RU2004103474A - Материал подложки для рентгенооптических компонентов - Google Patents

Материал подложки для рентгенооптических компонентов Download PDF

Info

Publication number
RU2004103474A
RU2004103474A RU2004103474/03A RU2004103474A RU2004103474A RU 2004103474 A RU2004103474 A RU 2004103474A RU 2004103474/03 A RU2004103474/03 A RU 2004103474/03A RU 2004103474 A RU2004103474 A RU 2004103474A RU 2004103474 A RU2004103474 A RU 2004103474A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate material
range
ray optical
less
rms
Prior art date
Application number
RU2004103474/03A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2264995C2 (ru
Inventor
Удо ДИНГЕР (DE)
Удо Дингер
Франк АЙЗЕРТ (DE)
Франк Айзерт
Мартин ВАЙЗЕР (DE)
Мартин Вайзер
Конрад КНАПП (DE)
Конрад Кнапп
Ина МИТРА (DE)
Ина Митра
Ханс МОРИАН (DE)
Ханс Мориан
Original Assignee
Шотт Глас (De)
Шотт Глас
Карл Цейсс Смт Аг (De)
Карл Цейсс Смт Аг
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Шотт Глас (De), Шотт Глас, Карл Цейсс Смт Аг (De), Карл Цейсс Смт Аг filed Critical Шотт Глас (De)
Publication of RU2004103474A publication Critical patent/RU2004103474A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2264995C2 publication Critical patent/RU2264995C2/ru

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C10/00Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
    • C03C10/0009Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing silica as main constituent
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C19/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by mechanical means
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0005Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
    • C03C23/0055Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by ion implantation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2204/00Glasses, glazes or enamels with special properties
    • C03C2204/08Glass having a rough surface

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Claims (19)

1. Материал подложки для рентгенооптических компонентов для рентгеновских лучей с длиной волны λR, содержащий стеклокерамику со стеклянной фазой из аморфного материала и кристаллической фазой, содержащей микрокристаллиты, при этом аморфный материал имеет положительное тепловое расширение, а микрокристаллиты - отрицательное тепловое расширение, и стехиометрическое соотношение кристаллической к стеклянной фазе установлено так, что величина теплового расширения α в температурном диапазоне от 20 до 100°С составляет менее 5·10-6 K-1, в частности, менее 1·10-6 K-1, при этом средняя величина микрокристаллитов составляет менее 4λR, в частности, менее 2λR, предпочтительно менее λR, особенно предпочтительно менее 2/3 λR, в частности, менее λR/2, отличающийся тем, что материал подложки после обработки поверхности имеет шероховатость в диапазоне высоких пространственных частот (HSFR) менее λR/30 (среднеквадратическое значение), предпочтительно менее λR/50 (среднеквадратическое значение), особенно предпочтительно менее λR/100 (среднеквадратическое значение).
2. Материал подложки по п.1, отличающийся тем, что длина волны рентгеновских лучей лежит в диапазоне от 10 до 30 нм.
3. Материал подложки по любому из п.1 или 2, отличающийся тем, что после обработки поверхности погрешность в диапазоне низких пространственных частот лежит в диапазоне от λR/50 до λR/100 (среднеквадратическое значение).
4. Материал подложки по п.1, отличающийся тем, что после обработки поверхности погрешность в диапазоне средних пространственных частот (MSFR) лежит в диапазоне от λR/50 до λR/100 (среднеквадратическое значение).
5. Материал подложки по п.3, отличающийся тем, что после обработки поверхности погрешность в диапазоне средних пространственных частот (MSFR) лежит в диапазоне от λR/50 до λR/100 (среднеквадратическое значение).
6. Материал подложки по п.1, отличающийся тем, что при обработке поверхности материала подложки поверхность рентгенооптического компонента сначала подвергается суперполированию, а затем поверхность обрабатывается далее с помощью способа лучевой обработки.
7. Материал подложки по п.4, отличающийся тем, что при обработке поверхности материала подложки поверхность рентгенооптического компонента сначала подвергается суперполированию, а затем поверхность обрабатывается далее с помощью способа лучевой обработки.
8. Материал подложки по п.5, отличающийся тем, что при обработке поверхности материала подложки поверхность рентгенооптического компонента сначала подвергается суперполированию, а затем поверхность обрабатывается далее с помощью способа лучевой обработки.
9. Материал подложки по любому из п.1, или 6, или 7, или 8, отличающийся тем, что материал подложки является материалом подложки для визирной маски для литографии в экстремальном ультрафиолетовом свете.
10. Материал подложки по любому из п.1, или 6, или 7, или 8, отличающийся тем, что материал подложки является материалом подложки для зеркала нормального падения, при этом на материале подложки создается многослойная система с множеством слоев с высокой отражательной способностью в рентгеновском диапазоне при не скользящем падении.
11. Материал подложки по п.10, отличающийся тем, что зеркало имеет не сферическую форму.
12. Материал подложки по п.10, отличающийся тем, что на материал подложки наносится многослойная система, содержащая 40-200 пар слоев, состоящих из одного из следующих материалов: Mo/Si, Mo/Bi, MoRu/Be.
13. Материал подложки по п.11, отличающийся тем, что на материал подложки наносится многослойная система, содержащая 40-200 пар слоев, состоящих из одного из следующих материалов: Mo/Si, Mo/Bi, MoRu/Be.
14. Рентгенооптический компонент, отличающийся тем, что он содержит материал подложки по любому из пп.1-13.
15. Рентгенооптический компонент по п.14, отличающийся тем, что рентгенооптический компонент является зеркалом нормального падения или зеркалом скользящего падения.
16. Рентгенооптический компонент по п.14, отличающийся тем, что рентгенооптический компонент является визирной маской.
17. Способ изготовления рентгенооптического компонента для рентгеновского излучения с длиной волны λR, при этом материал подложки является стеклокерамикой и способ содержит следующие стадии: поверхность рентгенооптического компонента суперполируют до достижения шероховатости в диапазоне высоких пространственных частот (HSFR) менее λR/30 (среднеквадратическое значение), предпочтительно менее λR/50 (среднеквадратическое значение), особенно предпочтительно менее λR/100 (среднеквадратическое значение); затем поверхность обрабатывают далее с помощью способа лучевой обработки, пока погрешность не будет составлять в диапазоне низких пространственных частот от λR/50 до λR/100 (среднеквадратическое значение), и погрешность в диапазоне средних пространственных частот (MSFR) - в диапазоне от λR/50 до λR/100 (среднеквадратическое значение), при этом шероховатость в диапазоне высоких пространственных частот (HSFR) сохраняется менее λR/30 (среднеквадратическое значение), предпочтительно менее λR/50 (среднеквадратическое значение), особенно предпочтительно менее λR/100 (среднеквадратическое значение).
18. Применение материала подложки для рентгенооптических компонентов по любому из пп.1-13 в проекционной системе для экстремального ультрафиолетового света, содержащей систему освещения и проекционный объектив.
19. Применение материала подложки по любому из пп.1-13 для рентгенооптических компонентов в одной из следующих областей: рентгеномикроскопия, рентгеноастрономия, рентгеноспектроскопия.
RU2004103474/03A 2001-08-16 2002-08-14 Материал подложки для рентгенооптических компонентов RU2264995C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10139188A DE10139188A1 (de) 2001-08-16 2001-08-16 Glaskeramik für röntgenoptische Komponenten
DE10139188 2001-08-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004103474A true RU2004103474A (ru) 2005-06-27
RU2264995C2 RU2264995C2 (ru) 2005-11-27

Family

ID=7694935

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004103474/03A RU2264995C2 (ru) 2001-08-16 2002-08-14 Материал подложки для рентгенооптических компонентов

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7031428B2 (ru)
EP (1) EP1417159B1 (ru)
JP (1) JP5059283B2 (ru)
AT (1) ATE488479T1 (ru)
DE (2) DE10139188A1 (ru)
RU (1) RU2264995C2 (ru)
WO (1) WO2003016233A1 (ru)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101052386B1 (ko) 2003-09-27 2011-07-28 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 영점 교차 온도 근처에서 열팽창 계수의 온도에 따라, 상이한 기울기 부호를 갖는 재료로 구성된 미러들을 구비한 초단파 자외선 투영 광학계
SG112034A1 (en) * 2003-11-06 2005-06-29 Asml Netherlands Bv Optical element, lithographic apparatus comprising such optical element and device manufacturing method
DE102004008824B4 (de) * 2004-02-20 2006-05-04 Schott Ag Glaskeramik mit geringer Wärmeausdehnung sowie deren Verwendung
DE102004031079B4 (de) 2004-06-22 2008-11-13 Qimonda Ag Verfahren zur Herstellung einer Reflexionsmaske
US7118449B1 (en) * 2004-09-20 2006-10-10 Carl Zeiss Smt Ag Method of manufacturing an optical element
WO2006089738A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-31 Carl Zeiss Smt Ag Optical composite material and method for its production
JP5018479B2 (ja) * 2005-08-05 2012-09-05 勇蔵 森 電子ビームアシストeem法
DE102008040964B4 (de) 2008-08-04 2010-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Entfernen reflektierender Schichten von EUV-Spiegeln
RU197307U1 (ru) * 2019-12-23 2020-04-21 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Балтийский федеральный университет имени Иммануила Канта" Многослойное зеркало для монохроматизации жесткого рентгеновского излучения

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE438752A (ru) 1939-04-22
USD322813S (en) * 1989-07-17 1991-12-31 Wilson Patrick J Combined writing surface and storage tray for attachment to an institutional-type scale
FR2657079B1 (fr) * 1990-01-12 1993-04-09 Corning France Verres precurseurs de vitroceramiques, procede de conversion de ces verres en vitroceramiques a dilation tres faible ou nulle et vitroceramiques obtenues.
JPH0737334B2 (ja) * 1991-02-01 1995-04-26 岡本硝子株式会社 耐熱性セラミックス成形体及びその製造法
JP2668057B2 (ja) * 1994-09-13 1997-10-27 株式会社オハラ 低膨張透明ガラスセラミックス
DE19903807A1 (de) 1998-05-05 1999-11-11 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie
EP0955641B1 (de) * 1998-05-05 2004-04-28 Carl Zeiss Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie
US6377655B1 (en) * 1998-05-08 2002-04-23 Nikon Corporation Reflective mirror for soft x-ray exposure apparatus
US6577443B2 (en) * 1998-05-30 2003-06-10 Carl-Zeiss Stiftung Reduction objective for extreme ultraviolet lithography
DE19923609A1 (de) * 1998-05-30 1999-12-02 Zeiss Carl Fa Ringfeld-4-Spiegelsysteme mit konvexem Primärspiegel für die EUV-Lithographie
DE19830449A1 (de) * 1998-07-08 2000-01-27 Zeiss Carl Fa SiO¶2¶-beschichtetes Spiegelsubstrat für EUV
DE19907038C2 (de) * 1999-02-19 2003-04-10 Schott Glas Transluzente oder opake Glaskeramik mit Hochquarz-Mischkristallen als vorherrschender Kristallphase und deren Verwendung
AU5932500A (en) * 1999-07-22 2001-02-13 Corning Incorporated Extreme ultraviolet soft x-ray projection lithographic method and mask devices
WO2001008163A1 (en) * 1999-07-22 2001-02-01 Corning Incorporated Extreme ultraviolet soft x-ray projection lithographic method system and lithography elements
DE10127086A1 (de) * 2001-06-02 2002-12-05 Zeiss Carl Vorrichtung zur Reflexion von elektromagnetischen Wellen
DE10302342A1 (de) * 2003-01-17 2004-08-05 Schott Glas Substrat für die EUV-Mikrolithographie und Herstellverfahren hierfür
US7226881B2 (en) * 2003-09-19 2007-06-05 Kabushiki Kaisha Ohara Ultra low thermal expansion transparent glass ceramics

Also Published As

Publication number Publication date
DE10139188A1 (de) 2003-03-06
JP2005500241A (ja) 2005-01-06
US20040202278A1 (en) 2004-10-14
ATE488479T1 (de) 2010-12-15
DE50214776D1 (de) 2010-12-30
US7031428B2 (en) 2006-04-18
EP1417159B1 (de) 2010-11-17
WO2003016233A1 (de) 2003-02-27
EP1417159A1 (de) 2004-05-12
RU2264995C2 (ru) 2005-11-27
JP5059283B2 (ja) 2012-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8570488B2 (en) Transmitting optical element and objective for a microlithographic projection exposure apparatus
EP0279670B1 (en) A reflection type mask
JP5443375B2 (ja) 紫外線反射光学素子、紫外線反射光学素子を作製する方法、および紫外線反射光学素子を備える投影露光装置
US6776006B2 (en) Method to avoid striae in EUV lithography mirrors
US6813070B2 (en) Optical member for vacuum ultraviolet, and aligner and device manufacture method using same
KR101057564B1 (ko) 포토마스크 블랭크의 제조 방법
KR20010079499A (ko) EUV용의 SiO2 코팅된 미러 기판
JP2001237174A (ja) 反射型露光マスク
TWI595309B (zh) 薄膜的製作方法
RU2004103474A (ru) Материал подложки для рентгенооптических компонентов
JP6560670B2 (ja) 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置のミラー
US20090004374A1 (en) Mirror and exposure apparatus having the same
WO2002050612A2 (en) Method and system for improving stability of photomasks
JPH0868897A (ja) 反射鏡およびその製造方法
JP7288959B2 (ja) 裏側コーティングを有する極紫外線マスク
JPH10339799A (ja) 反射鏡及びその製造方法
JPH0868898A (ja) 反射鏡およびその製造方法
TW200401052A (en) Below 160 nm optical lithography crystal materials and methods of making
JPH11326598A (ja) 反射鏡およびその製造方法
JP2762188B2 (ja) 紫外線レーザー用合成石英ガラス成形体の製造方法
JPH11329918A (ja) 軟x線投影露光装置
US11480865B2 (en) Method and apparatus to improve EUV mask blank flatness
JP2005017543A (ja) 紫外線レーザ光用ミラー及び光学系及び投影露光装置
JPH11248903A (ja) 反射防止膜
JPH02145999A (ja) 多層膜x線反射鏡

Legal Events

Date Code Title Description
PC4A Invention patent assignment

Effective date: 20060327

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20120815