JPH07146546A - フォトマスクとその製作方法 - Google Patents
フォトマスクとその製作方法Info
- Publication number
- JPH07146546A JPH07146546A JP29514893A JP29514893A JPH07146546A JP H07146546 A JPH07146546 A JP H07146546A JP 29514893 A JP29514893 A JP 29514893A JP 29514893 A JP29514893 A JP 29514893A JP H07146546 A JPH07146546 A JP H07146546A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- film
- shielding film
- substrate
- photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フォトリソグラフィに使用するフォトマスク
の乾板たわみ、遮光膜、レジストの膜応力によるフラッ
トネスの影響を受けないフォトマスク基板とその製作方
法を提供し、乾板の高フラットネス化、検査、ペリクル
工程の技術確立、更に、これらによる欠陥防止による歩
留り向上を図る。 【構成】 フォトマスクのガラス基板１１の下面に透明
膜１４を塗布形成した。この構成により、乾板のフラッ
トネスの影響を受けることなく、高精度なマスクの製作
と検査、ペリクル装着技術の確立が可能となった。
の乾板たわみ、遮光膜、レジストの膜応力によるフラッ
トネスの影響を受けないフォトマスク基板とその製作方
法を提供し、乾板の高フラットネス化、検査、ペリクル
工程の技術確立、更に、これらによる欠陥防止による歩
留り向上を図る。 【構成】 フォトマスクのガラス基板１１の下面に透明
膜１４を塗布形成した。この構成により、乾板のフラッ
トネスの影響を受けることなく、高精度なマスクの製作
と検査、ペリクル装着技術の確立が可能となった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造リソグラフィ
に使用されるフォトマスクとその製作方法に関するもの
である。
に使用されるフォトマスクとその製作方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、フォトリソグラフィでは、ガラス
基板上に遮光膜を形成し、その上にレジスト膜を塗布し
て露光、現像、エッチング、レジスト除去、洗浄、検
査、ペリクル装着工程を経て完成したフォトマスクが広
く用いられている。
基板上に遮光膜を形成し、その上にレジスト膜を塗布し
て露光、現像、エッチング、レジスト除去、洗浄、検
査、ペリクル装着工程を経て完成したフォトマスクが広
く用いられている。
【０００３】以下図面を参照しながら、上述した従来の
マスクの一例について説明する。図５はフォトマスク基
板の理想状態での断面構成図である。図６はフォトマス
ク基板がゆがんだところを説明する断面構成図である。
図７は図６の遮光膜とレジスト膜とを取り除いたガラス
基板を示す。
マスクの一例について説明する。図５はフォトマスク基
板の理想状態での断面構成図である。図６はフォトマス
ク基板がゆがんだところを説明する断面構成図である。
図７は図６の遮光膜とレジスト膜とを取り除いたガラス
基板を示す。
【０００４】図５において、１はフォトリソグラフィで
用いるフォトマスクの基本となる理想のガラス基板、２
はガラス基板１上に形成した遮光膜、３は遮光膜２上に
塗布したレジスト膜である。
用いるフォトマスクの基本となる理想のガラス基板、２
はガラス基板１上に形成した遮光膜、３は遮光膜２上に
塗布したレジスト膜である。
【０００５】図６において、４はフォトリソグラフィで
用いるフォトマスクの基本となるガラス基板、５はガラ
ス基板４上に形成した遮光膜、６は遮光膜５上に塗布し
たレジスト膜である。
用いるフォトマスクの基本となるガラス基板、５はガラ
ス基板４上に形成した遮光膜、６は遮光膜５上に塗布し
たレジスト膜である。
【０００６】図７において、７はガラス基板４上に形成
した遮光膜５と、遮光膜５上に塗布したレジスト膜６を
取り除いたガラス基板である。
した遮光膜５と、遮光膜５上に塗布したレジスト膜６を
取り除いたガラス基板である。
【０００７】このフォトマスク基板について説明する。
まず、ガラス基板４上に遮光膜５を形成させる。次に遮
光膜５上にレジスト膜を塗布し、露光、現像、エッチン
グ、レジスト除去工程、洗浄、検査、ペリクル装着工程
を経て完成したフォトマスク基板が用いられている。
まず、ガラス基板４上に遮光膜５を形成させる。次に遮
光膜５上にレジスト膜を塗布し、露光、現像、エッチン
グ、レジスト除去工程、洗浄、検査、ペリクル装着工程
を経て完成したフォトマスク基板が用いられている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような構成では、フォトマスクを作製する際に、ガラス
基板１のたわみ、遮光膜２の応力、さらに、これらの影
響を受けて生じると考えられるレジスト膜３の密着不良
等がガラス基板１に生じるこのため、乾板フラットネス
が悪化し、露光時のパターンニングにおいて、寸法精
度、重ね合わせ精度を得ることができなくなる。この結
果、歩留り低下が起こる。また、上述の悪影響を受け
て、検査装置の精度以外に基板自体の精度が悪いと、高
精度マスク化実現が不可能という問題点を有していた。
ような構成では、フォトマスクを作製する際に、ガラス
基板１のたわみ、遮光膜２の応力、さらに、これらの影
響を受けて生じると考えられるレジスト膜３の密着不良
等がガラス基板１に生じるこのため、乾板フラットネス
が悪化し、露光時のパターンニングにおいて、寸法精
度、重ね合わせ精度を得ることができなくなる。この結
果、歩留り低下が起こる。また、上述の悪影響を受け
て、検査装置の精度以外に基板自体の精度が悪いと、高
精度マスク化実現が不可能という問題点を有していた。
【０００９】本発明は上述の問題点に鑑み、高精度マス
クの製作ができるフォトマスク基板とその製作方法を提
供するものである。
クの製作ができるフォトマスク基板とその製作方法を提
供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のフォトマスク
は、ガラス基板と、前記ガラス基板の主面上に形成した
遮光膜と、前記遮光膜上に塗布したレジスト膜と、前記
ガラス基板の裏面に乾板のたわみを防ぐための透明膜と
を備えている。
は、ガラス基板と、前記ガラス基板の主面上に形成した
遮光膜と、前記遮光膜上に塗布したレジスト膜と、前記
ガラス基板の裏面に乾板のたわみを防ぐための透明膜と
を備えている。
【００１１】本発明のフォトマスクの製造方法は、ガラ
ス基板の主面上に遮光膜およびレジスト膜を形成する工
程と、前記ガラス基板の裏面に第１の透明膜を形成する
工程と、前記レジスト膜を露光、現像した後、前記レジ
スト膜をマスクに前記遮光膜をエッチングする工程と、
前記第１の透明膜をエッチングあるいは第２の透明膜を
形成する工程とを備えている。
ス基板の主面上に遮光膜およびレジスト膜を形成する工
程と、前記ガラス基板の裏面に第１の透明膜を形成する
工程と、前記レジスト膜を露光、現像した後、前記レジ
スト膜をマスクに前記遮光膜をエッチングする工程と、
前記第１の透明膜をエッチングあるいは第２の透明膜を
形成する工程とを備えている。
【００１２】
【作用】本発明は上述した構成によって、乾板フラット
ネスと基板上に形成する遮光膜の応力を防ぎ、露光面を
高フラットネス化したことによって、高精度マスク製作
ができる。
ネスと基板上に形成する遮光膜の応力を防ぎ、露光面を
高フラットネス化したことによって、高精度マスク製作
ができる。
【００１３】また、エッチング後にも透明な膜を塗布す
ることで、エッチング後のフラットネス変化にも対応で
き、高精度マスク製作ができる。
ることで、エッチング後のフラットネス変化にも対応で
き、高精度マスク製作ができる。
【００１４】さらに、これらのことによって、エッチン
グ工程以降で影響していたフラットネスの要因を省くこ
とで、検査精度（寸法精度、重ね合わせ精度、欠陥検査
精度）の向上とペリクル装着精度の確立ができる。
グ工程以降で影響していたフラットネスの要因を省くこ
とで、検査精度（寸法精度、重ね合わせ精度、欠陥検査
精度）の向上とペリクル装着精度の確立ができる。
【００１５】
【実施例】以下本発明の第一の実施例のフォトマスク基
板について、図面を参照しながら説明する。図１は本実
施例のフォトマスク基板である。図２は図１を用いて製
作するフォトマスク製作工程である。
板について、図面を参照しながら説明する。図１は本実
施例のフォトマスク基板である。図２は図１を用いて製
作するフォトマスク製作工程である。
【００１６】図１において、１１はマスク基板であるガ
ラス基板、１２はガラス基板１１上に形成した遮光膜、
１３はガラス基板１１上に形成した遮光膜１２上に塗布
したレジスト膜である。１４はガラス基板１１のたわ
み、ガラス基板１１上に形成した遮光膜１２の応力、前
記たわみと応力によるレジスト膜１３の密着不良を防ぐ
ために、ガラス基板１１の下面に塗布した透明膜であ
る。
ラス基板、１２はガラス基板１１上に形成した遮光膜、
１３はガラス基板１１上に形成した遮光膜１２上に塗布
したレジスト膜である。１４はガラス基板１１のたわ
み、ガラス基板１１上に形成した遮光膜１２の応力、前
記たわみと応力によるレジスト膜１３の密着不良を防ぐ
ために、ガラス基板１１の下面に塗布した透明膜であ
る。
【００１７】このフォトマスク基板の製造方法について
説明する。まず、ガラス基板１１上に遮光膜１２を形成
する。その次に遮光膜１２上にレジスト膜１３を塗布し
たフォトマスク基板がある。そのフォトマスク基板の下
面部分に乾板フラットネスを防ぐ透明膜１４を塗布す
る。こうして製作したフォトマスク基板を用いて、露光
する。
説明する。まず、ガラス基板１１上に遮光膜１２を形成
する。その次に遮光膜１２上にレジスト膜１３を塗布し
たフォトマスク基板がある。そのフォトマスク基板の下
面部分に乾板フラットネスを防ぐ透明膜１４を塗布す
る。こうして製作したフォトマスク基板を用いて、露光
する。
【００１８】次に、図２に示すように、エッチング、レ
ジスト除去を行う。レジスト膜を除去した後、このフォ
トマスク基板を、洗浄工程、検査工程、ペリクル装着工
程を経てフォトマスク基板が完成する。
ジスト除去を行う。レジスト膜を除去した後、このフォ
トマスク基板を、洗浄工程、検査工程、ペリクル装着工
程を経てフォトマスク基板が完成する。
【００１９】上述の本実施例によれば、フォトマスク基
板は、拡散プロセスのフォトリソグラフィで使用するガ
ラス基板と、そのガラス基板上に遮光膜を形成させ、こ
の上にレジストを塗布したことによって発生する乾板の
フラットネスを防ぐための、透明膜を備えたことによ
り、従来のフォトマスクとその製作方法ではフラットネ
スの影響を受けて不可能とされていた、高精度マスクの
製作ができる。
板は、拡散プロセスのフォトリソグラフィで使用するガ
ラス基板と、そのガラス基板上に遮光膜を形成させ、こ
の上にレジストを塗布したことによって発生する乾板の
フラットネスを防ぐための、透明膜を備えたことによ
り、従来のフォトマスクとその製作方法ではフラットネ
スの影響を受けて不可能とされていた、高精度マスクの
製作ができる。
【００２０】以下、本発明の第２の実施例について、図
面を参照しながら説明する。図３は本実施例のフォトマ
スク基板である。図４は図３のフォトマスク基板の製作
方法である。
面を参照しながら説明する。図３は本実施例のフォトマ
スク基板である。図４は図３のフォトマスク基板の製作
方法である。
【００２１】図３において、１１はマスク基板であるガ
ラス基板、１２はガラス基板１１上に形成した遮光膜、
１３はガラス基板１１上に形成した遮光膜１２上に塗布
したレジスト膜である。１４はガラス基板１１のたわ
み、ガラス基板１１上に形成した遮光膜１２の応力、前
記たわみと応力によるレジスト膜１３の密着不良を防ぐ
ために、ガラス基板１１の下面に塗布した透明膜であ
る。１６は図１で作製したフォトマスク基板をエッチン
グし、レジストを除去したことで、新たに生じた乾板フ
ラットネスを防ぐための透明膜である。
ラス基板、１２はガラス基板１１上に形成した遮光膜、
１３はガラス基板１１上に形成した遮光膜１２上に塗布
したレジスト膜である。１４はガラス基板１１のたわ
み、ガラス基板１１上に形成した遮光膜１２の応力、前
記たわみと応力によるレジスト膜１３の密着不良を防ぐ
ために、ガラス基板１１の下面に塗布した透明膜であ
る。１６は図１で作製したフォトマスク基板をエッチン
グし、レジストを除去したことで、新たに生じた乾板フ
ラットネスを防ぐための透明膜である。
【００２２】このフォトマスク基板の製造方法について
説明する。まず、ガラス基板１１上に遮光膜１２を形成
する。次に遮光膜１２上にレジスト膜１３を塗布したフ
ォトマスク基板がある。そのフォトマスク基板の下面部
分に乾板フラットネスを防ぐような、透明膜１４を塗布
する。こうして製作したフォトマスク基板を用いて、露
光する。
説明する。まず、ガラス基板１１上に遮光膜１２を形成
する。次に遮光膜１２上にレジスト膜１３を塗布したフ
ォトマスク基板がある。そのフォトマスク基板の下面部
分に乾板フラットネスを防ぐような、透明膜１４を塗布
する。こうして製作したフォトマスク基板を用いて、露
光する。
【００２３】次に、図４に示すように、その後エッチン
グ、レジスト除去を行う。ここで、新たに乾板のフラッ
トネスが変化するため、このフラットネスを防ぐため
に、透明膜１４の下面にレジスト除去後のフラットネス
による影響を防ぐための透明膜１６を塗布する。このよ
うな図４のフォトマスク基板製作方法により、透明膜１
６を塗布後は、洗浄工程、検査工程、ペリクル装着工程
を経て、フォトマスク基板が完成する。
グ、レジスト除去を行う。ここで、新たに乾板のフラッ
トネスが変化するため、このフラットネスを防ぐため
に、透明膜１４の下面にレジスト除去後のフラットネス
による影響を防ぐための透明膜１６を塗布する。このよ
うな図４のフォトマスク基板製作方法により、透明膜１
６を塗布後は、洗浄工程、検査工程、ペリクル装着工程
を経て、フォトマスク基板が完成する。
【００２４】以上のような本実施例によれば、フォトマ
スク基板とフォトマスク製作方法は、拡散プロセスのフ
ォトリソグラフィで使用するガラス基板とそのガラス基
板上に形成させた遮光膜と、前記遮光膜上に塗布するレ
ジストと、これらによって発生する乾板のフラットネス
を防ぐための、透明膜を備えたこと、さらに、エッチン
グ後に変化した乾板のフラットネスに対応する透明膜を
備えたことにより、従来のフォトマスク基板とフォトマ
スク基板の製作方法ではフラットネスの影響を受けて不
可能とされていた、高精度マスクの製作を露光時と完成
直前にも再調整する２段階方式により、高精度フォトマ
スクの製作ができる。
スク基板とフォトマスク製作方法は、拡散プロセスのフ
ォトリソグラフィで使用するガラス基板とそのガラス基
板上に形成させた遮光膜と、前記遮光膜上に塗布するレ
ジストと、これらによって発生する乾板のフラットネス
を防ぐための、透明膜を備えたこと、さらに、エッチン
グ後に変化した乾板のフラットネスに対応する透明膜を
備えたことにより、従来のフォトマスク基板とフォトマ
スク基板の製作方法ではフラットネスの影響を受けて不
可能とされていた、高精度マスクの製作を露光時と完成
直前にも再調整する２段階方式により、高精度フォトマ
スクの製作ができる。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、乾板フラットネスを防
ぐ透明膜を備えることにより、乾板フラットネスと遮光
膜の膜応力を防ぎ、露光面を高フラットネス化したこと
によって、高精度なパターンニングができる。また、エ
ッチング後にも透明な膜を塗布することで、エッチング
後のフラットネス変化にも対応でき、高精度マスク製作
ができるために、欠陥対策が可能となり、歩留り向上が
できる。
ぐ透明膜を備えることにより、乾板フラットネスと遮光
膜の膜応力を防ぎ、露光面を高フラットネス化したこと
によって、高精度なパターンニングができる。また、エ
ッチング後にも透明な膜を塗布することで、エッチング
後のフラットネス変化にも対応でき、高精度マスク製作
ができるために、欠陥対策が可能となり、歩留り向上が
できる。
【００２６】さらに、これらのことによって、エッチン
グ工程以降で影響していたフラットネスによる要因を省
くことができるために、その後の工程である、検査技
術、ペリクル装着技術の確立が可能である。
グ工程以降で影響していたフラットネスによる要因を省
くことができるために、その後の工程である、検査技
術、ペリクル装着技術の確立が可能である。
【図１】本発明の第１の実施例におけるフォトマスク基
板の断面図
板の断面図
【図２】本発明の第１の実施例の製造方法を説明するた
めのフロー図
めのフロー図
【図３】本発明の第２の実施例におけるフォトマスク基
板の断面図
板の断面図
【図４】本発明の第２の実施例の製造方法を説明するた
めのフロー図
めのフロー図
【図５】従来の理想状態でのフォトマスク基板の断面図
【図６】従来のフォトマスク基板の断面図
【図７】従来のガラス基板の断面図
１１ ガラス基板 １２ 遮光膜 １３ レジスト膜 １４ 透明膜 １６ 透明膜
Claims (2)
- 【請求項１】 ガラス基板と、前記ガラス基板の主面上
に形成した遮光膜と、前記遮光膜上に塗布したレジスト
膜と、前記ガラス基板の裏面に乾板のたわみを防ぐため
の透明膜を備えたことを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項２】 ガラス基板の主面上に遮光膜およびレジ
スト膜を形成する工程と、前記ガラス基板の裏面に第１
の透明膜を形成する工程と、前記レジスト膜を露光、現
像した後、前記レジスト膜をマスクに前記遮光膜をエッ
チングする工程と、前記第１の透明膜をエッチングしあ
るいは第２の透明膜を形成する工程とを備えたことを特
徴とするフォトマスクの製作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29514893A JPH07146546A (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | フォトマスクとその製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29514893A JPH07146546A (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | フォトマスクとその製作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07146546A true JPH07146546A (ja) | 1995-06-06 |
Family
ID=17816893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29514893A Pending JPH07146546A (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | フォトマスクとその製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07146546A (ja) |
-
1993
- 1993-11-25 JP JP29514893A patent/JPH07146546A/ja active Pending
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