JPH01152458A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH01152458A JPH01152458A JP62311661A JP31166187A JPH01152458A JP H01152458 A JPH01152458 A JP H01152458A JP 62311661 A JP62311661 A JP 62311661A JP 31166187 A JP31166187 A JP 31166187A JP H01152458 A JPH01152458 A JP H01152458A
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- film
- transparent substrate
- resist film
- photomask
- thin film
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
フォトマスクの製造方法の改良改良に関し、容易に実施
可能なたわみ量の少ないフォトマスクの製造方法の提供
を目的とし、 透明基板の一方の面に遮光膜及びレジスト膜を被着し、
他の面に該遮光膜及び該レジスト膜が該透明基板に与え
る応力を相殺する作用をする薄膜を被着する工程を含む
よう構成する。
可能なたわみ量の少ないフォトマスクの製造方法の提供
を目的とし、 透明基板の一方の面に遮光膜及びレジスト膜を被着し、
他の面に該遮光膜及び該レジスト膜が該透明基板に与え
る応力を相殺する作用をする薄膜を被着する工程を含む
よう構成する。
本発明は、フォトマスクに係り、特にフォトマスクの製
造方法の改良に関するものである。
造方法の改良に関するものである。
半導体装置の製造に用いるフォトマスクやレチクル等の
透明基板に遮光膜を被着した乾板は、半導体装置の製造
に用いる基板寸法の拡大に伴い、その寸法が大きくなっ
ている。
透明基板に遮光膜を被着した乾板は、半導体装置の製造
に用いる基板寸法の拡大に伴い、その寸法が大きくなっ
ている。
このために透明基板のたわみ量が増大し、遮光パターン
の精度の劣化が生じている。
の精度の劣化が生じている。
以上のような状況からたわみ量の少ない、遮光パターン
の精度の高いフォトマスクの製造方法が要望されている
。
の精度の高いフォトマスクの製造方法が要望されている
。
従来の乾板は第４図に示すような構造のものが用いられ
ている。
ている。
図に示す乾板１１の本体となる透明基板１１ａとしては
石英ガラスが用いられており、この透明基板１１ａの表
面にクロム等の遮光パターンｌｌｂとなる金属の薄膜が
形成され、更にこの遮光パターンｌｌｂの表面に使用者
の指定するレジスト膜１１ｃを塗布して乾燥した状態で
業者から納入されている。
石英ガラスが用いられており、この透明基板１１ａの表
面にクロム等の遮光パターンｌｌｂとなる金属の薄膜が
形成され、更にこの遮光パターンｌｌｂの表面に使用者
の指定するレジスト膜１１ｃを塗布して乾燥した状態で
業者から納入されている。
このような形状で納入された乾板１１を、マスクプロセ
スにおいて露光装置を用いて露光すると、透明基板１１
ａのたわみにより透明基板１１ａが変形しているので、
中心部と周辺部とでは露光されたパターンの精度が大き
く異なり、周辺部でばズレが大きくなっている。
スにおいて露光装置を用いて露光すると、透明基板１１
ａのたわみにより透明基板１１ａが変形しているので、
中心部と周辺部とでは露光されたパターンの精度が大き
く異なり、周辺部でばズレが大きくなっている。
電子ビーム露光装置においては、レジスト膜ｌｉｅにパ
ターンを露光してゆく場合に、フィールドと称する領域
にパターンを分割して露光を行っているが、上記のよう
なズレのためレジスト膜１１ｃ上のパターンのフィール
ドの継目にズレが生している。
ターンを露光してゆく場合に、フィールドと称する領域
にパターンを分割して露光を行っているが、上記のよう
なズレのためレジスト膜１１ｃ上のパターンのフィール
ドの継目にズレが生している。
この継目のズレをディジタルに把握するための方法とし
て、特開昭４９−１１９５８４号にて公開されているバ
ーニアの原理を応用した方法がある。
て、特開昭４９−１１９５８４号にて公開されているバ
ーニアの原理を応用した方法がある。
この方法はバーニアの主尺と副尺とをフィールドの送り
ピンチに相当する距離を隔てて形成し、レジスト膜１１
ｃにこの主尺と副尺とを焼付け、相対する主尺と副尺に
よりズレの量を測定するものである。
ピンチに相当する距離を隔てて形成し、レジスト膜１１
ｃにこの主尺と副尺とを焼付け、相対する主尺と副尺に
よりズレの量を測定するものである。
以上説明の従来の乾板で問題となるのは、透明基板１１
ａに形成した遮光パターンｌ１ｔｉやレジスト膜１１ｃ
の収縮力により透明基板１１ａが大きくたわむことであ
る。
ａに形成した遮光パターンｌ１ｔｉやレジスト膜１１ｃ
の収縮力により透明基板１１ａが大きくたわむことであ
る。
このたわみ量は理論式によると、５インチの石英ガラス
板からなる透明基板１１ａの場合は、最大０．４６μｍ
であるが、６インチの場合は最大０．５５μｍとなり、
これに遮光パターンｌｌｂやレジスト膜１１ｃを形成す
ると、実測結果によればたわみ量は１０〜２０μｍ程度
となっている。
板からなる透明基板１１ａの場合は、最大０．４６μｍ
であるが、６インチの場合は最大０．５５μｍとなり、
これに遮光パターンｌｌｂやレジスト膜１１ｃを形成す
ると、実測結果によればたわみ量は１０〜２０μｍ程度
となっている。
このような状態の乾板１１を用いた場合には、フィール
ド間にズレの無い品質の良いフォトマスクやレチクル等
を製造することは不可能である。
ド間にズレの無い品質の良いフォトマスクやレチクル等
を製造することは不可能である。
本発明は以上のような状況から容易に実施可能なたわみ
量の少ないフォトマスクの製造方法の提供を目的とした
ものである。
量の少ないフォトマスクの製造方法の提供を目的とした
ものである。
上記問題点は、透明基板の一方の面に遮光膜及びレジス
ト膜を被着し、他の面に該遮光膜及び該レジスト膜が該
透明基板に与える応力を相殺する作用をする薄膜を被着
する工程を含む本発明によるフォトマスクの製造方法に
よって解決される。
ト膜を被着し、他の面に該遮光膜及び該レジスト膜が該
透明基板に与える応力を相殺する作用をする薄膜を被着
する工程を含む本発明によるフォトマスクの製造方法に
よって解決される。
即ち本発明においては、透明基板に遮光膜及びレジスト
膜を被着した乾板の、遮光膜及びレジスト膜を被着して
いない面に薄膜を被着するので、石英ガラスよりなる透
明基板のたわみ及び上記の遮光膜及びレジスト膜の収縮
力に起因するたわみと、この薄膜による逆方向の収縮力
によるたわみとが均衡するので、透明基板のたわみを補
正し、平坦なフォトマスクやレチクル等を得ることが可
能となる。
膜を被着した乾板の、遮光膜及びレジスト膜を被着して
いない面に薄膜を被着するので、石英ガラスよりなる透
明基板のたわみ及び上記の遮光膜及びレジスト膜の収縮
力に起因するたわみと、この薄膜による逆方向の収縮力
によるたわみとが均衡するので、透明基板のたわみを補
正し、平坦なフォトマスクやレチクル等を得ることが可
能となる。
以下第１図について本発明の一実施例を説明する。
本実施例の乾板１は第１図に示すように、フインチ角で
厚さ３１１の石英ガラス板よりなる透明基板１ａの上に
、厚さ１．．０００人のクロムからなる遮光膜１ｂを被
着し、更にその上に厚さ５，０００人のレジスト膜１ｃ
を形成し、これらによる透明基板１ａのたわみを補正す
る薄膜、例えば、図示のような膜厚５．０００人のクロ
ムからなる薄膜２を上記遮光膜１ｂ及びレジスト膜１ｃ
を被着していない面に形成している。
厚さ３１１の石英ガラス板よりなる透明基板１ａの上に
、厚さ１．．０００人のクロムからなる遮光膜１ｂを被
着し、更にその上に厚さ５，０００人のレジスト膜１ｃ
を形成し、これらによる透明基板１ａのたわみを補正す
る薄膜、例えば、図示のような膜厚５．０００人のクロ
ムからなる薄膜２を上記遮光膜１ｂ及びレジスト膜１ｃ
を被着していない面に形成している。
乾板１のレジスト膜１ｃを露光した後、レジスト膜１ｃ
の現像を行う前に薄膜２用のエツチング液を用いて薄膜
２をエツチングして除去し、その後レジスト膜１ｃの現
像、遮光膜１ｂのエツチングを行ってフォトマスクの製
造が完了する。
の現像を行う前に薄膜２用のエツチング液を用いて薄膜
２をエツチングして除去し、その後レジスト膜１ｃの現
像、遮光膜１ｂのエツチングを行ってフォトマスクの製
造が完了する。
本実施例のように遮光膜１ｂと薄膜２とが同一エツチン
グ液によりエツチング可能な場合は、レジスト膜１ｃの
現像実施後に、遮光膜１ｂのエツチングと薄膜２のエツ
チングとを同時に行うことが可能である。
グ液によりエツチング可能な場合は、レジスト膜１ｃの
現像実施後に、遮光膜１ｂのエツチングと薄膜２のエツ
チングとを同時に行うことが可能である。
このような構造の乾板ｌと、薄膜２を形成していない従
来技術による乾板１１とを比較すると、下記の条件の場
合には第２図に示すようなバーニアにより測定した第３
図に示す乾板１の位置における誤差の値は、下表の通り
となった。
来技術による乾板１１とを比較すると、下記の条件の場
合には第２図に示すようなバーニアにより測定した第３
図に示す乾板１の位置における誤差の値は、下表の通り
となった。
露光装置−一−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
−−−−−一電子ビーム露光装置フィールド寸法−−−
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
−−−−−−５１１ｍ角〔単位二μｌ〕 〔発明の効果〕 以上の説明から明らかなように、本発明によれば透明基
板の遮光パターン及びレジスト膜を被着していない面に
、極めて簡単に被着する薄膜を形成することにより、た
わみ量の少ない、精度の高い乾板を得ることが可能とな
る利点があり、著しい品質向上の効果が期待でき工業的
には極めて有用なものである。
−−−−−一電子ビーム露光装置フィールド寸法−−−
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
−−−−−−５１１ｍ角〔単位二μｌ〕 〔発明の効果〕 以上の説明から明らかなように、本発明によれば透明基
板の遮光パターン及びレジスト膜を被着していない面に
、極めて簡単に被着する薄膜を形成することにより、た
わみ量の少ない、精度の高い乾板を得ることが可能とな
る利点があり、著しい品質向上の効果が期待でき工業的
には極めて有用なものである。
第１図は本発明による一実施例を示す側断面図、第２図
はバーニアの主尺と副尺の相対位置の例を示す図 第３図は乾板上の誤差測定位置を示す図、第４図は従来
の乾板を示す側断面図、 である。 図において、 １は乾板、 １ａは透明基板、 １ｂは遮光膜、 １ｃはレジスト膜、 ２は薄膜、
はバーニアの主尺と副尺の相対位置の例を示す図 第３図は乾板上の誤差測定位置を示す図、第４図は従来
の乾板を示す側断面図、 である。 図において、 １は乾板、 １ａは透明基板、 １ｂは遮光膜、 １ｃはレジスト膜、 ２は薄膜、
Claims (1)
- 透明基板（１ａ）の一方の面に遮光膜（１ｂ）及びレ
ジスト膜（１ｃ）を被着し、他の面に該遮光膜（１ｂ）
及び該レジスト膜（１ｃ）が該透明基板（１ａ）に与え
る応力を相殺する作用をする薄膜（２）を被着する工程
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31166187A JP2590982B2 (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31166187A JP2590982B2 (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01152458A true JPH01152458A (ja) | 1989-06-14 |
| JP2590982B2 JP2590982B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=18019965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31166187A Expired - Fee Related JP2590982B2 (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2590982B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6020514A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-02-01 | Matsushita Electronics Corp | Ｘ線露光用マスク |
-
1987
- 1987-12-08 JP JP31166187A patent/JP2590982B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6020514A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-02-01 | Matsushita Electronics Corp | Ｘ線露光用マスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2590982B2 (ja) | 1997-03-19 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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