JPH07294705A - 紫外線照射後処理方法 - Google Patents
紫外線照射後処理方法Info
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- JPH07294705A JPH07294705A JP6086408A JP8640894A JPH07294705A JP H07294705 A JPH07294705 A JP H07294705A JP 6086408 A JP6086408 A JP 6086408A JP 8640894 A JP8640894 A JP 8640894A JP H07294705 A JPH07294705 A JP H07294705A
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- wavelength
- lens
- light
- ultraviolet light
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- Optical Filters (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低温プロセスで低光吸収膜が得られる紫外線
照射後処理方法を提供する。 【構成】 蒸着、ＣＶＤ又はスパッタによって形成され
た主に波長が４００ｎｍ以下で使用される光学膜におい
て、成膜後、波長が４００ｎｍ以下１９０ｎｍ以上の紫
外光を照射することを特徴とする紫外線照射後処理方
法。
照射後処理方法を提供する。 【構成】 蒸着、ＣＶＤ又はスパッタによって形成され
た主に波長が４００ｎｍ以下で使用される光学膜におい
て、成膜後、波長が４００ｎｍ以下１９０ｎｍ以上の紫
外光を照射することを特徴とする紫外線照射後処理方
法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、蒸着、ＣＶＤ又はスパ
ッタで形成された多層反射防止膜、多層反射増加膜等の
機能を有する光学膜の紫外線照射後処理方法に関し、更
に詳しくは、低温プロセスにて多層反射防止膜、多層反
射増加膜の紫外線領域での光吸収を低下（透過率アッ
プ）させ、光学特性を改善する方法に関する。
ッタで形成された多層反射防止膜、多層反射増加膜等の
機能を有する光学膜の紫外線照射後処理方法に関し、更
に詳しくは、低温プロセスにて多層反射防止膜、多層反
射増加膜の紫外線領域での光吸収を低下（透過率アッ
プ）させ、光学特性を改善する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製品の中でも、超ＬＳＩ ＭＯＳ
メモリーは、現在４Ｍ、１６Ｍが主流でステッパー等の
露光装置で、サブミクロン、ハーフミクロンの加工を行
っている。露光焼き付け波長もＧ線（４３６ｎｍ）ｉ線
（３６５ｎｍ）と微細化が進むに従い、短波長化に移行
している。更に次世代半導体デバイス６４Ｍ、２５６Ｍ
メモリーに対してはクオーターミクロンの線幅加工が必
要でエキシマレーザー（ＫｒＦ：２４８ｎｍ）ステッパ
ーが用いられるであろう。
メモリーは、現在４Ｍ、１６Ｍが主流でステッパー等の
露光装置で、サブミクロン、ハーフミクロンの加工を行
っている。露光焼き付け波長もＧ線（４３６ｎｍ）ｉ線
（３６５ｎｍ）と微細化が進むに従い、短波長化に移行
している。更に次世代半導体デバイス６４Ｍ、２５６Ｍ
メモリーに対してはクオーターミクロンの線幅加工が必
要でエキシマレーザー（ＫｒＦ：２４８ｎｍ）ステッパ
ーが用いられるであろう。
【０００３】一方、高精度を必要とするステッパー等の
露光装置の光学系に対しては、多層膜の成膜方法、成膜
条件の改善等で対応してきた。
露光装置の光学系に対しては、多層膜の成膜方法、成膜
条件の改善等で対応してきた。
【０００４】例えば、ＳｉＯ2 膜やＡｌ2 Ｏ3 膜の光吸
収は膜の酸素欠乏によるダングリングボンドにより発生
すると考えられ、酸化反応促進するためのイオンアシス
ト法や成膜温度、酸素ガス供給等の手法を取り入れてき
た。
収は膜の酸素欠乏によるダングリングボンドにより発生
すると考えられ、酸化反応促進するためのイオンアシス
ト法や成膜温度、酸素ガス供給等の手法を取り入れてき
た。
【０００５】また、光学薄膜の後処理方法として、熱
（アニール）処理や、高出力レーザーシステム用光学素
子の高耐力化処理に関するものが知られている。熱処理
は、高光吸収性を有するＴｉＯX ，ＳｉＯX 等の膜に酸
素雰囲気中で熱処理を行い、光吸収性の小さいＴｉＯ
2 ，ＳｉＯ2 等の透明な膜を得る手法である。高耐力化
処理は、高出力レーザー用光学膜に１回照射時の損傷閾
値以下のエネルギー密度の光を複数回照射（多重照射）
し、レーザー耐力を向上させる方法（Ｎｏｎ１処理）が
ある（特開平０１−３１５７０２号公報）。これは成膜
に用いた基板表面上に完全に洗浄されずに残った研磨剤
やその他の汚れがＮｏｎ１処理により徐々に蒸発、プラ
ズマ化されて除去されるために損傷閾値が向上するもの
で、表面クリーニングを目的とする処理方法である。
（アニール）処理や、高出力レーザーシステム用光学素
子の高耐力化処理に関するものが知られている。熱処理
は、高光吸収性を有するＴｉＯX ，ＳｉＯX 等の膜に酸
素雰囲気中で熱処理を行い、光吸収性の小さいＴｉＯ
2 ，ＳｉＯ2 等の透明な膜を得る手法である。高耐力化
処理は、高出力レーザー用光学膜に１回照射時の損傷閾
値以下のエネルギー密度の光を複数回照射（多重照射）
し、レーザー耐力を向上させる方法（Ｎｏｎ１処理）が
ある（特開平０１−３１５７０２号公報）。これは成膜
に用いた基板表面上に完全に洗浄されずに残った研磨剤
やその他の汚れがＮｏｎ１処理により徐々に蒸発、プラ
ズマ化されて除去されるために損傷閾値が向上するもの
で、表面クリーニングを目的とする処理方法である。
【０００６】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、次
世代半導体デバイスを加工するエキシマレーザーステッ
パー等、露光焼き付け波長の短波長化に伴い反射防止に
使用できる膜材料が限定され露光焼き付け波長に対する
膜の光吸収も増加傾向にある。また反射防止膜において
も微小ではあるが光吸収のある反射防止膜で十分満足で
きるものではなかった。また、成膜温度や熱処理等、温
度を上げる手法（プロセス）は、レンズの面歪みを発生
させる等問題があった。
世代半導体デバイスを加工するエキシマレーザーステッ
パー等、露光焼き付け波長の短波長化に伴い反射防止に
使用できる膜材料が限定され露光焼き付け波長に対する
膜の光吸収も増加傾向にある。また反射防止膜において
も微小ではあるが光吸収のある反射防止膜で十分満足で
きるものではなかった。また、成膜温度や熱処理等、温
度を上げる手法（プロセス）は、レンズの面歪みを発生
させる等問題があった。
【０００７】一方、露光装置の光学系は数十枚のレンズ
で構成されており、露光光源波長の光量が変動したり、
膜の光吸収による発熱、昇温がフォーカス変動を起こし
たり、安定した露光、スループットを得ることができな
いために複雑な制御系による補正等によって行われてい
た。
で構成されており、露光光源波長の光量が変動したり、
膜の光吸収による発熱、昇温がフォーカス変動を起こし
たり、安定した露光、スループットを得ることができな
いために複雑な制御系による補正等によって行われてい
た。
【０００８】本発明は、このような従来の問題点を改善
するための方法で、レンズの面歪みが発生しない８０℃
以下の低温プロセス（以下低温プロセス）にて低光吸収
膜が得られる処理方法を提供することを目的とする。
するための方法で、レンズの面歪みが発生しない８０℃
以下の低温プロセス（以下低温プロセス）にて低光吸収
膜が得られる処理方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで、上記目的を達成
するため、本発明は、蒸着、ＣＶＤ又はスパッタによっ
て低温成膜された膜材料がＴａ2 Ｏ5 ，ＳｉＯ2 ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＭｇＦ2 ，ＨｆＯ2 や、
それらの混合物からなる単層膜又は、多層膜の成膜後、
酸素雰囲気又は大気中にて光の波長が４００ｎｍ以下の
紫外光をコーティングされている膜面に照射する手段に
より、膜中の光吸収原因である酸素欠乏によるダングリ
ングボンド等が紫外光励起され、低温プロセスにて低光
吸収膜に変化させる処理方法である。
するため、本発明は、蒸着、ＣＶＤ又はスパッタによっ
て低温成膜された膜材料がＴａ2 Ｏ5 ，ＳｉＯ2 ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＭｇＦ2 ，ＨｆＯ2 や、
それらの混合物からなる単層膜又は、多層膜の成膜後、
酸素雰囲気又は大気中にて光の波長が４００ｎｍ以下の
紫外光をコーティングされている膜面に照射する手段に
より、膜中の光吸収原因である酸素欠乏によるダングリ
ングボンド等が紫外光励起され、低温プロセスにて低光
吸収膜に変化させる処理方法である。
【００１０】以下本発明を更に詳細に説明する。本発明
は蒸着、ＣＶＤ又はスパッタによつて形成された主に波
長が４００ｎｍ以下の紫外、真空紫外領域で使用される
光学膜であって成膜後４００ｎｍ以下１９０ｎｍ以上の
紫外光を照射するものである。
は蒸着、ＣＶＤ又はスパッタによつて形成された主に波
長が４００ｎｍ以下の紫外、真空紫外領域で使用される
光学膜であって成膜後４００ｎｍ以下１９０ｎｍ以上の
紫外光を照射するものである。
【００１１】波長が８００ｎｍ以上の赤外、遠赤外領域
の光線では赤外、遠赤外波長を光学膜材料が吸収し、格
子振動の発生に伴う熱を発生する。このような高温プロ
セスにおいてはレンズの面歪みが生じ、高精度なレンズ
を得ることができず、好ましくなく、また可視域領域
（波長４００〜８００ｎｍ）でも透過や反射はあるもの
の吸収はなく、照射効果は見られず好ましくない。ま
た、１９０ｎｍ以下でも照射効果は見られないので、上
記範囲の紫外光が好ましい。
の光線では赤外、遠赤外波長を光学膜材料が吸収し、格
子振動の発生に伴う熱を発生する。このような高温プロ
セスにおいてはレンズの面歪みが生じ、高精度なレンズ
を得ることができず、好ましくなく、また可視域領域
（波長４００〜８００ｎｍ）でも透過や反射はあるもの
の吸収はなく、照射効果は見られず好ましくない。ま
た、１９０ｎｍ以下でも照射効果は見られないので、上
記範囲の紫外光が好ましい。
【００１２】更に、紫外光量は１Ｗ／ｃｍ2 以上１０Ｋ
Ｗ／ｃｍ2 以下が好ましい。紫外光量が１０ＫＷ／ｃｍ
2 を超えると光学膜が損傷するので好ましくなく、紫外
光量が１Ｗ／ｃｍ2 未満では処理時間が５時間以上とな
り、処理時間が長くなるので好ましくない。また、紫外
光照射する試料の雰囲気は大気中または酸素雰囲気中が
好ましい。本発明の処理方法において、光学膜はＴａ2
Ｏ2,ＳｉＯ2,Ａｌ2 Ｏ 3 ，Ｙ2 Ｏ3 ， ＺｒＯ2 ， Ｍ
ｇＦ2 ， ＨｆＯ2 やそれらの混合物からなる一種又は
二種以上の材料からなる単層又は多層膜が用いられる。
Ｗ／ｃｍ2 以下が好ましい。紫外光量が１０ＫＷ／ｃｍ
2 を超えると光学膜が損傷するので好ましくなく、紫外
光量が１Ｗ／ｃｍ2 未満では処理時間が５時間以上とな
り、処理時間が長くなるので好ましくない。また、紫外
光照射する試料の雰囲気は大気中または酸素雰囲気中が
好ましい。本発明の処理方法において、光学膜はＴａ2
Ｏ2,ＳｉＯ2,Ａｌ2 Ｏ 3 ，Ｙ2 Ｏ3 ， ＺｒＯ2 ， Ｍ
ｇＦ2 ， ＨｆＯ2 やそれらの混合物からなる一種又は
二種以上の材料からなる単層又は多層膜が用いられる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説
明する。
明する。
【００１４】実施例１ 図１は、本発明の処理方法を行った一実施例の構成を示
す図である。
す図である。
【００１５】これらの図において１は超高圧水銀ラン
プ、２は楕円面反射鏡、３は処理室、４は石英ガラスと
ハエの目レンズで構成された光導入窓、５はレンズ支持
共通ホルダー、６はレンズ、７は拡散反射鏡、８は酸素
ガス導入調整用可変バルブ、９は荒引バルブ、１０は酸
素ガス置換用ポンプ、１１は４のハエの目レンズ拡大断
面図、１２は６のレンズ面に成膜された多層反射防止
膜、１３は６のレンズ断面、１４は７の拡散反射鏡の断
面で、１５は反射膜である。
プ、２は楕円面反射鏡、３は処理室、４は石英ガラスと
ハエの目レンズで構成された光導入窓、５はレンズ支持
共通ホルダー、６はレンズ、７は拡散反射鏡、８は酸素
ガス導入調整用可変バルブ、９は荒引バルブ、１０は酸
素ガス置換用ポンプ、１１は４のハエの目レンズ拡大断
面図、１２は６のレンズ面に成膜された多層反射防止
膜、１３は６のレンズ断面、１４は７の拡散反射鏡の断
面で、１５は反射膜である。
【００１６】次に上記処理装置においての処理方法につ
いて述べる。蒸着、ＣＶＤ又はスパッタによる低温プロ
セスにて多層反射防止膜がコーティングされたレンズ６
がレンズ支持共通ホルダー５に支持された状態で、処理
室３内のレンズ置き台にセットする。９の荒引バルブを
開き１０のロータリーポンプで処理室３内を１０Ｐａ程
度まで排気、９の荒引バルブを閉じ、８の可変バルブを
開き、酸素ガスを処理室内に大気圧まで導入して酸素雰
囲気状態に置換する。
いて述べる。蒸着、ＣＶＤ又はスパッタによる低温プロ
セスにて多層反射防止膜がコーティングされたレンズ６
がレンズ支持共通ホルダー５に支持された状態で、処理
室３内のレンズ置き台にセットする。９の荒引バルブを
開き１０のロータリーポンプで処理室３内を１０Ｐａ程
度まで排気、９の荒引バルブを閉じ、８の可変バルブを
開き、酸素ガスを処理室内に大気圧まで導入して酸素雰
囲気状態に置換する。
【００１７】次に１の超高圧水銀ランプを点灯して、処
理室３内のレンズ置き台にセットされたレンズに紫外光
を均一照射する。超高圧水銀ランプは図２に示すような
分光特性をもっている。超高圧水銀ランプの光は、波長
が８００ｎｍ以上の赤外、遠赤外領域の加熱機構を有す
る光のスペクトルはなく、また４００〜８００ｎｍの可
視域においては材料自体の吸収がないため、レンズの加
熱や膜の低吸収化の効果はみられない。波長が４００ｎ
ｍ以下１９０ｎｍ以上の紫外光に加熱機構のない膜の低
吸収処理効果がある。なお本処理装置では、５ｋＷの超
高圧水銀ランプを使用した。
理室３内のレンズ置き台にセットされたレンズに紫外光
を均一照射する。超高圧水銀ランプは図２に示すような
分光特性をもっている。超高圧水銀ランプの光は、波長
が８００ｎｍ以上の赤外、遠赤外領域の加熱機構を有す
る光のスペクトルはなく、また４００〜８００ｎｍの可
視域においては材料自体の吸収がないため、レンズの加
熱や膜の低吸収化の効果はみられない。波長が４００ｎ
ｍ以下１９０ｎｍ以上の紫外光に加熱機構のない膜の低
吸収処理効果がある。なお本処理装置では、５ｋＷの超
高圧水銀ランプを使用した。
【００１８】多層膜面に紫外光を均一照射するために１
の超高圧水銀ランプの発光源を楕円面反射鏡の第一焦点
位置に置く。楕円反射鏡の第一焦点からでた紫外光は２
の楕円面反射鏡で第二焦点に集光される。集光された紫
外光は、第一、第二焦点の中間に置かれた４のハエの目
レンズで拡散、拡散された光は、石英窓を通って処理室
内の置かれたレンズ膜面に照射、照射された紫外光は照
度ムラの少ない均一照射が行える。
の超高圧水銀ランプの発光源を楕円面反射鏡の第一焦点
位置に置く。楕円反射鏡の第一焦点からでた紫外光は２
の楕円面反射鏡で第二焦点に集光される。集光された紫
外光は、第一、第二焦点の中間に置かれた４のハエの目
レンズで拡散、拡散された光は、石英窓を通って処理室
内の置かれたレンズ膜面に照射、照射された紫外光は照
度ムラの少ない均一照射が行える。
【００１９】また、レンズを透過した紫外光は、レンズ
で曲げられ通過、裏面に置かれた７の拡散反射鏡で反射
させレンズに再度均一照射させる。拡散反射鏡は、１４
で示すように表面が、凹凸の石英板の裏面にアルミ等の
反射膜がコートされた反射鏡である。
で曲げられ通過、裏面に置かれた７の拡散反射鏡で反射
させレンズに再度均一照射させる。拡散反射鏡は、１４
で示すように表面が、凹凸の石英板の裏面にアルミ等の
反射膜がコートされた反射鏡である。
【００２０】レンズ表面には、１２で示すような多層反
射防止膜がコートされている。本実施例では、この多層
反射防止膜は、レンズ面側から大気側にかけてＡｌ2 Ｏ
3 ，ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｓ
ｉＯ2 の６層構成反射防止膜で、スパッタで成膜形成し
た。またレンズの面歪みを発生させないように、レンズ
を加熱しないで成膜する、プロセス中の試料温度が８０
℃以下の低温スパッタで形成された膜で光の波長が４０
０ｎｍ以下の紫外域において微小な光吸収のある多層膜
である。
射防止膜がコートされている。本実施例では、この多層
反射防止膜は、レンズ面側から大気側にかけてＡｌ2 Ｏ
3 ，ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｓ
ｉＯ2 の６層構成反射防止膜で、スパッタで成膜形成し
た。またレンズの面歪みを発生させないように、レンズ
を加熱しないで成膜する、プロセス中の試料温度が８０
℃以下の低温スパッタで形成された膜で光の波長が４０
０ｎｍ以下の紫外域において微小な光吸収のある多層膜
である。
【００２１】スパッタ等で低温成膜されたＡｌ2 Ｏ3 膜
やＳｉＯ2 膜のスパッタ粒子は、レンズに付着したと
き、表面温度が低いためレンズ表面での酸化反応は小さ
く、またスパッタ粒子も同様に低温のため移動量（マイ
グレーション）も小さいので酸化反応が十分できなく、
光の波長が４００ｎｍ以下の紫外域において光吸収のあ
る膜が成膜される。光吸収は、主に酸素欠陥によるダン
グリングボンドにより発生すると考えられる。
やＳｉＯ2 膜のスパッタ粒子は、レンズに付着したと
き、表面温度が低いためレンズ表面での酸化反応は小さ
く、またスパッタ粒子も同様に低温のため移動量（マイ
グレーション）も小さいので酸化反応が十分できなく、
光の波長が４００ｎｍ以下の紫外域において光吸収のあ
る膜が成膜される。光吸収は、主に酸素欠陥によるダン
グリングボンドにより発生すると考えられる。
【００２２】上記、微小光吸収を有する多層膜に４００
〜１９０ｎｍの紫外光を照射処理すると、ダングリング
ボンドが光によって励起され酸素と結合等が起こり、よ
りストイキオメトリィーに近い膜になりレンズの面歪み
が発生しない低温プロセスで光吸収の低減が図れた。
〜１９０ｎｍの紫外光を照射処理すると、ダングリング
ボンドが光によって励起され酸素と結合等が起こり、よ
りストイキオメトリィーに近い膜になりレンズの面歪み
が発生しない低温プロセスで光吸収の低減が図れた。
【００２３】図３は、５ｋＷの超高圧水銀ランプの光を
Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 膜の６層構成の反射防止膜をコー
トしたレンズに、酸素雰囲気中、大気雰囲気中にて、照
射強度約５Ｗ／ｃｍ2 の光を１時間照射した処理前後の
光吸収量を示した図で、縦軸は吸収量（％）、横軸は波
長（ｎｍ）である。図３中の１及び２は処理前の光吸収
量である。１の試料を大気中にて１時間処理を行った照
射処理後の光吸収量は３である。同様に２の試料を酸素
雰囲気中で処理を行った光吸収量は４である。大気中及
び酸素雰囲気中において共に照射処理後、光吸収の改善
効果がわかる。
Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 膜の６層構成の反射防止膜をコー
トしたレンズに、酸素雰囲気中、大気雰囲気中にて、照
射強度約５Ｗ／ｃｍ2 の光を１時間照射した処理前後の
光吸収量を示した図で、縦軸は吸収量（％）、横軸は波
長（ｎｍ）である。図３中の１及び２は処理前の光吸収
量である。１の試料を大気中にて１時間処理を行った照
射処理後の光吸収量は３である。同様に２の試料を酸素
雰囲気中で処理を行った光吸収量は４である。大気中及
び酸素雰囲気中において共に照射処理後、光吸収の改善
効果がわかる。
【００２４】以上、本一実施例によれば、蒸着、ＣＶ
Ｄ、又はスパッタの低温プロセスで成膜された微小光吸
収のある光学膜を酸素雰囲気中又は大気中で紫外光照射
処理を行うことにより、レンズの面歪みが発生しない８
０℃以下の低温処理プロセスにて低光吸収膜が得られる
効果がある。
Ｄ、又はスパッタの低温プロセスで成膜された微小光吸
収のある光学膜を酸素雰囲気中又は大気中で紫外光照射
処理を行うことにより、レンズの面歪みが発生しない８
０℃以下の低温処理プロセスにて低光吸収膜が得られる
効果がある。
【００２５】実施例２ 次に、本発明の第２の実施例を図４により説明する。本
図において、図１と同符号は同一部材を示し、本図が図
１と異なる点は、７の拡散反射鏡を取り除き１，２，４
の超高圧水銀ランプ、楕円面反射鏡、光導入窓をレンズ
の裏面側に取り付けた点にある。上記構成により増反射
膜等レンズを透過しない膜構成においても両面同時処理
が可能である。また反射防止膜等レンズを透過する膜構
成においては、レンズを透過した１の紫外光は反対側の
光導入窓で拡散され更に反対側の楕円面反射板により反
射され再びレンズを透過する構成になっており、膜構成
によることなく両面から効率よく光照射できるという効
果がある。
図において、図１と同符号は同一部材を示し、本図が図
１と異なる点は、７の拡散反射鏡を取り除き１，２，４
の超高圧水銀ランプ、楕円面反射鏡、光導入窓をレンズ
の裏面側に取り付けた点にある。上記構成により増反射
膜等レンズを透過しない膜構成においても両面同時処理
が可能である。また反射防止膜等レンズを透過する膜構
成においては、レンズを透過した１の紫外光は反対側の
光導入窓で拡散され更に反対側の楕円面反射板により反
射され再びレンズを透過する構成になっており、膜構成
によることなく両面から効率よく光照射できるという効
果がある。
【００２６】なお、本実施例では、光源として超高圧水
銀ランプを使用しているがエキシマレーザー（紫外光の
波長１９３ｎｍ（ＡｒＦ），２４８ｎｍ（ＫｒＦ））等
の光源を用いたりすることもできる。また本実施例で
は、処理レンズを１枚毎処理を行っているが、複数枚処
理も可能で処理の効率向上を図ることができる。
銀ランプを使用しているがエキシマレーザー（紫外光の
波長１９３ｎｍ（ＡｒＦ），２４８ｎｍ（ＫｒＦ））等
の光源を用いたりすることもできる。また本実施例で
は、処理レンズを１枚毎処理を行っているが、複数枚処
理も可能で処理の効率向上を図ることができる。
【００２７】なお、本発明は、増反射膜及び反射防止膜
だけに限定されるものでなく、低温プロセスにてストイ
キオメトリーな膜を必要とする全ての薄膜に適用できる
ものであることは言うまでもない。
だけに限定されるものでなく、低温プロセスにてストイ
キオメトリーな膜を必要とする全ての薄膜に適用できる
ものであることは言うまでもない。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、蒸着、ＣＶＤ又はスパ
ッタの低温プロセスで成膜された膜材料がＴａ2 Ｏ5 ，
ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，ＭｇＦ2 ，ＨｆＯ2
や、それらの混合物からなる２種以上の材料からなる、
微小な光吸収のある単層膜や多層膜に、酸素雰囲気中又
は大気中において４００ｎｍ以下の紫外光を照射する処
理を施すことにより一貫低温プロセスにて光学膜の光吸
収を低減し良好な光学特性を得ることが可能となる。
ッタの低温プロセスで成膜された膜材料がＴａ2 Ｏ5 ，
ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，ＭｇＦ2 ，ＨｆＯ2
や、それらの混合物からなる２種以上の材料からなる、
微小な光吸収のある単層膜や多層膜に、酸素雰囲気中又
は大気中において４００ｎｍ以下の紫外光を照射する処
理を施すことにより一貫低温プロセスにて光学膜の光吸
収を低減し良好な光学特性を得ることが可能となる。
【００２９】そのため、縮小投影露光装置（ステッパ
ー）等に使用される縮小投影光学系の高精度化、及び露
光再現性をよくすることが可能となる。
ー）等に使用される縮小投影光学系の高精度化、及び露
光再現性をよくすることが可能となる。
【００３０】また、蒸着、ＣＶＤ又はスパッタ等の成膜
プロセスが低温で行えることによりレンズの加熱、冷却
が不要となり、下記の効果がある。
プロセスが低温で行えることによりレンズの加熱、冷却
が不要となり、下記の効果がある。
【００３１】（１）加熱、冷却時の熱ショックによるレ
ンズが割れる事故がなくなる。
ンズが割れる事故がなくなる。
【００３２】（２）成膜タクト時間の短縮が図れる。
【００３３】（３）加熱、冷却機構が不要となり成膜装
置のコストダウンが図れる。
置のコストダウンが図れる。
【００３４】（４）加熱機構が不要となり成膜装置の駆
動部等の信頼性を向上し得る。
動部等の信頼性を向上し得る。
【図１】本発明の実施例１である紫外線照射処理を行っ
た処理装置の断面図。
た処理装置の断面図。
【図２】実施例１で使用した超高圧水銀ランプの特性
図。
図。
【図３】実施例１で大気中及び酸素雰囲気中の紫外線照
射処理を行ったＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 の６層構成反射防
止膜の光吸収量変化を示した図。
射処理を行ったＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 の６層構成反射防
止膜の光吸収量変化を示した図。
【図４】本発明の実施例２である紫外線照射処理を行っ
た処理装置の断面図。
た処理装置の断面図。
１ 超高圧水銀ポンプ ２ 楕円面反射鏡 ３ 処理室 ４ 光導入窓 ５ レンズ支持共通ホルダー ６ レンズ ７ 拡散反射鏡 ８ 可変バルブ ９ 荒引バルブ １０ 置換用ポンプ １１ ハエの目レンズ １２ 多層反射防止膜 １３ レンズ断面 １４ 拡散反射鏡断面 １５ 反射膜
Claims (4)
- 【請求項１】 蒸着、ＣＶＤ又は、スパッタによって形
成された、主に波長が４００ｎｍ以下で使用される光学
膜において、成膜後、波長が４００ｎｍ以下１９０ｎｍ
以上の紫外光を照射することを特徴とする紫外線照射後
処理方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光学膜後処理方法にお
いて、波長が４００ｎｍ以下１９０ｎｍ以上の紫外光の
照射強度が光学膜表面上で１Ｗ／ｃｍ2 以上１０ＫＷ／
ｃｍ2 以下であることを特徴とする請求項１記載の紫外
線照射後処理方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の後処理方法におい
て、紫外光照射する試料の雰囲気が、大気中又は酸素雰
囲気中であることを特徴とする請求項１又は２記載の紫
外線照射後処理方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
後処理方法において、多層膜の膜材料がＴａ2 Ｏ5 ，Ｓ
ｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＭｇＦ2 ，
ＨｆＯ2 や、それらの混合物からなる１種又は２種以上
の材料からなる単層又は多層膜に紫外光を照射すること
を特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載
の紫外線照射後処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6086408A JPH07294705A (ja) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | 紫外線照射後処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6086408A JPH07294705A (ja) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | 紫外線照射後処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07294705A true JPH07294705A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=13886046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6086408A Pending JPH07294705A (ja) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | 紫外線照射後処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07294705A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7455880B2 (en) | 2001-11-26 | 2008-11-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical element fabrication method, optical element, exposure apparatus, device fabrication method |
| JP2009510749A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 保護光学コーティングを有する液浸光リソグラフィ・システム及び該システムの光学素子を形成する方法 |
| JP2012219320A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Mitsubishi Materials Corp | 太陽電池用透明導電膜の形成方法およびその形成装置 |
-
1994
- 1994-04-25 JP JP6086408A patent/JPH07294705A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7455880B2 (en) | 2001-11-26 | 2008-11-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical element fabrication method, optical element, exposure apparatus, device fabrication method |
| JP2009510749A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 保護光学コーティングを有する液浸光リソグラフィ・システム及び該システムの光学素子を形成する方法 |
| JP2012219320A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Mitsubishi Materials Corp | 太陽電池用透明導電膜の形成方法およびその形成装置 |
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