CN117311079A - Eapsm掩模版及其制造方法 - Google Patents
Eapsm掩模版及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117311079A CN117311079A CN202311398106.7A CN202311398106A CN117311079A CN 117311079 A CN117311079 A CN 117311079A CN 202311398106 A CN202311398106 A CN 202311398106A CN 117311079 A CN117311079 A CN 117311079A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- phase shift
- eapsm
- pattern
- photoresist layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims abstract description 82
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 78
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
本发明公开了一种EAPSM掩模版及其制造方法，其中，EAPSM掩模版的制造方法包括以下步骤：提供基材，在第一光刻胶层上形成第一预设图案，露出第一预设图案下方的相移层；沿第一预设图案刻蚀相移层，以形成多个间隔设置的pattern区域；去除第一光刻胶层；在相移层上涂覆光刻胶形成第二光刻胶层，在第二光刻胶层上形成第二预设图案，在第二预设图案处沉积遮光层；去除第二光刻胶层，获得EAPSM掩模版。在本发明通过采用仅由透明基板、相移层和第一光刻胶层组成的基材，在沿第一预设图案刻蚀相移层时，无需刻蚀遮光层，减少了刻蚀步骤，直接获得EAPSM掩模版，减少了制造流程，提高了生产效率，遮光层的缺陷率降低。
Description
技术领域
本发明涉及掩模版技术领域，尤其涉及一种EAPSM掩模版及其制造方法。
背景技术
随着集成电路设计的高速发展，掩模版图形设计的尺寸日益缩小，光学邻近效应越来越明显。越来越多的光学技术以及光学邻近校正技术被应用到光刻工艺中。曝光波长的短波长化在改善清晰度的同时会减少焦点深度，从而降低工艺过程的稳定性。为了保证光刻图形的精确性，相移掩膜(PSM，Phase ShiftMask)技术越来越多地被采用。
EAPSM(Embedded Attenuated PSM-嵌入式衰减相移掩模版)指采用具有一定透光率的薄膜作为相移层，将所述薄膜覆盖于用于形成图案的相邻缝隙上，以构成掩模版图，并使通过所述相移层的透射光反相。现有技术的EAPSM掩模版的制造过程中，其通常通过在由层叠设置的透明基板、相移层和遮光层组成的基材上，依次对遮光层和相移层进行刻蚀，获得所需的图形，由于需要先对相移层进行刻蚀，刻蚀相移层过程中需要将遮光层一并刻蚀，刻蚀完成后再对遮光层刻蚀成所需图案，导致遮光层需要进行两次刻蚀，增加了刻蚀步骤，导致制造流程多，生产效率低下，同时由于遮光层经过两次刻蚀，导致其缺陷率高，EAPSM掩模版的整体精度不足。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种EAPSM掩模版及其制造方法，旨在解决现有的EAPSM掩模版制造流程多、生产效率低下、缺陷率高、EAPSM掩模版的整体精度不足的问题。
为实现上述目的，本发明提供一种EAPSM掩模版的制造方法，包括以下步骤：
提供基材，其中，所述基材包括自下而上层叠设置的透明基板、相移层和第一光刻胶层；
在所述第一光刻胶层上形成第一预设图案，露出所述第一预设图案下方的所述相移层；
沿所述第一预设图案刻蚀所述相移层，以形成多个间隔设置的pattern区域；
去除所述第一光刻胶层；
在所述相移层上涂覆光刻胶形成第二光刻胶层，其中，所述第二光刻胶层填满各所述pattern区域；
在所述第二光刻胶层上形成第二预设图案，以露出所述第二预设图案下方的所述相移层，在所述第二预设图案处沉积遮光层；
去除所述第二光刻胶层，获得所述EAPSM掩模版。
优选地，所述提供基材的步骤包括：
提供透明石英作为所述透明基板；
在所述透明基板上沉积相移材料形成所述相移层；
在所述相移层上涂覆光刻胶形成所述第一光刻胶层。
优选地，所述相移材料的透过率为4％～15％，厚度为10nm～70nm。
优选地，所述在所述第一光刻胶层上形成第一预设图案，露出所述第一预设图案下方的所述相移层的步骤包括：
以所述第一预设图案为掩膜对所述第一光刻胶层进行曝光；
通过显影液对所述第一光刻胶层进行显影处理，以露出所述第一预设图案下方的所述相移层。
优选地，所述沿所述第一预设图案刻蚀所述相移层，以形成多个间隔设置的pattern区域的步骤包括：
通过等离子刻蚀工艺刻蚀所述第一预设图案下方的所述相移层，直至露出所述透明基板，获得多个间隔设置的所述pattern区域。
优选地，所述在所述第二光刻胶层上形成第二预设图案，以露出所述第二预设图案下方的所述相移层，在所述第二预设图案处沉积遮光层的步骤包括：
以所述第二预设图案为掩膜对所述第二光刻胶层进行曝光；
通过显影液对所述第二光刻胶层进行显影处理，以露出所述第二预设图案下方的所述相移层；
在所述相移层上沉积遮光材料形成所述遮光层。
优选地，所述遮光材料的光学密度大于等于3。
优选地，所述遮光材料为铬。
优选地，所述去除所述第一光刻胶层的步骤之后还包括：
对各所述pattern区域进行检测，获取各所述pattern区域的残余位置和缺陷位置；
对各所述pattern区域中残余位置和缺陷位置进行修复。
本发明还提供一种EAPSM掩模版，通过上述的EAPSM掩模版的制造方法制成。
在本发明的技术方案中，通过采用仅由透明基板、相移层和第一光刻胶层组成的基材，在沿第一预设图案刻蚀相移层时，无需刻蚀遮光层，减少了刻蚀步骤，然后在刻蚀完相移层后，在通过光刻工艺形成第二预设图案，并沉积形成遮光层，无需对遮光层进行刻蚀，直接获得EAPSM掩模版，减少了制造流程，提高了生产效率，同时由于遮光层通过直接沉积形成，不需要进行两次刻蚀，因此遮光层的缺陷率降低，EAPSM掩模版的整体精度大幅提高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明一实施例EAPSM掩模版的制造方法的流程框图；
图2为本发明一实施例EAPSM掩模版的制造方法的步骤S100的细化流程框图；
图3为本发明一实施例EAPSM掩模版的制造方法的步骤S600的细化流程框图；
图4为本发明一实施例EAPSM掩模版的结构示意图；
图5为本发明一实施例EAPSM掩模版对应步骤S100的结构示意图；
图6为本发明一实施例EAPSM掩模版对应步骤S200的结构示意图；
图7为本发明一实施例EAPSM掩模版对应步骤S300的结构示意图；
图8为本发明一实施例EAPSM掩模版对应步骤S500的结构示意图；
图9为本发明一实施例EAPSM掩模版对应步骤S600的结构示意图。
附图标号说明：
| 标号 | 名称 | 标号 | 名称 |
| 1 | EAPSM掩模版 | 13 | 第一光刻胶层 |
| 10 | 基材 | 14 | pattern区域 |
| 11 | 透明基板 | 20 | 第二光刻胶层 |
| 12 | 相移层 | 30 | 遮光层 |
本发明目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本实施例中的附图，对本实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，本实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
另外，本发明各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明提出一种EAPSM掩模版的制造方法。
请结合图1和图4-图8，本实施例的EAPSM掩模版的制造方法，包括以下步骤：
S100：提供基材，其中，所述基材包括自下而上层叠设置的透明基板、相移层和第一光刻胶层；
可以理解地，可以直接购置具备自下而上层叠设置的透明基板11、相移层12和第一光刻胶层13的基材10，也可以购置层叠设置的透明基板11和相移层12后，在相移层12上涂布光刻胶形成基材10；
S200：在所述第一光刻胶层上形成第一预设图案，露出所述第一预设图案下方的所述相移层；
根据用户需求设计第一预设图案，然后将第一预设图案对应处的相移层12露出，以防止刻蚀过程中刻蚀到其他部位，提高精度；
S300：沿所述第一预设图案刻蚀所述相移层，以形成多个间隔设置的pattern区域；
根据设计的第一预设图案刻蚀相移层12，形成多个凹槽，凹槽即为pattern区域14；
S400：去除所述第一光刻胶层；
去除残余的光刻胶，便于后续填充第二光刻胶层20；
S500：在所述相移层上涂覆光刻胶形成第二光刻胶层，其中，所述第二光刻胶层填满各所述pattern区域；
第二光刻胶层20填满各pattern区域14后，第二光刻胶层20各位置处顶面的高度一致；
S600：在所述第二光刻胶层上形成第二预设图案，以露出所述第二预设图案下方的所述相移层，在所述第二预设图案处沉积遮光层；
根据客户需要设计遮光层30所在位置，形成第二预设图案，将第二预设图案对应处的第二光刻胶层20腐蚀，露出其下方的相移层12，在第二预设图案处直接沉积遮光层30，无需对遮光层30进行刻蚀，提高了遮光层30成型精度。
S700：去除所述第二光刻胶层，获得所述EAPSM掩模版。
本发明先在透明基板上沉积相移层，然后在相移层上沉积第一光刻胶层，通过对第一光刻胶层的曝光和显影，使得第一预设图案下方的相移层露出，然后对第一预设图案下方的相移层刻蚀，第一预设图案是根据客户需要的图案进行设计的，刻蚀完成后形成的凹槽即为pattern区域，此时将相移层刻蚀完成，直接刻蚀相移层，不用经过遮光层，然后在相移层上制备第二光刻胶层，通过对第二光刻胶层的曝光和显影，使得第二预设图案下方的相移层露出，第二预设图案通过客户需求的遮光位置进行设计，然后在第二预设图案下方的相移层上沉积形成遮光层，获得EAPSM掩模版。
在本发明的技术方案中，通过采用仅由透明基板11、相移层12和第一光刻胶层13组成的基材10，在沿第一预设图案刻蚀相移层12时，无需刻蚀遮光层30，减少了刻蚀步骤，然后在刻蚀完相移层12后，在通过光刻工艺形成第二预设图案，并沉积形成遮光层30，无需对遮光层30进行刻蚀，直接获得EAPSM掩模版，减少了制造流程，提高了生产效率同时由于遮光层30通过直接沉积形成，不需要进行两次刻蚀，因此遮光层30的缺陷率降低，EAPSM掩模版的整体精度大幅提高。
进一步地，步骤S100包括：
S110：提供透明石英作为所述透明基板；
S120：在所述透明基板上沉积相移材料形成所述相移层；
S130：在所述相移层上涂覆光刻胶形成所述第一光刻胶层。
通常采用透明石英作为透明基板11，石英在紫外光范围内有较高的透明性，特别是在193nm的紫外光范围，这是半导体制造中常用的光刻波长，石英的透明性允许紫外光通过基板并用于光刻过程。相比之下，玻璃在这个波长范围内的透明性较差；同时石英具有较高的热稳定性，能够承受高温处理，光刻机中的石英基板需要能够承受电子束照射和其他制程中的高温操作，而玻璃的热稳定性较差。可以理解地，相移材料的选用根据实际需求和现场情况决定，不做具体限制；
具体地，所述相移材料的透过率为4％～15％，厚度为10nm～70nm。根据不同场景所需的透过率，选用的材料和厚度均不相同。在一具体地实施例中，在石英玻璃表面沉积67.6nm左右厚度的MoSi层，取代Cr。这种MoSi是部分透光的，对应193nm波长时，其光学参数是n＝2.343，k＝0.586。假设石英玻璃是完全透明的(100％的透过率)，67.6nm厚的MoSi只允许大约6％的光线透过，且透过MoSi的光发生了180°的相位移动。
在一实施例中，步骤S200包括：
S210：以所述第一预设图案为掩膜对所述第一光刻胶层进行曝光；
S220：通过显影液对所述第一光刻胶层进行显影处理，以露出所述第一预设图案下方的所述相移层。
通过曝光将所需的图案投射到第一光刻胶层13上，从而创建第一光刻胶层13中的第一预设图案，然后通过显影将曝光后的光刻胶进行化学处理，以去除未曝光或曝光不足的部分，留下所需的第一预设图案，提高第一预设图案的精度。
进一步地，步骤S300包括：
S310：通过等离子刻蚀工艺刻蚀所述第一预设图案下方的所述相移层，直至露出所述透明基板，获得多个间隔设置的所述pattern区域。等离子刻蚀能够实现非常高的精度和分辨率，提高pattern区域14的形成精度，将第一预设图案下方的相移层12全部刻蚀，直至露出透明基板11，来实现对于光路的调整。
在一实施例中，步骤S600包括：
S610：以所述第二预设图案为掩膜对所述第二光刻胶层进行曝光；
S620：通过显影液对所述第二光刻胶层进行显影处理，以露出所述第二预设图案下方的所述相移层；
S630：在所述相移层上沉积遮光材料形成所述遮光层。
通过曝光将将所需的图案投射到第二光刻胶层20上，从而创建第二光刻胶层20中的第二预设图案，然后通过显影将曝光后的光刻胶进行化学处理，以去除未曝光或曝光不足的部分，留下所需的第二预设图案，提高第二预设图案的精度，然后在第二预设图案下方的相移层12上沉积遮光材料形成遮光层30，也可以提高遮光层30的形成精度；需要注意的是，第二预设图案一定与第一预设图案位于不同位置，以使得遮光层30可以沉积在刻蚀后剩余的相移层12上方。
具体地，所述遮光材料的光学密度大于等于3。遮光材料的光学密度需要大于3，以免有光透过遮光材料，影响掩模版的图像成型质量。
优选地，所述遮光材料为铬。铬具有较高的反射率，尤其在紫外光范围内，因为遮光层30需要反射或吸收紫外光，以确保只有所需的图案被曝光到光刻胶上，而其他区域不受影响，因此铬的高反射率有助于其吸收紫外光，同时铬的制备和加工相对容易，它可以通过物理蒸发、电子束蒸发或其他工艺方法来制备成薄膜。这种易于加工性使得铬成为制备遮光层30的合适选择。
在一实施例中，步骤S400之后还包括：
S410：对各所述pattern区域进行检测，获取各所述pattern区域的残余位置和缺陷位置；
可以理解地，对相移层12进行刻蚀后，各pattern区域14内可能出现未刻蚀干净导致剩余的凸起、异物等残余物，获取残余物的残余位置，以及可能出现过度刻蚀导致的缺陷、缺口等，获取缺陷的缺陷位置；
S420：对各所述pattern区域中残余位置和缺陷位置进行修复。
将残余位置处的残余物再次清理干净，并将缺陷位置进行修补，从而获得完整整洁的pattern区域14，提高了掩模版的精度。
本发明还提供一种EAPSM掩模版，通过上述的EAPSM掩模版的制造方法制成。该EAPSM掩模版的制造方法的具体流程参照上述实施例，由于本EAPSM掩模版采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种EAPSM掩模版的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基材，其中，所述基材包括自下而上层叠设置的透明基板、相移层和第一光刻胶层；
在所述第一光刻胶层上形成第一预设图案，露出所述第一预设图案下方的所述相移层；
沿所述第一预设图案刻蚀所述相移层，以形成多个间隔设置的pattern区域；
去除所述第一光刻胶层；
在所述相移层上涂覆光刻胶形成第二光刻胶层，其中，所述第二光刻胶层填满各所述pattern区域；
在所述第二光刻胶层上形成第二预设图案，以露出所述第二预设图案下方的所述相移层，在所述第二预设图案处沉积遮光层；
去除所述第二光刻胶层，获得所述EAPSM掩模版。
2.如权利要求1所述的EAPSM掩模版的制造方法，其特征在于，所述提供基材的步骤包括：
提供透明石英作为所述透明基板；
在所述透明基板上沉积相移材料形成所述相移层；
在所述相移层上涂覆光刻胶形成所述第一光刻胶层。
3.如权利要求2所述的EAPSM掩模版的制造方法，其特征在于，所述相移材料的透过率为4％～15％，厚度为10nm～70nm。
4.如权利要求1所述的EAPSM掩模版的制造方法，其特征在于，所述在所述第一光刻胶层上形成第一预设图案，露出所述第一预设图案下方的所述相移层的步骤包括：
以所述第一预设图案为掩膜对所述第一光刻胶层进行曝光；
通过显影液对所述第一光刻胶层进行显影处理，以露出所述第一预设图案下方的所述相移层。
5.如权利要求1所述的EAPSM掩模版的制造方法，其特征在于，所述沿所述第一预设图案刻蚀所述相移层，以形成多个间隔设置的pattern区域的步骤包括：
通过等离子刻蚀工艺刻蚀所述第一预设图案下方的所述相移层，直至露出所述透明基板，获得多个间隔设置的所述pattern区域。
6.如权利要求1至5中任一项所述的EAPSM掩模版的制造方法，其特征在于，所述在所述第二光刻胶层上形成第二预设图案，以露出所述第二预设图案下方的所述相移层，在所述第二预设图案处沉积遮光层的步骤包括：
以所述第二预设图案为掩膜对所述第二光刻胶层进行曝光；
通过显影液对所述第二光刻胶层进行显影处理，以露出所述第二预设图案下方的所述相移层；
在所述相移层上沉积遮光材料形成所述遮光层。
7.如权利要求5所述的EAPSM掩模版的制造方法，其特征在于，所述遮光材料的光学密度大于等于3。
8.如权利要求5所述的EAPSM掩模版的制造方法，其特征在于，所述遮光材料为铬。
9.如权利要求1-5中任一项所述的EAPSM掩模版的制造方法，其特征在于，所述去除所述第一光刻胶层的步骤之后还包括：
对各所述pattern区域进行检测，获取各所述pattern区域的残余位置和缺陷位置；
对各所述pattern区域中残余位置和缺陷位置进行修复。
10.一种EAPSM掩模版，其特征在于，通过如权利要求1-9中任一项所述的EAPSM掩模版的制造方法制成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311398106.7A CN117311079A (zh) | 2023-10-26 | 2023-10-26 | Eapsm掩模版及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311398106.7A CN117311079A (zh) | 2023-10-26 | 2023-10-26 | Eapsm掩模版及其制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117311079A true CN117311079A (zh) | 2023-12-29 |
Family
ID=89288319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311398106.7A Pending CN117311079A (zh) | 2023-10-26 | 2023-10-26 | Eapsm掩模版及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117311079A (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101046626A (zh) * | 2006-03-30 | 2007-10-03 | 应用材料股份有限公司 | 一种在制造光掩模时蚀刻钼层的方法 |
| KR20110017112A (ko) * | 2009-08-13 | 2011-02-21 | 주식회사 동부하이텍 | 멀티 레이어 마스크 및 그 제조 방법 |
| CN102486604A (zh) * | 2010-12-03 | 2012-06-06 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 相位移掩模版及其制造方法、雾状缺陷检测方法 |
| CN108345171A (zh) * | 2018-02-11 | 2018-07-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种相移掩膜板的制作方法及相移掩膜板 |
| CN112882351A (zh) * | 2021-01-20 | 2021-06-01 | 桂林理工大学 | 用于电子束投影光刻系统的图案化发射器及其制造方法 |
| CN115895518A (zh) * | 2022-11-21 | 2023-04-04 | 苏州赛伍应用技术股份有限公司 | 一种电池片载体膜及其制备方法与应用 |
| CN116092951A (zh) * | 2022-11-08 | 2023-05-09 | 通富微电子股份有限公司 | 芯片封装方法 |
-
2023
- 2023-10-26 CN CN202311398106.7A patent/CN117311079A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101046626A (zh) * | 2006-03-30 | 2007-10-03 | 应用材料股份有限公司 | 一种在制造光掩模时蚀刻钼层的方法 |
| KR20110017112A (ko) * | 2009-08-13 | 2011-02-21 | 주식회사 동부하이텍 | 멀티 레이어 마스크 및 그 제조 방법 |
| CN102486604A (zh) * | 2010-12-03 | 2012-06-06 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 相位移掩模版及其制造方法、雾状缺陷检测方法 |
| CN108345171A (zh) * | 2018-02-11 | 2018-07-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种相移掩膜板的制作方法及相移掩膜板 |
| CN112882351A (zh) * | 2021-01-20 | 2021-06-01 | 桂林理工大学 | 用于电子束投影光刻系统的图案化发射器及其制造方法 |
| CN116092951A (zh) * | 2022-11-08 | 2023-05-09 | 通富微电子股份有限公司 | 芯片封装方法 |
| CN115895518A (zh) * | 2022-11-21 | 2023-04-04 | 苏州赛伍应用技术股份有限公司 | 一种电池片载体膜及其制备方法与应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5723236A (en) | Photomasks and a manufacturing method thereof | |
| JP4936515B2 (ja) | フォトマスクの製造方法、およびハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 | |
| US7305651B2 (en) | Mask CD correction based on global pattern density | |
| US7713664B2 (en) | Method for fabricating an attenuated phase shift photomask by separate patterning of negative and positive resist layers with corresponding etching steps for underlying light-shielding and phase shift layers on a transparent substrate | |
| US6617265B2 (en) | Photomask and method for manufacturing the same | |
| JPWO2009136564A1 (ja) | 反射型マスク、反射型マスクブランク及びその製造方法 | |
| CN111948901B (zh) | 掩膜版及其制备方法 | |
| US8563227B2 (en) | Method and system for exposure of a phase shift mask | |
| JP2002107911A (ja) | 露光用マスクの製造方法 | |
| JP3209257B2 (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| US5945237A (en) | Halftone phase-shift mask and halftone phase-shift mask defect correction method | |
| US6194103B1 (en) | E-beam double exposure method for manufacturing ASPM mask with chrome border | |
| US20070009816A1 (en) | Method and system for photolithography | |
| JP4178291B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び製造用レチクルセット | |
| JP2002072442A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法、レジストパターンの形成方法および半導体装置の製造方法 | |
| KR20010062666A (ko) | 포토마스크 및 그 제조방법 | |
| WO2005010942A2 (en) | Method and apparatus for calibrating a metrology tool | |
| JP2006251611A (ja) | 自己整合型位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| CN117311079A (zh) | Eapsm掩模版及其制造方法 | |
| JP3416554B2 (ja) | マスク構造体の製造方法 | |
| JP4753248B2 (ja) | マスクブランクス、マスクブランクスの製造方法、転写マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
| US6830853B1 (en) | Chrome mask dry etching process to reduce loading effect and defects | |
| JP3110801B2 (ja) | フォトマスクの製造方法及びフォトマスク | |
| KR20110004075A (ko) | 하드마스크용 원판 및 이를 이용한 하드마스크 제조방법 | |
| JP3095063B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |