JPH1120034A - 光学部材の製造方法、光学部材及びその光学部材を用いた投影露光装置 - Google Patents
光学部材の製造方法、光学部材及びその光学部材を用いた投影露光装置Info
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- JPH1120034A JPH1120034A JP9173453A JP17345397A JPH1120034A JP H1120034 A JPH1120034 A JP H1120034A JP 9173453 A JP9173453 A JP 9173453A JP 17345397 A JP17345397 A JP 17345397A JP H1120034 A JPH1120034 A JP H1120034A
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学特性に影響を及ぼさず、極薄で低損失、
かつ、均一な汚染防止膜が形成された光学部材、光学部
材の製造方法、及びその光学部材を適用した投影露光装
置を提供する。 【解決手段】 基板上に、２４０ｎｍ〜５００ｎｍの波
長領域用の光学薄膜を形成して光学部材を作製する工程
と、前記光学部材を光洗浄する工程と、前記光洗浄を行
った光学部材上に、気相処理により、一端にアルコキシ
シリル基又はハロゲン化シリル基を有し、他端にフッ化
炭素基を有するシラン系化合物の単分子膜を均一に形成
する工程と、を具備する２４０ｎｍ〜５００ｎｍの波長
領域の高出力レーザ又は高出力ランプ用光学部材の製造
方法。
かつ、均一な汚染防止膜が形成された光学部材、光学部
材の製造方法、及びその光学部材を適用した投影露光装
置を提供する。 【解決手段】 基板上に、２４０ｎｍ〜５００ｎｍの波
長領域用の光学薄膜を形成して光学部材を作製する工程
と、前記光学部材を光洗浄する工程と、前記光洗浄を行
った光学部材上に、気相処理により、一端にアルコキシ
シリル基又はハロゲン化シリル基を有し、他端にフッ化
炭素基を有するシラン系化合物の単分子膜を均一に形成
する工程と、を具備する２４０ｎｍ〜５００ｎｍの波長
領域の高出力レーザ又は高出力ランプ用光学部材の製造
方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、縮小投影露光装置
やウエハ、レチクル用の欠陥検査装置等の検査装置の光
学系に用いられる光学部材と製造方法、及びその部材を
用いた投影露光装置に関するものである。特に、２４０
ｎｍから５００ｎｍの波長領域の光源を持つ装置に使用
でき、汚染物質の付着を抑制することが可能な光学部材
と製造方法、及びその部材を用いた投影露光装置に関す
るものである。
やウエハ、レチクル用の欠陥検査装置等の検査装置の光
学系に用いられる光学部材と製造方法、及びその部材を
用いた投影露光装置に関するものである。特に、２４０
ｎｍから５００ｎｍの波長領域の光源を持つ装置に使用
でき、汚染物質の付着を抑制することが可能な光学部材
と製造方法、及びその部材を用いた投影露光装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】投影露光装置や検査装置等（以下、半導
体関連装置という）は、光源として、低圧水銀ランプや
エキシマレーザー、気体レーザー等の各種レーザーを持
ち、それらの光源から選択された波長の光を利用して、
性能を引き出している。それらの装置には、光源から目
的の場所までに、光の波長を選択し、或いは光線の大き
さを調整するための光学系が必要であり、その中には、
必要な波長の光を選択するための干渉フィルターや、不
必要な波長の光をカットするカットフィルター、光線の
大きさを調整するレンズの反射防止膜や（場所の制約の
ために）光を曲げる反射膜等の光学薄膜が施された多種
の光学部材が使用され、それらの光学部材は、眼鏡やカ
メラに比べて格段に高い精度が必要とされる。
体関連装置という）は、光源として、低圧水銀ランプや
エキシマレーザー、気体レーザー等の各種レーザーを持
ち、それらの光源から選択された波長の光を利用して、
性能を引き出している。それらの装置には、光源から目
的の場所までに、光の波長を選択し、或いは光線の大き
さを調整するための光学系が必要であり、その中には、
必要な波長の光を選択するための干渉フィルターや、不
必要な波長の光をカットするカットフィルター、光線の
大きさを調整するレンズの反射防止膜や（場所の制約の
ために）光を曲げる反射膜等の光学薄膜が施された多種
の光学部材が使用され、それらの光学部材は、眼鏡やカ
メラに比べて格段に高い精度が必要とされる。
【０００３】半導体関連装置の光学部材には、使用環境
により、光の吸収や散乱の原因となる汚染物質が付着
し、そのため光源からの照度が低下することがあり、そ
の都度、光学部材のクリーニングや、交換を行ってい
た。
により、光の吸収や散乱の原因となる汚染物質が付着
し、そのため光源からの照度が低下することがあり、そ
の都度、光学部材のクリーニングや、交換を行ってい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、クリーニング
や交換を行う場合には、装置を停止する必要があり、か
かる装置の停止回数をできる限り少なくした方がよいこ
とは言うまでもない。また、汚染物質が光学部材に付着
する原因について次のように考察した。すなわち、水和
された陽イオンと陰イオンが光学部材の最表面上で反応
し、汚染物質として付着する。言い換えると、光学部材
の最表面に撥水性があれば、水和された陽イオンと陰イ
オンが光学部材の最表面上に付着しにくくなり、汚染物
質の付着も起こりにくくなると考えられる。
や交換を行う場合には、装置を停止する必要があり、か
かる装置の停止回数をできる限り少なくした方がよいこ
とは言うまでもない。また、汚染物質が光学部材に付着
する原因について次のように考察した。すなわち、水和
された陽イオンと陰イオンが光学部材の最表面上で反応
し、汚染物質として付着する。言い換えると、光学部材
の最表面に撥水性があれば、水和された陽イオンと陰イ
オンが光学部材の最表面上に付着しにくくなり、汚染物
質の付着も起こりにくくなると考えられる。
【０００５】表面処理により撥水性のある膜を光学部材
に形成する従来方法では、半導体関連装置の光学部材と
して要求される精度を達成することが困難であり、即
ち、光学特性に影響を及ぼさないほど膜厚を薄くし、か
つ紫外域における損失の少ない膜を光学部材全面にムラ
なく均一に処理することは非常に困難であり、問題点と
なっていた。
に形成する従来方法では、半導体関連装置の光学部材と
して要求される精度を達成することが困難であり、即
ち、光学特性に影響を及ぼさないほど膜厚を薄くし、か
つ紫外域における損失の少ない膜を光学部材全面にムラ
なく均一に処理することは非常に困難であり、問題点と
なっていた。
【０００６】特に、半導体関連装置の光学系に用いられ
る光学部材には、口径がΦ２００ｍｍ以上或いはサイズ
が２００ｍｍ×２００ｍｍ以上の大面積なものもあり、
かかる光学部材に前記処理を施すことはさらに困難であ
り、大きな問題となっていた。 そこで、本発明は、こ
のような問題点に鑑みて、光学特性に影響を及ぼさず、
極薄で低損失、かつ、均一な汚染防止膜が形成された光
学部材とその製造方法を提供することを目的とする。
る光学部材には、口径がΦ２００ｍｍ以上或いはサイズ
が２００ｍｍ×２００ｍｍ以上の大面積なものもあり、
かかる光学部材に前記処理を施すことはさらに困難であ
り、大きな問題となっていた。 そこで、本発明は、こ
のような問題点に鑑みて、光学特性に影響を及ぼさず、
極薄で低損失、かつ、均一な汚染防止膜が形成された光
学部材とその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】さらに、本発明は、前記光学部材を適用し
た投影露光装置を提供することを目的とする。
た投影露光装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、第一に「基板
上に、２４０ｎｍ〜５００ｎｍの波長領域用の光学薄膜
を形成して光学部材を作製する工程と、前記光学部材を
光洗浄する工程と、前記光洗浄を行った光学部材上に、
気相処理により、一端にアルコキシシリル基又はハロゲ
ン化シリル基を有し、他端にフッ化炭素基を有するシラ
ン系化合物の単分子膜を均一に形成する工程と、を具備
する２４０ｎｍ〜５００ｎｍの波長領域の高出力レーザ
又は高出力ランプ用光学部材の製造方法（請求項１）」
を提供する。
上に、２４０ｎｍ〜５００ｎｍの波長領域用の光学薄膜
を形成して光学部材を作製する工程と、前記光学部材を
光洗浄する工程と、前記光洗浄を行った光学部材上に、
気相処理により、一端にアルコキシシリル基又はハロゲ
ン化シリル基を有し、他端にフッ化炭素基を有するシラ
ン系化合物の単分子膜を均一に形成する工程と、を具備
する２４０ｎｍ〜５００ｎｍの波長領域の高出力レーザ
又は高出力ランプ用光学部材の製造方法（請求項１）」
を提供する。
【０００９】請求項１記載の発明は、小面積の光学部材
は勿論のこと大面積の光学部材であっても、ムラなく均
一に単分子膜を形成することがきるので、光学特性に影
響を与えることがない。また、一端にアルコキシシリル
基又はハロゲン化シリル基を有し、他端にフッ化炭素基
を有するシラン系化合物は、フッ化炭素シラン分子の一
方の端部のアルコキシシリル基又はハロゲン化シリル基
が前記光学部材上の光学薄膜と化学結合するため、フッ
化炭素シラン分子の他方の端部のフッ化炭素基が、単分
子膜の表面側に位置することとなり、汚染物質の付着を
抑制することができる。
は勿論のこと大面積の光学部材であっても、ムラなく均
一に単分子膜を形成することがきるので、光学特性に影
響を与えることがない。また、一端にアルコキシシリル
基又はハロゲン化シリル基を有し、他端にフッ化炭素基
を有するシラン系化合物は、フッ化炭素シラン分子の一
方の端部のアルコキシシリル基又はハロゲン化シリル基
が前記光学部材上の光学薄膜と化学結合するため、フッ
化炭素シラン分子の他方の端部のフッ化炭素基が、単分
子膜の表面側に位置することとなり、汚染物質の付着を
抑制することができる。
【００１０】さらに、２４０ｎｍ〜５００ｎｍの波長領
域で高出力レーザ又は高出力ランプを照射しても劣化す
ることなく充分なレーザー耐久性を有する。また、本発
明は、第二に「前記シラン系化合物が、ＣＦ3（ＣＦ2）
7ＣＨ2ＣＨ 2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3であることを特徴とする
請求項１記載の製造方法（請求項２）」を提供する。
域で高出力レーザ又は高出力ランプを照射しても劣化す
ることなく充分なレーザー耐久性を有する。また、本発
明は、第二に「前記シラン系化合物が、ＣＦ3（ＣＦ2）
7ＣＨ2ＣＨ 2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3であることを特徴とする
請求項１記載の製造方法（請求項２）」を提供する。
【００１１】Ｃ−Ｆ結合やＣ−Ｈ結合を多く含む化合物
は、これらの結合の分極率が低いことに起因して表面自
由エネルギー（表面の分子を内部に引きつける力）が低
くなる結果、各種の液体にぬれにくい特性を示す、すな
わち、高い撥水性を示す。また、Ｃ−Ｆ結合やＣ−Ｈ結
合が多すぎると、液体物質の粘性が大きくなり、逆に少
なすぎると揮発性が大きくなり、取扱い難くなる。
は、これらの結合の分極率が低いことに起因して表面自
由エネルギー（表面の分子を内部に引きつける力）が低
くなる結果、各種の液体にぬれにくい特性を示す、すな
わち、高い撥水性を示す。また、Ｃ−Ｆ結合やＣ−Ｈ結
合が多すぎると、液体物質の粘性が大きくなり、逆に少
なすぎると揮発性が大きくなり、取扱い難くなる。
【００１２】請求項２記載の発明は、請求項１記載のシ
ラン系化合物のうちＣＦ3（ＣＦ2） 7ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ
（ＯＣＨ3）3を用いたので、前述した問題がなく、取扱
いが容易である。また、本発明は、第三に「２４０ｎｍ
〜５００ｎｍの波長領域用の光学薄膜が形成された基板
の最上層にフッ化炭素基を含む保護膜がシロキサン結合
を介して形成されてなる２４０ｎｍ〜５００ｎｍの波長
領域の高出力レーザ又は高出力ランプ用光学部材（請求
項３）」を提供する。
ラン系化合物のうちＣＦ3（ＣＦ2） 7ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ
（ＯＣＨ3）3を用いたので、前述した問題がなく、取扱
いが容易である。また、本発明は、第三に「２４０ｎｍ
〜５００ｎｍの波長領域用の光学薄膜が形成された基板
の最上層にフッ化炭素基を含む保護膜がシロキサン結合
を介して形成されてなる２４０ｎｍ〜５００ｎｍの波長
領域の高出力レーザ又は高出力ランプ用光学部材（請求
項３）」を提供する。
【００１３】請求項３記載の発明は、最上層にフッ化炭
素基を含む保護膜を設けたので、汚染物質の付着を抑制
することができる。また、その保護膜はシロキサン結合
を介して基板に形成されているので、強固に結合してお
り、保護膜は剥がれ難くい。また、本発明は、第四に
「前記保護膜の材料が、一端にアルコキシシリル基又は
ハロゲン化シリル基を有し、他端にフッ化炭素基を有す
るシラン系化合物であることを特徴とする請求項３記載
の光学部材（請求項４）」を提供する。
素基を含む保護膜を設けたので、汚染物質の付着を抑制
することができる。また、その保護膜はシロキサン結合
を介して基板に形成されているので、強固に結合してお
り、保護膜は剥がれ難くい。また、本発明は、第四に
「前記保護膜の材料が、一端にアルコキシシリル基又は
ハロゲン化シリル基を有し、他端にフッ化炭素基を有す
るシラン系化合物であることを特徴とする請求項３記載
の光学部材（請求項４）」を提供する。
【００１４】請求項４記載の発明は、請求項３記載の発
明と同様な効果を奏する。また、本発明は、第五に「前
記シラン系化合物が、ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ 2Ｓｉ
（ＯＣＨ3）3であることを特徴とする請求項４記載の光
学部材（請求項５）」を提供する。請求項５記載の発明
は、前記シラン系化合物がＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2
Ｓｉ（ＯＣＨ3）3であるので、請求項２記載の発明の箇
所で説明したとおり、前記シラン系化合物は製造過程に
おける取扱い容易であり、光学部材の製造が容易であ
る。
明と同様な効果を奏する。また、本発明は、第五に「前
記シラン系化合物が、ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ 2Ｓｉ
（ＯＣＨ3）3であることを特徴とする請求項４記載の光
学部材（請求項５）」を提供する。請求項５記載の発明
は、前記シラン系化合物がＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2
Ｓｉ（ＯＣＨ3）3であるので、請求項２記載の発明の箇
所で説明したとおり、前記シラン系化合物は製造過程に
おける取扱い容易であり、光学部材の製造が容易であ
る。
【００１５】また、本発明は、第六に「マスクを照明す
る照明光学系と、前記マスクに形成されたパターンを基
板上に投影露光するための投影光学系と、を具備する投
影露光装置において、前記照明光学系又は前記投影光学
系に、請求項１若しくは２記載の光学部材の製造方法に
より製造された光学部材、又は請求項３〜５のいずれか
に記載された光学部材を用いたことを特徴とする投影露
光装置（請求項６）」を提供する。
る照明光学系と、前記マスクに形成されたパターンを基
板上に投影露光するための投影光学系と、を具備する投
影露光装置において、前記照明光学系又は前記投影光学
系に、請求項１若しくは２記載の光学部材の製造方法に
より製造された光学部材、又は請求項３〜５のいずれか
に記載された光学部材を用いたことを特徴とする投影露
光装置（請求項６）」を提供する。
【００１６】請求項６記載の発明は、光学系に請求項１
若しくは２記載の光学部材の製造方法により製造された
光学部材、又は請求項３〜５のいずれかに記載された光
学部材を用いたので、光学部材への汚染物質の付着を抑
制することができ、光源からの照度の低下、照度ムラが
生ずることがない。
若しくは２記載の光学部材の製造方法により製造された
光学部材、又は請求項３〜５のいずれかに記載された光
学部材を用いたので、光学部材への汚染物質の付着を抑
制することができ、光源からの照度の低下、照度ムラが
生ずることがない。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる実施形態の
光学部材を図面を参照しながら説明する。図１は、本発
明にかかる実施形態の光学部材の概略断面図である。本
発明にかかる実施形態の光学部材は、反射防止膜又は反
射膜２が形成された光学部材１上に、一端にアルコキシ
シリル基又はハロゲン化シリル基を有し、他端にフッ化
炭素基を有するシラン系化合物（以下、フッ化炭素シラ
ン系化合物という）の化学吸着単分子膜（フッ化炭素基
を含んだ保護膜）３が反射防止膜又は反射膜２と（Ｍ
（メタル）−Ｏ−Ｓｉ）の形態の結合（シロキサン結
合）を介して形成されている。
光学部材を図面を参照しながら説明する。図１は、本発
明にかかる実施形態の光学部材の概略断面図である。本
発明にかかる実施形態の光学部材は、反射防止膜又は反
射膜２が形成された光学部材１上に、一端にアルコキシ
シリル基又はハロゲン化シリル基を有し、他端にフッ化
炭素基を有するシラン系化合物（以下、フッ化炭素シラ
ン系化合物という）の化学吸着単分子膜（フッ化炭素基
を含んだ保護膜）３が反射防止膜又は反射膜２と（Ｍ
（メタル）−Ｏ−Ｓｉ）の形態の結合（シロキサン結
合）を介して形成されている。
【００１８】光学部材の材料としては、光学ガラス又は
石英ガラス等が用いられる。フッ化炭素シラン系化合物
としては、 ＣＦ3ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3 ＣＦ3ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣｌ3 ＣＦ3（ＣＦ2）5ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣｌ3 ＣＦ3（ＣＦ2）5ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3 ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3 ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣｌ3 ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣＨ3Ｃｌ2 ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣＨ3（ＯＣＨ3）2 等が挙げられるが、これに限定されない。
石英ガラス等が用いられる。フッ化炭素シラン系化合物
としては、 ＣＦ3ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3 ＣＦ3ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣｌ3 ＣＦ3（ＣＦ2）5ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣｌ3 ＣＦ3（ＣＦ2）5ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3 ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3 ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣｌ3 ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣＨ3Ｃｌ2 ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣＨ3（ＯＣＨ3）2 等が挙げられるが、これに限定されない。
【００１９】次に、本発明にかかる実施形態の光学部材
の製造工程を示す。まず、基板上に反射防止膜又は反射
膜２を形成して光学部材１を作製し、この光学部材１を
エキシマランプ（１７２ｎｍ）や低圧水銀ランプ（１８
５ｎｍ、２５４ｎｍ）を用いて光洗浄し、表面を活性化
させる。次に、図２に示すように、密閉容器４内の上方
に設けられたホルダーに光洗浄した前記光学部材１を設
置し、液体フッ化炭素シラン系化合物６で満たした容器
７を前記光学部材１の下側に設置する。
の製造工程を示す。まず、基板上に反射防止膜又は反射
膜２を形成して光学部材１を作製し、この光学部材１を
エキシマランプ（１７２ｎｍ）や低圧水銀ランプ（１８
５ｎｍ、２５４ｎｍ）を用いて光洗浄し、表面を活性化
させる。次に、図２に示すように、密閉容器４内の上方
に設けられたホルダーに光洗浄した前記光学部材１を設
置し、液体フッ化炭素シラン系化合物６で満たした容器
７を前記光学部材１の下側に設置する。
【００２０】図２は、本発明にかかる実施形態の光学部
材の製造方法における気相処理の工程を示す図である。
密閉容器４全体を５０℃〜１５０℃に加熱し、液体フッ
化炭素シラン系化合物６を蒸発させると、密閉容器４内
がフッ化炭素シラン分子の蒸気により満たされる。そし
て、前記光学部材１の表面で、フッ化炭素シランのアル
コキシシリル基と、光学部材１上に形成された反射防止
膜又は反射膜２の酸化物（酸化物以外の場合は表面にで
きた自然酸化膜）の水酸基と、が化学反応することによ
り、光学部材１の表面全体に、フッ化炭素シランの化学
吸着単分子膜３（以下、単分子膜という）が形成され
る。
材の製造方法における気相処理の工程を示す図である。
密閉容器４全体を５０℃〜１５０℃に加熱し、液体フッ
化炭素シラン系化合物６を蒸発させると、密閉容器４内
がフッ化炭素シラン分子の蒸気により満たされる。そし
て、前記光学部材１の表面で、フッ化炭素シランのアル
コキシシリル基と、光学部材１上に形成された反射防止
膜又は反射膜２の酸化物（酸化物以外の場合は表面にで
きた自然酸化膜）の水酸基と、が化学反応することによ
り、光学部材１の表面全体に、フッ化炭素シランの化学
吸着単分子膜３（以下、単分子膜という）が形成され
る。
【００２１】このとき、フッ化炭素シラン分子の一方の
端部のアルコキシシリル基又はハロゲン化シリル基が前
記光学部材上の反射防止膜と化学結合（シロキサン結
合）するので、フッ化炭素シラン分子の他方の端部のフ
ッ化炭素基が、単分子膜の表面側に位置することとな
る。また、前記方法によれば単分子膜は、光学部材の口
径がΦ２００ｍｍ以上、又はサイズが２００ｍｍ×２２
００ｍｍ以上等の大面積であってもムラなく、均一に形
成される。
端部のアルコキシシリル基又はハロゲン化シリル基が前
記光学部材上の反射防止膜と化学結合（シロキサン結
合）するので、フッ化炭素シラン分子の他方の端部のフ
ッ化炭素基が、単分子膜の表面側に位置することとな
る。また、前記方法によれば単分子膜は、光学部材の口
径がΦ２００ｍｍ以上、又はサイズが２００ｍｍ×２２
００ｍｍ以上等の大面積であってもムラなく、均一に形
成される。
【００２２】また、単分子膜は化学反応により酸化膜に
結合しているので、両者は強固に結合している。そのた
め、単分子膜の膜はがれが生じにくく、２４０ｎｍ〜５
００ｎｍの波長領域の高出力のレーザー又は高出力のラ
ンプにより照射されても劣化しにくく、レーザ耐久性が
高い。さらに、単分子膜の膜厚はアルキル鎖の長さで決
まり、ナノメータレベルの膜厚であり、極めて薄いの
で、光学部材本来の光学特性を損なうことがない。
結合しているので、両者は強固に結合している。そのた
め、単分子膜の膜はがれが生じにくく、２４０ｎｍ〜５
００ｎｍの波長領域の高出力のレーザー又は高出力のラ
ンプにより照射されても劣化しにくく、レーザ耐久性が
高い。さらに、単分子膜の膜厚はアルキル鎖の長さで決
まり、ナノメータレベルの膜厚であり、極めて薄いの
で、光学部材本来の光学特性を損なうことがない。
【００２３】光学部材の最上層にフッ化炭素基を含んだ
保護膜を形成する方法として、前記気相法の他に、フッ
化炭素シラン系化合物をアルコールのような分散媒によ
り分散させた溶液中に、基板を数１０分から数時間浸漬
した後、高温雰囲気中でシロキサン結合を完了させる方
法が用いられる。また、浸漬によるフッ化炭素シラン系
化合物の基板への成膜方法の他に、塗布による方法、吹
き付けによる方法、スピンコートによる方法等が用いら
れる。
保護膜を形成する方法として、前記気相法の他に、フッ
化炭素シラン系化合物をアルコールのような分散媒によ
り分散させた溶液中に、基板を数１０分から数時間浸漬
した後、高温雰囲気中でシロキサン結合を完了させる方
法が用いられる。また、浸漬によるフッ化炭素シラン系
化合物の基板への成膜方法の他に、塗布による方法、吹
き付けによる方法、スピンコートによる方法等が用いら
れる。
【００２４】光学部材の表面に均一にフッ化炭素基を含
んだ保護膜を形成するためには、フッ化炭素シラン系化
合物をアルコールのような分散媒により分散させた前記
溶液の濃度を調整することが好ましい。さらに、光学部
材の表面にフッ化炭素基を含む保護膜を形成する代わり
に、シリコンオイルの保護膜を形成しても、光学部材へ
の汚染物質の付着を抑制することができる。
んだ保護膜を形成するためには、フッ化炭素シラン系化
合物をアルコールのような分散媒により分散させた前記
溶液の濃度を調整することが好ましい。さらに、光学部
材の表面にフッ化炭素基を含む保護膜を形成する代わり
に、シリコンオイルの保護膜を形成しても、光学部材へ
の汚染物質の付着を抑制することができる。
【００２５】本発明にかかる実施形態の光学部材の製造
方法により製造された光学部材は次に説明する投影露光
装置の光学系に用いられる。図５は、本発明にかかる投
影露光装置の基本構造を示した図である。図５に示すよ
うに、本発明にかかる投影露光装置は、少なくとも、感
光材を塗布した基板Ｗ（ウエハ）を載置するウエハステ
ージ２３、露光光をマスク（レチクルＲ）に照射する照
明光学系２１、照明光学系２１に露光光を供給するため
の光源１００（Ａｒレーザー（４８８ｎｍ）、ＫｒＦエ
キシマレーザー（２４８ｎｍ）、水銀ランプ（４３６ｎ
ｍ（ｈ線）、４０５ｎｍ（ｇ線）、３６５ｎｍ（ｉ
線）））、及びウエハＷとレチクルＲとの間に配置され
る投影光学系２５を有する。投影光学系２５の物体面
（Ｐ１）には、レチクルＲの表面（パターン形成面）が
くるように配置され、投影光学系２５の像面（Ｐ２）に
は、ウエハＷの表面がくるように配置されている。
方法により製造された光学部材は次に説明する投影露光
装置の光学系に用いられる。図５は、本発明にかかる投
影露光装置の基本構造を示した図である。図５に示すよ
うに、本発明にかかる投影露光装置は、少なくとも、感
光材を塗布した基板Ｗ（ウエハ）を載置するウエハステ
ージ２３、露光光をマスク（レチクルＲ）に照射する照
明光学系２１、照明光学系２１に露光光を供給するため
の光源１００（Ａｒレーザー（４８８ｎｍ）、ＫｒＦエ
キシマレーザー（２４８ｎｍ）、水銀ランプ（４３６ｎ
ｍ（ｈ線）、４０５ｎｍ（ｇ線）、３６５ｎｍ（ｉ
線）））、及びウエハＷとレチクルＲとの間に配置され
る投影光学系２５を有する。投影光学系２５の物体面
（Ｐ１）には、レチクルＲの表面（パターン形成面）が
くるように配置され、投影光学系２５の像面（Ｐ２）に
は、ウエハＷの表面がくるように配置されている。
【００２６】また、レチクルＲは、レチクルステージ２
２上に配置され、レチクルＲ上のパターンを投影光学系
２５を介してウエハステージ２３上に載置されたウエハ
Ｗに投影露光する構成となっている。レチクル交換系２
００は、レチクルステージ２２にセットされたレチクル
Ｒの挿脱及び交換を行うとともに、レチクルステージ２
２とレチクルカセットとの間でレチクルＲの搬送を行う
機能を有する。
２上に配置され、レチクルＲ上のパターンを投影光学系
２５を介してウエハステージ２３上に載置されたウエハ
Ｗに投影露光する構成となっている。レチクル交換系２
００は、レチクルステージ２２にセットされたレチクル
Ｒの挿脱及び交換を行うとともに、レチクルステージ２
２とレチクルカセットとの間でレチクルＲの搬送を行う
機能を有する。
【００２７】本発明にかかる光学部材は、大面積の光学
部材であってもムラなく単分子膜（保護膜）を形成する
ことがきるので、光学特性に影響を与えることがない。
また、フッ化炭素シラン分子のフッ化炭素基が、表面側
に位置するよう光学部材上に単分子膜が形成され、或い
はフッ化炭素基を含む保護膜が光学部材上の最上層に形
成されているので、光学部材への汚染物質の付着を抑制
することができる。そのため、光源からの照度の低下、
照度ムラが生ずることがない。
部材であってもムラなく単分子膜（保護膜）を形成する
ことがきるので、光学特性に影響を与えることがない。
また、フッ化炭素シラン分子のフッ化炭素基が、表面側
に位置するよう光学部材上に単分子膜が形成され、或い
はフッ化炭素基を含む保護膜が光学部材上の最上層に形
成されているので、光学部材への汚染物質の付着を抑制
することができる。そのため、光源からの照度の低下、
照度ムラが生ずることがない。
【００２８】さらに、本発明にかかる光学部材は、充分
なレーザー耐久性を有するので、投影露光装置の光学系
に用いることができる。
なレーザー耐久性を有するので、投影露光装置の光学系
に用いることができる。
【００２９】
［実施例１］図１は、実施例１にかかる光学部材の製造
方法により製造された光学部材の概略断面図である。以
下に、実施例１にかかる光学部材の製造方法を示す。
方法により製造された光学部材の概略断面図である。以
下に、実施例１にかかる光学部材の製造方法を示す。
【００３０】石英ガラス基板上に、光学的膜厚が３６５
ｎｍのλ／２のＭｇＦ2単層膜２を形成し、さらに該基
板１に対して、低圧水銀ランプ（１８５ｎｍ、２５４ｎ
ｍ）を用いて光洗浄を１０分間行うことにより、その表
面を活性化させた。次に、図２に示すように、密閉容器
４内の上方に設けられたホルダー５に、光洗浄した前記
石英ガラス基板１を設置し、さらに液体ＣＦ3（ＣＦ2）
7ＣＨ2ＣＨ 2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3６で満たした容器７を前
記石英ガラス基板１の下側に設置した。
ｎｍのλ／２のＭｇＦ2単層膜２を形成し、さらに該基
板１に対して、低圧水銀ランプ（１８５ｎｍ、２５４ｎ
ｍ）を用いて光洗浄を１０分間行うことにより、その表
面を活性化させた。次に、図２に示すように、密閉容器
４内の上方に設けられたホルダー５に、光洗浄した前記
石英ガラス基板１を設置し、さらに液体ＣＦ3（ＣＦ2）
7ＣＨ2ＣＨ 2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3６で満たした容器７を前
記石英ガラス基板１の下側に設置した。
【００３１】密閉容器４全体を１５０℃で２時間加熱
し、液体ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3
６を蒸発させ、気相処理により、前記石英ガラス基板１
上に化学吸着単分子膜３を形成した（図１参照）。さら
に、ＭｇＦ2単層膜をＴｉＯ2単層膜、ＨｆＯ2単層膜、
Ａｌ2Ｏ3単層膜、ＳｉＯ2単層膜に置き換えた以外は、
同様な方法を用いて本発明にかかる光学部材を製作し
た。
し、液体ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3
６を蒸発させ、気相処理により、前記石英ガラス基板１
上に化学吸着単分子膜３を形成した（図１参照）。さら
に、ＭｇＦ2単層膜をＴｉＯ2単層膜、ＨｆＯ2単層膜、
Ａｌ2Ｏ3単層膜、ＳｉＯ2単層膜に置き換えた以外は、
同様な方法を用いて本発明にかかる光学部材を製作し
た。
【００３２】前記単分子膜の形成前後の石英ガラス表面
の撥水性を純水の接触角で評価した結果を表１に示す。
の撥水性を純水の接触角で評価した結果を表１に示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】表１の結果から単分子膜形成後の石英ガラ
ス表面の撥水性は、単分子膜形成前のそれと比較して、
はるかに向上していることがわかる。 ［実施例２］図１は、実施例２にかかる光学部材の製造
方法により製造された光学部材の概略断面図である。
ス表面の撥水性は、単分子膜形成前のそれと比較して、
はるかに向上していることがわかる。 ［実施例２］図１は、実施例２にかかる光学部材の製造
方法により製造された光学部材の概略断面図である。
【００３５】以下に、実施例２にかかる光学部材の製造
方法を示す。石英ガラス基板上にＴｉＯ2とＳｉＯ2の交
互層からなり、最外層がＳｉＯ2である反射膜２を形成
し、さらに該基板１に対して、低圧水銀ランプ（１８５
ｎｍ、２５４ｎｍ）を用いて光洗浄を行うことにより、
その表面を活性化させた。次に、図２に示すように、密
閉容器４内の上方に設けられてホルダー５に光洗浄した
前記石英ガラス基板１を設置し、さらに液体ＣＦ3（Ｃ
Ｆ2）7ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3６で満たした容器７
を前記石英ガラス基板１の下側に設置した。
方法を示す。石英ガラス基板上にＴｉＯ2とＳｉＯ2の交
互層からなり、最外層がＳｉＯ2である反射膜２を形成
し、さらに該基板１に対して、低圧水銀ランプ（１８５
ｎｍ、２５４ｎｍ）を用いて光洗浄を行うことにより、
その表面を活性化させた。次に、図２に示すように、密
閉容器４内の上方に設けられてホルダー５に光洗浄した
前記石英ガラス基板１を設置し、さらに液体ＣＦ3（Ｃ
Ｆ2）7ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3６で満たした容器７
を前記石英ガラス基板１の下側に設置した。
【００３６】密閉容器４全体を１５０℃で２時間加熱
し、液体ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3
６を蒸発させ、気相処理により、前記石英ガラス基板１
上に化学吸着単分子膜３を形成した（図１参照）。図３
は、実施例２で製作された反射鏡の分光特性図である。
図３から、単分子膜の形成前後で光学特性は、ほとんど
変化しないことがわかる。
し、液体ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3
６を蒸発させ、気相処理により、前記石英ガラス基板１
上に化学吸着単分子膜３を形成した（図１参照）。図３
は、実施例２で製作された反射鏡の分光特性図である。
図３から、単分子膜の形成前後で光学特性は、ほとんど
変化しないことがわかる。
【００３７】また、波長４８８ｎｍ、パワー２０ｍＷの
Ａｒレーザーを照射して、レーザー耐久性を評価したと
ころ、単分子膜の形成前後で耐久性に変化はなく、充分
なレーザー耐久性があることがわかった。 ［実施例３］図１は、実施例３にかかる光学部材の製造
方法により製造された光学部材の概略断面図である。
Ａｒレーザーを照射して、レーザー耐久性を評価したと
ころ、単分子膜の形成前後で耐久性に変化はなく、充分
なレーザー耐久性があることがわかった。 ［実施例３］図１は、実施例３にかかる光学部材の製造
方法により製造された光学部材の概略断面図である。
【００３８】以下に、実施例３にかかる光学部材の製造
方法を示す。石英ガラス基板上にＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3、
ＭｇＦ2からなり、最外層がＭｇＦ2である反射防止膜２
を形成し、さらに該基板１に対して、低圧水銀ランプ
（１８５ｎｍ、２５４ｎｍ）を用いて光洗浄を行うこと
により、その表面を活性化させた。
方法を示す。石英ガラス基板上にＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3、
ＭｇＦ2からなり、最外層がＭｇＦ2である反射防止膜２
を形成し、さらに該基板１に対して、低圧水銀ランプ
（１８５ｎｍ、２５４ｎｍ）を用いて光洗浄を行うこと
により、その表面を活性化させた。
【００３９】次に、図２に示すように、密閉容器４内の
上方に設けられたホルダー５に光洗浄をした前記石英ガ
ラス基板１を設置し、さらに液体ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2
ＣＨ 2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3６で満たした容器７を前記石英
ガラス基板１の下側に設置した。密閉容器４全体を１５
０℃で２時間加熱し、液体ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2
Ｓｉ（ＯＣＨ3）3６を蒸発させ、気相処理により、前記
石英ガラス基板１上に化学吸着単分子膜３を形成した
（図１参照）。
上方に設けられたホルダー５に光洗浄をした前記石英ガ
ラス基板１を設置し、さらに液体ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2
ＣＨ 2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3６で満たした容器７を前記石英
ガラス基板１の下側に設置した。密閉容器４全体を１５
０℃で２時間加熱し、液体ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2
Ｓｉ（ＯＣＨ3）3６を蒸発させ、気相処理により、前記
石英ガラス基板１上に化学吸着単分子膜３を形成した
（図１参照）。
【００４０】図４は、実施例３で製作した光学部材と従
来の光学部材（反射防止膜の構成は実施例３で製作した
光学部材と同じ構成）の分光反射率特性図である。図４
から、単分子膜の形成前後で光学特性は、ほとんど変化
しないことがわかる。また、波長４８８ｎｍ、パワー２
０ｍＷのＡｒレーザーを照射して、レーザー耐久性を評
価したところ、単分子膜の形成前後で耐久性に変化はな
く、充分なレーザー耐久性があることがわかった。 ［実施例４］所定の光量を保持するために、光量が低下
すると、光源であるレーザーのパワーを自動的に増大さ
せる機構を備えているアルゴンレーザー（波長４８８ｎ
ｍ）を光源とするレチクル用異物検査装置の光学系に、
実施例２で製作した反射鏡と単分子膜を設けていない従
来の反射鏡（反射膜の構成は実施例２で製作した反射鏡
と同じ構成）とを適用して、反射鏡製作直後と一カ月経
過後の光源のパワーの変化を評価した。
来の光学部材（反射防止膜の構成は実施例３で製作した
光学部材と同じ構成）の分光反射率特性図である。図４
から、単分子膜の形成前後で光学特性は、ほとんど変化
しないことがわかる。また、波長４８８ｎｍ、パワー２
０ｍＷのＡｒレーザーを照射して、レーザー耐久性を評
価したところ、単分子膜の形成前後で耐久性に変化はな
く、充分なレーザー耐久性があることがわかった。 ［実施例４］所定の光量を保持するために、光量が低下
すると、光源であるレーザーのパワーを自動的に増大さ
せる機構を備えているアルゴンレーザー（波長４８８ｎ
ｍ）を光源とするレチクル用異物検査装置の光学系に、
実施例２で製作した反射鏡と単分子膜を設けていない従
来の反射鏡（反射膜の構成は実施例２で製作した反射鏡
と同じ構成）とを適用して、反射鏡製作直後と一カ月経
過後の光源のパワーの変化を評価した。
【００４１】光源のパワーの変化は、光源のパワーをモ
ニターする機構を用いて観察し、そのモニターは、光源
であるレーザーのパワーが限界になると、ＮＧを知らせ
る仕組みになっている。実施例２で製作した反射鏡を光
学系に適用した場合には、反射鏡製作直後の光源のパワ
ーは２０ｍＷであり、一カ月経過後の光源のパワーも２
０ｍＷであり、変化しなかった。
ニターする機構を用いて観察し、そのモニターは、光源
であるレーザーのパワーが限界になると、ＮＧを知らせ
る仕組みになっている。実施例２で製作した反射鏡を光
学系に適用した場合には、反射鏡製作直後の光源のパワ
ーは２０ｍＷであり、一カ月経過後の光源のパワーも２
０ｍＷであり、変化しなかった。
【００４２】一方、従来の反射鏡を光学系に適用した場
合には、反射鏡製作直後の光源のパワーは２０ｍＷであ
ったが、一カ月経過後の光源のパワーは、２２ｍＷに増
加していた。これらのことから、実施例２で製作された
反射鏡の表面には、汚染物質が付きにくく、反射鏡製作
直後と一カ月経過後とで、光量が変化しないことがわか
る。
合には、反射鏡製作直後の光源のパワーは２０ｍＷであ
ったが、一カ月経過後の光源のパワーは、２２ｍＷに増
加していた。これらのことから、実施例２で製作された
反射鏡の表面には、汚染物質が付きにくく、反射鏡製作
直後と一カ月経過後とで、光量が変化しないことがわか
る。
【００４３】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明にかかる光学
部材の製造方法によれば、光学特性に影響を及ぼさず
に、汚染物質が付着しにくい光学部材を得ることができ
る。また、本発明にかかる光学部材は汚染物質が付着し
にくいので、半導体製造装置や検査装置等の光学系に適
用した場合に、時間が経過しても光量損失が生じない。
部材の製造方法によれば、光学特性に影響を及ぼさず
に、汚染物質が付着しにくい光学部材を得ることができ
る。また、本発明にかかる光学部材は汚染物質が付着し
にくいので、半導体製造装置や検査装置等の光学系に適
用した場合に、時間が経過しても光量損失が生じない。
【図１】本発明にかかる光学部材の概略断面図である。
【図２】本発明にかかる光学部材の製造方法における気
相処理の工程を示す概略断面図である。
相処理の工程を示す概略断面図である。
【図３】実施例２で製作した反射鏡と、単分子膜を設け
ない従来の反射鏡（反射膜の構成は実施例２で製作した
反射鏡と同じ構成）の分光反射率特性図である。
ない従来の反射鏡（反射膜の構成は実施例２で製作した
反射鏡と同じ構成）の分光反射率特性図である。
【図４】実施例３で製作した光学部材と、単分子膜を設
けない従来の光学部材（反射防止膜の構成は実施例３で
製作した光学部材と同じ構成）の分光反射率特性図であ
る。
けない従来の光学部材（反射防止膜の構成は実施例３で
製作した光学部材と同じ構成）の分光反射率特性図であ
る。
【図５】本発明にかかる投影露光装置の基本構造を示す
概略図である。
概略図である。
１・・・光学部材 ２・・・反射防止膜又は反射膜 ３・・・フッ化炭素シランの化学吸着単分子膜（フッ化
炭素基を含んだ保護膜） ４・・・密閉容器 ５・・・ホルダー ６・・・液体フッ化炭素シラン ７・・・容器 ２１・・・照明光学系 ２２・・・レチクルステージ ２３・・・ウエハステージ ２５・・・投影光学系 １００・・・光源 ２００・・・レチクル交換系 ３００・・・ステージ制御系 ４００・・・主制御部 Ｗ・・・基板（ウエハ） Ｒ・・・マスク（レチクル）
炭素基を含んだ保護膜） ４・・・密閉容器 ５・・・ホルダー ６・・・液体フッ化炭素シラン ７・・・容器 ２１・・・照明光学系 ２２・・・レチクルステージ ２３・・・ウエハステージ ２５・・・投影光学系 １００・・・光源 ２００・・・レチクル交換系 ３００・・・ステージ制御系 ４００・・・主制御部 Ｗ・・・基板（ウエハ） Ｒ・・・マスク（レチクル）
Claims (6)
- 【請求項１】基板上に、２４０ｎｍ〜５００ｎｍの波長
領域用の光学薄膜を形成して光学部材を作製する工程
と、 前記光学部材を光洗浄する工程と、 前記光洗浄を行った光学部材上に、気相処理により、一
端にアルコキシシリル基又はハロゲン化シリル基を有
し、他端にフッ化炭素基を有するシラン系化合物の単分
子膜を均一に形成する工程と、 を具備する２４０ｎｍ〜５００ｎｍの波長領域の高出力
レーザ又は高出力ランプ用光学部材の製造方法。 - 【請求項２】前記シラン系化合物が、ＣＦ3（ＣＦ2）7
ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3であることを特徴とする請
求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】２４０ｎｍ〜５００ｎｍの波長領域用の光
学薄膜が形成された基板の最上層にフッ化炭素基を含む
保護膜がシロキサン結合を介して形成されてなる２４０
ｎｍ〜５００ｎｍの波長領域の高出力レーザ又は高出力
ランプ用光学部材。 - 【請求項４】前記保護膜の材料が、一端にアルコキシシ
リル基又はハロゲン化シリル基を有し、他端にフッ化炭
素基を有するシラン系化合物であることを特徴とする請
求項３記載の光学部材。 - 【請求項５】前記シラン系化合物が、ＣＦ3（ＣＦ2）7
ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3であることを特徴とする請
求項４記載の光学部材。 - 【請求項６】マスクを照明する照明光学系と、 前記マスクに形成されたパターンを基板上に投影露光す
るための投影光学系と、を具備する投影露光装置におい
て、 前記照明光学系又は前記投影光学系に、請求項１若しく
は２記載の光学部材の製造方法により製造された光学部
材、又は請求項３〜５のいずれかに記載された光学部材
を用いたことを特徴とする投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9173453A JPH1120034A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 光学部材の製造方法、光学部材及びその光学部材を用いた投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9173453A JPH1120034A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 光学部材の製造方法、光学部材及びその光学部材を用いた投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1120034A true JPH1120034A (ja) | 1999-01-26 |
Family
ID=15960758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9173453A Pending JPH1120034A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 光学部材の製造方法、光学部材及びその光学部材を用いた投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1120034A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6620630B2 (en) | 2001-09-24 | 2003-09-16 | Extraction Systems, Inc. | System and method for determining and controlling contamination |
| EP1385051A1 (en) * | 2002-06-14 | 2004-01-28 | ASML Netherlands B.V. | EUV lithographic projection apparatus comprising an optical element with a self-assembled monolayer, optical element with a self-assembled monolayer, method of applying a self-assembled monolayer and device manufacturing method |
| US6882406B2 (en) | 2002-06-14 | 2005-04-19 | Asml Netherlands B.V. | Euv lithographic projection apparatus comprising an optical element with a self-assembled monolayer, optical element with a self-assembled monolayer, method of applying a self-assembled monolayer, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| US7092077B2 (en) | 2001-09-24 | 2006-08-15 | Entegris, Inc. | System and method for monitoring contamination |
| WO2011020623A1 (en) | 2009-08-21 | 2011-02-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | A reflective optical element and method of producing it |
-
1997
- 1997-06-30 JP JP9173453A patent/JPH1120034A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6620630B2 (en) | 2001-09-24 | 2003-09-16 | Extraction Systems, Inc. | System and method for determining and controlling contamination |
| US6759254B2 (en) | 2001-09-24 | 2004-07-06 | Extraction Systems, Inc. | System and method for determining and controlling contamination |
| US7092077B2 (en) | 2001-09-24 | 2006-08-15 | Entegris, Inc. | System and method for monitoring contamination |
| EP1385051A1 (en) * | 2002-06-14 | 2004-01-28 | ASML Netherlands B.V. | EUV lithographic projection apparatus comprising an optical element with a self-assembled monolayer, optical element with a self-assembled monolayer, method of applying a self-assembled monolayer and device manufacturing method |
| US6882406B2 (en) | 2002-06-14 | 2005-04-19 | Asml Netherlands B.V. | Euv lithographic projection apparatus comprising an optical element with a self-assembled monolayer, optical element with a self-assembled monolayer, method of applying a self-assembled monolayer, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| WO2011020623A1 (en) | 2009-08-21 | 2011-02-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | A reflective optical element and method of producing it |
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