JPS5984443A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5984443A JPS5984443A JP19427482A JP19427482A JPS5984443A JP S5984443 A JPS5984443 A JP S5984443A JP 19427482 A JP19427482 A JP 19427482A JP 19427482 A JP19427482 A JP 19427482A JP S5984443 A JPS5984443 A JP S5984443A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layers
- layer
- region
- wiring
- photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は半導体装置の改良に関し、特に半導体装置内の
配線構造に関するものであるＯ鈍物拡散層と金属配線層
が絶縁物を介して近接かつ、平行して存在する領域にお
いて設計レイアウト上、前記不純物拡散層と金属配線層
の配線図が明確にわかる等の理由によシ前記金属配線層
は、該不純物拡散層間に設置していた。第１図はその断
面図の一例である。
配線構造に関するものであるＯ鈍物拡散層と金属配線層
が絶縁物を介して近接かつ、平行して存在する領域にお
いて設計レイアウト上、前記不純物拡散層と金属配線層
の配線図が明確にわかる等の理由によシ前記金属配線層
は、該不純物拡散層間に設置していた。第１図はその断
面図の一例である。
一般に、金属配線層は、絶縁物上に配線用金属を全面的
に蒸着し、その上に７オトレジストを塗布し、さらにそ
の上にフォトマスクを重ね合わせ露光、現像を行ったの
ち、エツチングを行い形成される。
に蒸着し、その上に７オトレジストを塗布し、さらにそ
の上にフォトマスクを重ね合わせ露光、現像を行ったの
ち、エツチングを行い形成される。
しかるに、第２図かられかるように、従来のように金属
配線層を不純物拡散層２間に設置しようとする場合、フ
ォトマスクの目合せのわずかなすれ、前工程での絶縁物
のエツチング状態等により露光工程において、フォトマ
スクの明部６を通して入射した光が配線用金属Ｎ４とフ
ォトマスクの暗部７間で反射し、その結果、本来ならは
露光さ看 れざるべきフォトマスクの暗部７下部のフオトレ近接金
属配線層間での短絡を生ぜしめやすい欠点があった。第
３図（ｂ）は第３図（ａ）のＡ −Ａ’の断面図である
。
配線層を不純物拡散層２間に設置しようとする場合、フ
ォトマスクの目合せのわずかなすれ、前工程での絶縁物
のエツチング状態等により露光工程において、フォトマ
スクの明部６を通して入射した光が配線用金属Ｎ４とフ
ォトマスクの暗部７間で反射し、その結果、本来ならは
露光さ看 れざるべきフォトマスクの暗部７下部のフオトレ近接金
属配線層間での短絡を生ぜしめやすい欠点があった。第
３図（ｂ）は第３図（ａ）のＡ −Ａ’の断面図である
。
不発明はこうした不都合に顧みてなされたものであり、
複数の不純物拡散層と金属配線層が近接かつ平行して存
在する領域において近接金属配線層間の短絡を生せしめ
ずに済む半導体装置を提供するものである。
複数の不純物拡散層と金属配線層が近接かつ平行して存
在する領域において近接金属配線層間の短絡を生せしめ
ずに済む半導体装置を提供するものである。
不発明は半導体装置内で複数の不純物拡散層と金属配線
層が絶縁物を介して近接かつ平行して存在する領域にお
いて、前記金属配線層を該不純物拡散層領域上に設置し
たことを特徴とする。
層が絶縁物を介して近接かつ平行して存在する領域にお
いて、前記金属配線層を該不純物拡散層領域上に設置し
たことを特徴とする。
以下、図面を用いて不発明に関して詳述する。
第４図は不発明による構造の製造工程のうち露うｖ。
工程を示すものである。製造技術は従来の技術と何ら変
わる所はない。フォトマスクの明部全通して入射した光
１６は配線用金属層１４で反射するが、図より明らかな
ように、該入射光がフォトマスクの暗部１７下部に入り
込むことはほとんどなく、ゆえに該暗部下部の７オトレ
ジストが露光されることはない。したがって現像・エツ
チング稜、該フォトマスク暗部下部の配線用金属層１４
がエツチングされずに残シ、近接金属配線層間で短絡を
生せしめることはない。
わる所はない。フォトマスクの明部全通して入射した光
１６は配線用金属層１４で反射するが、図より明らかな
ように、該入射光がフォトマスクの暗部１７下部に入り
込むことはほとんどなく、ゆえに該暗部下部の７オトレ
ジストが露光されることはない。したがって現像・エツ
チング稜、該フォトマスク暗部下部の配線用金属層１４
がエツチングされずに残シ、近接金属配線層間で短絡を
生せしめることはない。
以上に述べたように、不発明に係る配線構造によれば、
従来の写真蝕刻技術を伺ら変える必要なく、複数の不純
物拡散層と金属配線層が近接かつ平行して存在する領域
において、従来の構造と違って近接金属配線層間の短絡
を生ぜしめずに済むことが可能である。第５図（ａ）は
本発明による配線構造の平面図、第５図（ｂ）は第５図
（ａ）のＢ−Ｂ’の断面図である。
従来の写真蝕刻技術を伺ら変える必要なく、複数の不純
物拡散層と金属配線層が近接かつ平行して存在する領域
において、従来の構造と違って近接金属配線層間の短絡
を生ぜしめずに済むことが可能である。第５図（ａ）は
本発明による配線構造の平面図、第５図（ｂ）は第５図
（ａ）のＢ−Ｂ’の断面図である。
第１図は金属配線層が適確にエツチングされた場合の従
来の配線構造である。第２図は従来の配線構造の製造工
程の９ち露光工程を示す図である。 第３図（ａ）は従来の構造で、近接金属配線層間で短絡
が生じた場合の一例の平面図である。第３図（ｂ）はそ
の断面図である。第４図は不発明による配線構造の製造
工程のうち露光工程を示す図である。 第５図（ａ）は本発明による配線構造の平面図、第５図
（ｂ）はその断面図である。 なお図において、１，１１ ・・・・・半導体基板、２
゜１２・・・・・不純物拡散層、３，１３・・ 絶縁物
、４゜１４ ・配線用金属層、５，１５・・・・・フォ
トレジスト、６，１６ ・・・フォトマスク明部、 ７
．１７・・フォトマスク暗部、８，１８・・・・・露光
用入射光、である。 第１ 閏 第２閉 （６２） ＜’ｂ） 第３図 第４（２） （α） （ｂ） 第５閉
来の配線構造である。第２図は従来の配線構造の製造工
程の９ち露光工程を示す図である。 第３図（ａ）は従来の構造で、近接金属配線層間で短絡
が生じた場合の一例の平面図である。第３図（ｂ）はそ
の断面図である。第４図は不発明による配線構造の製造
工程のうち露光工程を示す図である。 第５図（ａ）は本発明による配線構造の平面図、第５図
（ｂ）はその断面図である。 なお図において、１，１１ ・・・・・半導体基板、２
゜１２・・・・・不純物拡散層、３，１３・・ 絶縁物
、４゜１４ ・配線用金属層、５，１５・・・・・フォ
トレジスト、６，１６ ・・・フォトマスク明部、 ７
．１７・・フォトマスク暗部、８，１８・・・・・露光
用入射光、である。 第１ 閏 第２閉 （６２） ＜’ｂ） 第３図 第４（２） （α） （ｂ） 第５閉
Claims (2)
- （１）半導体基板の一主表面上に絶縁膜を介して金属配
線層が設けられた半導体装置において、該全域配線層は
、少くとも該半導体基板に形成された不純物拡散層領域
上に設置せしめることを特徴とする半導体装置。 - （２）該不純物拡散層領域上の絶縁膜断面は、周囲の絶
縁膜断面よシ相対的に凹状に形成されていることを特徴
とする特許請求の範囲第（１）項記載の半導体装置０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19427482A JPS5984443A (ja) | 1982-11-05 | 1982-11-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19427482A JPS5984443A (ja) | 1982-11-05 | 1982-11-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5984443A true JPS5984443A (ja) | 1984-05-16 |
Family
ID=16321886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19427482A Pending JPS5984443A (ja) | 1982-11-05 | 1982-11-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5984443A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6269533A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
-
1982
- 1982-11-05 JP JP19427482A patent/JPS5984443A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6269533A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
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