RU2004103474A - Материал подложки для рентгенооптических компонентов - Google Patents
Материал подложки для рентгенооптических компонентов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2004103474A RU2004103474A RU2004103474/03A RU2004103474A RU2004103474A RU 2004103474 A RU2004103474 A RU 2004103474A RU 2004103474/03 A RU2004103474/03 A RU 2004103474/03A RU 2004103474 A RU2004103474 A RU 2004103474A RU 2004103474 A RU2004103474 A RU 2004103474A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate material
- range
- ray optical
- less
- rms
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0009—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing silica as main constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C19/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by mechanical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
- C03C23/0055—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by ion implantation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2204/00—Glasses, glazes or enamels with special properties
- C03C2204/08—Glass having a rough surface
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Lenses (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Claims (19)
1. Материал подложки для рентгенооптических компонентов для рентгеновских лучей с длиной волны λR, содержащий стеклокерамику со стеклянной фазой из аморфного материала и кристаллической фазой, содержащей микрокристаллиты, при этом аморфный материал имеет положительное тепловое расширение, а микрокристаллиты - отрицательное тепловое расширение, и стехиометрическое соотношение кристаллической к стеклянной фазе установлено так, что величина теплового расширения α в температурном диапазоне от 20 до 100°С составляет менее 5·10-6 K-1, в частности, менее 1·10-6 K-1, при этом средняя величина микрокристаллитов составляет менее 4λR, в частности, менее 2λR, предпочтительно менее λR, особенно предпочтительно менее 2/3 λR, в частности, менее λR/2, отличающийся тем, что материал подложки после обработки поверхности имеет шероховатость в диапазоне высоких пространственных частот (HSFR) менее λR/30 (среднеквадратическое значение), предпочтительно менее λR/50 (среднеквадратическое значение), особенно предпочтительно менее λR/100 (среднеквадратическое значение).
2. Материал подложки по п.1, отличающийся тем, что длина волны рентгеновских лучей лежит в диапазоне от 10 до 30 нм.
3. Материал подложки по любому из п.1 или 2, отличающийся тем, что после обработки поверхности погрешность в диапазоне низких пространственных частот лежит в диапазоне от λR/50 до λR/100 (среднеквадратическое значение).
4. Материал подложки по п.1, отличающийся тем, что после обработки поверхности погрешность в диапазоне средних пространственных частот (MSFR) лежит в диапазоне от λR/50 до λR/100 (среднеквадратическое значение).
5. Материал подложки по п.3, отличающийся тем, что после обработки поверхности погрешность в диапазоне средних пространственных частот (MSFR) лежит в диапазоне от λR/50 до λR/100 (среднеквадратическое значение).
6. Материал подложки по п.1, отличающийся тем, что при обработке поверхности материала подложки поверхность рентгенооптического компонента сначала подвергается суперполированию, а затем поверхность обрабатывается далее с помощью способа лучевой обработки.
7. Материал подложки по п.4, отличающийся тем, что при обработке поверхности материала подложки поверхность рентгенооптического компонента сначала подвергается суперполированию, а затем поверхность обрабатывается далее с помощью способа лучевой обработки.
8. Материал подложки по п.5, отличающийся тем, что при обработке поверхности материала подложки поверхность рентгенооптического компонента сначала подвергается суперполированию, а затем поверхность обрабатывается далее с помощью способа лучевой обработки.
9. Материал подложки по любому из п.1, или 6, или 7, или 8, отличающийся тем, что материал подложки является материалом подложки для визирной маски для литографии в экстремальном ультрафиолетовом свете.
10. Материал подложки по любому из п.1, или 6, или 7, или 8, отличающийся тем, что материал подложки является материалом подложки для зеркала нормального падения, при этом на материале подложки создается многослойная система с множеством слоев с высокой отражательной способностью в рентгеновском диапазоне при не скользящем падении.
11. Материал подложки по п.10, отличающийся тем, что зеркало имеет не сферическую форму.
12. Материал подложки по п.10, отличающийся тем, что на материал подложки наносится многослойная система, содержащая 40-200 пар слоев, состоящих из одного из следующих материалов: Mo/Si, Mo/Bi, MoRu/Be.
13. Материал подложки по п.11, отличающийся тем, что на материал подложки наносится многослойная система, содержащая 40-200 пар слоев, состоящих из одного из следующих материалов: Mo/Si, Mo/Bi, MoRu/Be.
14. Рентгенооптический компонент, отличающийся тем, что он содержит материал подложки по любому из пп.1-13.
15. Рентгенооптический компонент по п.14, отличающийся тем, что рентгенооптический компонент является зеркалом нормального падения или зеркалом скользящего падения.
16. Рентгенооптический компонент по п.14, отличающийся тем, что рентгенооптический компонент является визирной маской.
17. Способ изготовления рентгенооптического компонента для рентгеновского излучения с длиной волны λR, при этом материал подложки является стеклокерамикой и способ содержит следующие стадии: поверхность рентгенооптического компонента суперполируют до достижения шероховатости в диапазоне высоких пространственных частот (HSFR) менее λR/30 (среднеквадратическое значение), предпочтительно менее λR/50 (среднеквадратическое значение), особенно предпочтительно менее λR/100 (среднеквадратическое значение); затем поверхность обрабатывают далее с помощью способа лучевой обработки, пока погрешность не будет составлять в диапазоне низких пространственных частот от λR/50 до λR/100 (среднеквадратическое значение), и погрешность в диапазоне средних пространственных частот (MSFR) - в диапазоне от λR/50 до λR/100 (среднеквадратическое значение), при этом шероховатость в диапазоне высоких пространственных частот (HSFR) сохраняется менее λR/30 (среднеквадратическое значение), предпочтительно менее λR/50 (среднеквадратическое значение), особенно предпочтительно менее λR/100 (среднеквадратическое значение).
18. Применение материала подложки для рентгенооптических компонентов по любому из пп.1-13 в проекционной системе для экстремального ультрафиолетового света, содержащей систему освещения и проекционный объектив.
19. Применение материала подложки по любому из пп.1-13 для рентгенооптических компонентов в одной из следующих областей: рентгеномикроскопия, рентгеноастрономия, рентгеноспектроскопия.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10139188A DE10139188A1 (de) | 2001-08-16 | 2001-08-16 | Glaskeramik für röntgenoptische Komponenten |
DE10139188 | 2001-08-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2004103474A true RU2004103474A (ru) | 2005-06-27 |
RU2264995C2 RU2264995C2 (ru) | 2005-11-27 |
Family
ID=7694935
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2004103474/03A RU2264995C2 (ru) | 2001-08-16 | 2002-08-14 | Материал подложки для рентгенооптических компонентов |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7031428B2 (ru) |
EP (1) | EP1417159B1 (ru) |
JP (1) | JP5059283B2 (ru) |
AT (1) | ATE488479T1 (ru) |
DE (2) | DE10139188A1 (ru) |
RU (1) | RU2264995C2 (ru) |
WO (1) | WO2003016233A1 (ru) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101052386B1 (ko) | 2003-09-27 | 2011-07-28 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 영점 교차 온도 근처에서 열팽창 계수의 온도에 따라, 상이한 기울기 부호를 갖는 재료로 구성된 미러들을 구비한 초단파 자외선 투영 광학계 |
SG112034A1 (en) * | 2003-11-06 | 2005-06-29 | Asml Netherlands Bv | Optical element, lithographic apparatus comprising such optical element and device manufacturing method |
DE102004008824B4 (de) * | 2004-02-20 | 2006-05-04 | Schott Ag | Glaskeramik mit geringer Wärmeausdehnung sowie deren Verwendung |
DE102004031079B4 (de) | 2004-06-22 | 2008-11-13 | Qimonda Ag | Verfahren zur Herstellung einer Reflexionsmaske |
US7118449B1 (en) * | 2004-09-20 | 2006-10-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Method of manufacturing an optical element |
WO2006089738A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical composite material and method for its production |
JP5018479B2 (ja) * | 2005-08-05 | 2012-09-05 | 勇蔵 森 | 電子ビームアシストeem法 |
DE102008040964B4 (de) | 2008-08-04 | 2010-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Entfernen reflektierender Schichten von EUV-Spiegeln |
RU197307U1 (ru) * | 2019-12-23 | 2020-04-21 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Балтийский федеральный университет имени Иммануила Канта" | Многослойное зеркало для монохроматизации жесткого рентгеновского излучения |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE438752A (ru) | 1939-04-22 | |||
USD322813S (en) * | 1989-07-17 | 1991-12-31 | Wilson Patrick J | Combined writing surface and storage tray for attachment to an institutional-type scale |
FR2657079B1 (fr) * | 1990-01-12 | 1993-04-09 | Corning France | Verres precurseurs de vitroceramiques, procede de conversion de ces verres en vitroceramiques a dilation tres faible ou nulle et vitroceramiques obtenues. |
JPH0737334B2 (ja) * | 1991-02-01 | 1995-04-26 | 岡本硝子株式会社 | 耐熱性セラミックス成形体及びその製造法 |
JP2668057B2 (ja) * | 1994-09-13 | 1997-10-27 | 株式会社オハラ | 低膨張透明ガラスセラミックス |
DE19903807A1 (de) | 1998-05-05 | 1999-11-11 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie |
EP0955641B1 (de) * | 1998-05-05 | 2004-04-28 | Carl Zeiss | Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie |
US6377655B1 (en) * | 1998-05-08 | 2002-04-23 | Nikon Corporation | Reflective mirror for soft x-ray exposure apparatus |
US6577443B2 (en) * | 1998-05-30 | 2003-06-10 | Carl-Zeiss Stiftung | Reduction objective for extreme ultraviolet lithography |
DE19923609A1 (de) * | 1998-05-30 | 1999-12-02 | Zeiss Carl Fa | Ringfeld-4-Spiegelsysteme mit konvexem Primärspiegel für die EUV-Lithographie |
DE19830449A1 (de) * | 1998-07-08 | 2000-01-27 | Zeiss Carl Fa | SiO¶2¶-beschichtetes Spiegelsubstrat für EUV |
DE19907038C2 (de) * | 1999-02-19 | 2003-04-10 | Schott Glas | Transluzente oder opake Glaskeramik mit Hochquarz-Mischkristallen als vorherrschender Kristallphase und deren Verwendung |
AU5932500A (en) * | 1999-07-22 | 2001-02-13 | Corning Incorporated | Extreme ultraviolet soft x-ray projection lithographic method and mask devices |
WO2001008163A1 (en) * | 1999-07-22 | 2001-02-01 | Corning Incorporated | Extreme ultraviolet soft x-ray projection lithographic method system and lithography elements |
DE10127086A1 (de) * | 2001-06-02 | 2002-12-05 | Zeiss Carl | Vorrichtung zur Reflexion von elektromagnetischen Wellen |
DE10302342A1 (de) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Schott Glas | Substrat für die EUV-Mikrolithographie und Herstellverfahren hierfür |
US7226881B2 (en) * | 2003-09-19 | 2007-06-05 | Kabushiki Kaisha Ohara | Ultra low thermal expansion transparent glass ceramics |
-
2001
- 2001-08-16 DE DE10139188A patent/DE10139188A1/de not_active Ceased
-
2002
- 2002-08-14 AT AT02794791T patent/ATE488479T1/de active
- 2002-08-14 DE DE50214776T patent/DE50214776D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-14 RU RU2004103474/03A patent/RU2264995C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2002-08-14 EP EP02794791A patent/EP1417159B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-14 WO PCT/EP2002/009107 patent/WO2003016233A1/de active Application Filing
- 2002-08-14 JP JP2003521163A patent/JP5059283B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-02-13 US US10/779,516 patent/US7031428B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10139188A1 (de) | 2003-03-06 |
JP2005500241A (ja) | 2005-01-06 |
US20040202278A1 (en) | 2004-10-14 |
ATE488479T1 (de) | 2010-12-15 |
DE50214776D1 (de) | 2010-12-30 |
US7031428B2 (en) | 2006-04-18 |
EP1417159B1 (de) | 2010-11-17 |
WO2003016233A1 (de) | 2003-02-27 |
EP1417159A1 (de) | 2004-05-12 |
RU2264995C2 (ru) | 2005-11-27 |
JP5059283B2 (ja) | 2012-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8570488B2 (en) | Transmitting optical element and objective for a microlithographic projection exposure apparatus | |
EP0279670B1 (en) | A reflection type mask | |
JP5443375B2 (ja) | 紫外線反射光学素子、紫外線反射光学素子を作製する方法、および紫外線反射光学素子を備える投影露光装置 | |
US6776006B2 (en) | Method to avoid striae in EUV lithography mirrors | |
US6813070B2 (en) | Optical member for vacuum ultraviolet, and aligner and device manufacture method using same | |
KR101057564B1 (ko) | 포토마스크 블랭크의 제조 방법 | |
KR20010079499A (ko) | EUV용의 SiO2 코팅된 미러 기판 | |
JP2001237174A (ja) | 反射型露光マスク | |
TWI595309B (zh) | 薄膜的製作方法 | |
RU2004103474A (ru) | Материал подложки для рентгенооптических компонентов | |
JP6560670B2 (ja) | 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置のミラー | |
US20090004374A1 (en) | Mirror and exposure apparatus having the same | |
WO2002050612A2 (en) | Method and system for improving stability of photomasks | |
JPH0868897A (ja) | 反射鏡およびその製造方法 | |
JP7288959B2 (ja) | 裏側コーティングを有する極紫外線マスク | |
JPH10339799A (ja) | 反射鏡及びその製造方法 | |
JPH0868898A (ja) | 反射鏡およびその製造方法 | |
TW200401052A (en) | Below 160 nm optical lithography crystal materials and methods of making | |
JPH11326598A (ja) | 反射鏡およびその製造方法 | |
JP2762188B2 (ja) | 紫外線レーザー用合成石英ガラス成形体の製造方法 | |
JPH11329918A (ja) | 軟x線投影露光装置 | |
US11480865B2 (en) | Method and apparatus to improve EUV mask blank flatness | |
JP2005017543A (ja) | 紫外線レーザ光用ミラー及び光学系及び投影露光装置 | |
JPH11248903A (ja) | 反射防止膜 | |
JPH02145999A (ja) | 多層膜x線反射鏡 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PC4A | Invention patent assignment |
Effective date: 20060327 |
|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20120815 |