CN110711739A - 一种用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供的用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法，对兆声清洗前的CaF2光学基底进行特性检测，对CaF2光学基底进行兆声清洗，对兆声清洗后CaF2光学基底进行特性检测，分别对兆声清洗前后的CaF2光学基底的测试结果进行比较，以评价具体兆声清洗工艺的综合效果，本发明提供的用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法，采用兆声清洗，由于其空化气泡的直径很小，对CaF2光学基底表面的破坏影响可以被限制到几乎忽略的程度，克服了超声清洗CaF2光学基底时存在的由于气泡空化导致CaF2光学基底表面被严重破坏现象；且可以更好清除亚微米尺度的颗粒物及彻底清洗残留的抛光剂和表面缺陷。

Description

一种用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法
技术领域
本发明涉及光学加工技术领域，特别涉及一种用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法。
背景技术
近年来，随着ArF准分子激光、深紫外固体激光、深紫外自由电子激光等深紫外激光技术快速发展，深紫外激光在极大规模集成电路光刻制备、微结构加工等应用领域显示出重大的社会和经济价值。
光学薄膜元件的损伤与寿命问题是制约深紫外激光器向更高能量和功率发展，影响深紫外激光光学系统使用寿命与成本的主要因素。近年来，随着极大规模集成电路光刻制备技术的快速发展，对ArF准分子激光元件的性能及长期稳定性提出了更加极限的要求与挑战。ArF准分子激光元件的在高重频、低能量密度辐照下的损伤与长期使用寿命问题显得愈发突出。
对于较高激光能量密度和要求长使用寿命的深紫外激光应用中多数都采用CaF2光学基底。但在实际应用中，CaF2光学元件的性能退化与损伤依然是当前以及未来制约深紫外激光器在大规模集成电路制备技术应用的主要问题之一。导致CaF2光学元件性能退化与损伤的实际因素非常复杂，主要包括三个方面的因素：首先是CaF2光学晶体材料生长过程中引入的痕量杂质和缺陷；其次是CaF2光学基底切割、研磨、表面精拋和清洗等过程中在表面和亚表面层中引入的杂质和缺陷；第三是CaF2光学基底在存储与应用过程中表面吸附的各种污染物。上面的三种因素几乎同时存在，使得导致性能退化与损伤的原因显得错综复杂，这极大地制约了用于深紫外波段CaF2光学元件的长期性能稳定性。
CaF2光学基底质地较软，采用超声清洗的方法进行清洗处理，虽然可以去除表面杂质与污染物，但同时会对表面形貌产生严重破坏，使原有表面形貌发生显著变化，并有可能形成新的缺陷。造成上述问题的主要原因与超声清洗的内在机理相关。超声清洗是利用频率为10KHz-400KHz的超声波使液体内部流动同时产生气泡空化现象，利用液体流动和气泡空化破裂所产生的巨大冲击使物体表面污染物被破坏和溶解。超声清洗产生的空化气泡大小为2微米-10微米左右，其破裂之后产生的冲击力会使CaF2等软质光学基底表面被严重破坏。
正因为如此，在实际工作中，通常采用手动擦拭和UV光辐照相结合的方法对深紫外用CaF2光学基底进行清洗。但是这种方法不仅效率较低，清洗的效果也无法保证。
兆声波清洗是利用频率为0.8MHz-1.5MHz的高能声波使液体分子产生加速运动和空化效应，冲击被清洗表面，实现附着物的清洗。这种方法可以清洗0.2微米以下的污染物和颗粒物，因此，最初主要是用于半导体元件表面的超净清洁。兆声波清洗也会产生空化，但是空化的产生取决与兆声脉宽、溶解的气体、输入功率。由于频率高，兆声波清洗不会形成大的空化气泡，其气泡一般小于0.5微米，因此，即便破裂对基底表面的损伤也相对较小。即便如此，对于软的光学元件基底，这种清洗方法也同样会产生损伤，从而破坏原有形貌，进而影响光学性能。
发明内容
有鉴如此，有必要针对现有技术存在的缺陷，提供一种可保持CaF2基底原有形貌不被破坏的深紫外CaF2光学基底的清洗方法。
为实现上述目的，本发明采用下述技术方案：
一种用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法，包括下述步骤：
对兆声清洗前的CaF2光学基底进行特性检测；
对所述CaF2光学基底进行兆声清洗；
对兆声清洗后所述CaF2光学基底进行特性检测；
分别对兆声清洗前后的所述CaF2光学基底的测试结果进行比较，以评价具体兆声清洗工艺的综合效果。
在一些较佳的实施例中，在对兆声清洗前的CaF2光学基底进行特性检测的步骤中，具体包括：
对兆声清洗前的CaF2光学基底进行高分辨显微表面观察以评估CaF2光学基底清洗前的表面光洁度；
对兆声清洗前的CaF2光学基底进行轮廓仪和原子力测试以评估CaF2光学基底清洗前的表面形貌；
对兆声清洗前的CaF2光学基底进行深紫外透射光谱测试以评估CaF2光学基底表面污染物的相对多少。
在一些较佳的实施例中，在对所述CaF2光学基底进行兆声清洗的步骤中，具体包括：
利用无水乙醇去除所述CaF2光学基底表面残留的有机污染物；
利用特定配制的洗液进一步去除所述CaF2光学基底表面残留的有机污染物、抛光剂和抛光缺陷；
利用去离子水将所述CaF2光学基底表面残留的洗液去掉。
在一些较佳的实施例中，在利用无水乙醇去除所述CaF2光学基底表面残留的有机污染物的步骤中，具体包括：
第一次无水乙醇兆声清洗，其工艺参数如下：兆声频率1GHz，温度30℃-35℃,功率200W-600W，时间0.5分钟-5分钟；之后将样品取出，用30℃的无水乙醇冲洗30秒；
第二次无水乙醇兆声清洗，其工艺参数如下：兆声频率1GHz，温度30℃-35℃,功率200W-600W，时间0.5分钟-3分钟；之后将样品取出，用30℃的去离子水洗30秒。
在一些较佳的实施例中，在利用特定配制的洗液进一步去除所述CaF2光学基底表面残留的有机污染物、抛光剂和抛光缺陷的步骤中，具体包括下述步骤：
第一次专用洗液兆声清洗，其工艺参数如下：兆声频率1GHz，温度30℃-35℃,功率200W-600W，时间0.5分钟-5分钟；之后将样品取出，用30℃的去离子水洗30秒；
第二次专用洗液兆声清洗，其工艺参数如下：兆声频率1GHz，温度30℃-35℃,功率200W-600W，时间0.5分钟-3分钟；之后将样品取出，用30℃的去离子水洗30秒。
在一些较佳的实施例中，在利用去离子水将所述CaF2光学基底表面残留的洗液去掉的步骤中，具体包括下述步骤：
第一次去离子水兆声清洗，其工艺参数如下：兆声频率1GHz，温度30℃-35℃,功率200W-600W，时间0.5分钟-3分钟；之后将样品取出，用30℃的去离子水洗30秒；
第二次去离子水兆声清洗，其工艺参数如下：兆声频率1GHz，温度30℃-35℃,功率200W-600W，时间0.5分钟-3分钟；之后将样品取出，用30℃的去离子水洗30秒；
第三次去离子水兆声清洗，其工艺参数如下：兆声频率1GHz，温度30℃-35℃,功率200W-600W，时间0.5分钟-3分钟；之后将样品取出，用30℃的去离子水洗30秒；
从过滤后的高纯N2气将去离子水中取出的CaF2光学基底快速吹扫干净。
在一些较佳的实施例中，在对兆声清洗后的CaF2光学基底进行特性检测的步骤中，具体包括：
对兆声清洗后的CaF2光学基底进行高分辨显微表面观察以评估CaF2光学基底清洗前的表面光洁度；
对兆声清洗后的CaF2光学基底进行轮廓仪和原子力测试以评估CaF2光学基底清洗前的表面形貌；
对兆声清洗后的CaF2光学基底进行深紫外透射光谱测试以评估CaF2光学基底表面污染物的相对多少。
在一些较佳的实施例中，对CaF2光学基底进行高分辨显微表面观察以评估CaF2光学基底清洗前的表面光洁度的步骤中，具体包括下述步骤：
观察样品表面的颗粒物和划痕情况；
对CaF2光学基底的表面前后及左右进行标记，采用暗场照明方式对CaF2光学基底表面的不同区域进行mapping观察并记录；
采用暗场照明方式对CaF2光学基底的表面不同区域进行mapping观察并记录。
在一些较佳的实施例中，在对兆声清洗后的CaF2光学基底进行轮廓仪和原子力测试以评估CaF2光学基底清洗前的表面形貌的步骤中，具体包括下述步骤：
对CaF2光学基底的表面前后及左右进行标记，再对CaF2光学基底表面的不同区域进行mapping观察，每次测试区域为700μmx700μm，并用轮廓仪的观察软件对测试结果进行记录；
对CaF2光学基底的表面前后及左右进行标记，再对CaF2光学基底表面的5处不同区域分别取相邻的2个点，进行原子力测试，测试区域为2μmx2μm，256线x256线。
在一些较佳的实施例中，在对兆声清洗后的CaF2光学基底进行深紫外透射光谱测试以评估CaF2光学基底表面污染物的相对多少的步骤中，具体包括下述步骤：
采用分光光度计对兆声清洗后的CaF2光学基底进行深紫外透射光谱测试，其中，测量波长范围从300nm-185nm，步长2nm，积分时间1s。
在一些较佳的实施例中，在分别对兆声清洗前后的所述CaF2光学基底的测试结果进行比较，以评价具体兆声清洗工艺的综合效果的步骤中，具体包括：
分别对兆声清洗前后的CaF2光学基底高分辨显微表面观察、轮廓仪和原子力测试、深紫外透射光谱测试结果进行相应比较，分别评估不同兆声清洗工艺参数对CaF2光学基底表面光洁度、表面形貌、及表面污染物的影响。
本发明采用上述技术方案的优点是：
本发明提供的用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法，对兆声清洗前的CaF2光学基底进行特性检测，对所述CaF2光学基底进行兆声清洗，对兆声清洗后所述CaF2光学基底进行特性检测，分别对兆声清洗前后的所述CaF2光学基底的测试结果进行比较，以评价具体兆声清洗工艺的综合效果，本发明提供的用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法，采用兆声清洗，由于其空化气泡的直径很小，因此，对CaF2光学基底表面的破坏影响可以被限制到几乎忽略的程度，克服了超声清洗CaF2光学基底时存在的由于气泡空化导致CaF2光学基底表面被严重破坏现象；且与实际工作中采用的手动擦拭和UV光辐照相结合的方法相比，兆声清洗不仅可以更好清除亚微米尺度的颗粒物，并且可以彻底清洗残留的抛光剂和表面缺陷。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明实施例提供的用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法的步骤流程图；
图2为本发明实施例提供的兆声清洗后CaF2光学基底表面显微观察典型结果对比图，其中，左图表示为清洗前，右图表示为清洗后。
图3为本发明实施例提供的兆声清洗前后CaF2光学基底表面轮廓仪测试典型结果对比图，其中，左图表示为清洗前，右图表示为清洗后。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，为本发明实施例1提供的一种用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法的步骤流程图，包括下述步骤：
步骤S110：对兆声清洗前的CaF2光学基底进行特性检测。
在本实施例中，为了全面评估兆声清洗对CaF2光学基底的表面形貌和光洁度的影响以及对污染物的去除效率，本发明在进行兆声清洗之前，先分别进行高分辨显微表面观察、轮廓仪和原子力测试、深紫外透射光谱测试。采用高分辨显微表面观察检测用于评估CaF2光学基底的表面光洁度，采用轮廓仪和原子力测试用于评估CaF2光学基底的表面形貌，采用深紫外透射光谱测试用于评估CaF2光学基底表面污染物的相对多少。
步骤S120：对所述CaF2光学基底进行兆声清洗；
在本实施例中，兆声清洗流程主要包括采用三种不同液体进行清洗，其中利用无水乙醇去除表面残留的有机污染物，利用特定配制的洗液进一步去除表面残留的有机污染物、抛光剂和抛光缺陷，利用去离子水将表面残留的洗液等去掉。为了实现最佳清洗效果，对具体流程的先后顺序以及各不同流程步骤中的清洗工艺参数如时间和功率等进行了优化。
具体地，利用无水乙醇去除CaF2光学基底的表面残留的有机污染物，利用特定配制的洗液进一步去除CaF2光学基底的表面残留的有机污染物、抛光剂和抛光缺陷，利用去离子水将CaF2光学基底的表面残留的洗液等去掉。
在一些较佳的实施例中，在利用无水乙醇去除所述CaF2光学基底表面残留的有机污染物的步骤中，具体包括：
第一次无水乙醇兆声清洗，其工艺参数如下：兆声频率1GHz，温度30℃-35℃,功率200W-600W，时间0.5分钟-5分钟；之后将样品取出，用30℃的无水乙醇冲洗30秒；
第二次无水乙醇兆声清洗，其工艺参数如下：兆声频率1GHz，温度30℃-35℃,功率200W-600W，时间0.5分钟-3分钟；之后将样品取出，用30℃的去离子水洗30秒。
在一些较佳的实施例中，在利用特定配制的洗液进一步去除所述CaF2光学基底表面残留的有机污染物、抛光剂和抛光缺陷的步骤中，具体包括下述步骤：
第一次专用洗液兆声清洗，其工艺参数如下：兆声频率1GHz，温度30℃-35℃,功率200W-600W，时间0.5分钟-5分钟；之后将样品取出，用30℃的去离子水洗30秒；
第二次专用洗液兆声清洗，其工艺参数如下：兆声频率1GHz，温度30℃-35℃,功率200W-600W，时间0.5分钟-3分钟；之后将样品取出，用30℃的去离子水洗30秒。
在一些较佳的实施例中，在利用去离子水将所述CaF2光学基底表面残留的洗液去掉的步骤中，具体包括下述步骤：
第一次去离子水兆声清洗，其工艺参数如下：兆声频率1GHz，温度30℃-35℃,功率200W-600W，时间0.5分钟-3分钟；之后将样品取出，用30℃的去离子水洗30秒；
第二次去离子水兆声清洗，其工艺参数如下：兆声频率1GHz，温度30℃-35℃,功率200W-600W，时间0.5分钟-3分钟；之后将样品取出，用30℃的去离子水洗30秒；
第三次去离子水兆声清洗，其工艺参数如下：兆声频率1GHz，温度30℃-35℃,功率200W-600W，时间0.5分钟-3分钟；之后将样品取出，用30℃的去离子水洗30秒；
从过滤后的高纯N2气将去离子水中取出的CaF2光学基底快速吹扫干净，避免表面流下水痕。
步骤S130：对兆声清洗后的所述CaF2光学基底进行特性检测；
在本实施例中，对兆声清洗后的CaF2光学基底，分别进行高分辨显微表面观察、轮廓仪和原子力测试、深紫外透射光谱测试。其中，高分辨显微表面观察检测用于评估CaF2光学基底清洗前的表面光洁度，轮廓仪和原子力测试用于评估CaF2光学基底清洗前的表面形貌，深紫外透射光谱测试用于评估CaF2光学基底表面污染物的相对多少。
具体地，在所述步骤S110和S130中对准备清洗的或者清洗后的CaF2光学基底样品进行高分辨表面观察的具体过程如下：
首先，在聚焦荧光灯下用肉眼观察CaF2光学基底表面的颗粒物和划痕情况；
其次，对CaF2光学基底的表面前后及左右进行标记，然后在5X的显微物镜下，采用暗场照明方式对样品表面的不同区域进行mapping观察，并用显微镜所带的观察软件对观察结果进行记录；
最后，在10X的显微物镜下，采用暗场照明方式对样品表面的不同区域进行mapping观察，并用显微镜所带的观察软件对观察结果进行记录。
具体地，所述步骤S110和S130中对准备清洗的或者清洗后的CaF2光学基底样品进行表面轮廓仪观察的具体过程与参数如下：对样品的表面前后及左右进行标记，然后采用20X的显微物镜，对样品表面的不同区域进行mapping观察，每次测试区域为700μmx700μm，并用轮廓仪的观察软件对测试结果进行记录。
具体地，所述步骤S110和S130中对准备清洗的或者清洗后的CaF2光学基底样品进行原子力测试的具体过程与参数如下：对CaF2光学基底的表面前后及左右进行标记，然后表面的5处不同区域分别取相邻的2个点，进行原子力测试，测试区域为2μmx2μm，256线x256线。
具体地，所述步骤S110和S130中对准备清洗的或者清洗后的CaF2光学基底样品进行深紫外透射光谱测试的具体过程与参数如下：采用Lambda 950分光光度计进行；测量波长范围从300nm-185nm，步长2nm，积分时间1s；取3次测试的平均结果作为最终结果。
步骤S140：分别对兆声清洗前后的所述CaF2光学基底的测试结果进行比较，以评价具体兆声清洗工艺的综合效果。
在本实施例中，分别对兆声清洗前后的CaF2光学基底高分辨显微表面观察、轮廓仪和原子力测试、深紫外透射光谱测试结果进行相应比较，分别评估不同兆声清洗工艺参数对CaF2光学基底表面光洁度、表面形貌、及表面污染物的影响。根据兆声清洗应该在确保实现表面光洁度和不显著影响表面形貌的基础上，尽可能去除更多的残留表面污染物的原则，综合评价具体兆声清洗工艺的综合效果。
具体地，对兆声清洗前后的CaF2光学基底样品表面显微观察结果的具体处理过程如下：
首先，在聚焦荧光灯下用肉眼观察清洗后的CaF2光学基底样品表面是否存在颗粒物和划痕，如果有残留颗粒物，则表明清洗没有达到预期的效果；
其次，在5X和10X的显微物镜下观察清洗后的CaF2光学基底样品表面，查看是否有残留颗粒物和划痕，如何清洗后新出现了划痕或颗粒物的话，则判定清洗不合格。图2是兆声清洗前后CaF2光学基底表面显微观察典型结果。
具体地，对兆声清洗前后的CaF2光学基底样品表面轮廓仪观察结果的具体处理过程如下：
对清洗后对兆声清洗前后的CaF2光学基底样品表面的不同区域进行轮廓仪mapping观察，如果出现了划痕的数量显著变多及/或深度显著变深，则判定兆声清洗对表面形貌产生了显著影响，清洗不合格。图3是兆声清洗前后CaF2光学基底表面轮廓仪测试典型结果对比。
具体地，对兆声清洗前后的CaF2光学基底样品原子力测试结果的具体处理过程如下：
对比兆声清洗前后的CaF2光学基底前后的相同区域测试的原子力的结果，分别比较形貌和RMS值的变化，如果形貌出现了显著变化，或者RMS值增大20％，则判定兆声清洗对表面形貌产生了显著影响，清洗不合格。
具体地，对兆声清洗前后的CaF2光学基底样品深紫外透射光谱测试结果的具体过程如下：对比兆声清洗后CaF2光学基底样品的深紫外透射光谱与采用手动和UV光辐照后的CaF2光学基底样品的深紫外透射光谱，如果透射率增大，则表示残留污染物去除更加彻底，否则判定为清洗不合格。
本发明提供的用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法，采用兆声清洗，由于其空化气泡的直径很小，因此，对CaF2光学基底表面的破坏影响可以被限制到几乎忽略的程度，克服了超声清洗CaF2光学基底时存在的由于气泡空化导致CaF2光学基底表面被严重破坏现象；且与实际工作中采用的手动擦拭和UV光辐照相结合的方法相比，兆声清洗不仅可以更好清除亚微米尺度的颗粒物，并且可以彻底清洗残留的抛光剂和表面缺陷。
本发明提供的用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法，可以显著提高CaF2光学基底清洗的效果和效率。
当然本发明的用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法还可具有多种变换及改型，并不局限于上述实施方式的具体结构。总之，本发明的保护范围应包括那些对于本领域普通技术人员来说显而易见的变换或替代以及改型。

Claims (11)

1.一种用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法，其特征在于，包括下述步骤：
对兆声清洗前的CaF2光学基底进行特性检测；
对所述CaF2光学基底进行兆声清洗；
对兆声清洗后所述CaF2光学基底进行特性检测；
分别对兆声清洗前后的所述CaF2光学基底的测试结果进行比较，以评价具体兆声清洗工艺的综合效果。
2.如权利要求1所述的用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法，其特征在于，在对兆声清洗前的CaF2光学基底进行特性检测的步骤中，具体包括：
对兆声清洗前的CaF2光学基底进行高分辨显微表面观察以评估CaF2光学基底清洗前的表面光洁度；
对兆声清洗前的CaF2光学基底进行轮廓仪和原子力测试以评估CaF2光学基底清洗前的表面形貌；
对兆声清洗前的CaF2光学基底进行深紫外透射光谱测试以评估CaF2光学基底表面污染物的相对多少。
3.如权利要求2所述的用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法，其特征在于，在对所述CaF2光学基底进行兆声清洗的步骤中，具体包括：
利用无水乙醇去除所述CaF2光学基底表面残留的有机污染物；
利用特定配制的洗液进一步去除所述CaF2光学基底表面残留的有机污染物、抛光剂和抛光缺陷；
利用去离子水将所述CaF2光学基底表面残留的洗液去掉。
4.如权利要求3所述的用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法，其特征在于，在利用无水乙醇去除所述CaF2光学基底表面残留的有机污染物的步骤中，具体包括：
第一次无水乙醇兆声清洗，其工艺参数如下：兆声频率1GHz，温度30℃-35℃,功率200W-600W，时间0.5分钟-5分钟；之后将样品取出，用30℃的无水乙醇冲洗30秒；
第二次无水乙醇兆声清洗，其工艺参数如下：兆声频率1GHz，温度30℃-35℃,功率200W-600W，时间0.5分钟-3分钟；之后将样品取出，用30℃的去离子水洗30秒。
5.如权利要求3所述的用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法，其特征在于，在利用特定配制的洗液进一步去除所述CaF2光学基底表面残留的有机污染物、抛光剂和抛光缺陷的步骤中，具体包括下述步骤：
第一次专用洗液兆声清洗，其工艺参数如下：兆声频率1GHz，温度30℃-35℃,功率200W-600W，时间0.5分钟-5分钟；之后将样品取出，用30℃的去离子水洗30秒；
第二次专用洗液兆声清洗，其工艺参数如下：兆声频率1GHz，温度30℃-35℃,功率200W-600W，时间0.5分钟-3分钟；之后将样品取出，用30℃的去离子水洗30秒。
6.如权利要求3所述的用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法，其特征在于，在利用去离子水将所述CaF2光学基底表面残留的洗液去掉的步骤中，具体包括下述步骤：
第一次去离子水兆声清洗，其工艺参数如下：兆声频率1GHz，温度30℃-35℃,功率200W-600W，时间0.5分钟-3分钟；之后将样品取出，用30℃的去离子水洗30秒；
第二次去离子水兆声清洗，其工艺参数如下：兆声频率1GHz，温度30℃-35℃,功率200W-600W，时间0.5分钟-3分钟；之后将样品取出，用30℃的去离子水洗30秒；
第三次去离子水兆声清洗，其工艺参数如下：兆声频率1GHz，温度30℃-35℃,功率200W-600W，时间0.5分钟-3分钟；之后将样品取出，用30℃的去离子水洗30秒；
从过滤后的高纯N2气将去离子水中取出的CaF2光学基底快速吹扫干净。
7.如权利要求1所述的用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法，其特征在于，在对兆声清洗后的CaF2光学基底进行特性检测的步骤中，具体包括：
对兆声清洗后的CaF2光学基底进行高分辨显微表面观察以评估CaF2光学基底清洗前的表面光洁度；
对兆声清洗后的CaF2光学基底进行轮廓仪和原子力测试以评估CaF2光学基底清洗前的表面形貌；
对兆声清洗后的CaF2光学基底进行深紫外透射光谱测试以评估CaF2光学基底表面污染物的相对多少。
8.如权利要求2或7所述的用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法，其特征在于，对CaF2光学基底进行高分辨显微表面观察以评估CaF2光学基底清洗前的表面光洁度的步骤中，具体包括下述步骤：
观察样品表面的颗粒物和划痕情况；
对CaF2光学基底的表面前后及左右进行标记，采用暗场照明方式对CaF2光学基底表面的不同区域进行mapping观察并记录；
采用暗场照明方式对CaF2光学基底的表面不同区域进行mapping观察并记录。
9.如权利要求2或7所述的用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法，其特征在于，在对兆声清洗后的CaF2光学基底进行轮廓仪和原子力测试以评估CaF2光学基底清洗前的表面形貌的步骤中，具体包括下述步骤：
对CaF2光学基底的表面前后及左右进行标记，再对CaF2光学基底表面的不同区域进行mapping观察，每次测试区域为700μm x 700μm，并用轮廓仪的观察软件对测试结果进行记录；
对CaF2光学基底的表面前后及左右进行标记，再对CaF2光学基底表面的5处不同区域分别取相邻的2个点，进行原子力测试，测试区域为2μmx2μm，256线x256线。
10.如权利要求2或7所述的用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法，其特征在于，在对兆声清洗后的CaF2光学基底进行深紫外透射光谱测试以评估CaF2光学基底表面污染物的相对多少的步骤中，具体包括下述步骤：
采用分光光度计对兆声清洗后的CaF2光学基底进行深紫外透射光谱测试，其中，测量波长范围从300nm-185nm，步长2nm，积分时间1s。
11.如权利要求2或7所述的用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法，其特征在于，在分别对兆声清洗前后的所述CaF2光学基底的测试结果进行比较，以评价具体兆声清洗工艺的综合效果的步骤中，具体包括：
分别对兆声清洗前后的CaF2光学基底高分辨显微表面观察、轮廓仪和原子力测试、深紫外透射光谱测试结果进行相应比较，分别评估不同兆声清洗工艺参数对CaF2光学基底表面光洁度、表面形貌、及表面污染物的影响。
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