JP2003238208A - 光学素子材料の洗浄方法、及び該光学素子材料による光学素子の製造方法、光学素子、該光学素子を有する光学系、光学機器、露光装置、デバイス製造方法 - Google Patents
光学素子材料の洗浄方法、及び該光学素子材料による光学素子の製造方法、光学素子、該光学素子を有する光学系、光学機器、露光装置、デバイス製造方法Info
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- JP2003238208A JP2003238208A JP2002034648A JP2002034648A JP2003238208A JP 2003238208 A JP2003238208 A JP 2003238208A JP 2002034648 A JP2002034648 A JP 2002034648A JP 2002034648 A JP2002034648 A JP 2002034648A JP 2003238208 A JP2003238208 A JP 2003238208A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】洗浄される光学素子材料の全面を均一に洗浄す
ることができ、光学特性を向上させることが可能となる
光学素子材料の洗浄方法、及び該光学素子材料による光
学素子の製造方法、光学素子、該光学素子を有する光学
系、光学機器、露光装置、デバイス製造方法を提供す
る。 【解決手段】光学素子材料を洗浄機内で洗浄する光学素
子材料の洗浄方法において、前記洗浄機内に酸性ガスを
導入し、前記光学素子材料を酸性ガス雰囲気中で洗浄す
る。
ることができ、光学特性を向上させることが可能となる
光学素子材料の洗浄方法、及び該光学素子材料による光
学素子の製造方法、光学素子、該光学素子を有する光学
系、光学機器、露光装置、デバイス製造方法を提供す
る。 【解決手段】光学素子材料を洗浄機内で洗浄する光学素
子材料の洗浄方法において、前記洗浄機内に酸性ガスを
導入し、前記光学素子材料を酸性ガス雰囲気中で洗浄す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学素子材料の洗
浄方法、及び該光学素子材料による光学素子の製造方
法、光学素子、該光学素子を有する光学系、光学機器、
露光装置、デバイス製造方法に関するものである。
浄方法、及び該光学素子材料による光学素子の製造方
法、光学素子、該光学素子を有する光学系、光学機器、
露光装置、デバイス製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ここ数年来、ステッパーとよばれる半導
体露光装置が集積回路の微細パターンを露光・転写する
技術に用いられている。これらの露光光源は、ＬＳＩの
高集積化に伴い、ｉ線（３６５ｎｍ）から、ＫｒＦ（２
４８ｎｍ）、さらにはＡｒＦ（１９３ｎｍ）エキシマレ
ーザーへと短波長化が進んでいる。それらステッパーに
用いられる光学材料は、より透過率の良い合成石英硝子
や蛍石を使用することが提案されている。また、このス
テッパーに搭載されるレンズ枚数は多数であり、１枚あ
たりの透過率損失が小さくても、多数のレンズを組み合
わせることで、大きな透過率損失を引き起こし、照射面
での光量低下を引き起こす。従って、光学材料の透過率
の低損失化が必須の課題である。従来、光学素子等の洗
浄形態として、たとえば特開平０９−１５５３０９号公
報に記載のようなものがある。
体露光装置が集積回路の微細パターンを露光・転写する
技術に用いられている。これらの露光光源は、ＬＳＩの
高集積化に伴い、ｉ線（３６５ｎｍ）から、ＫｒＦ（２
４８ｎｍ）、さらにはＡｒＦ（１９３ｎｍ）エキシマレ
ーザーへと短波長化が進んでいる。それらステッパーに
用いられる光学材料は、より透過率の良い合成石英硝子
や蛍石を使用することが提案されている。また、このス
テッパーに搭載されるレンズ枚数は多数であり、１枚あ
たりの透過率損失が小さくても、多数のレンズを組み合
わせることで、大きな透過率損失を引き起こし、照射面
での光量低下を引き起こす。従って、光学材料の透過率
の低損失化が必須の課題である。従来、光学素子等の洗
浄形態として、たとえば特開平０９−１５５３０９号公
報に記載のようなものがある。
【０００３】上記特開平０９−１５５３０９号公報に記
載の洗浄方法は、有機溶剤または、水系洗剤を用い光学
素子を洗浄し、その工程を経た後、水に浸透させ、上記
有機溶剤および、水系洗剤をすすぐ行程を有し、かつ、
その後、親水性溶剤を用い水分を置換させ、さらには親
水性溶剤を除去するため非親水性溶剤に浸して洗浄する
ものである。
載の洗浄方法は、有機溶剤または、水系洗剤を用い光学
素子を洗浄し、その工程を経た後、水に浸透させ、上記
有機溶剤および、水系洗剤をすすぐ行程を有し、かつ、
その後、親水性溶剤を用い水分を置換させ、さらには親
水性溶剤を除去するため非親水性溶剤に浸して洗浄する
ものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平０９−１５５３０９号公報に記載の洗浄方法では、
たとえばＡｒＦエキシマレーザー波長である１９３ｎｍ
での合成石英基板の透過率が満足のいく値がでず、この
ままステッパーに搭載されるレンズとしては難しい結果
を得た。また、特開平１０−１５８０３５号公報等に記
載の洗浄方法においても、加熱後に紫外線照射をするだ
けの洗浄方法しか開示されていない。
開平０９−１５５３０９号公報に記載の洗浄方法では、
たとえばＡｒＦエキシマレーザー波長である１９３ｎｍ
での合成石英基板の透過率が満足のいく値がでず、この
ままステッパーに搭載されるレンズとしては難しい結果
を得た。また、特開平１０−１５８０３５号公報等に記
載の洗浄方法においても、加熱後に紫外線照射をするだ
けの洗浄方法しか開示されていない。
【０００５】ところで、光学素子に用いられる基材の透
過率は、表面の状態により敏感に変動する。通常、大気
中にこれらの光学素子に用いられる基材を放置しておく
と大気中の有機成分と思われる付着物が表面にだんだん
付着していき、光学特性を変動させていく。特に透過率
は変動傾向が大きく、これらの付着物により透過率が落
ちる結果も得ている。これらの減少はとくに紫外光域に
顕著に現れる。これらの変動がおきるとステッパーなど
の光学機器が所望の性能を得られない等の問題があっ
た。また、上記に記載したようにステッパーに搭載され
るレンズは、透過率損失ができる限り小さいものが要求
されており、上記洗浄方法ではわずかな有機物の残さ
や、有機溶剤の残さが残るため、使用される硝材の特性
が微妙に劣っていた。
過率は、表面の状態により敏感に変動する。通常、大気
中にこれらの光学素子に用いられる基材を放置しておく
と大気中の有機成分と思われる付着物が表面にだんだん
付着していき、光学特性を変動させていく。特に透過率
は変動傾向が大きく、これらの付着物により透過率が落
ちる結果も得ている。これらの減少はとくに紫外光域に
顕著に現れる。これらの変動がおきるとステッパーなど
の光学機器が所望の性能を得られない等の問題があっ
た。また、上記に記載したようにステッパーに搭載され
るレンズは、透過率損失ができる限り小さいものが要求
されており、上記洗浄方法ではわずかな有機物の残さ
や、有機溶剤の残さが残るため、使用される硝材の特性
が微妙に劣っていた。
【０００６】そこで、本発明は、上記課題を解決し、洗
浄される光学素子材料の全面を均一に洗浄することがで
き、光学特性を向上させることが可能となる光学素子材
料の洗浄方法、及び該光学素子材料による光学素子の製
造方法、光学素子、該光学素子を有する光学系、光学機
器、露光装置、デバイス製造方法を提供することを目的
とするものである。
浄される光学素子材料の全面を均一に洗浄することがで
き、光学特性を向上させることが可能となる光学素子材
料の洗浄方法、及び該光学素子材料による光学素子の製
造方法、光学素子、該光学素子を有する光学系、光学機
器、露光装置、デバイス製造方法を提供することを目的
とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するために、次の（１）〜（１１）のように構成した
光学素子材料の洗浄方法、及び該光学素子材料による光
学素子の製造方法、光学素子、該光学素子を有する光学
系、光学機器、露光装置、デバイス製造方法を提供する
ものである。 （１）光学素子材料を洗浄機内で洗浄する光学素子材料
の洗浄方法において、前記洗浄機内に酸性ガスを導入
し、前記光学素子材料を酸性ガス雰囲気中で洗浄するこ
とを特徴とする光学素子材料の洗浄方法。 （２）前記酸性ガスは、前記洗浄機内を一度減圧させて
から該洗浄機内に導入されることを特徴とする上記
（１）に記載の光学素子材料の洗浄方法。 （３）前記光学素子材料が、４００ｎｍ以下の波長域に
用いられる光学素子材料であることを特徴とする上記
（１）または上記（２）に記載の光学素子材料の洗浄方
法。 （４）前記光学素子材料が、ＳｉＯ2，ＣａＦ2であるこ
とを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかに記載の
光学素子材料の洗浄方法。 （５）前記洗浄機内に洗浄ガスを導入し、光学素子材料
を洗浄する前処理として、有機溶剤にて洗浄を行うこと
を特徴とする上記（１）〜（４）のいずれかに記載の光
学素子材料の洗浄方法。 （６）上記（１）〜（５）のいずれかに記載の光学素子
材料の洗浄方法により洗浄された光学素子材料を用いて
光学素子を製造することを特徴とする光学素子の製造方
法。 （７）上記（６）に記載の光学素子の製造方法によって
製造された光学素子。 （８）上記（７）に記載の光学素子を有することを特徴
とする光学系。 （９）上記（８）に記載の光学系を有することを特徴と
する光学機器。 （１０）上記（８）に記載の光学系を有することを特徴
とする露光装置。 （１１）上記（１０）に記載の露光装置を用いてデバイ
スを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
成するために、次の（１）〜（１１）のように構成した
光学素子材料の洗浄方法、及び該光学素子材料による光
学素子の製造方法、光学素子、該光学素子を有する光学
系、光学機器、露光装置、デバイス製造方法を提供する
ものである。 （１）光学素子材料を洗浄機内で洗浄する光学素子材料
の洗浄方法において、前記洗浄機内に酸性ガスを導入
し、前記光学素子材料を酸性ガス雰囲気中で洗浄するこ
とを特徴とする光学素子材料の洗浄方法。 （２）前記酸性ガスは、前記洗浄機内を一度減圧させて
から該洗浄機内に導入されることを特徴とする上記
（１）に記載の光学素子材料の洗浄方法。 （３）前記光学素子材料が、４００ｎｍ以下の波長域に
用いられる光学素子材料であることを特徴とする上記
（１）または上記（２）に記載の光学素子材料の洗浄方
法。 （４）前記光学素子材料が、ＳｉＯ2，ＣａＦ2であるこ
とを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかに記載の
光学素子材料の洗浄方法。 （５）前記洗浄機内に洗浄ガスを導入し、光学素子材料
を洗浄する前処理として、有機溶剤にて洗浄を行うこと
を特徴とする上記（１）〜（４）のいずれかに記載の光
学素子材料の洗浄方法。 （６）上記（１）〜（５）のいずれかに記載の光学素子
材料の洗浄方法により洗浄された光学素子材料を用いて
光学素子を製造することを特徴とする光学素子の製造方
法。 （７）上記（６）に記載の光学素子の製造方法によって
製造された光学素子。 （８）上記（７）に記載の光学素子を有することを特徴
とする光学系。 （９）上記（８）に記載の光学系を有することを特徴と
する光学機器。 （１０）上記（８）に記載の光学系を有することを特徴
とする露光装置。 （１１）上記（１０）に記載の露光装置を用いてデバイ
スを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【０００８】
【発明の実施の形態】上記光学素子材料の洗浄方法を適
用し、洗浄剤として気体成分を用いることで、洗浄され
る被処理基体全面に均一に基体が分散するため、場所に
よっての透過率ギャップなどを防止することも可能とな
る。さらには、洗浄機内を一度減圧にしたのちに洗浄プ
ロセスを行うことで、洗浄機内の汚染物を一度排気する
ことが可能となり洗浄効果が上がることも期待できる。
用し、洗浄剤として気体成分を用いることで、洗浄され
る被処理基体全面に均一に基体が分散するため、場所に
よっての透過率ギャップなどを防止することも可能とな
る。さらには、洗浄機内を一度減圧にしたのちに洗浄プ
ロセスを行うことで、洗浄機内の汚染物を一度排気する
ことが可能となり洗浄効果が上がることも期待できる。
【０００９】
【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。
［実施例１］両面を研磨した平行な２面を持つ厚さ２ｍ
ｍ径４０ｍｍの合成石英ガラス基板を、洗浄を行わずに
真空紫外分光特性測定器を用い紫外光領域の波長の透過
率を測定した。その結果を図２のに示した。比較のた
め、石英の内部光吸収を考慮しない条件での理論透過率
の値も併記した。結果、理論的な透過率に比べ、合成
石英基板表面上に残る残さが原因と思われる紫外光領域
での透過率の悪化が引き起こることがわかった。
ｍ径４０ｍｍの合成石英ガラス基板を、洗浄を行わずに
真空紫外分光特性測定器を用い紫外光領域の波長の透過
率を測定した。その結果を図２のに示した。比較のた
め、石英の内部光吸収を考慮しない条件での理論透過率
の値も併記した。結果、理論的な透過率に比べ、合成
石英基板表面上に残る残さが原因と思われる紫外光領域
での透過率の悪化が引き起こることがわかった。
【００１０】また、上記で用いた合成石英基板を体積割
合でアルコール１に対してエーテル９の割合で混合した
有機洗浄剤を用いて表面を洗浄し、上記と同様の測定器
を用いて測定した結果が図２のである。この結果、有
機洗浄剤洗浄を用いることで、紫外光領域での透過率改
善効果を確認することが可能であるが、理論透過率に比
べ、若干の表面の汚れや残さが原因であると思われる透
過率の値を示しており、さらに改善すべき見地を得た。
合でアルコール１に対してエーテル９の割合で混合した
有機洗浄剤を用いて表面を洗浄し、上記と同様の測定器
を用いて測定した結果が図２のである。この結果、有
機洗浄剤洗浄を用いることで、紫外光領域での透過率改
善効果を確認することが可能であるが、理論透過率に比
べ、若干の表面の汚れや残さが原因であると思われる透
過率の値を示しており、さらに改善すべき見地を得た。
【００１１】そこで、本発明者は、上記記載の残さや汚
れを排除するために、図１記載の簡易的な洗浄装置を用
い、弗化水素を１００ｓｃｃｍで１５分間の条件で流
し、その後５分間、Ｎ2ガスを用いて容器内をパージし
て洗浄を行った。その後、上記で洗浄された合成石英硝
子基板を上記と同様な測定器にて評価したところ、理論
透過率とほぼ同等の値をしめした。この結果も図２に
示した。
れを排除するために、図１記載の簡易的な洗浄装置を用
い、弗化水素を１００ｓｃｃｍで１５分間の条件で流
し、その後５分間、Ｎ2ガスを用いて容器内をパージし
て洗浄を行った。その後、上記で洗浄された合成石英硝
子基板を上記と同様な測定器にて評価したところ、理論
透過率とほぼ同等の値をしめした。この結果も図２に
示した。
【００１２】ＨＦガス洗浄を用いることで合成石英基板
表面を数Å−数＋Åの値でエッチングされると思われ、
表面残さおよび汚れを排除しほぼ理論透過率のでる合成
石英基板の洗浄が可能となった。また、それぞれの条件
での半導体露光装置で用いられる波長であるＫｒＦ（２
４８ｎｍ）およびＡｒＦ（１９３ｎｍ）での透過率の値
を図２に記載した。以上の検討により、弗化水素ガスを
用いて合成石英ガラスを洗浄することで、以前より格段
に透過率向上が達成された。
表面を数Å−数＋Åの値でエッチングされると思われ、
表面残さおよび汚れを排除しほぼ理論透過率のでる合成
石英基板の洗浄が可能となった。また、それぞれの条件
での半導体露光装置で用いられる波長であるＫｒＦ（２
４８ｎｍ）およびＡｒＦ（１９３ｎｍ）での透過率の値
を図２に記載した。以上の検討により、弗化水素ガスを
用いて合成石英ガラスを洗浄することで、以前より格段
に透過率向上が達成された。
【００１３】［実施例２］両面を研磨した平行な２面を
持つ厚さ２ｍｍ径４０ｍｍの合成石英ガラス基板を３ヶ
月間の間、有機洗浄剤（体積割合でアルコール１に対し
てエーテル９の割合で混合した有機洗浄剤）で洗浄後、
真空紫外光領域分光測定器で測定後、一般大気環境下で
放置した。放置期間終了後次の順序（１．放置後即、
２．再度有機溶剤洗浄、３．弗化水素ガス洗浄（実施例
１の条件）。）でサンプルの透過率を測定した。この測
定結果を図３に示した。
持つ厚さ２ｍｍ径４０ｍｍの合成石英ガラス基板を３ヶ
月間の間、有機洗浄剤（体積割合でアルコール１に対し
てエーテル９の割合で混合した有機洗浄剤）で洗浄後、
真空紫外光領域分光測定器で測定後、一般大気環境下で
放置した。放置期間終了後次の順序（１．放置後即、
２．再度有機溶剤洗浄、３．弗化水素ガス洗浄（実施例
１の条件）。）でサンプルの透過率を測定した。この測
定結果を図３に示した。
【００１４】図３より初期状態図３（有機溶剤洗浄
後）の透過率は、３ヶ月放置することにより図３に示
すように、大気中雰囲気に放置することで、大気中の有
機物汚染がメインと考えられる汚染により透過率が悪化
する結果を得た。そこで、その汚染物を除去する目的
で、再度、その合成石英硝子基板を有機溶剤洗浄を行っ
たところ、図３にくらべ、洗浄効果が確認でき図３
に示すように透過率が回復した。しかし、初期（放置
前）の透過率値まで透過率が戻ることはなかった。
後）の透過率は、３ヶ月放置することにより図３に示
すように、大気中雰囲気に放置することで、大気中の有
機物汚染がメインと考えられる汚染により透過率が悪化
する結果を得た。そこで、その汚染物を除去する目的
で、再度、その合成石英硝子基板を有機溶剤洗浄を行っ
たところ、図３にくらべ、洗浄効果が確認でき図３
に示すように透過率が回復した。しかし、初期（放置
前）の透過率値まで透過率が戻ることはなかった。
【００１５】これは、有機溶剤では落ちきらない合成石
英基板表面の汚れ、および有機溶剤洗浄で残る表面の汚
染残さが原因と思われる。そこで、表面に強い力で吸着
や結合している汚染物を除去するために、弗化水素ガス
を用い実施例１と同様に洗浄を行った。その結果、図３
に示すように、透過率が初期の有機溶剤で洗浄した条
件以上に回復した。比較のため、図３に光吸収を考慮
しない場合の硝材の透過率を示した。回復度合いは、放
置による汚染物除去だけでなく、放置前の合成石英硝子
の透過率より良いことから、初期洗浄（有機溶剤）では
取りきれなかった汚染物が本発明の弗化水素ガスを用い
る洗浄でエッチングされてとれたとおもわれる。以上本
発明の弗化水素ガス洗浄を用いることで、特に合成石英
硝子の透過率を向上させることができる。 ［実施例３］実施例２と同様に両面を研磨した平行な２
面を持つ厚さ２ｍｍ径３０ｍｍの合成蛍石ガラス基板を
３ヶ月間の間、有機洗浄剤（体積割合でアルコール１に
対してエーテル９の割合で混合した有機洗浄剤）で洗浄
後、真空紫外光領域分光測定器で測定後、一般大気環境
下で放置した。放置期間終了後次の順序（１．放置後
即、２．再度有機溶剤洗浄、３．弗化水素ガス洗浄（実
施例１の条件）。）でサンプルの透過率を測定した。こ
の測定結果を図４に示した。図４より初期状態図４
（有機溶剤洗浄後）の透過率は、３ヶ月放置することに
より図４に示すように、大気中雰囲気に放置すること
で、大気中の有機物汚染がメインと考えられる汚染によ
り実施例２と同様に透過率が悪化する結果を得た。そこ
で、その汚染物を除去し、光学素子として光損失を低減
する目的で、再度、その合成蛍石硝子基板を有機溶剤洗
浄を行ったところ、図４にくらべ、洗浄効果が確認で
き図４に示すように透過率が回復した。しかし、初期
（放置前）の透過率値まで透過率が戻ることはなかっ
た。これは、有機溶剤では落ちきらない合成蛍石基板表
面の汚れ、および有機溶剤洗浄で残る表面の汚染残さが
原因と考えられる。そこで、表面に強い力で吸着や結合
している汚染物を除去するために、弗化水素ガスを用い
実施例１と同様に洗浄を行った。その結果、図４に示
すように、透過率が初期の有機溶剤で洗浄した条件以上
に回復し、比較のために示した図４（光吸収を考慮し
ない場合の硝材の透過率）とほぼ同等の透過率値を示し
た。従って回復度合いは、放置による汚染物除去だけで
なく、放置前の蛍石基板の透過率より良いことから、初
期洗浄（有機溶剤）では取りきれなかった汚染物が本発
明の弗化水素ガスを用いる洗浄でエッチングされてとれ
たと考えられる。以上本発明の弗化水素ガス洗浄を用い
ることで、合成石英硝子だけでなく蛍石に関しても透過
率を向上させ光損失を低減することができる。
英基板表面の汚れ、および有機溶剤洗浄で残る表面の汚
染残さが原因と思われる。そこで、表面に強い力で吸着
や結合している汚染物を除去するために、弗化水素ガス
を用い実施例１と同様に洗浄を行った。その結果、図３
に示すように、透過率が初期の有機溶剤で洗浄した条
件以上に回復した。比較のため、図３に光吸収を考慮
しない場合の硝材の透過率を示した。回復度合いは、放
置による汚染物除去だけでなく、放置前の合成石英硝子
の透過率より良いことから、初期洗浄（有機溶剤）では
取りきれなかった汚染物が本発明の弗化水素ガスを用い
る洗浄でエッチングされてとれたとおもわれる。以上本
発明の弗化水素ガス洗浄を用いることで、特に合成石英
硝子の透過率を向上させることができる。 ［実施例３］実施例２と同様に両面を研磨した平行な２
面を持つ厚さ２ｍｍ径３０ｍｍの合成蛍石ガラス基板を
３ヶ月間の間、有機洗浄剤（体積割合でアルコール１に
対してエーテル９の割合で混合した有機洗浄剤）で洗浄
後、真空紫外光領域分光測定器で測定後、一般大気環境
下で放置した。放置期間終了後次の順序（１．放置後
即、２．再度有機溶剤洗浄、３．弗化水素ガス洗浄（実
施例１の条件）。）でサンプルの透過率を測定した。こ
の測定結果を図４に示した。図４より初期状態図４
（有機溶剤洗浄後）の透過率は、３ヶ月放置することに
より図４に示すように、大気中雰囲気に放置すること
で、大気中の有機物汚染がメインと考えられる汚染によ
り実施例２と同様に透過率が悪化する結果を得た。そこ
で、その汚染物を除去し、光学素子として光損失を低減
する目的で、再度、その合成蛍石硝子基板を有機溶剤洗
浄を行ったところ、図４にくらべ、洗浄効果が確認で
き図４に示すように透過率が回復した。しかし、初期
（放置前）の透過率値まで透過率が戻ることはなかっ
た。これは、有機溶剤では落ちきらない合成蛍石基板表
面の汚れ、および有機溶剤洗浄で残る表面の汚染残さが
原因と考えられる。そこで、表面に強い力で吸着や結合
している汚染物を除去するために、弗化水素ガスを用い
実施例１と同様に洗浄を行った。その結果、図４に示
すように、透過率が初期の有機溶剤で洗浄した条件以上
に回復し、比較のために示した図４（光吸収を考慮し
ない場合の硝材の透過率）とほぼ同等の透過率値を示し
た。従って回復度合いは、放置による汚染物除去だけで
なく、放置前の蛍石基板の透過率より良いことから、初
期洗浄（有機溶剤）では取りきれなかった汚染物が本発
明の弗化水素ガスを用いる洗浄でエッチングされてとれ
たと考えられる。以上本発明の弗化水素ガス洗浄を用い
ることで、合成石英硝子だけでなく蛍石に関しても透過
率を向上させ光損失を低減することができる。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、洗浄される光学素子材
料の全面を均一に洗浄することができ、光学特性を向上
させることが可能となる光学素子材料の洗浄方法、及び
該光学素子材料による光学素子の製造方法、光学素子、
該光学素子を有する光学系、光学機器、露光装置、デバ
イス製造方法を実現することができる。
料の全面を均一に洗浄することができ、光学特性を向上
させることが可能となる光学素子材料の洗浄方法、及び
該光学素子材料による光学素子の製造方法、光学素子、
該光学素子を有する光学系、光学機器、露光装置、デバ
イス製造方法を実現することができる。
【図１】本発明の実施例に用いた洗浄装置の構成を示す
図。
図。
【図２】本発明の実施例１を説明するための、真空紫外
分光特性測定器を用い紫外光領域の波長の透過率を測定
した結果を示す図。
分光特性測定器を用い紫外光領域の波長の透過率を測定
した結果を示す図。
【図３】本発明の実施例２を説明するための、真空紫外
分光特性測定器を用い紫外光領域の波長の透過率を測定
した結果を示す図。
分光特性測定器を用い紫外光領域の波長の透過率を測定
した結果を示す図。
【図４】本発明の実施例３を説明するための、真空紫外
分光特性測定器を用い紫外光領域の波長の透過率を測定
した結果を示す図。
分光特性測定器を用い紫外光領域の波長の透過率を測定
した結果を示す図。
Claims (11)
- 【請求項１】光学素子材料を洗浄機内で洗浄する光学素
子材料の洗浄方法において、前記洗浄機内に酸性ガスを
導入し、前記光学素子材料を酸性ガス雰囲気中で洗浄す
ることを特徴とする光学素子材料の洗浄方法。 - 【請求項２】前記酸性ガスは、前記洗浄機内を一度減圧
させてから該洗浄機内に導入されることを特徴とする請
求項１に記載の光学素子材料の洗浄方法。 - 【請求項３】前記光学素子材料が、４００ｎｍ以下の波
長域に用いられる光学素子材料であることを特徴とする
請求項１または請求項２に記載の光学素子材料の洗浄方
法。 - 【請求項４】前記光学素子材料が、ＳｉＯ2，ＣａＦ2で
あることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記
載の光学素子材料の洗浄方法。 - 【請求項５】前記洗浄機内に洗浄ガスを導入し、光学素
子材料を洗浄する前処理として、有機溶剤にて洗浄を行
うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載
の光学素子材料の洗浄方法。 - 【請求項６】請求項１〜５のいずれか１項に記載の光学
素子材料の洗浄方法により洗浄された光学素子材料を用
いて光学素子を製造することを特徴とする光学素子の製
造方法。 - 【請求項７】請求項６に記載の光学素子の製造方法によ
って製造された光学素子。 - 【請求項８】請求項７に記載の光学素子を有することを
特徴とする光学系。 - 【請求項９】請求項８に記載の光学系を有することを特
徴とする光学機器。 - 【請求項１０】請求項８に記載の光学系を有することを
特徴とする露光装置。 - 【請求項１１】請求項１０に記載の露光装置を用いてデ
バイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002034648A JP2003238208A (ja) | 2002-02-12 | 2002-02-12 | 光学素子材料の洗浄方法、及び該光学素子材料による光学素子の製造方法、光学素子、該光学素子を有する光学系、光学機器、露光装置、デバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002034648A JP2003238208A (ja) | 2002-02-12 | 2002-02-12 | 光学素子材料の洗浄方法、及び該光学素子材料による光学素子の製造方法、光学素子、該光学素子を有する光学系、光学機器、露光装置、デバイス製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003238208A true JP2003238208A (ja) | 2003-08-27 |
Family
ID=27777081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002034648A Pending JP2003238208A (ja) | 2002-02-12 | 2002-02-12 | 光学素子材料の洗浄方法、及び該光学素子材料による光学素子の製造方法、光学素子、該光学素子を有する光学系、光学機器、露光装置、デバイス製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003238208A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100717505B1 (ko) | 2005-11-25 | 2007-05-14 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 노광장치의 투영 렌즈 세정장치 |
| US8314936B2 (en) | 2006-09-08 | 2012-11-20 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Evaluation method of fouling, fouling evaluation apparatus, production method of optical member, optical layered body, and display product |
| JP6006391B1 (ja) * | 2015-09-29 | 2016-10-12 | 株式会社 ジャパンセル | ＣａＦ２結晶体の接合方法 |
-
2002
- 2002-02-12 JP JP2002034648A patent/JP2003238208A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US8314936B2 (en) | 2006-09-08 | 2012-11-20 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Evaluation method of fouling, fouling evaluation apparatus, production method of optical member, optical layered body, and display product |
| US8339609B2 (en) | 2006-09-08 | 2012-12-25 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Evaluation method of fouling, fouling evaluation apparatus, production method of optical member, optical layered body, and display product |
| JP5531408B2 (ja) * | 2006-09-08 | 2014-06-25 | 大日本印刷株式会社 | 汚染性評価方法、汚染性評価装置、光学部材の製造方法、光学積層体及びディスプレイ製品 |
| JP6006391B1 (ja) * | 2015-09-29 | 2016-10-12 | 株式会社 ジャパンセル | ＣａＦ２結晶体の接合方法 |
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