JP2003014921A - 紫外光用ミラー、それを用いた露光装置 - Google Patents
紫外光用ミラー、それを用いた露光装置Info
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
Abstract
(57)【要約】
【課題】 紫外域において発振するレーザー光に対し
て、耐久性が高く、広い入射角度において高反射であり
（入射角度特性が良好であり）、かつ光線の入射角度変
化に対する偏光反射率の変動の小さな（偏光成分の分離
が小さい）紫外光用ミラーを提供することを目的とす
る。 【手段】本発明は、基板と、前記基板上に形成されたア
ルミニウム膜と、前記アルミニウム膜上に形成される誘
電体多層膜とを備えた紫外光用ミラーであって、前記ア
ルミニウム膜の反射率が８５％以上であることを特徴と
する紫外線用ミラーを提供する。
て、耐久性が高く、広い入射角度において高反射であり
（入射角度特性が良好であり）、かつ光線の入射角度変
化に対する偏光反射率の変動の小さな（偏光成分の分離
が小さい）紫外光用ミラーを提供することを目的とす
る。 【手段】本発明は、基板と、前記基板上に形成されたア
ルミニウム膜と、前記アルミニウム膜上に形成される誘
電体多層膜とを備えた紫外光用ミラーであって、前記ア
ルミニウム膜の反射率が８５％以上であることを特徴と
する紫外線用ミラーを提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、紫外領域において
発振する光に対して、広い光線入射角度において高反射
であり（入射角度特性が良好であり）、かつ光線の入射
角度変化に対する偏光反射率の変動の小さな（偏光成分
の分離が小さい）紫外光用ミラーに関する。
発振する光に対して、広い光線入射角度において高反射
であり（入射角度特性が良好であり）、かつ光線の入射
角度変化に対する偏光反射率の変動の小さな（偏光成分
の分離が小さい）紫外光用ミラーに関する。
【０００２】
【従来技術】近年、半導体素子の集積度を増すために、
半導体製造用縮小投影露光装置（ステッパー）の高解像
力化の要求が高まっている。このステッパーによるフォ
トリソグラフィーの解像度を上げる一つの方法として、
光源波長の短波長化が挙げられる。最近では、水銀ラン
プより短波長域の光を発振でき、かつ高出力なエキシマ
レーザーを光源としたステッパーの実用化が始まってい
る。このステッパーの光学系は、レンズやミラーなどの
各種光学素子を組み合わせて構成されている。
半導体製造用縮小投影露光装置（ステッパー）の高解像
力化の要求が高まっている。このステッパーによるフォ
トリソグラフィーの解像度を上げる一つの方法として、
光源波長の短波長化が挙げられる。最近では、水銀ラン
プより短波長域の光を発振でき、かつ高出力なエキシマ
レーザーを光源としたステッパーの実用化が始まってい
る。このステッパーの光学系は、レンズやミラーなどの
各種光学素子を組み合わせて構成されている。
【０００３】そのミラーは、光学系において光線を折り
返したり、折り曲げたりする用途で使用される。ミラー
の形状を凹面や凸面にすることによって結像性能を有す
るミラーを作製することができるが、光線が、収束光線
や発散光線の場合に、その光線が有する入射角度幅に対
して十分な反射率を有するミラーが必要とされる。
返したり、折り曲げたりする用途で使用される。ミラー
の形状を凹面や凸面にすることによって結像性能を有す
るミラーを作製することができるが、光線が、収束光線
や発散光線の場合に、その光線が有する入射角度幅に対
して十分な反射率を有するミラーが必要とされる。
【０００４】このような紫外域レーザー用ミラーの従来
の例としては、以下の構成のものが知られている。第１
の例としては、図５に示す構成である。基板１１上に、
高屈折率層と低屈折率層の交互層からなる誘電体多層膜
１３が形成されている。誘電体多層膜１３の各層の光学
的膜厚は、レーザー光を所定の入射角で入射した場合
に、各層の光路長がλ／４になるように設定されてお
り、以下に示す式で決まる。以下、設計基準波長λとす
る。
の例としては、以下の構成のものが知られている。第１
の例としては、図５に示す構成である。基板１１上に、
高屈折率層と低屈折率層の交互層からなる誘電体多層膜
１３が形成されている。誘電体多層膜１３の各層の光学
的膜厚は、レーザー光を所定の入射角で入射した場合
に、各層の光路長がλ／４になるように設定されてお
り、以下に示す式で決まる。以下、設計基準波長λとす
る。
【０００５】
【数１】
【０００６】即ち、所定の入射角度における光路長が約
λ／４の周期になっているので、所定の入射角度におい
て高反射率を得ることができる。なお、約λ／４の周期
は、例えば、電子計算機により演算して最適化する。図
６は、第１の例としてのレーザーミラーのλ＝１９３．
４ｎｍの入射角度特性図である。
λ／４の周期になっているので、所定の入射角度におい
て高反射率を得ることができる。なお、約λ／４の周期
は、例えば、電子計算機により演算して最適化する。図
６は、第１の例としてのレーザーミラーのλ＝１９３．
４ｎｍの入射角度特性図である。
【０００７】設計入射角度付近ではｓ偏光、ｐ偏光はそ
れぞれ９５％以上の反射率を得ることができるが、９５
％以上の高反射を示す入射角度幅が３５°〜５２°と狭
く、それ以外の角度では、急激に低下するので、広い入
射角度において高反射が要求されるミラーには適さな
い。
れぞれ９５％以上の反射率を得ることができるが、９５
％以上の高反射を示す入射角度幅が３５°〜５２°と狭
く、それ以外の角度では、急激に低下するので、広い入
射角度において高反射が要求されるミラーには適さな
い。
【０００８】第２の例としては図７に示す構成である。
基板１１上に、約２０００ÅのＡｌ膜１２が形成され、
さらにＡｌ膜１２が酸化により劣化することを防止する
ために保護膜（約１５００ÅのＭｇＦ2膜）１４が形成
されている。図８は、第２の例としてのレーザーミラー
のλ＝１９３．４ｎｍの入射角度特性図である。
基板１１上に、約２０００ÅのＡｌ膜１２が形成され、
さらにＡｌ膜１２が酸化により劣化することを防止する
ために保護膜（約１５００ÅのＭｇＦ2膜）１４が形成
されている。図８は、第２の例としてのレーザーミラー
のλ＝１９３．４ｎｍの入射角度特性図である。
【０００９】入射角度特性は、一様な反射特性を示す
が、入射角度が大きくなるにつれてｓ偏光の反射率は上
昇し、ｐ偏光の反射率は低下し、偏光成分が解離すると
いう特性を示す。このようなレーザーミラーをステッパ
ーの光学系に搭載した場合、結像ムラが生じ易いという
問題が生じる。また、低反射のミラーは光量が減少する
ため露光効率を低下させるとともに、熱吸収によるレー
ザー耐久性の低下、ミラー面の変化を引き起こしやすく
なる。この問題は、ミラーの枚数が増加すればする程、
増大する。
が、入射角度が大きくなるにつれてｓ偏光の反射率は上
昇し、ｐ偏光の反射率は低下し、偏光成分が解離すると
いう特性を示す。このようなレーザーミラーをステッパ
ーの光学系に搭載した場合、結像ムラが生じ易いという
問題が生じる。また、低反射のミラーは光量が減少する
ため露光効率を低下させるとともに、熱吸収によるレー
ザー耐久性の低下、ミラー面の変化を引き起こしやすく
なる。この問題は、ミラーの枚数が増加すればする程、
増大する。
【００１０】また、レーザー照射によりＡｌ膜の反射率
が徐々に低下してしまうという問題もある。
が徐々に低下してしまうという問題もある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、か
かる問題点に鑑みて、紫外域において発振するレーザー
光に対して、耐久性が高く、広い入射角度において高反
射であり（入射角度特性が良好であり）、かつ光線の入
射角度変化に対する偏光反射率の変動の小さな（偏光成
分の分離が小さい）紫外光用ミラーを提供することを目
的とする。
かる問題点に鑑みて、紫外域において発振するレーザー
光に対して、耐久性が高く、広い入射角度において高反
射であり（入射角度特性が良好であり）、かつ光線の入
射角度変化に対する偏光反射率の変動の小さな（偏光成
分の分離が小さい）紫外光用ミラーを提供することを目
的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者は鋭意研究の結
果、本発明をするに至った。本発明は、基板と、前記基
板上に形成されたアルミニウム膜と、前記アルミニウム
膜上に形成される誘電体多層膜とを備えた紫外光用ミラ
ーであって、前記アルミニウム膜の反射率が８５％以上
であることを特徴とする紫外線用ミラーを提供する。
果、本発明をするに至った。本発明は、基板と、前記基
板上に形成されたアルミニウム膜と、前記アルミニウム
膜上に形成される誘電体多層膜とを備えた紫外光用ミラ
ーであって、前記アルミニウム膜の反射率が８５％以上
であることを特徴とする紫外線用ミラーを提供する。
【００１３】
【発明の実施形態】以下、本発明にかかる実施形態の紫
外光用ミラーを図面を参照しながら説明する。図９−１
は第１の実施形態の紫外光用ミラーの概略断面図であ
る。石英基板１１上に反射率９０％のアルミニウム膜１
２を成膜し、アルミニウム膜１２上に保護膜としてフッ
化マグネシウムを厚さ１５００Åで成膜する。
外光用ミラーを図面を参照しながら説明する。図９−１
は第１の実施形態の紫外光用ミラーの概略断面図であ
る。石英基板１１上に反射率９０％のアルミニウム膜１
２を成膜し、アルミニウム膜１２上に保護膜としてフッ
化マグネシウムを厚さ１５００Åで成膜する。
【００１４】反射率８５％以上のアルミニウム膜を成膜
するためには、真空チャンバー内の水分圧を１×１０-3
以下にすること、及びアルミニウムの成膜速度を２０以
上にすることが必要である。アルミニウム膜の反射率を
８５％以上にすることによって、レーザー照射による反
射率低下が少ない、即ち、レーザーに対して耐久性が高
いミラーを得ることができる。
するためには、真空チャンバー内の水分圧を１×１０-3
以下にすること、及びアルミニウムの成膜速度を２０以
上にすることが必要である。アルミニウム膜の反射率を
８５％以上にすることによって、レーザー照射による反
射率低下が少ない、即ち、レーザーに対して耐久性が高
いミラーを得ることができる。
【００１５】表１は、本発明のミラーと従来のミラーと
のレーザー耐久性を示す表である。石英基板上に反射率
８５％のアルミニウム膜及びフッ化マグネシウム膜を真
空蒸着装置にて成膜したサンプル１（本発明品）と石英
基板上に反射率約７５％のアルミニウム膜及びフッ化マ
グネシウム膜を真空蒸着装置にて成膜したサンプル２
（従来品）とを作製した。両サンプルをＡｒＦエキシマ
レーザー（４ｍＪ／ｃｍ 2、１Ｅ7shots８００Ｈｚ）を
酸素濃度２０％、湿度７０％の雰囲気中で照射する前と
後との反射率を測定し、その低下量を測定した。 表１から、本発明のミラー（サンプル１）は、従来のミ
ラー（サンプル２）に比較してレーザー耐久性が向上し
たことが判る。
のレーザー耐久性を示す表である。石英基板上に反射率
８５％のアルミニウム膜及びフッ化マグネシウム膜を真
空蒸着装置にて成膜したサンプル１（本発明品）と石英
基板上に反射率約７５％のアルミニウム膜及びフッ化マ
グネシウム膜を真空蒸着装置にて成膜したサンプル２
（従来品）とを作製した。両サンプルをＡｒＦエキシマ
レーザー（４ｍＪ／ｃｍ 2、１Ｅ7shots８００Ｈｚ）を
酸素濃度２０％、湿度７０％の雰囲気中で照射する前と
後との反射率を測定し、その低下量を測定した。 表１から、本発明のミラー（サンプル１）は、従来のミ
ラー（サンプル２）に比較してレーザー耐久性が向上し
たことが判る。
【００１６】次に、第２の実施形態を図１を基に説明す
る。図１は、紫外線用ミラーの概略断面図である。第２
の実施形態の紫外光用ミラーは、精密に研磨された合成
石英ガラス基板１上に幾何学的膜厚が約２０００Å、反
射率が８５％のＡｌ膜２、光学的膜厚０．１５５λのフ
ッ化マグネシウム（低屈折率層）３−１が形成され、さ
らに、その上に光学的膜厚０．２９λのフッ化ランタン
（高屈折率層）４と光学的膜厚０．３１０λのフッ化マ
グネシウム（低屈折率層）３からなる３対の交互層５が
形成されている（フッ化マグネシウムからなる低屈折率
層３−１と３対の交互層５を併せて誘電体多層膜とい
う）。
る。図１は、紫外線用ミラーの概略断面図である。第２
の実施形態の紫外光用ミラーは、精密に研磨された合成
石英ガラス基板１上に幾何学的膜厚が約２０００Å、反
射率が８５％のＡｌ膜２、光学的膜厚０．１５５λのフ
ッ化マグネシウム（低屈折率層）３−１が形成され、さ
らに、その上に光学的膜厚０．２９λのフッ化ランタン
（高屈折率層）４と光学的膜厚０．３１０λのフッ化マ
グネシウム（低屈折率層）３からなる３対の交互層５が
形成されている（フッ化マグネシウムからなる低屈折率
層３−１と３対の交互層５を併せて誘電体多層膜とい
う）。
【００１７】なお、各層の膜は、抵抗加熱蒸着法、イオ
ンビーム蒸着法、スパッタリング法などの公知の技術に
より基板上に形成される。３対の交互層の各層の光学的
膜厚は５５゜の入射角でλ＝１９３．４ｎｍのレーザー
を入射した場合に、その光路長が約λ／４になるように
最適化され、１９３．４ｎｍ付近の高反射を確保してい
る。
ンビーム蒸着法、スパッタリング法などの公知の技術に
より基板上に形成される。３対の交互層の各層の光学的
膜厚は５５゜の入射角でλ＝１９３．４ｎｍのレーザー
を入射した場合に、その光路長が約λ／４になるように
最適化され、１９３．４ｎｍ付近の高反射を確保してい
る。
【００１８】さらに、基板１上に形成されたＡｌ膜２と
３対の交互層５の間に低屈折率層３−１であるフッ化マ
グネシウムを挿入し、その膜厚を最適化することによ
り、Ａｌ膜２、低屈折率層３−１、３対の交互層５から
なる構成全体により広い入射角度において高反射を示
す、入射角度依存性の小さい紫外光用ミラーを得てい
る。
３対の交互層５の間に低屈折率層３−１であるフッ化マ
グネシウムを挿入し、その膜厚を最適化することによ
り、Ａｌ膜２、低屈折率層３−１、３対の交互層５から
なる構成全体により広い入射角度において高反射を示
す、入射角度依存性の小さい紫外光用ミラーを得てい
る。
【００１９】図２は、第２の実施形態の紫外光用ミラー
のλ＝１９３．４ｎｍにおける入射角度特性図である。
図２から、入射角度θ＝１０〜８０°の広い入射角度に
おいて、反射率９５％以上という高反射を示し、入射角
の変化に対して、反射率の偏光成分の解離が従来に比べ
て小さい特性であることがわかる。
のλ＝１９３．４ｎｍにおける入射角度特性図である。
図２から、入射角度θ＝１０〜８０°の広い入射角度に
おいて、反射率９５％以上という高反射を示し、入射角
の変化に対して、反射率の偏光成分の解離が従来に比べ
て小さい特性であることがわかる。
【００２０】図１０は、第２の実施形態の紫外線用ミラ
ー（本発明のミラー）と第２の実施形態と構成は同じ
で、Ａｌ膜の反射率が約５５％の紫外線用ミラー（従来
品のミラー）との４５度における反射率を示す図であ
る。図から明らかなように、全波長域に対して、本発明
のミラーの方が従来のミラーよりも優れていることが判
る。
ー（本発明のミラー）と第２の実施形態と構成は同じ
で、Ａｌ膜の反射率が約５５％の紫外線用ミラー（従来
品のミラー）との４５度における反射率を示す図であ
る。図から明らかなように、全波長域に対して、本発明
のミラーの方が従来のミラーよりも優れていることが判
る。
【００２１】図３は第３の実施形態の紫外光用ミラーの
概略断面図である。第３の実施形態の紫外光用ミラー
は、精密に研磨された合成石英ガラス基板１上に幾何学
的膜厚が約２０００Å、反射率が８５％のＡｌ膜２、光
学的膜厚０．１６λのフッ化マグネシウム（低屈折率
層）３−２が形成され、さらに、その上に光学的膜厚
０．２９λのフッ化ランタン（高屈折率層）４と光学的
膜厚０．３２λのフッ化マグネシウム（低屈折率層）３
からなる４対の交互層６が形成されている（フッ化マグ
ネシウムからなる低屈折率層３−２と４対の交互層６を
併せて誘電体多層膜という）。
概略断面図である。第３の実施形態の紫外光用ミラー
は、精密に研磨された合成石英ガラス基板１上に幾何学
的膜厚が約２０００Å、反射率が８５％のＡｌ膜２、光
学的膜厚０．１６λのフッ化マグネシウム（低屈折率
層）３−２が形成され、さらに、その上に光学的膜厚
０．２９λのフッ化ランタン（高屈折率層）４と光学的
膜厚０．３２λのフッ化マグネシウム（低屈折率層）３
からなる４対の交互層６が形成されている（フッ化マグ
ネシウムからなる低屈折率層３−２と４対の交互層６を
併せて誘電体多層膜という）。
【００２２】なお、各層の膜は、抵抗加熱蒸着法、イオ
ンビーム蒸着法、スパッタリング法などの公知の技術な
どにより基板上に形成される。４対の交互層の各層の光
学的膜厚は、６０゜の入射角でλ＝１９３．４ｎｍのレ
ーザーを入射した場合に、その光路長が約λ／４になる
ように最適化され、１９３．４ｎｍ付近の高反射を確保
している。
ンビーム蒸着法、スパッタリング法などの公知の技術な
どにより基板上に形成される。４対の交互層の各層の光
学的膜厚は、６０゜の入射角でλ＝１９３．４ｎｍのレ
ーザーを入射した場合に、その光路長が約λ／４になる
ように最適化され、１９３．４ｎｍ付近の高反射を確保
している。
【００２３】さらに、基板上に形成されたＡｌ膜２と４
対の交互層６の間に低屈折率層３−２であるフッ化マグ
ネシウムを挿入し、その膜厚を最適化することにより、
Ａｌ膜２、低屈折率層３−２、４対の交互層６からなる
構成全体により広い入射角度において高反射を示す、入
射角度依存性の小さい紫外光用ミラーを得ている。
対の交互層６の間に低屈折率層３−２であるフッ化マグ
ネシウムを挿入し、その膜厚を最適化することにより、
Ａｌ膜２、低屈折率層３−２、４対の交互層６からなる
構成全体により広い入射角度において高反射を示す、入
射角度依存性の小さい紫外光用ミラーを得ている。
【００２４】図４は、第３の実施形態の紫外光用ミラー
のλ＝１９３．４ｎｍにおける入射角度特性図である。
図４から、入射角度θ＝１０〜８０°の広い入射角度に
おいて、反射率９５％以上という高反射を示し、入射角
の変化に対して、反射率の偏光成分の解離が従来に比べ
て小さい特性であることがわかる。
のλ＝１９３．４ｎｍにおける入射角度特性図である。
図４から、入射角度θ＝１０〜８０°の広い入射角度に
おいて、反射率９５％以上という高反射を示し、入射角
の変化に対して、反射率の偏光成分の解離が従来に比べ
て小さい特性であることがわかる。
【００２５】本発明にかかる紫外光用ミラーの高屈折率
層の材料としては、フッ化ネオジム（ＮｄＦ3）、フッ
化ランタン（ＬａＦ3）、フッ化ガドリニウム（Ｇｄ
Ｆ3）、フッ化ディスプロシウム（ＤｙＦ3）、酸化アル
ミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、フッ化鉛（ＰｂＦ2）、酸化ハ
フニウム（ＨｆＯ2）、フッ化イットリウム（ＹＦ3）及
びこれらの混合物又は化合物の群より選ばれた１つ以上
の成分であり、低屈折率層の材料としては、フッ化マグ
ネシウム（ＭｇＦ2）、フッ化アルミニウム（Ａｌ
Ｆ3）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化リチウム
（ＬｉＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ2）、フッ化バ
リウム（ＢａＦ2）、フッ化ストロンチウム（Ｓｒ
Ｆ2）、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、クライオライト（Ｎ
ａ3ＡｌＦ6）、チオライト（Ｎａ5Ａｌ3Ｆ14）これらの
混合物又は化合物の群より選ばれた１つ以上の成分が使
用される。
層の材料としては、フッ化ネオジム（ＮｄＦ3）、フッ
化ランタン（ＬａＦ3）、フッ化ガドリニウム（Ｇｄ
Ｆ3）、フッ化ディスプロシウム（ＤｙＦ3）、酸化アル
ミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、フッ化鉛（ＰｂＦ2）、酸化ハ
フニウム（ＨｆＯ2）、フッ化イットリウム（ＹＦ3）及
びこれらの混合物又は化合物の群より選ばれた１つ以上
の成分であり、低屈折率層の材料としては、フッ化マグ
ネシウム（ＭｇＦ2）、フッ化アルミニウム（Ａｌ
Ｆ3）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化リチウム
（ＬｉＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ2）、フッ化バ
リウム（ＢａＦ2）、フッ化ストロンチウム（Ｓｒ
Ｆ2）、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、クライオライト（Ｎ
ａ3ＡｌＦ6）、チオライト（Ｎａ5Ａｌ3Ｆ14）これらの
混合物又は化合物の群より選ばれた１つ以上の成分が使
用される。
【００２６】基板としては、基板上にＡｌ膜を形成して
いるので、所定の形状に加工できることが可能な材料で
あれば、石英ガラス等の各種ガラス、蛍石、フッ化マグ
ネシウム等の光学結晶材料のレーザー光を透過する材料
も使用可能であるとともに、熱膨張率、熱伝導度の観点
から、セラミックス、シリコン、炭化珪素、タングステ
ンが使用される。
いるので、所定の形状に加工できることが可能な材料で
あれば、石英ガラス等の各種ガラス、蛍石、フッ化マグ
ネシウム等の光学結晶材料のレーザー光を透過する材料
も使用可能であるとともに、熱膨張率、熱伝導度の観点
から、セラミックス、シリコン、炭化珪素、タングステ
ンが使用される。
【００２７】アルミ膜（Ａｌ）の幾何学的膜厚は、１０
００Å程度あれば十分であるが、これ以上であっても差
し支えない。なお、本実施形態においては、レーザー光
を照射した例を示したが、これに限定されない。次に本
発明の露光装置の一例を説明する。
００Å程度あれば十分であるが、これ以上であっても差
し支えない。なお、本実施形態においては、レーザー光
を照射した例を示したが、これに限定されない。次に本
発明の露光装置の一例を説明する。
【００２８】図１１は、本発明に係る薄膜を有する光学
素子を用いた露光装置の基本構造であり、フォトレジス
トでコートされたウェハー上にレチクルのパターンのイ
メージを投影するための、ステッパと呼ばれるような投
影露光装置に特に応用される。
素子を用いた露光装置の基本構造であり、フォトレジス
トでコートされたウェハー上にレチクルのパターンのイ
メージを投影するための、ステッパと呼ばれるような投
影露光装置に特に応用される。
【００２９】図１１に示すように、本発明の露光装置は
少なくとも、表面３０１ａに置かれた感光剤を塗布した
基板Ｗを置くことのできるウェハーステージ３０１，露
光光として用意された波長の真空紫外光を照射し、基板
Ｗ上に用意されたマスクのパターン（レチクルＲ）を転
写するための照明光学系１０１，照明光学系１０１に露
光光を供給するための光源１００，基板Ｗ上にマスクＲ
のパターンのイメージを投影するためのマスクＲが配さ
れた最初の表面Ｐ１（物体面）と基板Ｗの表面と一致さ
せた二番目の表面（像面）との間に置かれた投影光学系
５００、を含む。照明光学系１０１は、光源１００から
の露光光を反射させるミラー光学系１１０を含んでい
る。マスクＲはウェハーステージ３０１の表面に対して
平行に動くことのできるレチクルステージ２０１に配置
される。レチクル交換系２００は、レチクルステージ２
０１にセットされたレチクル（マスクＲ）を交換し運搬
する。レチクル交換系２００はウェハーステージ３０１
の表面３０１ａに対してレチクルステージ２０１を平行
に動かすためのステージドライバーを含んでいる。投影
光学系５００は、スキャンタイプの露光装置に応用され
るアライメント光学系を持っている。
少なくとも、表面３０１ａに置かれた感光剤を塗布した
基板Ｗを置くことのできるウェハーステージ３０１，露
光光として用意された波長の真空紫外光を照射し、基板
Ｗ上に用意されたマスクのパターン（レチクルＲ）を転
写するための照明光学系１０１，照明光学系１０１に露
光光を供給するための光源１００，基板Ｗ上にマスクＲ
のパターンのイメージを投影するためのマスクＲが配さ
れた最初の表面Ｐ１（物体面）と基板Ｗの表面と一致さ
せた二番目の表面（像面）との間に置かれた投影光学系
５００、を含む。照明光学系１０１は、光源１００から
の露光光を反射させるミラー光学系１１０を含んでい
る。マスクＲはウェハーステージ３０１の表面に対して
平行に動くことのできるレチクルステージ２０１に配置
される。レチクル交換系２００は、レチクルステージ２
０１にセットされたレチクル（マスクＲ）を交換し運搬
する。レチクル交換系２００はウェハーステージ３０１
の表面３０１ａに対してレチクルステージ２０１を平行
に動かすためのステージドライバーを含んでいる。投影
光学系５００は、スキャンタイプの露光装置に応用され
るアライメント光学系を持っている。
【００３０】そして、本発明の露光装置は、前記本発明
の紫外光用ミラーを使用したものである。具体的には、
ミラー光学系１１０に利用されている。
の紫外光用ミラーを使用したものである。具体的には、
ミラー光学系１１０に利用されている。
【００３１】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明にかかる紫外
光用ミラーは、紫外域において発振する光に対して、広
い入射角度において高反射であり（入射角度特性が良好
であり）、かつ光線の入射角度変化に対する偏光反射率
の変動が小さい（偏光成分の分離が小さい）という特性
を有している。
光用ミラーは、紫外域において発振する光に対して、広
い入射角度において高反射であり（入射角度特性が良好
であり）、かつ光線の入射角度変化に対する偏光反射率
の変動が小さい（偏光成分の分離が小さい）という特性
を有している。
【００３２】従って、本発明にかかる紫外光用ミラーを
ステッパーの光学系に搭載した場合、結像ムラが生じる
という問題が生じず、露光効率を低下させるという問題
も生じない。
ステッパーの光学系に搭載した場合、結像ムラが生じる
という問題が生じず、露光効率を低下させるという問題
も生じない。
【図１】本発明にかかる第２の実施形態の紫外光用ミラ
ーの概略断面図である。
ーの概略断面図である。
【図２】本発明にかかる第２の実施形態の紫外光用ミラ
ーのλ＝１９３．４ｎｍにおける入射角度特性図であ
る。
ーのλ＝１９３．４ｎｍにおける入射角度特性図であ
る。
【図３】本発明にかかる第３の実施形態の紫外光用ミラ
ーの概略断面図である。
ーの概略断面図である。
【図４】本発明にかかる第３の実施形態の紫外光用ミラ
ーのλ＝１９３．４ｎｍにおける入射角度特性図であ
る。
ーのλ＝１９３．４ｎｍにおける入射角度特性図であ
る。
【図５】従来の第１の紫外光用ミラーの概略断面図であ
る。
る。
【図６】従来の第１の紫外光用ミラーのλ＝１９３．４
ｎｍにおける入射角度特性図である。
ｎｍにおける入射角度特性図である。
【図７】従来の第２の紫外光用ミラーの概略断面図であ
る。
る。
【図８】従来の第２の紫外光用ミラーのλ＝１９３．４
ｎｍにおける入射角度特性図である。
ｎｍにおける入射角度特性図である。
【図９】本発明にかかる第１の実施形態の紫外光用ミラ
ーの概略断面図である。
ーの概略断面図である。
【図１０】本発明のミラーと従来のミラーとの反射率を
示す図である。
示す図である。
【図１１】本発明の露光装置の概略を示す図である。
１、１１・・・基板
２、１２・・・Ａｌ膜
３、３−１、３−２・・・フッ化マグネシウム（低屈折
率層） ４・・・フッ化ランタン（高屈折率層） ５・・・３対の交互層 ６・・・４対の交互層 ７・・・フッ化アルミニウム（低屈折率層） ８・・・３対の交互層 ９・・・保護層 １３・・・誘電体交互層 １４・・・保護膜
率層） ４・・・フッ化ランタン（高屈折率層） ５・・・３対の交互層 ６・・・４対の交互層 ７・・・フッ化アルミニウム（低屈折率層） ８・・・３対の交互層 ９・・・保護層 １３・・・誘電体交互層 １４・・・保護膜
Claims (4)
- 【請求項１】基板と、前記基板上に形成されたアルミニ
ウム膜と、前記アルミニウム膜上に形成される誘電体多
層膜とを備えた紫外光用ミラーであって、前記アルミニ
ウム膜の反射率が８５％以上であることを特徴とする紫
外線用ミラー。 - 【請求項２】前記誘電体多層膜は、前記基板の屈折率よ
りも小さい屈折率物質からなる第１低屈折率層及び第２
低屈折率層と、前記基板の屈折率よりも大きい屈折率物
質からなる高屈折率層とからなり、前記第１低屈折率層
の光学的膜厚は設計基準波長λに対して約０．１２５〜
０．１７５λであり、前記第２低屈折率層及び前記高屈
折層の光学的膜厚はぞれぞれ、設計基準波長λに対して
約０．２５〜０．３５λであり、前記誘電体多層膜は以
下の構成であることを特徴とする請求項１に記載の紫外
線用ミラー。 Ｌ1／（Ｈ／Ｌ2）X Ｌ1：第１低屈折率層 Ｌ2：第２低屈折率層 Ｈ：高屈折率層 Ｘ：１〜１０の整数 - 【請求項３】前記高屈折率層の材料はフッ化ネオジム
（ＮｄＦ3）、フッ化ランタン（ＬａＦ3）、フッ化ガド
リニウム（ＧｄＦ3）、フッ化ディスプロシウム（Ｄｙ
Ｆ3）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、フッ化鉛（Ｐ
ｂＦ2）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、フッ化イットリ
ウム（ＹＦ3）及びこれらの混合物又は化合物の群より
選ばれた１つ以上の成分であり、前記低屈折率層の材料
はフッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、フッ化アルミニウ
ム（ＡｌＦ3）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化
リチウム（ＬｉＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ2）、
フッ化バリウム（ＢａＦ2）、フッ化ストロンチウム
（ＳｒＦ2）、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、クライオライ
ト（Ｎａ3ＡｌＦ6）、チオライト（Ｎａ5Ａｌ3Ｆ14）及
びこれらの混合物又は化合物の群より選ばれた１つ以上
の成分であることを特徴とする請求項１記載の紫外光用
ミラー。 - 【請求項４】真空紫外光を光源とする露光装置におい
て、請求項１乃至３に記載の紫外線用ミラーを搭載する
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001197981A JP2003014921A (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | 紫外光用ミラー、それを用いた露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001197981A JP2003014921A (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | 紫外光用ミラー、それを用いた露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003014921A true JP2003014921A (ja) | 2003-01-15 |
Family
ID=19035496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001197981A Pending JP2003014921A (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | 紫外光用ミラー、それを用いた露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003014921A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005017543A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Nikon Corp | 紫外線レーザ光用ミラー及び光学系及び投影露光装置 |
| JP2006227099A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Nikon Corp | 紫外光用反射光学素子，光学系，光学装置及び露光装置 |
| JP2016095523A (ja) * | 2006-12-28 | 2016-05-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 傾斜偏向ミラーを有する反射屈折投影対物器械、投影露光装置、投影露光方法、及びミラー |
| JP2018529127A (ja) * | 2015-09-29 | 2018-10-04 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 反射光学素子 |
-
2001
- 2001-06-29 JP JP2001197981A patent/JP2003014921A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005017543A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Nikon Corp | 紫外線レーザ光用ミラー及び光学系及び投影露光装置 |
| JP2006227099A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Nikon Corp | 紫外光用反射光学素子，光学系，光学装置及び露光装置 |
| JP2016095523A (ja) * | 2006-12-28 | 2016-05-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 傾斜偏向ミラーを有する反射屈折投影対物器械、投影露光装置、投影露光方法、及びミラー |
| JP2018529127A (ja) * | 2015-09-29 | 2018-10-04 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 反射光学素子 |
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