JP2016151642A - ペリクル膜の製造方法、ペリクルの製造方法、およびフォトマスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の一実施形態に係るペリクル膜の製造方法は、基板上に、窒素含有シリコン層および主層を含み、EUV光を透過する積層膜を形成することを含み、窒素含有シリコン層を形成することは、当該窒素含有シリコン層より厚い膜を形成した後に、二フッ化キセノンガスを用いて、窒素含有シリコン層を膜厚が5nm以下になるように薄膜化することを含む。
【選択図】図3
Description
図1は、本発明の一実施形態におけるペリクル付フォトマスク1の外観を示す概略図である。図2は、本発明の一実施形態におけるペリクル付フォトマスク1の断面構造を示す概略図である。この断面構造は、断面線A−A’における断面に対応する。なお、図2においては、端面図として表している。
ペリクル膜100は、上述したように、主層および保護層の積層膜である。この例は、主層はポリシリコン(p−Si)膜であり、保護層は窒化シリコン(Si3N4)膜である。ここで、保護層の役割について説明する。なお、後述する図3(f)において、ペリクル膜100を構成する積層膜は、主層130、保護層110、150として表されている。
図3は、本発明の一実施形態におけるペリクル膜の製造方法を説明する図である。まず、最終的に支持部200となる支持基板250を準備する(図3(a))。支持基板250は、この例ではシリコン基板である。なお、支持基板250は、シリコン基板ではなくてもよいが、図4(b)で説明するように、支持基板250をエッチングするときに、ペリクル膜100(特に、保護層110)との選択比が十分確保(保護層110が残存する程度)できるエッチング方法を取り得ることが必要である。
(1)チャンバ内を真空(0.3Torr(40Pa))にした後、二フッ化キセノンの結晶を昇華させ、ガス化した二フッ化キセノンをエッチングチャンバに導入する。
(2)チャンバ温度を40℃に保持し、チャンバガス圧を3.8〜4.0Torr(507〜533Pa)に保持する。その後、60秒間保持する。この間に、窒化シリコン膜115は二フッ化キセノンに曝されてエッチングされる。
(3)チャンバ内を0.03Torr(4Pa)まで排気する。
窒化シリコン膜115の膜厚が目標値になるまで、(1)〜(3)のサイクルを繰り返す。(2)におけるエッチング量は1サイクル当たり0.3nmである。この例では、8nmから2nmに薄膜化するため、20サイクル行う。なお、(2)の時間を長くして、サイクル数を減らしてもよい。これとは逆に(2)の時間を短くして、サイクル数を増やしてもよい。このような処理によって、窒化シリコン膜115が薄膜化されて保護層110が形成される。
(1)バッファードフッ酸(BHF)によるウエットエッチング
窒化シリコン膜に対するエッチングレートが33.0nm/min程度である。そのため、数nmをエッチングするにはエッチングレートが早すぎる。
(2)CF4+O2によるRIEプラズマエッチング
窒化シリコン膜に対するエッチングレートが250.0nm/min程度である。そのため、数nmをエッチングするにはエッチングレートが早すぎる。また、プラズマによる膜に対するダメージが大きい。
(3)アルカリ(KOHまたはTMAH(Tetramethylammonium hydroxide))によるウエットエッチング
窒化シリコン膜に対するエッチングレートが0.01nm/min以下である。そのため、数nmをエッチングするにはエッチングレートが遅すぎる。
(4)フッ酸の蒸気エッチング
エッチピットが発生する。
図4は、本発明の一実施形態におけるペリクルおよびペリクル付フォトマスクの製造方法を説明する図である。図4(a)に示す領域Aは、図3(f)に対応している。ペリクル膜100は図4においては単層膜のように記載されているが、上述のとおり、積層膜である。
上述した主層130は、ポリシリコン膜であったが、EUV光に対して透過性が高い膜であれば、他の膜であってもよい。例えば、主層130は、グラフェン膜であってもよいし、PI(ポリイミド)膜等の樹脂膜であってもよい。グラフェン膜である場合には、熱CVDで所定の基板に膜を例えば8nm以上15nm以下の膜厚に形成し、その基板をエッチングして保護層110上に転写することによって、主層130が得られる。PI膜である場合には、スピンコートを用いて8nm以上15nm以下の膜厚に形成されることが望ましい。
(1)主層130が膜厚45nmのポリシリコン膜である場合には、保護層110、150の膜厚は、それぞれ1.5nmである。
(2)主層130が膜厚35nmのポリシリコン膜である場合には、保護層110、150の膜厚は、それぞれ2.5nmである。
(3)主層130が膜厚10nmのPI膜である場合には、保護層110、150の膜厚は、それぞれ1.5nmである。
(4)主層130が膜厚13nmのPI膜である場合には、保護層110、150の膜厚は、それぞれ2.5nmである。
(5)主層130が膜厚12nmのグラフェン膜である場合には、保護層110、150の膜厚は、それぞれ1.5nmである。
(6)主層130が膜厚9nmのグラフェン膜である場合には、保護層110、150の膜厚は、それぞれ2.5nmである。
上記のような膜種および膜厚の組み合わせであれば、EUV光に対して90%以上の透過率が得られる。
上述した保護層110、150は、窒化シリコン膜によって形成されていたが、さらに酸素が含まれていてもよい。すなわち、保護層110、150は窒素含有シリコン膜であればよく、組成をSixNyOzで表した場合には、シリコンに対する窒素の組成比y/xが1以上1.5以下であり、シリコンに対する酸素の組成比z/xが0以上2以下であることが望ましい。
上述したように、主層130の両面に窒化シリコン膜(保護層110、150)が形成されていたが、片面のみに窒化シリコン膜が形成されていてもよい。例えば、フォトマスク50とペリクル膜100との空間が外部空間と分離されている場合等、耐還元性を有する必要がある面が外側の面のみの場合、その面にのみ窒化シリコン膜が形成されていてもよい。
上述した実施形態では、窒化シリコン膜115、155は、図3(c)(f)の工程で薄膜化する。一方、窒化シリコン膜115、155を薄膜化せずに工程を進め、図4(b)で示したように開口部OPが形成された後に薄膜化されてもよい。
Claims (8)
- 基板上に、窒素含有シリコン層および主層を含み、EUV光を透過する積層膜を形成することを含み、
前記窒素含有シリコン層を形成することは、当該窒素含有シリコン層より厚い膜を形成した後に、二フッ化キセノンガスを用いて、前記窒素含有シリコン層を膜厚が5nm以下になるように薄膜化することを含むペリクル膜の製造方法。 - 前記窒素含有シリコン層は、前記主層の両面に形成されている請求項1に記載のペリクル膜の製造方法。
- 前記窒素含有シリコン層は、シリコンに対する窒素の組成比が1以上1.5以下である請求項1に記載のペリクル膜の製造方法。
- 前記窒素含有シリコン層は、さらに酸素を含有し、シリコンに対する酸素の組成比が0より大きく2以下である請求項3に記載のペリクル膜の製造方法。
- 前記窒素含有シリコン層は、4nm以上15nm以下で形成された後、3nm以下に薄膜化される請求項1に記載のペリクル膜の製造方法。
- 支持基板上に、請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のペリクル膜の製造方法によってペリクル膜を形成し、
前記支持基板をエッチングして、前記ペリクル膜の一部を露出させて、当該ペリクル膜の周囲を支持する支持部を形成し、
前記支持部に枠体を取り付けることを含むペリクルの製造方法。 - 基板上に、窒素含有シリコン層および主層を含む積層膜を形成し、
前記支持基板をエッチングして、前記積層膜の一部を露出させて、当該積層膜の周囲を支持する支持部を形成し、
前記支持部に枠体を取り付けることを含み、
前記支持部を形成した後、または前記支持部に前記枠体を取り付けた後において、前記露出された前記積層膜の前記窒素含有シリコン層を、二フッ化キセノンガスを用いて膜厚が5nm以下になるように薄膜化して、当該積層膜にEUV光の透過性を付与することを含むペリクルの製造方法。 - 請求項6または請求項7に記載のペリクルの製造方法によって製造されたペリクルを、前記枠体を介して、パターンが形成された基板に接合することを含むフォトマスクの製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018043347A1 (ja) * | 2016-08-29 | 2018-03-08 | エア・ウォーター株式会社 | ペリクルの製造方法 |
JP2018146668A (ja) * | 2017-03-02 | 2018-09-20 | 旭化成株式会社 | ペリクル膜、及びペリクル膜の製造方法 |
CN108663898A (zh) * | 2017-03-28 | 2018-10-16 | 三星电子株式会社 | 用于暴露到极紫外光的护膜以及光刻系统 |
JP2018531426A (ja) * | 2015-10-22 | 2018-10-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置用のペリクルを製造する方法、リソグラフィ装置用のペリクル、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、ペリクルを処理するための装置、及びペリクルを処理する方法 |
WO2023013660A1 (ja) * | 2021-06-15 | 2023-02-09 | 信越化学工業株式会社 | 気圧調整が容易な露光用ペリクル |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007150305A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-14 | Air Products & Chemicals Inc | 二フッ化キセノンを用いた窒化チタンの選択的エッチング |
JP2009271262A (ja) * | 2008-05-02 | 2009-11-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
JP2010177666A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Air Products & Chemicals Inc | 選択的エッチングおよび二フッ化キセノンの形成 |
WO2013174656A2 (en) * | 2012-05-21 | 2013-11-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007150305A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-14 | Air Products & Chemicals Inc | 二フッ化キセノンを用いた窒化チタンの選択的エッチング |
JP2009271262A (ja) * | 2008-05-02 | 2009-11-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
JP2010177666A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Air Products & Chemicals Inc | 選択的エッチングおよび二フッ化キセノンの形成 |
WO2013174656A2 (en) * | 2012-05-21 | 2013-11-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018531426A (ja) * | 2015-10-22 | 2018-10-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置用のペリクルを製造する方法、リソグラフィ装置用のペリクル、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、ペリクルを処理するための装置、及びペリクルを処理する方法 |
WO2018043347A1 (ja) * | 2016-08-29 | 2018-03-08 | エア・ウォーター株式会社 | ペリクルの製造方法 |
US11119402B2 (en) | 2016-08-29 | 2021-09-14 | Air Water Inc. | Method for manufacturing of pellicle |
JP2018146668A (ja) * | 2017-03-02 | 2018-09-20 | 旭化成株式会社 | ペリクル膜、及びペリクル膜の製造方法 |
CN108663898A (zh) * | 2017-03-28 | 2018-10-16 | 三星电子株式会社 | 用于暴露到极紫外光的护膜以及光刻系统 |
WO2023013660A1 (ja) * | 2021-06-15 | 2023-02-09 | 信越化学工業株式会社 | 気圧調整が容易な露光用ペリクル |
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