JPH01152458A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH01152458A JPH01152458A JP62311661A JP31166187A JPH01152458A JP H01152458 A JPH01152458 A JP H01152458A JP 62311661 A JP62311661 A JP 62311661A JP 31166187 A JP31166187 A JP 31166187A JP H01152458 A JPH01152458 A JP H01152458A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- transparent substrate
- resist film
- photomask
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 241000287227 Fringillidae Species 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
フォトマスクの製造方法の改良改良に関し、容易に実施
可能なたわみ量の少ないフォトマスクの製造方法の提供
を目的とし、 透明基板の一方の面に遮光膜及びレジスト膜を被着し、
他の面に該遮光膜及び該レジスト膜が該透明基板に与え
る応力を相殺する作用をする薄膜を被着する工程を含む
よう構成する。
可能なたわみ量の少ないフォトマスクの製造方法の提供
を目的とし、 透明基板の一方の面に遮光膜及びレジスト膜を被着し、
他の面に該遮光膜及び該レジスト膜が該透明基板に与え
る応力を相殺する作用をする薄膜を被着する工程を含む
よう構成する。
本発明は、フォトマスクに係り、特にフォトマスクの製
造方法の改良に関するものである。
造方法の改良に関するものである。
半導体装置の製造に用いるフォトマスクやレチクル等の
透明基板に遮光膜を被着した乾板は、半導体装置の製造
に用いる基板寸法の拡大に伴い、その寸法が大きくなっ
ている。
透明基板に遮光膜を被着した乾板は、半導体装置の製造
に用いる基板寸法の拡大に伴い、その寸法が大きくなっ
ている。
このために透明基板のたわみ量が増大し、遮光パターン
の精度の劣化が生じている。
の精度の劣化が生じている。
以上のような状況からたわみ量の少ない、遮光パターン
の精度の高いフォトマスクの製造方法が要望されている
。
の精度の高いフォトマスクの製造方法が要望されている
。
従来の乾板は第4図に示すような構造のものが用いられ
ている。
ている。
図に示す乾板11の本体となる透明基板11aとしては
石英ガラスが用いられており、この透明基板11aの表
面にクロム等の遮光パターンllbとなる金属の薄膜が
形成され、更にこの遮光パターンllbの表面に使用者
の指定するレジスト膜11cを塗布して乾燥した状態で
業者から納入されている。
石英ガラスが用いられており、この透明基板11aの表
面にクロム等の遮光パターンllbとなる金属の薄膜が
形成され、更にこの遮光パターンllbの表面に使用者
の指定するレジスト膜11cを塗布して乾燥した状態で
業者から納入されている。
このような形状で納入された乾板11を、マスクプロセ
スにおいて露光装置を用いて露光すると、透明基板11
aのたわみにより透明基板11aが変形しているので、
中心部と周辺部とでは露光されたパターンの精度が大き
く異なり、周辺部でばズレが大きくなっている。
スにおいて露光装置を用いて露光すると、透明基板11
aのたわみにより透明基板11aが変形しているので、
中心部と周辺部とでは露光されたパターンの精度が大き
く異なり、周辺部でばズレが大きくなっている。
電子ビーム露光装置においては、レジスト膜lieにパ
ターンを露光してゆく場合に、フィールドと称する領域
にパターンを分割して露光を行っているが、上記のよう
なズレのためレジスト膜11c上のパターンのフィール
ドの継目にズレが生している。
ターンを露光してゆく場合に、フィールドと称する領域
にパターンを分割して露光を行っているが、上記のよう
なズレのためレジスト膜11c上のパターンのフィール
ドの継目にズレが生している。
この継目のズレをディジタルに把握するための方法とし
て、特開昭49−119584号にて公開されているバ
ーニアの原理を応用した方法がある。
て、特開昭49−119584号にて公開されているバ
ーニアの原理を応用した方法がある。
この方法はバーニアの主尺と副尺とをフィールドの送り
ピンチに相当する距離を隔てて形成し、レジスト膜11
cにこの主尺と副尺とを焼付け、相対する主尺と副尺に
よりズレの量を測定するものである。
ピンチに相当する距離を隔てて形成し、レジスト膜11
cにこの主尺と副尺とを焼付け、相対する主尺と副尺に
よりズレの量を測定するものである。
以上説明の従来の乾板で問題となるのは、透明基板11
aに形成した遮光パターンl1tiやレジスト膜11c
の収縮力により透明基板11aが大きくたわむことであ
る。
aに形成した遮光パターンl1tiやレジスト膜11c
の収縮力により透明基板11aが大きくたわむことであ
る。
このたわみ量は理論式によると、5インチの石英ガラス
板からなる透明基板11aの場合は、最大0.46μm
であるが、6インチの場合は最大0.55μmとなり、
これに遮光パターンllbやレジスト膜11cを形成す
ると、実測結果によればたわみ量は10〜20μm程度
となっている。
板からなる透明基板11aの場合は、最大0.46μm
であるが、6インチの場合は最大0.55μmとなり、
これに遮光パターンllbやレジスト膜11cを形成す
ると、実測結果によればたわみ量は10〜20μm程度
となっている。
このような状態の乾板11を用いた場合には、フィール
ド間にズレの無い品質の良いフォトマスクやレチクル等
を製造することは不可能である。
ド間にズレの無い品質の良いフォトマスクやレチクル等
を製造することは不可能である。
本発明は以上のような状況から容易に実施可能なたわみ
量の少ないフォトマスクの製造方法の提供を目的とした
ものである。
量の少ないフォトマスクの製造方法の提供を目的とした
ものである。
上記問題点は、透明基板の一方の面に遮光膜及びレジス
ト膜を被着し、他の面に該遮光膜及び該レジスト膜が該
透明基板に与える応力を相殺する作用をする薄膜を被着
する工程を含む本発明によるフォトマスクの製造方法に
よって解決される。
ト膜を被着し、他の面に該遮光膜及び該レジスト膜が該
透明基板に与える応力を相殺する作用をする薄膜を被着
する工程を含む本発明によるフォトマスクの製造方法に
よって解決される。
即ち本発明においては、透明基板に遮光膜及びレジスト
膜を被着した乾板の、遮光膜及びレジスト膜を被着して
いない面に薄膜を被着するので、石英ガラスよりなる透
明基板のたわみ及び上記の遮光膜及びレジスト膜の収縮
力に起因するたわみと、この薄膜による逆方向の収縮力
によるたわみとが均衡するので、透明基板のたわみを補
正し、平坦なフォトマスクやレチクル等を得ることが可
能となる。
膜を被着した乾板の、遮光膜及びレジスト膜を被着して
いない面に薄膜を被着するので、石英ガラスよりなる透
明基板のたわみ及び上記の遮光膜及びレジスト膜の収縮
力に起因するたわみと、この薄膜による逆方向の収縮力
によるたわみとが均衡するので、透明基板のたわみを補
正し、平坦なフォトマスクやレチクル等を得ることが可
能となる。
以下第1図について本発明の一実施例を説明する。
本実施例の乾板1は第1図に示すように、フインチ角で
厚さ311の石英ガラス板よりなる透明基板1aの上に
、厚さ1..000人のクロムからなる遮光膜1bを被
着し、更にその上に厚さ5,000人のレジスト膜1c
を形成し、これらによる透明基板1aのたわみを補正す
る薄膜、例えば、図示のような膜厚5.000人のクロ
ムからなる薄膜2を上記遮光膜1b及びレジスト膜1c
を被着していない面に形成している。
厚さ311の石英ガラス板よりなる透明基板1aの上に
、厚さ1..000人のクロムからなる遮光膜1bを被
着し、更にその上に厚さ5,000人のレジスト膜1c
を形成し、これらによる透明基板1aのたわみを補正す
る薄膜、例えば、図示のような膜厚5.000人のクロ
ムからなる薄膜2を上記遮光膜1b及びレジスト膜1c
を被着していない面に形成している。
乾板1のレジスト膜1cを露光した後、レジスト膜1c
の現像を行う前に薄膜2用のエツチング液を用いて薄膜
2をエツチングして除去し、その後レジスト膜1cの現
像、遮光膜1bのエツチングを行ってフォトマスクの製
造が完了する。
の現像を行う前に薄膜2用のエツチング液を用いて薄膜
2をエツチングして除去し、その後レジスト膜1cの現
像、遮光膜1bのエツチングを行ってフォトマスクの製
造が完了する。
本実施例のように遮光膜1bと薄膜2とが同一エツチン
グ液によりエツチング可能な場合は、レジスト膜1cの
現像実施後に、遮光膜1bのエツチングと薄膜2のエツ
チングとを同時に行うことが可能である。
グ液によりエツチング可能な場合は、レジスト膜1cの
現像実施後に、遮光膜1bのエツチングと薄膜2のエツ
チングとを同時に行うことが可能である。
このような構造の乾板lと、薄膜2を形成していない従
来技術による乾板11とを比較すると、下記の条件の場
合には第2図に示すようなバーニアにより測定した第3
図に示す乾板1の位置における誤差の値は、下表の通り
となった。
来技術による乾板11とを比較すると、下記の条件の場
合には第2図に示すようなバーニアにより測定した第3
図に示す乾板1の位置における誤差の値は、下表の通り
となった。
露光装置−一−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
−−−−−一電子ビーム露光装置フィールド寸法−−−
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
−−−−−−511m角〔単位二μl〕 〔発明の効果〕 以上の説明から明らかなように、本発明によれば透明基
板の遮光パターン及びレジスト膜を被着していない面に
、極めて簡単に被着する薄膜を形成することにより、た
わみ量の少ない、精度の高い乾板を得ることが可能とな
る利点があり、著しい品質向上の効果が期待でき工業的
には極めて有用なものである。
−−−−−一電子ビーム露光装置フィールド寸法−−−
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
−−−−−−511m角〔単位二μl〕 〔発明の効果〕 以上の説明から明らかなように、本発明によれば透明基
板の遮光パターン及びレジスト膜を被着していない面に
、極めて簡単に被着する薄膜を形成することにより、た
わみ量の少ない、精度の高い乾板を得ることが可能とな
る利点があり、著しい品質向上の効果が期待でき工業的
には極めて有用なものである。
第1図は本発明による一実施例を示す側断面図、第2図
はバーニアの主尺と副尺の相対位置の例を示す図 第3図は乾板上の誤差測定位置を示す図、第4図は従来
の乾板を示す側断面図、 である。 図において、 1は乾板、 1aは透明基板、 1bは遮光膜、 1cはレジスト膜、 2は薄膜、
はバーニアの主尺と副尺の相対位置の例を示す図 第3図は乾板上の誤差測定位置を示す図、第4図は従来
の乾板を示す側断面図、 である。 図において、 1は乾板、 1aは透明基板、 1bは遮光膜、 1cはレジスト膜、 2は薄膜、
Claims (1)
- 透明基板(1a)の一方の面に遮光膜(1b)及びレ
ジスト膜(1c)を被着し、他の面に該遮光膜(1b)
及び該レジスト膜(1c)が該透明基板(1a)に与え
る応力を相殺する作用をする薄膜(2)を被着する工程
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31166187A JP2590982B2 (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31166187A JP2590982B2 (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01152458A true JPH01152458A (ja) | 1989-06-14 |
JP2590982B2 JP2590982B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=18019965
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31166187A Expired - Fee Related JP2590982B2 (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2590982B2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6020514A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-02-01 | Matsushita Electronics Corp | X線露光用マスク |
-
1987
- 1987-12-08 JP JP31166187A patent/JP2590982B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6020514A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-02-01 | Matsushita Electronics Corp | X線露光用マスク |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2590982B2 (ja) | 1997-03-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS5933673B2 (ja) | 薄い自立金属構造の製造方法 | |
JPH01152458A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
JPH11212250A (ja) | マスクブランクとマスクの製造方法 | |
JP3529967B2 (ja) | アライメントマーク付きフォトマスク用ブランクスの製造方法 | |
JPS6244740A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
US20060068298A1 (en) | Transfer mask blank, transfer mask, and transfer method using the transfer mask | |
JPH07120623B2 (ja) | X線マスクおよびその製造方法 | |
JP7302347B2 (ja) | インプリントモールド用基板及びインプリントモールド、並びにそれらの製造方法 | |
JPH05134387A (ja) | 位相シフトマスクの構造、露光方式、露光装置及び半導体装置 | |
JPS62158341A (ja) | 移動ステ−ジ | |
JPS6017907Y2 (ja) | フオト・マスク | |
JPS61204933A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH04216553A (ja) | 半導体製造用マスク | |
JPH04136855A (ja) | 露光用マスクの製造方法 | |
JP2854921B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2758940B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法 | |
JPS6271313A (ja) | 圧電振動片の製造方法 | |
JPH03271738A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
JPH01144628A (ja) | X線露光用マスクおよびその製造方法 | |
JPH0263049A (ja) | マスクパターンを有する基板及びその製造方法 | |
JPS6150152A (ja) | ホトマスク | |
JPS59103333A (ja) | 電子ビ−ム露光法 | |
JPH0344639A (ja) | フォトマスク | |
JPS61124943A (ja) | マスク | |
JPS61174734A (ja) | 基体吸着法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |