JPS61174734A

JPS61174734A - 基体吸着法

Info

Publication number: JPS61174734A
Application number: JP60015797A
Authority: JP
Inventors: Kunihiko Ueno; 邦彦上野
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 1985-01-30
Filing date: 1985-01-30
Publication date: 1986-08-06
Also published as: JPH0152898B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野）本発明は、レチクルジェネレータ、電子ビーム露光装置
、Ｘ線ビーム露光装置、レーザビームを使用した露光装
置、縮小投影露光装置、長寸法測定装置及び短寸法測定
装置等の半導体装置等の所望する装置の基体設置台にフ
ォトマスクブランク。

フォトマスク及びシリコンウェハー等の半導体基板等の
基体を真空吸着する真空吸着法に関するものである。

（従来の技術）従来、例えば半導体製造装置である縮小投影露光装置の
基体設置台にフォトマスクブランクを真空吸着する方法
は下記のとおりであった。すなわち、Ｘ方向及びＹ方向
（Ｘ方向とＹ方向とは直交している。）に移動する基体
設置台の設置面に、例えばガラス基板上にｃｒ膜を積層
したフォトマスクブランクを設置する。この際、前記設
置面上に突出した小円柱状の凸部３個の側面に、前記フ
オトマスクブランクの周縁部を押圧して設置する。

すなわち、この３個の凸部がフォトマスクブランクを設
置する位置の目安となっている。次に、前記基体設置台
の内部を貫通し、基体設置面の表面にまで貫通している
穴を介し、この基体設置台の外部に設けられた真空排気
装置を稼動して、前記フォトマスクブランクを真空吸着
する。その後、縮小投影露光装置によって、フォトマス
クブランク上に、ステップアンドリピート方式で、所望
するパターンを所望する位置に露光し、フォトマスクを
製作した。

一方、長寸法測定装置や短寸法測定装置を用いてフォト
マスク上のパターンの寸法を測定するときも、前述した
と同様な方法でフォトマスクを基体設置台に真空吸着し
て、各寸法を測定していた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、従来の方法では、フォトマスクブランク
やフォトマスク等の基体を人間の手によって移動させる
と、その熱が基体に伝導されたり、また基体が保管され
ている場所から精密に温度制御されている基体設置台に
この基体を設置すると、基体内に温度分布が発生したり
するため、基体内に熱歪が発生するので、フォトマスク
ブランク上の所望する位置に正確にパターンを露光する
ことができず、また製作されたパターンの位置がたとえ
正確であっても、このパターンの寸法を測定するとき、
前記熱歪によって正確に測定することができない欠点が
あった。

また、基体を設置する目安となる凸部に押圧したときに
発生する応力歪を全く意識せずに真空吸着していたので
、基体内に応力歪が残存し、この結果、前記したと同様
の欠点があった。

さらに、真空吸着をした後、直ちにパターン作成や寸法
測定を行っていたので、この真空吸着によって発生した
基体内部の吸着量の影響を受けて、前記と同様に正確に
パターン作成及び寸法測定ができない欠点があった。

本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、その目的
は、パターン形成、寸法測定等の工程を行う前に、真空
吸着によって発生する前記吸着量を除去することであり
、また、前記吸着量と前記熱歪とを除去することであり
、さらに、前記吸着量と前記熱歪と前記応力歪とを除去
する基体吸着法を提供することであり、かつ従来の装置
を変更することなく基体を吸着することができる基体吸
着法を提供することである。

〔問題点を解決するための手段〕このような目的を達成するため、本発明は、第１発明が
、基体を真空吸着する基体吸着法において、前記基体を
吸着する第１吸着工程を経て、次に前記吸着を解除する
解除工程を経て、次に前記基体を再び吸着する第２吸着
工程を有することを特徴とする基体吸着法であり、第２
発明が、所望する装置の基体設置台に基体を真空吸着す
る手段を設け、前記吸着手段によって基体を吸着する基
体吸着法において、前記基体を前記設置台に設置する設
置工程を経て、次に前記吸着手段によって前記基体を吸
着する第１吸着工程を経て、次に前記吸着を解除する解
除工程を経て、次に前記基体を再び吸着する第２吸着工
程を有することを特徴とする基体吸着法であり、第３発
明が、所望する装置の基体設置台に基板を所望する位置
に設置するための目安となる手段と基体を真空吸着する
手段とを設け、前記吸着手段によって基体を吸着する基
体吸着法において、前記目安手段により前記基体を前記
設置台に設置する設置工程を経て、次に前記吸着手段に
よって前記基体を吸着する第１吸着工程を経て、次に前
記吸着を解除する解除工程を経て、次に前記基体を再び
吸着する第２吸着工程を有することを特徴とする基体吸
着法であり、さらに第４発明が、所望する装置の基体設
置台に基板を所望する位置に設置するための目安手段と
しての凸部と基体を真空吸着する手段とを設け、前記吸
着手段によって基体を吸着する基体吸着法において、前
記凸部の側面に、前記基体を押圧して前記設置台に設置
する設置工程を経て、次に前記吸着手段によって前記基
体を吸着する第１吸着工程を経て、次に前記吸着を解除
する解除工程を経て、次に前記基体を再び吸着する第２
吸着工程を有することを特徴とする基体吸着法である。

本発明の実１Ｍ態様としては、前記基体が、石英ガラス
、並びにアルミノシリケート、アルミノボロシリケート
及びソーダライム等の多成分系ガラスからなるガラス基
板の何れから選択され、かつ前記ガラス基板上に、遮光
性膜がＣｒ、　Ｔａ、　１４０等の食刻可能な金属、こ
れらの金属の窒化物、炭化物。

酸化物及びこれら二以上の多層膜の何れから選択されて
被覆されたフォトマスクブランク又は前記遮光性膜をエ
ツチングしてパターン化したフォトマスクであり、前記
ガラス基板と前記食刻可能な金属との間に、Ｓｎ　０２
　、　Ｉｎ２　０３　、　ＳｎをドープしたＩｎ２　０
３等からなる透明導電膜を設けたフォトマスクブランク
やフォトマスクであり、さらにシリコン等の半導体材料
からなる半導体基板及び半導体基板上にシリコン酸化物
等の酸化物を被覆したものの何れから選択されたもので
ある。また、前記設置工程の設置時間は２分以上、前記
第１吸着工程の吸着時間は２秒以上、前記解除工程の解
除時間は３０秒以上が望ましい。

また、本発明の実施態様としては、前記所望する装置が
、半導体製造装置であり、前記製造装置が、レチクルジ
ェネレータ、電子ビーム露光装置。

Ｘ線ビーム露光装置、レーザビームを使用した露光装置
、縮小投影露光装置、長寸法測定装置及び短寸法測定装
置の何れから選択され、前記基体設置台が、直方体形状
又は円板形状からなり、実質的に直交する二方向に移動
し、かつ前記基体を吸着する手段が、前記設置台の内部
を貫通して前記設置台の前記基体を設置する面に到達す
る穴からなる手段、該穴と前記設置面の穴近傍に設けら
れた凸状基体支持部とからなる手段及び前記設置面に設
けられた穴が前記設置面の溝の底部に設けられている手
段の何れかを有してなる吸着手段である。さらにまた、
本発明の実施態様としては、前記目安手段が、前記基体
を設置する表面に設けられた凹部、凸部及び付着された
マークの何れから選択され、また前記凸部の目安手段が
、それぞれ少なくとも３個の小円板状、小楕円柱状及び
小角柱状の何れから選択された凸部の目安手段からなり
、かつ前記凸部が３個のときはその内２個が、４個以上
のときはその内少なくとも２個が前記基体を設置する表
面の同一直線上に配置され、他は所望する位置に配置さ
れていることである。

〔作　用〕

本発明は、先ず、設置工程においては、基体を基体設置
台に吸着する前に、熱歪を除去する作用をし、また目安
手段の凸部に基体を押圧して設置したときは、このとき
に発生する応力歪も除去する作用をする。次に、第１吸
着工程は、前記熱歪や応力歪が残存するときは、これら
を除去する作用をし、次の解除工程では、先の第１吸着
工程によって発生した吸着量を除去する作用をすると共
に、後のＭ２２吸工程において基体を吸着するとき、再
度吸着量を発生させないようにするめに、基体を吸着行
為になじませる作用をし、かつ、前述したと同様に応力
歪や熱歪が残存するときは、これも除去する作用をする
。さらに第２吸着工程は基体を基板設置台に吸着し、基
体設置台が移動しても、基体が基体設置台の設置面上を
移動しないように作用する。

〔実施例〕

本例において、縮小投影露光装置の設置台移動装置（以
下、「移動装置ｊという。）に設置した基体設置台に、
フォトマスクブランクを吸着する方法を第１図に基づき
詳述する。なお、第１図（ａ）は、前記移動装置の構造
を示す概略斜視図であり、同図（ｂ）は概略平面図であ
る。

先ず、ソーダライムガラスをガラス基板とし、このガラ
ス基板上にクロム（Ｃｒ）膜を積層し、ざらに、このＣ
ｒ膜に感光性樹脂（例えば、ＡＺ−１３５０（ヘキスト
ジャパン社）製）を塗布したフォトマスクブランク（以
下、「マスクブランク」という。

）１を用意する。次に、このマスクブランク１を温度約
２３℃の環境から、厳密に２１℃に温度制御された縮小
投影露光装置の移動装置２に設置した基体設置台３の基
体を設置する設置面３１に人間の手によって移動して設
置する。この際、マスクブランク１を所望の位置に配置
するための目安の手段として、３個の小円柱状の凸部３
２．３３．３４　（凸部３２と凸部３３とは同一直線上
に配置されている。）が設置面３１上に設【プられてお
り、この凸部３２．３３゜３４の側面に押圧してマスク
ブランク１を設置し、約３分間放置する（この放置する
時間が設置時間であり、この工程が設置工程である。）
。次に、基体設置台３の内部を貫通し、設置面に到達し
た穴３５．３６．３７と、基体設置台３の側面に設けら
れた前記内部を貫通した穴及び外部の真空排気装置（図
示せず。）を連結するための中空のジヨイント３８とを
介して、真空排気装置を稼動して（約６０１１１ｍＨｇ
）、マスクブランク１を設置面３１に約１９吸着する（
第１吸着工程。）。次に、真空排気装置による吸引を止
め、マスクブランク１の吸着を約２分間解除する（解除
工程。）。そして、再度真空排気装置を稼動してく約６
０１１ｍＨ（１）　、マスクブランク１を設置面３１に
吸着する（第２吸着工程。）。

次に、本例の吸着方法によって吸着されたマスクブラン
ク１にパターンを描画するには、移動装置２の移動部２
１を図中で示すＸ方向に移動し、基体設置台３をＹ方向
に移動して、マスクブランク１上の所望の位置に描画す
る。

このようにして形成されたフォトマスクのクロムからな
るパターンを第２図に示す。なお、同図はフォトマスク
の部分拡大平面図を示す。

このフォトマスク４によれば、パターン５，６゜７．８
が図のとおり形成されている。すなわち、パターン５と
パターン６、パターン７とパターン８のそれぞれは、距
離りの間隔で形成されているが、所望する位置７Ａ、８
Ａに形成されるべきパターン７．８が、距離Ｌ１及びＬ
２の間隔でシフトされている。しかし、従来の吸着法で
はＬ＋　／Ｌ及びＬ２／Ｌが約１０ｐｐｎ＋であったの
に対して、本例では３　ｐｐｍ以下となった。

このように、本例のみならず、ガラス基板が、ソーダラ
イムガラス、アルミノボロシリケートガラス（例えば、
ＬＥ３０　（ＨＯＹＡ■製））２石英ガラスが、それぞ
れ熱膨張係数が９．３ｐｌ）ｍ／’Ｃ、３，７ｐｐｍ／
”Ｃ、０，５１）Ｅ）ＩＩＩ／’Ｃであり、それぞれヤ
ング率が約７３００１ｇ／燗２．約７５００に９７　第
２．約７４００Ｋｇ／闇２であるので熱歪や応力歪が発
生するが、本例の吸着法によれば、充分これらの歪と吸
着歪とを除去できたことを示すものである。

本例において、ガラス基板としてソーダライムガラスを
使用したが、アルミノボロシリケートガラス、アルミノ
シリケートガラス、石英ガラスを使用してもよく、また
遮光性膜としてＴａ、　ｔ４ｏ等の金属、これらの金属
の窒化物、炭化物、酸化物やこれらの二以上を組合わせ
た多層膜を使用してもよい。さらに、ガラス基板と遮光
性膜との間に透明導電膜を被着した基体でもよい。また
、本例において、設置時間、第１吸着工程における吸着
時間及び解除時間をそれぞれ、３分、１分及び２分とし
たが、これに限らず真空排気装置による真空度、歪の発
生量等に鑑みて適宜決定すればよいが、望ましくは設置
時間２分以Ｆ１第１吸着時間２秒以上及び解除時間３０
秒以上がよい。この条件は、マスクブランクやフォトマ
スクに限らず他の基体でも望ましい条件である。

また、本例において、縮小投影露光装置について説明し
たが、他の半導体製造装置、例えばレチクルジェネレー
タ、電子ビーム露光装置、レーザビームを使用した露光
装置１寸法測定装置等にも適用され、さらに半導体製造
装置以外の真空吸着手段を用いて基体を吸着する装置に
も適用できるが、微細加工や厳密な検査等の超精密性が
要求される半導体製造装置に本発明を適用すれば、最も
顕著に効果が発揮される。さらに、本例の基体設置台上
の基体を所望する位置に設置する目安手段として小円柱
状の凸部を設けたが、凹部やマーク等でもよく、さらに
凸部が小円柱状に限らず、小楕円柱状や小角柱状のもの
でもよく、また凸部の個数も３個に限らず、３個以上で
あれば位置決めが容易となる。さらに吸着手段として設
置面の穴に限らず、この穴とこの穴近傍に設けられた凸
状の基体を載置する基体支持部とからなるものでもよく
、また設置面に溝を設けてこの溝の底部に穴を設けたも
のでもよい。さらに、吸着される基体は、前述したマス
クブランクやフォトマスクに限らず、シリコン等の半導
体材料やこのシリコン等の表面にシリコン酸化物等の酸
化物を被覆したものであってもよく、また他の基体であ
ってもよい。

〔発明の効果）本発明は、以上のような工程、特に一度基体を吸着した
後、従来全く考えられていなかったこの吸着を解除する
工程を追加した工程によって、基体に発生した熱歪、応
力歪、吸着量を除去することができるので、パターン形
成や厳密な検査を必要とする装置には著しい効果を発揮
するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に使用した基板設置台を有す
る移動装置を説明する図であり、同図（ａ）は概略斜視
図、同図（ｂ）は概略平面図であり、第２図は本発明の
一実施例によって形成されたフォトマスクを示す部分拡
大平面図である。１・・・マスクブランク、２・・・移動装置、３・・・
基体設置台、３１・・・設置面、３２．３３．３４・・
・小円柱状の凸部、３５．３６．３７・・・大筒り図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基体を真空吸着する基体吸着法において、前記基
体を吸着する第１吸着工程を経て、次に前記吸着を解除
する解除工程を経て、次に前記基体を再び吸着する第２
吸着工程を有することを特徴とする基体吸着法。
（２）前記基体が、石英ガラス、並びにアルミノシリケ
ート、アルミノボロシリケート及びソーダライム等の多
成分系ガラスからなるガラス基板の何れから選択され、
かつ前記ガラス基板上に、遮光性膜がＣｒ、Ｔａ、Ｍｏ
等の食刻可能な金属、これらの金属の窒化物、炭化物、
酸化物及びこれら二以上の多層膜の何れから選択されて
被覆されたフォトマスクブランク又は前記遮光性膜をエ
ッチングしてパターン化したフォトマスクであることを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の基体吸着法
。
（３）前記基体が、石英ガラス、並びにアルミノシリケ
ート、アルミノボロシリケート及びソーダライム等の多
成分系ガラスからなるガラス基板の何れから選択され、
前記ガラス基板上に、スズ酸化物、インジウム酸化物、
スズをドープしたインジウム酸化物等の透明導電膜の何
れから選択されて被覆され、かつ前記透明導電膜上に、
遮光性膜がＣｒ、Ｔａ、Ｍｏ等の食刻可能な金属、これ
らの金属の窒化物、炭化物、酸化物及びこれら二以上の
多層膜の何れから選択されて被覆されたフォトマスクブ
ランク又は前記遮光性膜をエッチングしてパターン化し
たフォトマスクであることを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載の基体吸着法。
（４）前記基体が、シリコン等の半導体材料からなる半
導体基板及び前記半導体基板上にシリコン酸化物等の酸
化物を被覆したものの何れから選択したことを特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項記載の基体吸着法。
（５）前記第１吸着工程において、その吸着時間が２秒
以上であることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
、第（２）項、第（３）項又は第（４）項記載の基体吸
着法。
（６）前記解除工程において、その解除時間が３０秒以
上であることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項、
第（２）項、第（３）項、第（４）項又は第（５）項記
載の基体吸着法。
（７）所望する装置の基体設置台に基体を真空吸着する
手段を設け、前記吸着手段によって基体を吸着する基体
吸着法において、前記基体を前記設置台に設置する設置
工程を経て、次に前記吸着手段によって前記基体を吸着
する第１吸着工程を経て、次に前記吸着を解除する解除
工程を経て、次に前記基体を再び吸着する第２吸着工程
を有することを特徴とする基体吸着法。
（８）前記所望する装置が、半導体製造装置であり、前
記製造装置が、レチクルジェネレータ、電子ビーム露光
装置、Ｘ線ビーム露光装置、レーザビームを使用した露
光装置、縮小投影露光装置、長寸法測定装置及び短寸法
測定装置の何れから選択されたことを特徴とする特許請
求の範囲第（７）項記載の基体吸着法。
（９）前記基体設置台が、直方体形状又は円板形状から
なり、実質的に直交する二方向に移動し、かつ前記基体
を吸着する手段が、前記設置台の内部を貫通して前記設
置台の前記基体を設置する面に到達する穴からなる手段
、該穴と前記設置面の穴近傍に設けられた凸状基体支持
部とからなる手段及び前記設置面の穴が前記設置面に設
けられた溝の底部に設けられている手段の何れかを有し
てなる吸着手段であることを特徴とする特許請求の範囲
第（７）項又は第（８）項記載の基体吸着法。
（１０）前記基体が、石英ガラス、並びにアルミノシリ
ケート、アルミノボロシリケート及びソーダライム等の
多成分系ガラスからなるガラス基板の何れから選択され
、かつ前記ガラス基板上に、遮光性膜がＣｒ、Ｔａ、Ｍ
ｏ等の食刻可能な金属、これらの金属の窒化物、炭化物
、酸化物及びこれら二以上の多層膜の何れから選択され
て被覆されたフォトマスクブランク又は前記遮光性膜を
エッチングしてパターン化したフォトマスクであること
を特徴とする特許請求の範囲第（７）項、第（８）項又
は第（９）項記載の基体吸着法。
（１１）前記基体が、石英ガラス、並びにアルミノシリ
ケート、アルミノボロシリケート及びソーダライム等の
多成分系ガラスからなるガラス基板の何れから選択され
、前記ガラス基板上に、スズ酸化物、インジウム酸化物
、スズをドープしたインジウム酸化物等の透明導電膜の
何れから選択されて被覆され、かつ前記透明導電膜上に
、遮光性膜がＣｒ、Ｔａ、Ｍｏ等の食刻可能な金属、こ
れらの金属の窒化物、炭化物、酸化物及びこれら二以上
の多層膜の何れから選択されて被覆されたフォトマスク
ブランク又は前記遮光性膜をエッチングしてパターン化
したフォトマスクであることを特徴とする特許請求の範
囲第（７）項、第（８）項又は第（９）項記載の基体吸
着法。
（１２）前記基体が、シリコン等の半導体材料からなる
半導体基板及び前記半導体基板上にシリコン酸化物等の
酸化物を被覆したものの何れから選択したことを特徴と
する特許請求の範囲第（７）項、第（８）項又は第（９
）項記載の基体吸着法。
（１３）前記設置工程において、その設置時間が２分以
上であることを特徴とする特許請求の範囲第（７）項、
第（８）項、第（９）項、第（１０）項、第（１１）項
又は第（１２）項記載の基体吸着法。
（１４）前記第１吸着工程において、その吸着時間が２
秒以上であることを特徴とする特許請求の範囲第（７）
項、第（８）項、第（９）項、第（１０）項、第（１１
）項、第（１２）項又は第（１３）項記載の基体吸着法
。
（１５）前記解除工程において、その解除時間が３０秒
以上であることを特徴とする特許請求の範囲第（７）項
、第（８）項、第（９）項、第（１０）項、第（１１）
項、第（１２）項、第（１３）項又は第（１４）項記載
の基体吸着法。
（１６）所望する装置の基体設置台に基板を所望する位
置に設置するための目安となる手段と基体を真空吸着す
る手段とを設け、前記吸着手段によって基体を吸着する
基体吸着法において、前記目安手段により前記基体を前
記設置台に設置する設置工程を経て、次に前記吸着手段
によって前記基体を吸着する第１吸着工程を経て、次に
前記吸着を解除する解除工程を経て、次に前記基体を再
び吸着する第２吸着工程を有することを特徴とする基体
吸着法。
（１７）前記所望する装置が、半導体製造装置であり、
前記製造装置が、レチクルジェネレータ、電子ビーム露
光装置、Ｘ線ビーム露光装置、レーザビームを使用した
露光装置、縮小投影露光装置、長寸法測定装置及び短寸
法測定装置の何れから選択されたことを特徴とする特許
請求の範囲第（１６）項記載の基体吸着法。
（１８）前記基体設置台が、直方体形状又は円板形状か
らなり、実質的に直交する二方向に移動し、かつ前記基
体を吸着する手段が、前記設置台の内部を貫通して前記
設置台の前記基体を設置する面に到達する穴からなる手
段、該穴と前記設置面の穴近傍に設けられた凸状基体支
持部とからなる手段及び前記設置面の穴が前記設置面に
設けられた溝の底部に設けられている手段の何れかを有
してなる吸着手段であることを特徴とする特許請求の範
囲第（１６）項又は第（１７）項記載の基体吸着法。
（１９）前記目安手段が、前記基体を設置する表面に設
けられた凹部、凸部及び付着されたマークの何れから選
択されたことを特徴とする特許請求の範囲第（１６）項
、第（１７）項又は第（１８）項記載の基体吸着法。
（２０）前記基体が、石英ガラス、並びにアルミノシリ
ケート、アルミノボロシリケート及びソーダライム等の
多成分系ガラスからなるガラス基板の何れから選択され
、かつ前記ガラス基板上に、遮光性膜がＣｒ、Ｔａ、Ｍ
ｏ等の食刻可能な金属、これらの金属の窒化物、炭化物
、酸化物及びこれら二以上の多層膜の何れから選択され
て被覆されたフォトマスクブランク又は前記遮光性膜を
エッチングしてパターン化したフォトマスクであること
を特徴とする特許請求の範囲第（１６）項、第（１７）
項、第（１８）項又は第（１９）項記載の基体吸着法。
（２１）前記基体が、石英ガラス、並びにアルミノシリ
ケート、アルミノボロシリケート及びソーダライム等の
多成分系ガラスからなるガラス基板の何れから選択され
、前記ガラス基板上に、スズ酸化物、インジウム酸化物
、スズをドープしたインジウム酸化物等の透明導電膜の
何れから選択されて被覆され、かつ前記透明導電膜上に
、遮光性膜がＣｒ、Ｔａ、Ｍｏ等の食刻可能な金属、こ
れらの金属の窒化物、炭化物、酸化物及びこれら二以上
の多層膜の何れから選択されて被覆されたフォトマスク
ブランク又は前記遮光性膜をエッチングしてパターン化
したフォトマスクであることを特徴とする特許請求の範
囲第（１６）項、第（１７）項、第（１８）項又は第（
１９）項記載の基体吸着法。
（２２）前記基体が、シリコン等の半導体材料からなる
半導体基板及び前記半導体基板上にシリコン酸化物等の
酸化物を被覆したものの何れから選択したことを特徴と
する特許請求の範囲第（１６）項、第（１７）項、第（
１８）項又は第（１９）項記載の基体吸着法。
（２３）前記第１吸着工程において、その吸着時間が２
秒以上であることを特徴とする特許請求の範囲第（１６
）項、第（１７）項、第（１８）項、第（１９）項、第
（２０）項、第（２１）項又は第（２２）項記載の基体
吸着法。
（２４）前記解除工程において、その解除時間が３０秒
以上であることを特徴とする特許請求の範囲第（１６）
項、第（１７）項、第（１８）項、第（１９）項、第（
２０）項、第（２１）項、第（２２）項又は第（２３）
項記載の基体吸着法。
（２５）所望する装置の基体設置台に基板を所望する位
置に設置するための目安手段としての凸部と基体を真空
吸着する手段とを設け、前記吸着手段によって基体を吸
着する基体吸着法において、前記凸部の側面に、前記基
体を押圧して前記設置台に設置する設置工程を経て、次
に前記吸着手段によって前記基体を吸着する第１吸着工
程を経て、次に前記吸着を解除する解除工程を経て、次
に前記基体を再び吸着する第２吸着工程を有することを
特徴とする基体吸着法。
（２６）前記凸部の目安手段が、それぞれ少なくとも３
個の小円板状、小楕円柱状及び小角柱状の何れから選択
された凸部の目安手段からなり、かつ前記凸部が３個の
ときはその内２個が、４個以上のときはその内少なくと
も２個が前記基体を設置する表面の同一直線上に配置さ
れ、他は所望する位置に配置されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第（２５）項記載の基体吸着法。
（２７）前記所望する装置が、半導体製造装置であり、
前記製造装置が、レチクルジェネレータ、電子ビーム露
光装置、Ｘ線ビーム露光装置、レーザビームを使用した
露光装置、縮小投影露光装置、長寸法測定装置及び短寸
法測定装置の何れから選択されたことを特徴とする特許
請求の範囲第（２５）項又は第（２６）項記載の基体吸
着法。
（２８）前記基体設置台が、直方体形状又は円板形状か
らなり、実質的に直交する二方向に移動し、かつ前記基
体を吸着する手段が、前記設置台の内部を貫通して前記
設置台の前記基体を設置する面に到達する穴からなる手
段、該穴と前記設置面の穴近傍に設けられた凸状基体支
持部とからなる手段及び前記設置面の穴が前記設置面に
設けられた溝の底部に設けられている手段の何れかを有
してなる吸着手段であることを特徴とする特許請求の範
囲第（２５）項、第（２６）項、又は第（２７）項記載
の基体吸着法。
（２９）前記基体が、石英ガラス、並びにアルミノシリ
ケート、アルミノボロシリケート及びソーダライム等の
多成分系ガラスからなるガラス基板の何れから選択され
、かつ前記ガラス基板上に、遮光性膜がＣｒ、Ｔａ、Ｍ
ｏ等の食刻可能な金属、これらの金属の窒化物、炭化物
、酸化物及びこれら二以上の多層膜の何れから選択され
て被覆されたフォトマスクブランク又は前記遮光性膜を
エッチングしてパターン化したフォトマスクであること
を特徴とする特許請求の範囲第（２５）項、第（２６）
項、第（２７）項又は（２８）項記載の基体吸着法。
（３０）前記基体が、石英ガラス、並びにアルミノシリ
ケート、アルミノボロシリケート及びソーダライム等の
多成分系ガラスからなるガラス基板の何れから選択され
、前記ガラス基板上に、スズ酸化物、インジウム酸化物
、スズをドープしたインジウム酸化物等の透明導電膜の
何れから選択されて被覆され、かつ前記透明導電膜上に
、遮光性膜がＣｒ、Ｔａ、Ｍｏ等の食刻可能な金属、こ
れらの金属の窒化物、炭化物、酸化物及びこれら二以上
の多層膜の何れから選択されて被覆されたフォトマスク
ブランク又は前記遮光性膜をエッチングしてパターン化
したフォトマスクであることを特徴とする特許請求の範
囲第（２５）項、第（２６）項、第（２７）項又は第（
２８）項記載の基体吸着法。
（３１）前記基体が、シリコン等の半導体材料からなる
半導体基板及び前記半導体基板上にシリコン酸化物等の
酸化物を被覆したものの何れから選択したことを特徴と
する特許請求の範囲第（２５）項、第（２６）項、第（
２７）項又は第（２８）項記載の基体吸着法。
（３２）前記第１吸着工程において、その吸着時間が２
秒以上であることを特徴とする特許請求の範囲第（２５
）項、第（２６）項、第（２７）項、第（２８）項、第
（２９）項、第（３０）項又は第（３１）項記載の基体
吸着法。
（３３）前記解除工程において、その解除時間が３０秒
以上であることを特徴とする特許請求の範囲第（２５）
項、第（２６）項、第（２７）項、第（２８）項、第（
２９）項、第（３０）項、第（３１）項又は第（３２）
項記載の基体吸着法。