JPH10158035A - 紫外用光学素子およびその製造方法 - Google Patents
紫外用光学素子およびその製造方法Info
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- JPH10158035A JPH10158035A JP9265242A JP26524297A JPH10158035A JP H10158035 A JPH10158035 A JP H10158035A JP 9265242 A JP9265242 A JP 9265242A JP 26524297 A JP26524297 A JP 26524297A JP H10158035 A JPH10158035 A JP H10158035A
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- Japan
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- transmittance
- treatment
- light
- ultraviolet
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
- Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
- Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates
Landscapes
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣｅＯ2などの金属不純物がほとんど検出さ
れず、かつ表面粗さも１ÅＲＭＳ以下であっても、理論
透過率より０．５％以上も透過率が低いことがあり、問
題となる。 【解決手段】 光学素材の表面をＨＦ処理する前、また
はＨＦ処理後、１００℃以上１０００℃以下の温度で熱
処理することを特徴とする紫外用光学素子の製造方法を
提供する。
れず、かつ表面粗さも１ÅＲＭＳ以下であっても、理論
透過率より０．５％以上も透過率が低いことがあり、問
題となる。 【解決手段】 光学素材の表面をＨＦ処理する前、また
はＨＦ処理後、１００℃以上１０００℃以下の温度で熱
処理することを特徴とする紫外用光学素子の製造方法を
提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、４００ｎｍ以下、
好ましくは３００ｎｍ以下の特定波長帯域で、レンズや
ミラ−等の光学系に使用される光学素子、例えば光リソ
グラフィ−用光学素子に関するものであり、またその製
造方法に関する。
好ましくは３００ｎｍ以下の特定波長帯域で、レンズや
ミラ−等の光学系に使用される光学素子、例えば光リソ
グラフィ−用光学素子に関するものであり、またその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコン等のウエハ上に集積回路
の微細パターンを露光・転写する光リソグラフィ技術に
おいては、ステッパーと呼ばれる露光装置が用いられ
る。このステッパーの光源は、近年のＬＳＩの高集積化
に伴ってｇ線（４３６ｎｍ）からｉ線（３６５ｎｍ）、
さらにはＫｒＦ（２４８ｎｍ）やＡｒＦ（１９３ｎｍ）
エキシマレ−ザ−へと短波長化が進められている。
の微細パターンを露光・転写する光リソグラフィ技術に
おいては、ステッパーと呼ばれる露光装置が用いられ
る。このステッパーの光源は、近年のＬＳＩの高集積化
に伴ってｇ線（４３６ｎｍ）からｉ線（３６５ｎｍ）、
さらにはＫｒＦ（２４８ｎｍ）やＡｒＦ（１９３ｎｍ）
エキシマレ−ザ−へと短波長化が進められている。
【０００３】一般に、ステッパーの照明系あるいは投影
レンズとして用いられるレンズ素材は、ｉ線では主に高
透過率化した多成分の光学ガラスが、ＫｒＦ及びＡｒＦ
エキシマレ−ザ−では従来の光学ガラスにかえて合成石
英ガラスやＣａＦ2（蛍石）等のフッ化物単結晶が用い
られている。これらの光学素子には、一般的に、使用す
る波長域での透過率が９９．５％以上であることが要求
される。
レンズとして用いられるレンズ素材は、ｉ線では主に高
透過率化した多成分の光学ガラスが、ＫｒＦ及びＡｒＦ
エキシマレ−ザ−では従来の光学ガラスにかえて合成石
英ガラスやＣａＦ2（蛍石）等のフッ化物単結晶が用い
られている。これらの光学素子には、一般的に、使用す
る波長域での透過率が９９．５％以上であることが要求
される。
【０００４】また、光学素子に要求される品質として、
特に、表面損失の低減も重要項目である。
特に、表面損失の低減も重要項目である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】３００ｎｍ以下の短波
長域の光学素子において、その表面損失を０．５％以下
に抑えるには、従来の研磨方法、洗浄方法では、対処で
きないことがわかってきた。本発明者らは、長年に渡り
その原因を鋭意研究してきた結果以下の事が解ってき
た。
長域の光学素子において、その表面損失を０．５％以下
に抑えるには、従来の研磨方法、洗浄方法では、対処で
きないことがわかってきた。本発明者らは、長年に渡り
その原因を鋭意研究してきた結果以下の事が解ってき
た。
【０００６】表面損失は、表面粗さに起因する散乱以
外の損失がある。 研磨剤などの金属残存物の吸収に起因する表面損失が
ある。 長年に渡り、本発明者らは、上記で述べた事を検証する
為の実験を行ってきた。まず、に関して、表面粗さと
透過率の関係を確かめた。図１、２にそれぞれ測定波長
２４８ｎｍ及び１９３ｎｍでの表面粗さと、試験的に作
製した光学素子（φ６０×ｔ１０ｍｍ平行平板）の透過
率測定値との関係を示す。測定サンプルとしては、すべ
て同一条件で製造された合成石英ガラスを用いた。尚、
表面粗さは光学干渉方式の表面粗さ計を用いた。
外の損失がある。 研磨剤などの金属残存物の吸収に起因する表面損失が
ある。 長年に渡り、本発明者らは、上記で述べた事を検証する
為の実験を行ってきた。まず、に関して、表面粗さと
透過率の関係を確かめた。図１、２にそれぞれ測定波長
２４８ｎｍ及び１９３ｎｍでの表面粗さと、試験的に作
製した光学素子（φ６０×ｔ１０ｍｍ平行平板）の透過
率測定値との関係を示す。測定サンプルとしては、すべ
て同一条件で製造された合成石英ガラスを用いた。尚、
表面粗さは光学干渉方式の表面粗さ計を用いた。
【０００７】透過率は、ある程度表面粗さ、つまり表面
散乱損失に依存しているが、他の因子が透過率値に影響
を与えていることがわかる。この事実から、透過率測定
に影響を与える因子として、表面散乱以外に、吸収によ
る損失の影響が大きい事が判明した。この原因は、残留
不純物や残留応力による構造欠陥によると考えられてい
る。
散乱損失に依存しているが、他の因子が透過率値に影響
を与えていることがわかる。この事実から、透過率測定
に影響を与える因子として、表面散乱以外に、吸収によ
る損失の影響が大きい事が判明した。この原因は、残留
不純物や残留応力による構造欠陥によると考えられてい
る。
【０００８】しかしながら、ＣｅＯ2などの金属不純物
がほとんど検出されず、かつ表面粗さも１ÅＲＭＳ以下
であっても、理論透過率より０．５％以上も透過率が低
いことがあり、問題となる。そこで、本発明は、この問
題を解決し、４００ｎｍ、好ましくは３００ｎｍ以下の
紫外線波長域で用いられる透過率の高い光学素子を提供
することを目的とする。
がほとんど検出されず、かつ表面粗さも１ÅＲＭＳ以下
であっても、理論透過率より０．５％以上も透過率が低
いことがあり、問題となる。そこで、本発明は、この問
題を解決し、４００ｎｍ、好ましくは３００ｎｍ以下の
紫外線波長域で用いられる透過率の高い光学素子を提供
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
まず、光学素子の表面状態を調べた。通常の表面分析方
法、例えばＥＳＣＡ、蛍光Ｘ線分析装置では、感度の点
で問題があり、光学素子表面に付着する不純物の定量は
不可能であった。そのため、全反射蛍光Ｘ線分析装置に
より分析した結果、として、図３にＣｅＯ2と２４８ｎ
ｍ透過率の関係を示す。この様に、残留ＣｅＯ2の多い
サンプルほど損失の多い事が解る。これは、研磨剤であ
るＣｅＯ2が微小クラック部に残留しているためと考え
られる。
まず、光学素子の表面状態を調べた。通常の表面分析方
法、例えばＥＳＣＡ、蛍光Ｘ線分析装置では、感度の点
で問題があり、光学素子表面に付着する不純物の定量は
不可能であった。そのため、全反射蛍光Ｘ線分析装置に
より分析した結果、として、図３にＣｅＯ2と２４８ｎ
ｍ透過率の関係を示す。この様に、残留ＣｅＯ2の多い
サンプルほど損失の多い事が解る。これは、研磨剤であ
るＣｅＯ2が微小クラック部に残留しているためと考え
られる。
【００１０】しかしながら、表面粗さ、ＣｅＯ2の付着
は透過率を下げる要因の一つであるがそれだけではない
こともわかってきた。それは、ＣｅＯ2などの金属不純
物がほとんど検出されず、かつ表面粗さも１ÅＲＭＳ以
下であっても、理論透過率より０．５％以上も透過率が
低いことがあることからも明らかである。そこで本発明
者らは、表面の汚染物はおそらく有機系のガスの吸着に
よるであろうと推測し実験を行った。
は透過率を下げる要因の一つであるがそれだけではない
こともわかってきた。それは、ＣｅＯ2などの金属不純
物がほとんど検出されず、かつ表面粗さも１ÅＲＭＳ以
下であっても、理論透過率より０．５％以上も透過率が
低いことがあることからも明らかである。そこで本発明
者らは、表面の汚染物はおそらく有機系のガスの吸着に
よるであろうと推測し実験を行った。
【００１１】まず、ＣｅＯ2（Ｃｅ：５０×１０10ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ2以下）などの金属不純物がほとんど検出
されず、とくにかつ表面粗さも１ÅＲＭＳ以下で１９
３．４ｎｍ透過率９０．５５％の光学素子（φ６０×１
０ｍｍ）を、数日間にわたりクリーンルーム内で保管後
表面にパーティクルが実質的に存在しないことを確認後
透過率を測定した。１９３．４ｎｍの透過率は約２４Ｈ
ｒで９０．１３％に、さらに２日後には、８９．９２％
にまで低下していた。
ｏｍｓ／ｃｍ2以下）などの金属不純物がほとんど検出
されず、とくにかつ表面粗さも１ÅＲＭＳ以下で１９
３．４ｎｍ透過率９０．５５％の光学素子（φ６０×１
０ｍｍ）を、数日間にわたりクリーンルーム内で保管後
表面にパーティクルが実質的に存在しないことを確認後
透過率を測定した。１９３．４ｎｍの透過率は約２４Ｈ
ｒで９０．１３％に、さらに２日後には、８９．９２％
にまで低下していた。
【００１２】このサンプルの、表面には、保管前と後
で、表面に存在する金属不純物に優位さは確認できなか
った。これらの実験から、本発明者らは、表面に付着す
る有機系の不純物であると推測した。ただし、仮にその
汚れが有機系であり、洗浄にて除去したとしても、使用
中に再付着し、光学素子の透過率低下の原因となる可能
性がある。
で、表面に存在する金属不純物に優位さは確認できなか
った。これらの実験から、本発明者らは、表面に付着す
る有機系の不純物であると推測した。ただし、仮にその
汚れが有機系であり、洗浄にて除去したとしても、使用
中に再付着し、光学素子の透過率低下の原因となる可能
性がある。
【００１３】これらの問題点を、解決しないことには、
光リソグラフィ−用の光学素子の要求仕様を満たすこと
ができない。そこで、本発明は、表面に有機系不純物が
存在せず、かつ有機系ガスの吸着が実質的にないことを
特徴とする紫外用光学素子を提供する。本発明者らは、
有機系の不純物の付着に関して、さらに実験を行った。
光リソグラフィ−用の光学素子の要求仕様を満たすこと
ができない。そこで、本発明は、表面に有機系不純物が
存在せず、かつ有機系ガスの吸着が実質的にないことを
特徴とする紫外用光学素子を提供する。本発明者らは、
有機系の不純物の付着に関して、さらに実験を行った。
【００１４】上述のクリ−ンル−ム内で保管する実験を
行ったサンプルについて、昇温脱離ガス分析装置で、Ｈ
2Ｏ、炭化水素に相当する質量数のピ−クを分析を行っ
た。その結果、クリ−ンル−ム内の保持時間が増えるこ
とで、Ｈ2Ｏ、炭化水素が増えることを確認した。これ
は、透過率低下の原因が、表面金属不純物と共に有機系
の不純物が関与していることがわかる。また、特に有機
系の不純物の付着は、クリ−ンル−ムといえども建材な
どから放出される雰囲気中のガス状有機物が問題とな
る。
行ったサンプルについて、昇温脱離ガス分析装置で、Ｈ
2Ｏ、炭化水素に相当する質量数のピ−クを分析を行っ
た。その結果、クリ−ンル−ム内の保持時間が増えるこ
とで、Ｈ2Ｏ、炭化水素が増えることを確認した。これ
は、透過率低下の原因が、表面金属不純物と共に有機系
の不純物が関与していることがわかる。また、特に有機
系の不純物の付着は、クリ−ンル−ムといえども建材な
どから放出される雰囲気中のガス状有機物が問題とな
る。
【００１５】本発明者らは、さらに、様々な洗浄法をた
めし、透過率測定、不純物分析等の表面分析を行った
処、酸処理したサンプルを長時間保管しても、透過率が
低下せず、表面に有機系の汚れが付着しづらい事を見出
した。これは、例えば、石英ガラスの場合、ガラス表面
の≡Ｓｉ・、≡Ｓｉ−Ｏ・等の表面欠陥をＨＦ処理し、
≡Ｓｉ−Ｈ、≡Ｓｉ−Ｏ−Ｈの様にＨで終端、または≡
Ｓｉ−Ｆ、≡Ｓｉ−Ｏ−Ｆの様にＦで終端する事で、欠
陥を低減し電気的に有機系のガス物質と結合しづらくし
た効果と考える。つまり、物理吸着、化学結合による吸
着を防止することができる。また、ＨＦ処理以外の酸処
理、例えば硫酸と過酸化水素水との１：１混合液でも同
様の効果が得られる。
めし、透過率測定、不純物分析等の表面分析を行った
処、酸処理したサンプルを長時間保管しても、透過率が
低下せず、表面に有機系の汚れが付着しづらい事を見出
した。これは、例えば、石英ガラスの場合、ガラス表面
の≡Ｓｉ・、≡Ｓｉ−Ｏ・等の表面欠陥をＨＦ処理し、
≡Ｓｉ−Ｈ、≡Ｓｉ−Ｏ−Ｈの様にＨで終端、または≡
Ｓｉ−Ｆ、≡Ｓｉ−Ｏ−Ｆの様にＦで終端する事で、欠
陥を低減し電気的に有機系のガス物質と結合しづらくし
た効果と考える。つまり、物理吸着、化学結合による吸
着を防止することができる。また、ＨＦ処理以外の酸処
理、例えば硫酸と過酸化水素水との１：１混合液でも同
様の効果が得られる。
【００１６】さらに、熱処理による表面の脱ガス効果を
調べた。その結果、ＨＦ処理前後に熱処理を行うことで
さらに付着物を防止する効果がみられた。ただし、熱処
理の際の雰囲気は、実質上金属不純物が存在せず、有機
系のガスが存在しないことが必要である。また、ＨＦ処
理前の熱処理では、１００℃以上で処理しないと効果が
得られず、９００℃以上では、熱変形が起こり、表面結
晶化（失透）する可能性があるので望ましくない。ま
た、ＨＦ処理後の熱処理においても、１０００℃以上で
熱処理すると、終端された≡Ｓｉ−Ｈ、≡Ｓｉ−Ｏ−Ｈ
構造が反応によりＨ2Ｏとして、または終端された≡Ｓ
ｉ−Ｆ、≡Ｓｉ−Ｏ−Ｆ構造が反応によりＨＦ、あるい
はＦ2として放出され、再び表面欠陥を生成する事があ
る。
調べた。その結果、ＨＦ処理前後に熱処理を行うことで
さらに付着物を防止する効果がみられた。ただし、熱処
理の際の雰囲気は、実質上金属不純物が存在せず、有機
系のガスが存在しないことが必要である。また、ＨＦ処
理前の熱処理では、１００℃以上で処理しないと効果が
得られず、９００℃以上では、熱変形が起こり、表面結
晶化（失透）する可能性があるので望ましくない。ま
た、ＨＦ処理後の熱処理においても、１０００℃以上で
熱処理すると、終端された≡Ｓｉ−Ｈ、≡Ｓｉ−Ｏ−Ｈ
構造が反応によりＨ2Ｏとして、または終端された≡Ｓ
ｉ−Ｆ、≡Ｓｉ−Ｏ−Ｆ構造が反応によりＨＦ、あるい
はＦ2として放出され、再び表面欠陥を生成する事があ
る。
【００１７】そこで、本発明は、光学素材の表面をＨＦ
処理する前、またはＨＦ処理後、１００℃以上１０００
℃以下の温度で熱処理することを特徴とする紫外用光学
素子の製造方法を提供する。なお、熱処理時の上限温度
は、光学素子の材料によって好適な範囲が示される。
処理する前、またはＨＦ処理後、１００℃以上１０００
℃以下の温度で熱処理することを特徴とする紫外用光学
素子の製造方法を提供する。なお、熱処理時の上限温度
は、光学素子の材料によって好適な範囲が示される。
【００１８】例えば、石英ガラスの場合、５００℃より
高い温度では、石英ガラスが変形する恐れがあり、５０
０℃以下であることが好ましい。また、蛍石の場合、３
００℃より高い温度では、クラックが入る恐れがあるた
め、３００℃以下であることが好ましい。さらに、多成
分系の光学ガラスの場合、組成により異なるが、４００
℃より高い温度では変形する恐れがあり、４００℃以下
であることが好ましい。
高い温度では、石英ガラスが変形する恐れがあり、５０
０℃以下であることが好ましい。また、蛍石の場合、３
００℃より高い温度では、クラックが入る恐れがあるた
め、３００℃以下であることが好ましい。さらに、多成
分系の光学ガラスの場合、組成により異なるが、４００
℃より高い温度では変形する恐れがあり、４００℃以下
であることが好ましい。
【００１９】なお、光学素材の研磨、洗浄工程の後、薄
膜形成工程を経るような光学素子の製造方法の場合に
は、その工程が熱処理を兼用することも可能である。こ
の場合も、処理温度が上記の範囲内が好ましい。また、
実際に紫外用光学素子として使用する場合には、有機系
不純物だけでなく、研磨表面の微小クラック部に存在す
ると考えられる金属不純物の除去についても検討しなけ
ればならない。そこで、ＣｅＯ2等の通常使用する研磨
剤で所定の曲面及び平面を形成後、仕上げ研磨として、
ＳｉＯ2微粒子で表面一層を研磨することで金属不純物
の付着を防止できる。
膜形成工程を経るような光学素子の製造方法の場合に
は、その工程が熱処理を兼用することも可能である。こ
の場合も、処理温度が上記の範囲内が好ましい。また、
実際に紫外用光学素子として使用する場合には、有機系
不純物だけでなく、研磨表面の微小クラック部に存在す
ると考えられる金属不純物の除去についても検討しなけ
ればならない。そこで、ＣｅＯ2等の通常使用する研磨
剤で所定の曲面及び平面を形成後、仕上げ研磨として、
ＳｉＯ2微粒子で表面一層を研磨することで金属不純物
の付着を防止できる。
【００２０】さらに、ＨＦ処理を行って有機系不純物を
精密に洗浄した後でも、光学部品の運搬中などに、表面
に有機系の汚れ、例えば、梱包材や人の手からの汚染物
が付着することがある。これについては、光学素子を光
学系の治具に設置直前に、ＩＰＡ液及びＩＰＡベ−パ乾
燥後、Ｈｇランプを用いたＵＶ洗浄やＫｒＦ、ＡｒＦエ
キシマレ−ザを用いたエキシマクリ−ニングを行うこと
で除去可能であることを見出した。なお、ＨＦ処理、加
熱処理を行っていない光学素子も、これらの洗浄処理に
よって一時的に有機系の汚れは除去されるが、表面の欠
陥により、汚れが再付着する。これを防止するために
は、ＨＦ処理、加熱処理は必須である。
精密に洗浄した後でも、光学部品の運搬中などに、表面
に有機系の汚れ、例えば、梱包材や人の手からの汚染物
が付着することがある。これについては、光学素子を光
学系の治具に設置直前に、ＩＰＡ液及びＩＰＡベ−パ乾
燥後、Ｈｇランプを用いたＵＶ洗浄やＫｒＦ、ＡｒＦエ
キシマレ−ザを用いたエキシマクリ−ニングを行うこと
で除去可能であることを見出した。なお、ＨＦ処理、加
熱処理を行っていない光学素子も、これらの洗浄処理に
よって一時的に有機系の汚れは除去されるが、表面の欠
陥により、汚れが再付着する。これを防止するために
は、ＨＦ処理、加熱処理は必須である。
【００２１】こうして得られた光学素子は、不純物の吸
着がなく、高透過率を達成できるものであるが、上述し
たように表面粗さも表面損失に影響を与えるため、表面
損失０．５％以上を実現するには、表面粗さを１０ÅＲ
ＭＳ以下にすることが好ましい。
着がなく、高透過率を達成できるものであるが、上述し
たように表面粗さも表面損失に影響を与えるため、表面
損失０．５％以上を実現するには、表面粗さを１０ÅＲ
ＭＳ以下にすることが好ましい。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、実施例により、本発明を詳
しく説明する。試料には、光学的に同一の品質の石英ガ
ラスを使用した。サンプル形状は、約φ６０×ｔ１０ｍ
ｍの研磨した平行平板を用いた。その各サンプルの平行
平板の平行度は５±１秒、面精度は３±０．５λ（λ＝
546 nm）である。４５個用意し、以下に示す同一条件で
各３ヶずつ、本発明の光学素子製造法について条件を変
えて、１９３．４ｎｍの透過率を測定し評価した。比較
のため、各処理条件は一定にして行っている。その結果
を、まとめたものを表１．に示した。表中の○印はその
処理を行ったことを示し、×印は行わなかったことを示
す。
しく説明する。試料には、光学的に同一の品質の石英ガ
ラスを使用した。サンプル形状は、約φ６０×ｔ１０ｍ
ｍの研磨した平行平板を用いた。その各サンプルの平行
平板の平行度は５±１秒、面精度は３±０．５λ（λ＝
546 nm）である。４５個用意し、以下に示す同一条件で
各３ヶずつ、本発明の光学素子製造法について条件を変
えて、１９３．４ｎｍの透過率を測定し評価した。比較
のため、各処理条件は一定にして行っている。その結果
を、まとめたものを表１．に示した。表中の○印はその
処理を行ったことを示し、×印は行わなかったことを示
す。
【００２３】
【表１】
【００２４】また、表面粗さはヘテロダイン干渉計をも
ちいた光学式の測定装置で測定し、ÅＲＭＳで示した。
仕上げ研磨は、ＣｅＯ2で研磨後、コロイダルＳｉＯ2微
粒子を使用して研磨を行った。ＨＦ処理は、１０％ＨＦ
水溶液を用い、約１分間光学素子を浸漬後、超純水でリ
ンス処理、ＩＰＡ浸漬、ＩＰＡベーパ乾燥を行ってい
る。加熱処理は、実質的に金属不純物、有機系ガスのな
いクリーンな雰囲気で、約２００℃で１０分間処理を行
った。ＵＶ処理は、運搬時の影響を排除する目的で行っ
ている。光源としては、Ｈｇランプを用い、１８５ｎ
ｍ、２５４ｎｍの照射強度は、それぞれ１ｍＷ／ｃ
ｍ2、１０ｍＷ／ｃｍ2である。この処理は、ＵＶ光で表
面の極表層の有機物を分解し、１８５ｎｍ輝線で生成し
たオゾン、さらに２５４ｎｍ輝線でオゾンから分解した
活性酸素により、分解した有機物を、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2ガス
として除去する方法である。
ちいた光学式の測定装置で測定し、ÅＲＭＳで示した。
仕上げ研磨は、ＣｅＯ2で研磨後、コロイダルＳｉＯ2微
粒子を使用して研磨を行った。ＨＦ処理は、１０％ＨＦ
水溶液を用い、約１分間光学素子を浸漬後、超純水でリ
ンス処理、ＩＰＡ浸漬、ＩＰＡベーパ乾燥を行ってい
る。加熱処理は、実質的に金属不純物、有機系ガスのな
いクリーンな雰囲気で、約２００℃で１０分間処理を行
った。ＵＶ処理は、運搬時の影響を排除する目的で行っ
ている。光源としては、Ｈｇランプを用い、１８５ｎ
ｍ、２５４ｎｍの照射強度は、それぞれ１ｍＷ／ｃ
ｍ2、１０ｍＷ／ｃｍ2である。この処理は、ＵＶ光で表
面の極表層の有機物を分解し、１８５ｎｍ輝線で生成し
たオゾン、さらに２５４ｎｍ輝線でオゾンから分解した
活性酸素により、分解した有機物を、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2ガス
として除去する方法である。
【００２５】
【実施例１】本発明の光学素子作製法で光学素子Ｉを作
製し、１９３．４ｎｍの内部透過率を測定した。ＵＶ照
射直後は９９．８６％であり、クリ−ンル−ム内に２４
０時間保持後その透過率は、９９．８４％でほとんど低
下しない。この数値は、内部散乱損失を考慮すると、表
面損失は、両面で０．０５％以下である。表面損失が小
さいため、特にエキシマレ−ザリソグラフィ−には適す
る。例えば、ＡｒＦエキシマステッパの光学素子は、照
明レンズ系、投影レンズ系併せて１００点近いが、薄膜
性能に起因する反射損失以外の工程汚染による表面損失
を、光学系全体で約１０％以下にすることができる。こ
れは、単にスル−プットだけでなく、結像性能において
も十分な性能が期待できる数値である。但し、実際に
は、他の損失原因、モニター用光学系、開口絞り等も存
在するため、光学系全体の素るーぷっとは９０％よりも
低い数値となっている。
製し、１９３．４ｎｍの内部透過率を測定した。ＵＶ照
射直後は９９．８６％であり、クリ−ンル−ム内に２４
０時間保持後その透過率は、９９．８４％でほとんど低
下しない。この数値は、内部散乱損失を考慮すると、表
面損失は、両面で０．０５％以下である。表面損失が小
さいため、特にエキシマレ−ザリソグラフィ−には適す
る。例えば、ＡｒＦエキシマステッパの光学素子は、照
明レンズ系、投影レンズ系併せて１００点近いが、薄膜
性能に起因する反射損失以外の工程汚染による表面損失
を、光学系全体で約１０％以下にすることができる。こ
れは、単にスル−プットだけでなく、結像性能において
も十分な性能が期待できる数値である。但し、実際に
は、他の損失原因、モニター用光学系、開口絞り等も存
在するため、光学系全体の素るーぷっとは９０％よりも
低い数値となっている。
【００２６】
【実施例２】実施例１の光学素子Ｉと同一の作製法で、
表面粗さを５ÅＲＭＳに加工した光学素子Ｊ及び表面粗
さを１０ÅＲＭＳに加工した光学素子Ｈを作製した。光
学素子ＪのＵＶ照射直後は９９．８０％であり、クリ−
ンル−ム内に２４０時間保持後その透過率は、９９．８
０％でほとんど低下しない。
表面粗さを５ÅＲＭＳに加工した光学素子Ｊ及び表面粗
さを１０ÅＲＭＳに加工した光学素子Ｈを作製した。光
学素子ＪのＵＶ照射直後は９９．８０％であり、クリ−
ンル−ム内に２４０時間保持後その透過率は、９９．８
０％でほとんど低下しない。
【００２７】光学素子ＨのＵＶ照射直後は９９．７２％
であり、クリ−ンル−ム内に２４０時間保持後その透過
率は、９９．７１％でほとんど低下しない。光学素子
Ｊ、Ｈともに、光学素子Ｉよりやや透過率が低いのは、
表面粗さに起因する、散乱損失が原因と考える。光学素
子Ｊは、内部散乱損失を考慮すると、表面損失は、０．
１％以下である。表面損失が比較的小さいため、特にエ
キシマレ−ザリソグラフィ−には適する。例えば、Ａｒ
Ｆエキシマステッパの光学素子は、照明レンズ系、投影
レンズ系併せて１００点近いが、光学系全体の表面損失
は約１０％である。これは、スル−プットだけでなく、
結像性能においても十分な性能が期待できる数値である
が、これ以上損失が大きくなると性能に悪影響がでる。
望ましくは、表面粗さを、５ÅＲＭＳ以下にする必要が
ある。
であり、クリ−ンル−ム内に２４０時間保持後その透過
率は、９９．７１％でほとんど低下しない。光学素子
Ｊ、Ｈともに、光学素子Ｉよりやや透過率が低いのは、
表面粗さに起因する、散乱損失が原因と考える。光学素
子Ｊは、内部散乱損失を考慮すると、表面損失は、０．
１％以下である。表面損失が比較的小さいため、特にエ
キシマレ−ザリソグラフィ−には適する。例えば、Ａｒ
Ｆエキシマステッパの光学素子は、照明レンズ系、投影
レンズ系併せて１００点近いが、光学系全体の表面損失
は約１０％である。これは、スル−プットだけでなく、
結像性能においても十分な性能が期待できる数値である
が、これ以上損失が大きくなると性能に悪影響がでる。
望ましくは、表面粗さを、５ÅＲＭＳ以下にする必要が
ある。
【００２８】
【実施例３】本発明の光学素子Ｉの作製法に対し、ＨＦ
処理を除いて、光学素子Ｅを作製し、１９３．４ｎｍの
内部透過率を測定した。ＵＶ照射直後は９９．６５％で
あり、クリ−ンル−ム内に２４０時間保持後その透過率
は、９９．２５％であった。ＨＦ処理を行っていないた
め、金属不純物、有機系の不純物の除去及び表面欠陥の
低減が不十分である。
処理を除いて、光学素子Ｅを作製し、１９３．４ｎｍの
内部透過率を測定した。ＵＶ照射直後は９９．６５％で
あり、クリ−ンル−ム内に２４０時間保持後その透過率
は、９９．２５％であった。ＨＦ処理を行っていないた
め、金属不純物、有機系の不純物の除去及び表面欠陥の
低減が不十分である。
【００２９】
【実施例４】本発明の光学素子Ｉの作製法に対し、加熱
処理を除いて、光学素子Ｆを作製し、１９３．４ｎｍの
内部透過率を測定した。ＵＶ照射直後は９９．７６％で
あり、クリ−ンル−ム内に２４０時間保持後その透過率
は、９９．７４％であった。加熱処理を行っていないた
め、有機系の不純物の除去及び表面欠陥の低減がやや不
十分である。
処理を除いて、光学素子Ｆを作製し、１９３．４ｎｍの
内部透過率を測定した。ＵＶ照射直後は９９．７６％で
あり、クリ−ンル−ム内に２４０時間保持後その透過率
は、９９．７４％であった。加熱処理を行っていないた
め、有機系の不純物の除去及び表面欠陥の低減がやや不
十分である。
【００３０】
【実施例５】本発明の光学素子Ｉの作製法に対し、ＵＶ
処理を行わないで、光学素子Ｇを作製し、１９３．４ｎ
ｍの内部透過率を測定した。加工完了後、ＩＰＡ浸漬＋
ＩＰＡベ−パ乾燥直後で９９．８０％であり、クリ−ン
ル−ム内に２４０時間保持後その透過率は、９９．７８
％であった。
処理を行わないで、光学素子Ｇを作製し、１９３．４ｎ
ｍの内部透過率を測定した。加工完了後、ＩＰＡ浸漬＋
ＩＰＡベ−パ乾燥直後で９９．８０％であり、クリ−ン
ル−ム内に２４０時間保持後その透過率は、９９．７８
％であった。
【００３１】光学素子Ｉと比較すると、有機系不純物除
去がやや不十分であるため、若干透過率が低いが、エキ
シマレ−ザリソグラフィ−用としては使用可能である。
去がやや不十分であるため、若干透過率が低いが、エキ
シマレ−ザリソグラフィ−用としては使用可能である。
【００３２】
【実施例６】光学素子Ｇの作製法と同様の手順で、加熱
処理を先に行い、ＨＦ処理を後で行い、１９３．４ｎｍ
の内部透過率を測定した。この光学素子をＧ’と呼ぶ。
加工完了後、ＩＰＡ浸漬＋ＩＰＡベ−パ乾燥直後で９
９．８２％であり、クリ−ンル−ム内に２４０時間保持
後その透過率は、９９．７８％であった。
処理を先に行い、ＨＦ処理を後で行い、１９３．４ｎｍ
の内部透過率を測定した。この光学素子をＧ’と呼ぶ。
加工完了後、ＩＰＡ浸漬＋ＩＰＡベ−パ乾燥直後で９
９．８２％であり、クリ−ンル−ム内に２４０時間保持
後その透過率は、９９．７８％であった。
【００３３】光学素子Ｇ同様、光学素子Ｉと比較する
と、有機系不純物除去ががやや不十分であるため、若干
透過率が低いが、エキシマレ−ザリソグラフィ−用とし
ては使用可能である。
と、有機系不純物除去ががやや不十分であるため、若干
透過率が低いが、エキシマレ−ザリソグラフィ−用とし
ては使用可能である。
【００３４】
【実施例７】光学素子Ｉの作製法で作製されたφ３０×
ｔ３ｍｍの基板を用い、さらに光学素子Ｇの作製法と同
様の手順で、両面反射防止コ−トした光学素子Ｋを作製
した。この場合、コ−ト製膜工程で１５０〜３００℃に
加熱している事で、本発明の加熱工程を代用している。
１９３．４ｎｍの透過率を測定した。加工完了後、ＩＰ
Ａ浸漬＋ＩＰＡベ−パ乾燥直後で９９．８０％であり、
クリ−ンル−ム内に２４０時間保持後その透過率は、９
９．７５％であった。この素子は、反射防止コ−トされ
ているが、設計上片面０．０５％の反射損失を有する。
また、サンプル厚が薄いため、内部吸収／内部散乱をほ
ぼ無視できるため、反射損失以外の表面損失は両面で、
０．１５％である。放置による、損失の増加が基板だけ
の状態よりやや大きいのは、薄膜の表面積が基板表面積
より大な為と推測する。
ｔ３ｍｍの基板を用い、さらに光学素子Ｇの作製法と同
様の手順で、両面反射防止コ−トした光学素子Ｋを作製
した。この場合、コ−ト製膜工程で１５０〜３００℃に
加熱している事で、本発明の加熱工程を代用している。
１９３．４ｎｍの透過率を測定した。加工完了後、ＩＰ
Ａ浸漬＋ＩＰＡベ−パ乾燥直後で９９．８０％であり、
クリ−ンル−ム内に２４０時間保持後その透過率は、９
９．７５％であった。この素子は、反射防止コ−トされ
ているが、設計上片面０．０５％の反射損失を有する。
また、サンプル厚が薄いため、内部吸収／内部散乱をほ
ぼ無視できるため、反射損失以外の表面損失は両面で、
０．１５％である。放置による、損失の増加が基板だけ
の状態よりやや大きいのは、薄膜の表面積が基板表面積
より大な為と推測する。
【００３５】有機系がやや不十分であるため、表面損失
を有するが、エキシマレ−ザリソグラフィ−用としては
使用可能である。
を有するが、エキシマレ−ザリソグラフィ−用としては
使用可能である。
【００３６】
【実施例８】光学素子Ｉの作製法で作製されたφ３０×
ｔ３ｍｍの基板を用い、さらに光学素子Ｇ’の作製法と
同様の手順で、両面反射防止コ−トした光学素子Ｋ’を
作製した。この場合、コ−ト製膜工程で１５０〜３００
℃に加熱している事で、本発明の加熱工程を代用してい
る。１９３．４ｎｍの透過率を測定した。加工完了後、
ＩＰＡ浸漬＋ＩＰＡベ−パ乾燥直後で９９．８０％であ
り、クリ−ンル−ム内に２４０時間保持後その透過率
は、９９．７５％であった。この素子は、反射防止コ−
トされているが、設計上片面０．０５％の反射損失を有
する。また、サンプル厚が薄いため、内部吸収／内部散
乱をほぼ無視できるため、反射損失以外の表面損失は両
面で、０．１５％である。放置による、損失の増加が基
板だけの状態よりやや大きいのは、薄膜の表面積が基板
表面積より大な為と推測する。
ｔ３ｍｍの基板を用い、さらに光学素子Ｇ’の作製法と
同様の手順で、両面反射防止コ−トした光学素子Ｋ’を
作製した。この場合、コ−ト製膜工程で１５０〜３００
℃に加熱している事で、本発明の加熱工程を代用してい
る。１９３．４ｎｍの透過率を測定した。加工完了後、
ＩＰＡ浸漬＋ＩＰＡベ−パ乾燥直後で９９．８０％であ
り、クリ−ンル−ム内に２４０時間保持後その透過率
は、９９．７５％であった。この素子は、反射防止コ−
トされているが、設計上片面０．０５％の反射損失を有
する。また、サンプル厚が薄いため、内部吸収／内部散
乱をほぼ無視できるため、反射損失以外の表面損失は両
面で、０．１５％である。放置による、損失の増加が基
板だけの状態よりやや大きいのは、薄膜の表面積が基板
表面積より大な為と推測する。
【００３７】有機系がやや不十分であるため、表面損失
を有するが、エキシマレ−ザリソグラフィ−用としては
使用可能である。
を有するが、エキシマレ−ザリソグラフィ−用としては
使用可能である。
【００３８】
【実施例９】光学素子Ｉの作製法で作製されたφ３０×
ｔ３ｍｍの基板を用い、さらに光学素子Ｉの作製法と同
様の手順で、両面反射防止コ−トした光学素子Ｌを作製
した。この場合、コ−ト製膜工程で１５０〜３００℃に
加熱している事で、本発明の加熱工程を代用している。
１９３．４ｎｍの透過率を測定した。加工完了後、ＩＰ
Ａ浸漬＋ＩＰＡベ−パ乾燥直後で９９．８５％であり、
クリ−ンル−ム内に２４０時間保持後その透過率は、９
９．８０％であった。この素子は、反射防止コ−トされ
ているが、設計上片面０．０５％の反射損失を有する。
また、サンプル厚が薄いため、内部吸収／内部散乱をほ
ぼ無視できるため、反射損失以外の表面損失は両面で、
０．０５％である。
ｔ３ｍｍの基板を用い、さらに光学素子Ｉの作製法と同
様の手順で、両面反射防止コ−トした光学素子Ｌを作製
した。この場合、コ−ト製膜工程で１５０〜３００℃に
加熱している事で、本発明の加熱工程を代用している。
１９３．４ｎｍの透過率を測定した。加工完了後、ＩＰ
Ａ浸漬＋ＩＰＡベ−パ乾燥直後で９９．８５％であり、
クリ−ンル−ム内に２４０時間保持後その透過率は、９
９．８０％であった。この素子は、反射防止コ−トされ
ているが、設計上片面０．０５％の反射損失を有する。
また、サンプル厚が薄いため、内部吸収／内部散乱をほ
ぼ無視できるため、反射損失以外の表面損失は両面で、
０．０５％である。
【００３９】この表面状態は極めて良好で、表面損失の
値は、非常に低い。エキシマレ−ザリソグラフィ−用と
しては使用可能である。
値は、非常に低い。エキシマレ−ザリソグラフィ−用と
しては使用可能である。
【００４０】
【比較例１】従来の光学素子作製法で光学素子Ａを作製
し、１９３．４ｎｍの内部透過率を測定した。ＵＶ照射
直後は９８．９５％であり、クリ−ンル−ム内に２４０
時間保持後その透過率は、９８．２５％となった。表面
損失が大きいため、特にエキシマレ−ザリソグラフィ−
には不適である。例えば、ＡｒＦエキシマステッパの光
学素子は、照明レンズ系、投影レンズ系併せて１００点
近いため、表面損失だけで全体の透過率は約１７％にな
ってしまう。これでは、単にスル−プットだけでなく、
結像性能にも影響を及ぼす。
し、１９３．４ｎｍの内部透過率を測定した。ＵＶ照射
直後は９８．９５％であり、クリ−ンル−ム内に２４０
時間保持後その透過率は、９８．２５％となった。表面
損失が大きいため、特にエキシマレ−ザリソグラフィ−
には不適である。例えば、ＡｒＦエキシマステッパの光
学素子は、照明レンズ系、投影レンズ系併せて１００点
近いため、表面損失だけで全体の透過率は約１７％にな
ってしまう。これでは、単にスル−プットだけでなく、
結像性能にも影響を及ぼす。
【００４１】
【比較例２】従来の光学素子作製法に加えＨＦ処理のみ
を行った。この光学素子Ｂは、ＵＶ照射直後の１９３．
４ｎｍは、９９．４５％、クリ−ンル−ム内２４０時間
保持後の透過率は９９．３８％であった。ＨＦ処理の効
果で、透過率は良くなるが特に、ＳｉＯ2微粒子仕上げ
研磨を行っていないため、金属不純物が残留していると
考えられる。ＨＦ処理時間を長くすれば、除去可能であ
れば、長時間のＨＦ処理は、表面にキズなどを発生さ
せ、表面粗さの悪化をも招くため、得策ではない。
を行った。この光学素子Ｂは、ＵＶ照射直後の１９３．
４ｎｍは、９９．４５％、クリ−ンル−ム内２４０時間
保持後の透過率は９９．３８％であった。ＨＦ処理の効
果で、透過率は良くなるが特に、ＳｉＯ2微粒子仕上げ
研磨を行っていないため、金属不純物が残留していると
考えられる。ＨＦ処理時間を長くすれば、除去可能であ
れば、長時間のＨＦ処理は、表面にキズなどを発生さ
せ、表面粗さの悪化をも招くため、得策ではない。
【００４２】
【比較例３】従来の光学素子の製造法に加えＳｉＯ2仕
上げ研磨のみを行った。この光学素子Ｃは、ＵＶ照射直
後の１９３．４ｎｍは、９９．５６％、で比較的良好で
あるが、クリ−ンル−ム内２４０時間保持後の透過率は
９９．１５％になってしまう。ＳｉＯ2微粒子仕上げ研
磨の効果で、透過率は良くなるが、特に、ＨＦ処理を行
っていないため、金属不純物、有機系の不純物の除去及
び表面欠陥の低減が不十分である。
上げ研磨のみを行った。この光学素子Ｃは、ＵＶ照射直
後の１９３．４ｎｍは、９９．５６％、で比較的良好で
あるが、クリ−ンル−ム内２４０時間保持後の透過率は
９９．１５％になってしまう。ＳｉＯ2微粒子仕上げ研
磨の効果で、透過率は良くなるが、特に、ＨＦ処理を行
っていないため、金属不純物、有機系の不純物の除去及
び表面欠陥の低減が不十分である。
【００４３】
【比較例４】従来の光学素子の製造法に加え加熱のみを
行った。この光学素子Ｄは、ＵＶ照射直後の１９３．４
ｎｍは、９９．１５％と表面損失が大きく、クリ−ンル
−ム内２４０時間保持後の透過率は９８．５８％になっ
てしまう。加熱処理の効果で、やや透過率は良くなる
が、特に、ＨＦ処理を行っていないため、金属不純物、
有機系の不純物除去及び表面欠陥の低減が不十分であ
る。
行った。この光学素子Ｄは、ＵＶ照射直後の１９３．４
ｎｍは、９９．１５％と表面損失が大きく、クリ−ンル
−ム内２４０時間保持後の透過率は９８．５８％になっ
てしまう。加熱処理の効果で、やや透過率は良くなる
が、特に、ＨＦ処理を行っていないため、金属不純物、
有機系の不純物除去及び表面欠陥の低減が不十分であ
る。
【００４４】
【発明の効果】本発明による光学素子作製方法により、
表面損失を低減した光リソグラフィ−用光学素子の製造
が可能となった。本発明は、特に、３００ｎｍ以下の紫
外域の光源を使用する、ＫｒＦ、ＡｒＦエキシマレ−ザ
−ステッパ用の照明系、及び投影レンズの性能を向上す
るために必須の技術である。
表面損失を低減した光リソグラフィ−用光学素子の製造
が可能となった。本発明は、特に、３００ｎｍ以下の紫
外域の光源を使用する、ＫｒＦ、ＡｒＦエキシマレ−ザ
−ステッパ用の照明系、及び投影レンズの性能を向上す
るために必須の技術である。
【図１】 表面粗さと透過率（２４８．３ｎｍ）の関係
をプロットしたグラフである。
をプロットしたグラフである。
【図２】 表面粗さと透過率（１９３．４ｎｍ）の関係
をプロットしたグラフである。
をプロットしたグラフである。
【図３】 セリウム不純物と透過率（２４８．３ｎｍ）
の関係をプロットしたグラフである。
の関係をプロットしたグラフである。
Claims (11)
- 【請求項１】４００ｎｍ以下の特定波長で用いられる紫
外用光学素子において、使用する特定波長での内部透過
率が９９．５％以上であり、光が入射する表面及び出射
する表面に有機系不純物が存在せず、かつ有機系ガスの
吸着が実質的にないことを特徴とする紫外用光学素子。 - 【請求項２】請求項１に記載の紫外用光学素子におい
て、該光学素子が高純度合成石英ガラス材料からなるこ
とを特徴とする紫外用光学素子。 - 【請求項３】請求項１に記載の紫外用光学素子におい
て、前記光が入射する表面及び出射する表面の表面粗さ
が１０Å以下であることを特徴とする紫外用光学素子。 - 【請求項４】４００ｎｍ以下の特定波長で用いられる紫
外用光学素子の製造方法において、素材から光学素子を
切り出す工程と、前記切り出された光学素子の光が入射
する表面及び出射する表面を研磨する工程と、前記２面
を研磨した光学素子を１００℃以上９００℃以下の温度
で熱処理する工程と、前記熱処理した光学素子の前記研
磨した２面を酸処理する工程と、を有することを特徴と
する紫外用光学素子の製造方法。 - 【請求項５】請求項４に記載の紫外用光学素子の製造方
法において、前記酸処理がフッ酸処理であるであること
を特徴とする紫外用光学素子の製造方法。 - 【請求項６】請求項４に記載の紫外用光学素子の製造方
法において、前記素材が合成石英ガラスからなり、前記
熱処理の温度が１００℃以上５００℃以下であることを
特徴とする紫外用光学素子の製造方法。 - 【請求項７】請求項４に記載の紫外用光学素子の製造方
法において、前記酸処理の後に、光学素子をＵＶ処理す
る工程をさらに有することを特徴とする紫外用光学素子
の製造方法。 - 【請求項８】４００ｎｍ以下の特定波長で用いられる紫
外用光学素子の製造方法において、素材から光学素子を
切り出す工程と、前記切り出された光学素子の光が入射
する表面及び出射する表面を研磨する工程と、前記光学
素子の研磨した２面を酸処理する工程と、前記酸処理し
た光学素子を１００℃以上９００℃以下の温度で熱処理
する工程と、を有することを特徴とする紫外用光学素子
の製造方法。 - 【請求項９】請求項８に記載の紫外用光学素子の製造方
法において、前記酸処理がフッ酸処理であることを特徴
とする紫外用光学素子の製造方法。 - 【請求項１０】請求項８に記載の紫外用光学素子の製造
方法において、前記素材が合成石英ガラスからなり、前
記熱処理の温度が１００℃以上５００℃以下であること
を特徴とする紫外用光学素子の製造方法。 - 【請求項１１】請求項８に記載の紫外用光学素子の製造
方法において、前記熱処理の後に、光学素子をＵＶ処理
する工程をさらに有することを特徴とする紫外用光学素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26524297A JP4032462B2 (ja) | 1996-09-30 | 1997-09-30 | 紫外用光学素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25994896 | 1996-09-30 | ||
| JP8-259948 | 1996-09-30 | ||
| JP26524297A JP4032462B2 (ja) | 1996-09-30 | 1997-09-30 | 紫外用光学素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007177847A Division JP4650460B2 (ja) | 1996-09-30 | 2007-07-06 | 紫外用光学素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10158035A true JPH10158035A (ja) | 1998-06-16 |
| JP4032462B2 JP4032462B2 (ja) | 2008-01-16 |
Family
ID=26544373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26524297A Expired - Lifetime JP4032462B2 (ja) | 1996-09-30 | 1997-09-30 | 紫外用光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4032462B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004050266A1 (ja) | 2002-12-03 | 2004-06-17 | Nikon Corporation | 汚染物質除去方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
| JP2011170092A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Fujifilm Corp | 光学素子及び光学素子製造方法 |
| JP2017216389A (ja) * | 2016-06-01 | 2017-12-07 | 信越石英株式会社 | 紫外線ｓｍｄ型ｌｅｄ素子の気密封止用シリカガラス部材 |
| WO2017208855A1 (ja) * | 2016-06-01 | 2017-12-07 | 信越石英株式会社 | 紫外線ｓｍｄ型ｌｅｄ素子の気密封止用シリカガラス部材及び紫外線ｌｅｄ用石英ガラス部材の製造方法 |
| CN107689412A (zh) * | 2016-08-03 | 2018-02-13 | 信越化学工业株式会社 | 用于光学装置封装体的窗构件，光学装置封装体，制造方法和光学装置可安装封装体 |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP26524297A patent/JP4032462B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| EP1586386A4 (en) * | 2002-12-03 | 2010-04-21 | Nikon Corp | METHOD AND DEVICE FOR REMOVING CONTAMINATION AND EXPOSURE METHOD AND DEVICE |
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