以及对负性抗蚀剂（3）进行显影的工序。

Description

半导体装置的制造方法以及半导体制造装置
技术领域
本发明涉及具备形成遮光部的工序的半导体装置的制造方法以及能够进一步提高利用该制造方法形成的半导体装置的成品率的半导体制造装置，其中该遮光部在对形成在晶片上的负性抗蚀剂特别是位于晶片的外缘上的负性抗蚀剂利用曝光显影处理来形成预定的图案的情况下，进一步防止对在晶片的外缘上形成的负性抗蚀剂供给曝光光线。
背景技术
例如，在专利文献1中公开了在晶片上形成电镀用电极的方法。在图9中概略地示出专利文献1所公开的电镀用电极形成方法。首先，在晶片100的整个面依次形成导电层110和负性抗蚀剂120，在晶片的外缘上的负性抗蚀剂120上形成遮光部130。接着，经由形成有预定的图案的中间掩模图案（reticle pattern）对负性抗蚀剂120进行曝光。最后，在除去了遮光部130后进行显影处理。由此，在负性抗蚀剂120上形成所希望的图案，并且，使位于在晶片100的外缘的负性抗蚀剂120上形成有遮光部130的区域的下方的导电层110露出，由此，形成所希望的电镀用电极。
专利文献1：日本特开2005-5462号公报。
在专利文献1公开的发明中，如上述那样利用油墨印刷在位于晶片100的外缘上的负性抗蚀剂120上形成有遮光部130。但是，在该结构中，在对负性抗蚀剂120进行曝光时，曝光光线有时从晶片100的侧面方向绕入到遮光部130之下的负性抗蚀剂120。因此，在照射了曝光光线的部位对显影液为不溶性或难溶性的负性抗蚀剂的特性上，存在难以在对负性抗蚀剂120进行显影时按照想要的图案使导电层110露出，难以形成所希望的电镀用电极的问题。另外，并不限于形成电镀用电极的情况，在具备形成遮光部的工序的半导体装置的制造方法中，曝光光线从该晶片的侧面绕入成为严重的问题，其中，上述遮光部在对位于晶片的外缘上的负性抗蚀剂利用曝光显影处理来形成预定的图案的情况下，防止对位于晶片的外缘上的负性抗蚀剂供给曝光光线。
发明内容
因此，本发明解决上述问题，提供一种具备遮光部的形成工序而能够实现成品率的提高的半导体装置的制造方法以及能够进一步提高利用该制造方法形成的半导体装置的成品率的半导体制造装置，其中该遮光部在对形成在晶片的外缘上的负性抗蚀剂利用曝光显影处理来形成预定的图案的情况下，进一步防止曝光光线从晶片侧面绕入到位于晶片的外缘上的负性抗蚀剂。
本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：准备在晶片的表面上依次形成有导电层以及负性抗蚀剂的第一晶片；在所述第一晶片的外缘的至少一部分横跨所述负性抗蚀剂的表面上和侧面地涂敷遮光材料；对所述负性抗蚀剂进行曝光；除去所述遮光材料；对所述负性抗蚀剂进行显影。
本发明的半导体制造装置具有晶片载置台，该晶片载置台具备载置晶片的载置面，该半导体制造装置的特征在于，通过所述载置面的表面的重心并且连结所述载置面的两端部的直线中最长的第一直线比在所述载置面上载置的晶片的直径的长度短。
根据本发明的半导体装置的制造方法，由于横跨负性抗蚀剂的表面上和侧面地涂敷遮光材料，所以，在对第一晶片的外缘的负性抗蚀剂利用曝光显影处理来形成预定的图案的情况下，能够进一步防止曝光光线从晶片的侧面绕入到位于第一晶片的外缘的负性抗蚀剂。因此，在半导体装置的制造中能够谋求进一步提高成品率。
另外，根据本发明的半导体制造装置，由于采用通过载置面的表面的重心并且连结该载置面的两端部的直线中最长的第一直线比在该载置面上载置的晶片的直径的长度短的结构，所以，即使在进行以晶片的外缘相对于该载置面突出的方式在该载置面配置晶片并横跨上述的负性抗蚀剂的表面上和侧面地涂敷遮光材料的工序的情况下，所涂敷的遮光材料也会沿着晶片的侧面向地面方向滴落，因此能够减少绕入到晶片背面的可能性。因此，在之后的曝光工序中，引起在遮光材料绕入到晶片的背面的状态下将晶片配置在曝光装置的载置面的情况下假定的、曝光光线相对于负性抗蚀剂的焦点发生偏移的问题的可能性减少。因而，能够进一步提高利用本发明的半导体装置的制造方法形成的半导体装置的成品率。
附图说明
图1是概略地表示本发明的第一实施方式的半导体制造装置的立体图。
图2是概略地表示从遮光材料供给部30对晶片5涂敷遮光材料的状态的图。
图3是从晶片5的表面侧观察涂敷遮光材料32后的晶片5的俯视图。
图4是概略地表示使用中间掩模图案40对负性抗蚀剂3进行曝光的工序的俯视图。
图5是概略地表示本发明的第二实施方式的半导体制造装置的立体图。
图6是概略地表示从遮光材料供给部30对晶片5供给了遮光材料32的状态以及从在晶片5的下方配置的送风机构50对涂敷有遮光材料32的晶片5的外缘供给空气的状态的图。
图7是概略地表示本发明的第三实施方式的半导体制造装置的立体图。
图8是概略地表示从遮光材料供给部30对晶片5供给了遮光材料32的状态以及从在与载置面22同一平面且与载置面22分离的位置对涂敷有遮光材料32的晶片5的外缘的周边的外部气体进行吸引的状态的图。
图9是概略地表示本发明的现有技术的图。
具体实施方式
以下，参照附图详细地对本发明的半导体制造装置以及半导体装置的制造方法进行说明。
(第一实施方式)
图1是概略地表示本发明的半导体制造装置的第一实施方式的立体图。
本发明的第一实施方式的半导体制造装置具有晶片载置台20，该晶片载置台20具备载置晶片1的载置面22，该半导体制造装置的特征在于，作为通过载置面22的表面的重心23并且连结载置面22的两端部的直线中最长的第一直线的虚线箭头24比在载置面22上载置的晶片1的直径的长度短。此外，虽然晶片1未包含在本发明的半导体制造装置中，但是，为了便于说明而在图1中示出。
本发明的第一实施方式的半导体制造装置具备控制部10、晶片载置台20以及遮光材料供给部30，例如，能够应用于以在晶片的外缘涂敷所希望的液体为目的的液体涂敷装置。
晶片1是在通常的半导体装置的制造中使用的晶片，例如是6英寸、8英寸或12英寸的晶片。虚线箭头2表示晶片1的直径，如果是6英寸的晶片，则其直径为150mm，如果是8英寸的晶片，则其直径为200mm，如果是12英寸的晶片，则其直径为300mm。
控制部10是对晶片载置台20以及遮光材料供给部30的工作进行控制的控制机构。此外，在第一实施方式中，将控制部10作为进行晶片载置台20的工作控制和遮光材料供给部30的工作控制的机构即作为共同的控制机构进行说明，但并不限于此，显然，晶片载置台20的工作控制和遮光材料供给部30的工作控制由独立的控制机构分别独立地进行控制也可。另外，显然也能在控制部10中进行晶片载置台20以及遮光材料供给部30的工作以外的控制。
晶片载置台20以具备支柱21和载置面22并且载置面22形成在支柱21上的方式构成。支柱21借助控制部10的控制进行使载置面22旋转的控制。载置面22借助来自支柱21的控制例如以载置面22的表面的重心23为旋转轴进行旋转。虚线箭头24是通过载置面22的重心23并且连结载置面22的两端部的直线中最长的第一直线，该第一直线设计得比晶片1的直径短。优选载置面22为圆形，在该情况下，载置面22的直径设计得比晶片1的直径短。另外，在载置面22为圆形的情况下，载置面22以载置面22的表面的中心为旋转轴进行旋转。在半导体制造装置对应于6英寸的晶片的情况下，优选第一直线的长度不足150mm，在对应于8英寸的晶片的情况下，优选第一直线的长度不足200mm，在对应于12英寸的晶片的情况下，优选第一直线的长度不足300mm。另外，在使半导体制造装置对应于6英寸的晶片、8英寸的晶片、12英寸的晶片的情况下，优选第一直线的长度不足150mm。此外，在载置面22的表面设置有至少一个能够对晶片1进行真空吸附的吸附部25。另外，晶片载置台20也可以为如下结构：支柱21和载置面22成为一体，载置面22的旋转与支柱21一体地进行。
遮光材料供给部30根据控制部10的控制从供给口31供给遮光材料。另外，遮光供给部30为如下结构：根据控制部10的控制，其自身能进行驱动并且能够调整配置。作为遮光材料供给部30，能应用可连续、断续或局部地供给液体的分配器。此外，供给的遮光材料可以储存在遮光材料供给部30中，也可以从未图示的遮光材料贮存容器等供给到遮光材料供给部30。
接着，使用图2至图4对本发明的第一实施方式的半导体装置的制造方法进行说明。本发明的第一实施方式的半导体装置的制造方法的特征在于，具有如下工序：准备在晶片1的表面上依次形成有导电层2以及负性抗蚀剂3的作为第一晶片的晶片5；在晶片5的外缘的至少一部分横跨负性抗蚀剂3的表面上和侧面地涂敷遮光材料32；对负性抗蚀剂3进行曝光；除去遮光材料32；对负性抗蚀剂3进行显影。此外，图2是概略地表示从遮光材料供给部30对晶片1供给了遮光材料的状态的图。图3是从晶片5的表面侧观察涂敷了遮光材料32后的晶片5的俯视图。图4是概略地表示使用中间掩模图案40对负性抗蚀剂3进行曝光的工序的俯视图。以下，详细地进行说明。
首先，在载置面22上配置晶片1。晶片1向载置面22的配置能够通过各种已知的通常的方法来进行。此时，成为在晶片1的表面上依次形成有覆盖晶片1的导电层2和覆盖导电层2的负性抗蚀剂3的状态。另外，在负性抗蚀剂3上还形成有覆盖负性抗蚀剂3并能够使曝光光线透过的保护膜4也可以。保护膜例如以聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）为材料，起到保护负性抗蚀剂3的作用。负性抗蚀剂3的厚度例如为120μm，保护膜4的厚度为22μm。保护膜4并不限于PET，能够应用各种材料，其厚度也能够进行各种选择。此外，为了便于说明，将在晶片1上依次形成有导电层2、负性抗蚀剂3以及保护膜4的晶片称为作为第一晶片的晶片5。
接着，利用未图示的晶片位置调整机构来调整晶片5的配置，使得晶片5的中心与载置面22的旋转轴一致。此时，晶片5配置成晶片5的外缘从载置面22的端部突出。在载置面22为圆形的情况下，以载置面22的中心和晶片5的中心的位置在与载置面22的表面垂直的方向上一致的方式进行配置调整。此外，晶片位置调整机构的控制可以由控制部10进行，并且不限于此。另外，晶片5的位置调整能够利用各种已知的通常的晶片位置调整机构进行。
当晶片5在载置面22上的配置调整完成时，利用图1所示的吸附部25将晶片5吸附固定于载置面22。
接着，利用控制部10的控制使遮光材料供给部30移动，调整与晶片5的相对的位置。在遮光材料供给部30相对于晶片5的配置中，采用如下位置：能从晶片5的上方横跨晶片5的外缘的至少一部分表面上和侧面、严格地说横跨位于晶片5的外缘的负性抗蚀剂3的至少一部分表面上和侧面地涂敷从遮光材料供给部30供给的遮光材料。在形成有保护膜4的情况下，优选在如下位置配置遮光材料供给部30：能够横跨负性抗蚀剂3的表面上的至少一部分的保护膜4、保护膜4的侧面以及负性抗蚀剂3的侧面地涂敷从遮光材料供给部30供给的遮光材料。此外，遮光材料供给部30相对于晶片5的配置可以基于在上述工序中决定的实际的晶片5的配置来决定，也可以由考虑晶片5的配置而预先确定的位置来决定。在基于在上述工序中决定的晶片5的配置来决定遮光材料供给部30相对于晶片5的配置的情况下，利用未图示的摄像机等确认晶片5在载置面22上的位置信息，将该位置信息传递至控制部10，控制部10基于该位置信息来决定也可以。基于晶片5的配置来决定遮光材料供给部30相对于晶片5的配置，由此，与采用考虑晶片5的配置而预先决定的位置的情况相比，能够实现精度更高的遮光材料32相对于晶片5的配置。
接着，从遮光材料供给部30供给遮光材料32，横跨晶片5的外缘的负性抗蚀剂的表面上和侧面地涂敷遮光材料32。此时，作为调整上述遮光材料供给部30的配置的结果，对从遮光材料供给部30供给的遮光材料32以横跨晶片5的外缘的至少一部分表面上和侧面、换言之横跨晶片5的外缘的负性抗蚀剂3的至少一部分表面上和侧面的方式进行涂敷。另外，在形成有保护膜4的情况下，从遮光材料供给部30供给的遮光材料32以横跨负性抗蚀剂3的表面上的至少一部分保护膜4、保护膜4的侧面以及负性抗蚀剂3的侧面的方式进行涂敷。此外，作为遮光材料32，只要是具备对作为曝光光线即G线、H线、I线的波长区域的365nm～436nm的波长区域吸收光的带隙的材料，就能够应用各种材料，例如含有碳黑。另外，作为遮光材料32的粘度，只要是在晶片5的侧面进行涂敷时不会完全与该侧面不紧贴的材料，就能够广泛地应用，例如，优选为5msecPa～100msecPa。
另外，借助从控制部10对支柱21的控制，支柱21使载置面22旋转，伴随于此，被吸附部25吸附在载置面22上的晶片5进行旋转。当晶片5旋转时，从遮光材料供给部30连续供给遮光材料32，伴随于此，遮光材料32沿着晶片5的外缘横跨负性抗蚀剂3的表面上和侧面地连续地形成。另外，在从遮光材料供给部30断续地供给遮光材料32的情况下，遮光材料32沿着晶片5的外缘横跨负性抗蚀剂3的表面上和侧面地断续地形成。此外，由于涂敷在晶片5的侧面的遮光材料32沿着晶片5的侧面向地面方向滴落，所以，绕入到晶片5的背面的可能性小。
在对晶片5涂敷遮光材料32之后，使遮光材料32硬化。但是，作为遮光材料32，也能够使用不需要另外的热处理等的能自然干燥的材料，在该情况下，能够省略该硬化工序，因此能够谋求制造成本的降低。
在此，在图3中示出从晶片5的表面侧观察涂敷了遮光材料32之后的晶片5的俯视图。图3（a）示出在对晶片5的外缘连续地涂敷了遮光材料32的情况下的晶片5，图3（b）示出在对晶片5的外缘断续地涂敷了遮光材料32的情况下的晶片5。此外，如果遮光材料32在晶片5的外缘横跨负性抗蚀剂3的表面上和侧面地形成的部位至少有一个，则不限于图3举出的例子，能够应用各种方式。
图4是概略地表示使用中间掩模图案40对负性抗蚀剂3进行曝光的工序的俯视图。此外，在本发明的第一实施方式中，说明利用步进（step）式投影曝光对负性抗蚀剂3进行曝光的情况，但在实施本发明的情况下，未必需要使用中间掩模图案40对负性抗蚀剂3进行曝光。
首先，在负性抗蚀剂3的上方配置形成有未图示的预定的图案的中间掩模图案40，进而，在其上方配置未图示的步进式投影曝光装置的曝光光线的照射口。然后，从步进式投影曝光装置的该照射口经由中间掩模图案40对负性抗蚀剂3照射曝光光线，由此，对负性抗蚀剂3投影预定的图案。此外，负性抗蚀剂具有如下特性：被照射了曝光光线的部位对于显影液为不溶性或难溶性，未被照射曝光光线的部位对于显影液为可溶性。因此，作为形成于中间掩模图案40的图案，设定对想要在显影后除去负性抗蚀剂的部位不照射曝光光线的那样的遮光性的图案。其结果是，被中间掩模图案40遮住曝光光线的负性抗蚀剂3的预定的部位以及被遮光材料32遮住曝光光线的负性抗蚀剂3的预定的部位对于显影液为可溶性。
此外，在图4中用虚线表示的格子状的各个区域是利用步进式投影曝光的一次曝光处理曝光的区域，与中间掩模图案40处于一对一的关系。根据步进式投影曝光法，经由中间掩模图案40对图4的用虚线表示的区域依次进行曝光，从而对负性抗蚀剂3照射预定的图案。在此，在进行步进式投影曝光的情况下，如上述那样利用中间掩模图案40对负性抗蚀剂3上的被限制的区域依次进行曝光，但是，除了对负性抗蚀剂3投影预定的图案外，为了在晶片5的外缘形成电镀用电极的目的而形成不取决于中间掩模图案40的图案，在这样的情况下，有时需要在曝光工序前形成与中间掩模图案40不同的图案。本发明的第一实施方式的遮光材料32对晶片5外缘的涂敷例如也能够应用于这样的情况。但是，本发明并不限于该情况，显然也能够广泛应用于需要在晶片5的外缘涂敷遮光材料32的情况。
在对负性抗蚀剂3曝光后，除去遮光材料32。遮光材料32的除去例如利用乙醇、丙酮、异丙醇等进行。此外，在负性抗蚀剂3上形成有保护膜4的情况下，通过使保护膜4从负性抗蚀剂3上剥离，从而能够同时使遮光材料32从负性抗蚀剂3上剥离。其理由在于：在负性抗蚀剂3上形成有保护膜4的情况下，遮光材料32形成在保护膜4的表面上；横跨保护膜4和晶片5的侧面地一体形成的遮光材料32在将保护膜4从负性抗蚀剂3上剥离的情况下能够一体地剥离。此外，即使在负性抗蚀剂3上形成有保护膜4的情况下，也能够通过上述的乙醇等进行遮光材料32的除去，从而进一步提高遮光材料32的除去精度。
在除去遮光材料32后对负性抗蚀剂3进行显影。作为负性抗蚀剂3的显影液，能够应用各种通常使用的显影液，例如，能够使用浓度为1%左右的碳酸钠水溶液等的丙烯酸类溶液。当对负性抗蚀剂3进行显影时，按照在曝光时利用中间掩模图案40投影到负性抗蚀剂3的预定的图案使导电层2露出，并且，按照由遮光材料32遮光的图案使导电层2露出。
在对负性抗蚀剂3进行显影后，例如能将按照遮光材料32露出的导电层2作为电镀用电极，也能在按照利用中间掩模图案40投影到负性抗蚀剂3的预定的图案使导电层2露出的部位，通过电镀法形成电极。
以上，根据本发明的第一实施方式的半导体装置的制造方法，横跨负性抗蚀剂3的表面上和侧面地涂敷遮光材料32，所以，在对晶片5的外缘的负性抗蚀剂3利用曝光显影处理来形成预定的图案的情况下，能够进一步防止曝光光线从晶片5的侧面绕入到位于晶片5的外缘的负性抗蚀剂3。因此，在半导体装置的制造中能够谋求成品率的进一步提高。
另外，在负性抗蚀剂上形成有保护膜的情况下仅在保护膜上形成遮光部的专利文献1所公开的发明中，曝光光线从因保护膜的厚度而产生的间隙绕入到遮光部下的负性抗蚀剂的问题更显著地显现，但是，如本发明的第一实施方式所示那样，横跨负性抗蚀剂3的表面上的至少一部分的保护膜4、保护膜4的侧面以及负性抗蚀剂3的侧面地涂敷遮光材料32，所以，即使在负性抗蚀剂3上形成有保护膜4的情况下，在对负性抗蚀剂3进行曝光的工序中，从晶片4的侧面侧绕入的曝光光线也不会照射到负性抗蚀剂3。
另外，根据本发明的半导体制造装置，采用作为通过载置面22的表面的重心23并且连结载置面22的两端部的直线中最长的第一直线的虚线箭头24比在载置面22上载置的晶片的直径的长度短的结构，所以，即使在进行以晶片5的外缘相对于载置面22突出的方式在载置面22上配置晶片5并且横跨上述负性抗蚀剂3的表面上和侧面地涂敷遮光材料32的工序的情况下，涂敷的遮光材料32也沿着晶片5的侧面向地面方向滴落，因此不会绕入到晶片5的背面。因此，在之后的曝光工序中，引起在遮光材料32绕入到晶片5的背面的状态下将晶片5配置于曝光装置的载置面22的情况下假定的、曝光光线相对于负性抗蚀剂的焦点发生偏移的问题的可能性减少。因此，能够进一步提高利用本发明的第一实施方式的半导体装置的制造方法形成的半导体装置的成品率。
(第二实施方式)
图5是概略地表示本发明第二实施方式的半导体制造装置的立体图。
第二实施方式的半导体制造装置具有晶片载置台20，该晶片载置台20具备载置晶片1的载置面22，该半导体制造装置的特征在于，作为通过载置面22的表面的重心23并且连结载置面22的两端部的直线中最长的第一直线的虚线箭头24比在载置面22载置的晶片1的直径的长度短，该半导体制造装置的特征还在于具备能够供给从载置面22的中心侧朝向端部侧的空气的送风机构50。此外，对于与第一实施方式同样的结构，标注相同的附图标记并省略说明。
送风机构50为如下结构：具备能够输出空气的送风口51，从该送风口51输出的空气能够从载置面22的中心侧朝向端部侧供给。另外，送风机构50为如下结构：能够由控制部10驱动，能够由该控制部10调整从送风口51输出的风向、风压。此外，在送风机构50不能够驱动的情况下为如下结构：送风口51与载置面22的端部相比位于靠近支柱21侧且配置载置面22下方，空气能够从载置面22的下方输出且在从载置面22的中心侧朝向端部侧的方向上供给。另外，在送风机构50不是能够进行驱动的结构的情况下，进而在遮光材料供给部30不是能够进行驱动的情况下，送风口51为从送风口51输出的空气能对遮光材料供给部30的配置方向进行送风的配置。
接着，使用图6对本发明的第二实施方式的半导体装置的制造方法进行说明。本发明的第二实施方式的半导体装置的制造方法使用如下半导体制造装置，即，该半导体制造装置具备晶片载置台20，该晶片载置台20具备载置晶片5的载置面22，该半导体制造装置的特征在于，作为通过载置面22的表面的重心23并且连结载置面22的两端部的直线中最长的第一直线的虚线箭头24的长度比在载置面22载置的晶片5的直径的长度短，该半导体装置的制造方法的特征在于，具备如下工序：准备在晶片1的表面上依次形成有导电层2以及负性抗蚀剂3的作为第一晶片的晶片5；以晶片5的外缘从载置面22的端部突出的方式将晶片5载置于载置面22；在晶片5的外缘的至少一部分横跨负性抗蚀剂3的表面上和侧面地涂敷遮光材料32；对负性抗蚀剂3进行曝光；除去遮光材料32；以及对负性抗蚀剂3进行显影，在对晶片5涂敷遮光材料32的工序中，从晶片5的下方对涂敷遮光材料32的晶片5的外缘，供给从载置面22的中心侧流向端部侧的空气。此外，图6是概略地表示从遮光材料供给部30对晶片5供给遮光材料32的状态以及从配置在晶片5的下方的送风机构50对涂敷有遮光材料32的晶片5的外缘供给空气的状态的图。
首先，与第一实施方式的半导体装置的制造方法同样地，将晶片5配置在载置面22上，进行晶片5的位置调整，将晶片5吸附固定在载置面22上。另外，使遮光材料供给部30移动，调整与晶片5的相对的位置。
接着，进行送风机构50的位置调整。将送风机构50的配置调整到从送风口51输出的空气能够从晶片5的下方对涂敷有遮光材料32的晶片5的外缘从载置面22的中心侧朝向端部侧地进行供给的位置。此外，送风机构50的配置基于在上述工序中决定的实际的晶片5和遮光材料供给部30的配置来决定也可以，由考虑了晶片5和遮光材料供给部30的配置而预先确定的位置来确定也可以。在基于上述工序中决定的晶片5和遮光材料供给部30的配置来决定送风机构50的配置的情况下，通过未图示的摄像机等确认晶片5以及遮光材料供给部30各自的位置信息，将该位置信息传递至控制部10，控制部10基于该位置信息来决定也可以。基于实际的晶片5以及遮光材料供给部30的位置信息来决定送风机构50的配置，由此，与采用考虑了晶片5和遮光材料供给部30的配置而预先决定的位置的情况相比，能够实现精度更高的送风机构50相对于晶片5以及遮光材料供给部30的配置。
接着，与第一实施方式同样地，从遮光材料供给部30供给遮光材料32，横跨晶片5的外缘的负性抗蚀剂的表面上和侧面地涂敷遮光材料32。此时，从送风口51输出的空气从晶片5的下方对涂敷有遮光材料32的晶片5的外缘，从载置面22的中心侧朝向端部侧进行供给。由此，如图6所示，利用从送风口51输出的空气将沿着晶片5的侧面滴落的遮光材料32朝向载置面22的外侧即载置面22的中心侧的相反侧吹走。因此，能够减小沿着晶片5的侧面滴落的遮光材料32因表面张力等流入到晶片5的背面的可能性。此外，在载置面22旋转并且从遮光材料供给部30对晶片5的外缘连续供给遮光材料32的情况下，连续地输出空气，在断续地进行供给的情况下，与从遮光材料供给部30对晶片5的外缘供给遮光材料32的定时同步地供给空气也可以。另外，从送风口51输出的空气的风压例如为0.04MPa，但是，优选为0.04MPa以上，优选为0.06MPa。
在对晶片5涂敷了遮光材料32之后，使遮光材料32硬化。但是，作为遮光材料32，也能够使用能自然干燥的材料，在该情况下，能够省略该硬化工序。
以上，根据本发明的第二实施方式的半导体装置的制造方法，具备能够供给从载置面22的中心侧朝向端部侧的空气的送风机构50和以使晶片5的外缘从载置面22的端部突出的方式将晶片5配置在载置面22上的工序，在横跨晶片5的外缘的负性抗蚀剂3的表面上和侧面地涂敷遮光材料32的工序中，从晶片5的下方对涂敷有遮光材料32的晶片5的外缘，从载置面22的中心侧朝向端部侧供给空气，因此能够将沿着晶片5的侧面滴落的遮光材料32向载置面22的外侧即载置面22的中心侧的相反侧吹走，与第一实施方式相比，能够进一步减小遮光材料32因表面张力等流入到晶片5的背面的可能性。因此，在之后的曝光工序中，引起在遮光材料绕入到晶片的背面的状态下将晶片配置在曝光装置的载置面上的情况下假定的、曝光光线相对于负性抗蚀剂的焦点发生偏移的问题的可能性减少。因此，能够进一步提高利用本发明的半导体装置的制造方法形成的半导体装置的成品率。
另外，根据本发明第二实施方式的半导体制造装置，其特征在于，具有晶片载置台20，该晶片载置台20具备载置晶片1的载置面22，作为通过载置面22的表面的重心23且连结载置面22的两端部的直线中最长的第一直线的虚线箭头24比在载置面22上载置的晶片1的直径的长度短，该半导体制造装置还具备能够供给从载置面22的中心侧朝向端部侧的空气的送风机构50，因此在将晶片5以从载置面22的端部突出的方式配置在载置面22上之后横跨晶片5的外缘的负性抗蚀剂3的表面上和侧面地涂敷遮光材料32的工序中，能从晶片5的下方对涂敷有遮光材料32的晶片5的外缘，从载置面22的中心侧朝向端部侧供给空气，因此能够将沿着晶片5的侧面滴落的遮光材料32向载置面22的外侧即载置面22的中心侧的相反侧吹走，与第一实施方式相比，能够进一步减小遮光材料32因表面张力等流入到晶片5的背面的可能性。因此，在之后的曝光工序中，引起在遮光材料绕入到晶片的背面的状态下将晶片配置于曝光装置的载置面的情况下假定的、曝光光线相对于负性抗蚀剂的焦点发生偏移的问题的可能性减少。因此，能够进一步提高利用本发明的半导体装置的制造方法形成的半导体装置的成品率。
（第三实施方式）
图7是概略地表示本发明的第三实施方式的半导体制造装置的立体图。
第三实施方式的半导体制造装置具有晶片载置台20，该晶片载置台20具备载置晶片1的载置面22，该半导体制造装置的特征在于，作为通过载置面22的表面的重心23并且连结载置面22的两端部的直线中最长的第一直线的虚线箭头24比在载置面22上载置的晶片1的直径的长度短，该半导体制造装置的特征在于，还具备能够吸引外部气体并且吸引孔能够在与载置面22同一平面上朝向载置面22侧进行配置的吸引机构60。此外，对于与第一实施方式同样的结构标注相同的附图标记并省略说明。
吸引机构60为如下结构：具备未图示的吸引孔，能够吸引外部气体。另外，吸引机构60为如下结构：能够由控制部10驱动，借助控制部10的控制，吸引孔能够在与载置面22同一平面上朝向载置面22侧进行配置。另外，吸引机构60采用能够调整吸引力的结构。此外，在吸引机构60不能进行驱动的情况下，吸引孔与载置面22分离并且在与载置面22同一平面上朝向载置面22侧配置。
接着，使用图8对本发明的第三实施方式的半导体装置的制造方法进行说明。本发明的第三实施方式的半导体装置的制造方法使用半导体制造装置，该半导体制造装置具备晶片载置台20，该晶片载置台20具备载置晶片5的载置面22，该半导体制造装置的特征在于，作为通过载置面22的表面的重心23并且连结载置面的两端部的直线中最长的第一直线的虚线箭头24的长度比在载置面22上载置的晶片5的直径的长度短，该半导体装置的制造方法的特征在于，具备如下工序：准备在晶片1的表面上依次形成有导电层2以及负性抗蚀剂3的作为第一晶片的晶片5；以晶片5的外缘从载置面22的端部突出的方式将晶片5载置于载置面22；在晶片5的外缘的至少一部分横跨负性抗蚀剂3的表面上和侧面地涂敷遮光材料32；对负性抗蚀剂3进行曝光；除去遮光材料32；以及对负性抗蚀剂3进行显影，在对晶片5涂敷遮光材料32的工序中，从与载置面22为同一平面并且与载置面22分离的位置对涂敷遮光材料32的上述晶片的外缘周围的外部气体进行吸引。此外，图8是概略地表示从遮光材料供给部30对晶片5供给遮光材料32的状态以及在涂敷遮光材料32的工序中从与载置面22为同一平面并且与载置面22分离的位置对涂敷遮光材料32的上述晶片的外缘周围的外部气体进行吸引的状态的图。
首先，与第一实施方式的半导体装置的制造方法同样地，将晶片5配置在载置面22上，进行晶片5的位置调整，将晶片5吸附固定在载置面22上。另外，使遮光材料供给部30移动，调整与晶片5的相对的位置。
接着，进行吸引机构60的位置调整。将吸引机构60的配置调整到吸引机构60的吸引孔能够从在与载置面22同一平面朝向载置面22侧并且与载置面22分离的位置对涂敷遮光材料32的上述晶片的外缘的周围的外部气体进行吸引的位置。此外，吸引孔能够对晶片的外缘的周围的外部气体进行吸引的位置是指如下位置：利用吸引机构60的吸引，在后述的将遮光材料32涂敷在晶片5的外缘的工序中，能够将沿着晶片5的侧面滴落的遮光材料32的轨道较多地向吸引结构60侧拉近。此外，吸引机构60的配置基于在上述工序中决定的实际的晶片5和遮光材料供给部30的配置来决定也可以，基于考虑了晶片5和遮光材料供给部30的配置而预先确定的位置来确定也可以。在基于在上述工序中决定的晶片5和遮光材料供给部30的配置来决定吸引机构60的配置的情况下，利用未图示的摄像机等确认晶片5以及遮光材料供给部30各自的位置信息，将该位置信息传递至控制部10，控制部10基于该位置信息来决定也可以。基于实际的晶片5以及遮光材料供给部30的位置信息来决定吸引机构60的配置，由此，与采用考虑了晶片5和遮光材料供给部30的配置而预先决定的位置的情况相比，能够实现精度更高的吸引机构60相对于晶片5以及遮光材料供给部30的配置。
接着，与第一实施方式同样地，从遮光材料供给部30供给遮光材料32，横跨晶片5的外缘的负性抗蚀剂的表面上和侧面地涂敷遮光材料32。此时，吸引机构60进行来自吸引孔的吸引。吸引机构60从与载置面22为同一平面并且与载置面22分离的位置对涂敷遮光材料32的上述晶片的外缘的周围的外部气体进行吸引。由此，如图8所示，沿着晶片5的侧面滴落的遮光材料32朝向吸引机构60侧向地面方向滴落。因此，能够减小沿着晶片5的侧面滴落的遮光材料32因表面张力等流入到晶片5的背面的可能性。此外，在载置面22旋转并从遮光材料供给部30对晶片5的外缘连续供给遮光材料32的情况下，由吸引机构60连续地进行吸引，在不是连续的情况下，与从遮光材料供给部30对晶片5的外缘供给遮光材料32的定时同步地进行吸引也可以。
在对晶片5涂敷了遮光材料32之后，使遮光材料32硬化。但是，作为遮光材料32，也能够使用能自然干燥的材料，在该情况下，能够省略该硬化工序。
以上，根据本发明的第三实施方式的半导体装置的制造方法，具备以使晶片5的外缘从载置面22的端部突出的方式将晶片5配置在载置面22上的工序，在横跨晶片5的外缘的负性抗蚀剂3的表面上和侧面地涂敷遮光材料32的工序中，从与载置面22为同一平面并且与载置面22分离的位置对涂敷遮光材料32的上述晶片的外缘的周围的外部气体进行吸引，因此，使沿着晶片5的侧面滴落的遮光材料32朝向吸引机构60侧向地面方向滴落，与第一实施方式相比，能够进一步减小遮光材料32因表面张力等流入到晶片5的背面的可能性。因此，在之后的曝光工序中，引起在遮光材料绕入到晶片的背面的状态下将晶片配置在曝光装置的载置面上的情况下假定的、曝光光线相对于负性抗蚀剂的焦点发生偏移的问题的可能性减少。因此，能够进一步提高利用本发明的半导体装置的制造方法形成的半导体装置的成品率。
另外，根据本发明的第三实施方式的半导体制造装置，其特征在于，具有晶片载置台20，该晶片载置台20具备载置晶片1的载置面22，作为通过载置面22的表面的重心23并且连结载置面22的两端部的直线中最长的第一直线的虚线箭头24比在载置面22上载置的晶片1的直径的长度短，该半导体制造装置还具备能够吸引外部气体并且吸引孔能够在与载置面22同一平面上对外部气体进行吸引的吸引机构60，因此，在将晶片5以从载置面22的端部突出的方式配置在载置面22上之后横跨晶片5的外缘的负性抗蚀剂3的表面上和侧面地涂敷遮光材料32的工序中，能够从与载置面22为同一平面并且与载置面22分离的位置对涂敷遮光材料32的上述晶片的外缘的周围的外部气体进行吸引，因此，使沿着晶片5的侧面滴落的遮光材料32朝向吸引机构60侧向地面方向滴落，与第一实施方式相比，能够进一步减小遮光材料32因表面张力等流入到晶片5的背面的可能性。因此，在之后的曝光工序中，引起在遮光材料绕入到晶片的背面的状态下将晶片配置于曝光装置的载置面的情况下假定的、曝光光线相对于负性抗蚀剂的焦点发生偏移的问题的可能性减少。因此，能够进一步提高利用本发明的半导体装置的制造方法形成的半导体装置的成品率。
此外，本发明的第三实施方式能够与本发明的第二实施方式一起使用。即，能够将第二实施方式示出的送风机构50和第三实施方式示出的吸引机构60应用于同一半导体制造装置，在将送风机构50和吸引机构60应用于同一半导体制造装置的情况下，与第二实施方式以及第三实施方式相比，在曝光工序中，能够进一步减少引起在遮光材料绕入到晶片的背面的状态下将晶片配置于曝光装置的载置面的情况下假定的、曝光光线相对于负性抗蚀剂的焦点发生偏移的问题的可能性，能够进一步提高半导体装置的成品率。
附图标记的说明：
1 晶片
2 导电层
3 负性抗蚀剂
4 保护膜
5 晶片
10 控制部
20 晶片载置台
21 支柱
22 载置面
23 重心
24 虚线箭头
30 遮光材料供给部
31 遮光材料供给口
32 遮光材料
40 中间掩模图案
50 送风机构
51 送风口。

Claims (21)

1.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置的制造方法是在晶片上形成电镀用电极的方法，其特征在于，具有如下工序：
准备在晶片的表面上依次形成有导电层以及负性抗蚀剂的第一晶片；
横跨所述第一晶片的外缘的形成所述电镀用电极的区域的所述负性抗蚀剂的表面上和侧面地涂敷遮光材料；
对所述负性抗蚀剂的形成所述电镀用电极的区域进行曝光；
从所述负性抗蚀剂的表面上和侧面除去所述遮光材料；
进行所述负性抗蚀剂的显影，将与形成所述电镀用电极的区域对应的区域的负性抗蚀剂除去而使所述导电层露出，形成所述电镀用电极。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述遮光材料具备吸收曝光光线的带隙。
3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述遮光材料具备对365nm～436nm的波长区域吸收光的带隙。
4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
对所述负性抗蚀剂的曝光通过以下方式进行：经由形成有预定的图案的矩形的中间掩模图案多次向所述负性抗蚀剂投影所述预定的图案。
5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
利用所述负性抗蚀剂的显影将所述负性抗蚀剂除去，按照利用所述中间掩模图案投影到所述负性抗蚀剂的所述预定的图案使导电层露出，并且，按照所述遮光材料使所述导电层露出，之后，将按照所述遮光材料露出的所述导电层作为电镀用电极，在按照利用所述中间掩模图案投影到所述负性抗蚀剂的所述预定的图案使导电层露出的部位，利用电镀法形成电极。
6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述第一晶片的所述负性抗蚀剂上形成有能够使曝光光线透过的保护膜，
所述制造方法具有在对所述负性抗蚀剂曝光后且在所述负性抗蚀剂的显影前除去所述保护膜的工序。
7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述遮光材料的涂敷以横跨所述第一晶片的外缘的形成所述电镀用电极的区域的所述负性抗蚀剂的表面上的所述保护膜的表面和所述第一晶片的侧面的方式进行。
8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法使用了具有如下晶片载置台的半导体制造装置：具备载置所述第一晶片的载置面，通过所述载置面的表面的重心并且连结所述载置面的两端部的直线中最长的第一直线比在所述载置面上载置的晶片的直径的长度短，该半导体装置的制造方法的特征在于，
在涂敷所述遮光材料的工序之前，具有以所述第一晶片的外缘从所述载置面的端部突出的方式将所述第一晶片配置在所述载置面上的工序。
9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述半导体制造装置具备能够供给所述遮光材料并且能够进行驱动的遮光材料供给部，
在涂敷所述遮光材料的工序之前，将所述遮光材料供给部的配置调整到能够在所述第一晶片的外缘的形成所述电镀用电极的区域横跨所述负性抗蚀剂的表面上和侧面地涂敷遮光材料的位置。
10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述遮光材料供给部的配置根据在所述载置面上配置的所述第一晶片的位置信息来进行。
11.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
具备能够供给从所述载置面的中心侧流向端部侧的空气的送风机构，
在涂敷所述遮光材料的工序中，从晶片的下方对涂敷有所述遮光材料的所述晶片的外缘供给从所述载置面的中心侧流向端部侧的空气。
12.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述送风机构能够根据所述晶片在所述载置面上的位置信息和所述遮光材料供给部的位置信息进行移动。
13.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
具备能够吸引外部气体的吸引机构，
在涂敷所述遮光材料的工序中，利用所述吸引机构从吸引孔与所述载置面为同一平面并且与所述载置面分离的位置对涂敷所述遮光材料的所述晶片的外缘的周围的外部气体进行吸引。
14.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述吸引机构能够根据所述晶片在所述载置面上的位置信息和所述遮光材料供给部的位置信息进行移动。
15.一种半导体制造装置，所述半导体制造装置在形成有负性抗蚀剂的晶片上形成电镀用电极的遮光掩模，其特征在于，具有：
载置台，通过所述载置台的载置面的表面的重心并且连结所述载置面的两端部的直线中最长的第一直线比在所述载置面上载置的晶片的直径的长度短；
涂敷遮光材料的遮光材料供给机构；以及
控制部，对所述载置台和所述遮光材料供给部进行如下控制：横跨使背面与所述载置面相接触地搭载的所述晶片的与形成所述电镀用电极的区域对应的所述负性抗蚀剂的表面和所述负性抗蚀剂的侧面地涂敷遮光材料。
16.如权利要求15所述的半导体制造装置，其特征在于，
所述第一直线的长度不足150mm。
17.如权利要求15所述的半导体制造装置，其特征在于，
所述载置面为圆形。
18.如权利要求15所述的半导体制造装置，其特征在于，
在与所述载置面同一平面的上方，具备能够移动能供给遮光材料的供给口的所述遮光材料供给机构。
19.如权利要求15所述的半导体制造装置，其特征在于，
具备能够供给从所述载置面的中心侧朝向端部侧的空气的送风机构。
20.如权利要求15所述的半导体制造装置，其特征在于，
具备吸引机构，该吸引机构能够吸引外部气体并且吸引孔能够在与所述载置面同一平面朝向载置面侧配置。
21.如权利要求15所述的半导体制造装置，其特征在于，
该半导体制造装置是以向晶片的外缘涂敷液体为目的的液体涂敷装置。
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