JPH11311704A - 紫外光用ミラー - Google Patents
紫外光用ミラーInfo
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- JPH11311704A JPH11311704A JP10352801A JP35280198A JPH11311704A JP H11311704 A JPH11311704 A JP H11311704A JP 10352801 A JP10352801 A JP 10352801A JP 35280198 A JP35280198 A JP 35280198A JP H11311704 A JPH11311704 A JP H11311704A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0891—Ultraviolet [UV] mirrors
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】紫外域において発振する光に対して、広い入射
角度において高反射であり(入射角度特性が良好であ
り)、かつ光線の入射角度変化に対する偏光反射率の変
動の小さな(偏光成分の分離が小さい)紫外光用ミラー
を提供する。 【解決手段】 少なくとも、基板と、前記基板上に形成
されたアルミニウム膜(Al)と、前記アルミニウム膜
(Al)上に形成された低屈折率層、高屈折率層の交互
層からなる誘電体多層膜と、を備えた紫外光用ミラーで
あって、前記誘電体多層膜の構成が、L1/[H/L2]
xであり、光学的膜厚が、2L1≒L2≒H=0.25〜
0.35λ、或いは2L1=L2=H=0.25〜0.3
5λの関係を満たすことを特徴とする紫外光用ミラー。
但し、L1、L2:低屈折率層、H:高屈折率層、X:1
〜10の整数、λ:設計基準波長
角度において高反射であり(入射角度特性が良好であ
り)、かつ光線の入射角度変化に対する偏光反射率の変
動の小さな(偏光成分の分離が小さい)紫外光用ミラー
を提供する。 【解決手段】 少なくとも、基板と、前記基板上に形成
されたアルミニウム膜(Al)と、前記アルミニウム膜
(Al)上に形成された低屈折率層、高屈折率層の交互
層からなる誘電体多層膜と、を備えた紫外光用ミラーで
あって、前記誘電体多層膜の構成が、L1/[H/L2]
xであり、光学的膜厚が、2L1≒L2≒H=0.25〜
0.35λ、或いは2L1=L2=H=0.25〜0.3
5λの関係を満たすことを特徴とする紫外光用ミラー。
但し、L1、L2:低屈折率層、H:高屈折率層、X:1
〜10の整数、λ:設計基準波長
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、紫外領域において
発振する光に対して、広い光線入射角度において高反射
であり(入射角度特性が良好であり)、かつ光線の入射
角度変化に対する偏光反射率の変動の小さな(偏光成分
の分離が小さい)紫外光用ミラーに関する。
発振する光に対して、広い光線入射角度において高反射
であり(入射角度特性が良好であり)、かつ光線の入射
角度変化に対する偏光反射率の変動の小さな(偏光成分
の分離が小さい)紫外光用ミラーに関する。
【0002】
【従来技術】近年、半導体素子の集積度を増すために、
半導体製造用縮小投影露光装置(ステッパー)の高解像
力化の要求が高まっている。このステッパーによるフォ
トリソグラフィーの解像度を上げる一つの方法として、
光源波長の短波長化が挙げられる。最近では、水銀ラン
プより短波長域の光を発振でき、かつ高出力なエキシマ
レーザーを光源としたステッパーの実用化が始まってい
る。このステッパーの光学系は、レンズやミラーなどの
各種光学素子を組み合わせて構成されている。
半導体製造用縮小投影露光装置(ステッパー)の高解像
力化の要求が高まっている。このステッパーによるフォ
トリソグラフィーの解像度を上げる一つの方法として、
光源波長の短波長化が挙げられる。最近では、水銀ラン
プより短波長域の光を発振でき、かつ高出力なエキシマ
レーザーを光源としたステッパーの実用化が始まってい
る。このステッパーの光学系は、レンズやミラーなどの
各種光学素子を組み合わせて構成されている。
【0003】そのミラーは、光学系において光線を折り
返したり、折り曲げたりする用途で使用される。ミラー
の形状を凹面や凸面にすることによって結像性能を有す
るミラーを作製することができるが、光線が、収束光線
や発散光線の場合に、その光線が有する入射角度幅に対
して十分な反射率を有するミラーが必要とされる。
返したり、折り曲げたりする用途で使用される。ミラー
の形状を凹面や凸面にすることによって結像性能を有す
るミラーを作製することができるが、光線が、収束光線
や発散光線の場合に、その光線が有する入射角度幅に対
して十分な反射率を有するミラーが必要とされる。
【0004】このような紫外域レーザー用ミラーの従来
の例としては、以下の構成のものが知られている。第1
の例としては、図5に示す構成である。基板11上に、
高屈折率層と低屈折率層の交互層からなる誘電体多層膜
13が形成されている。
の例としては、以下の構成のものが知られている。第1
の例としては、図5に示す構成である。基板11上に、
高屈折率層と低屈折率層の交互層からなる誘電体多層膜
13が形成されている。
【0005】誘電体多層膜13の各層の光学的膜厚は、
レーザー光を所定の入射角で入射した場合に、各層の光
路長がλ/4になるように設定されており、以下に示す
式で決まる。
レーザー光を所定の入射角で入射した場合に、各層の光
路長がλ/4になるように設定されており、以下に示す
式で決まる。
【0006】
【数1】
【0007】即ち、所定の入射角度における光路長が約
λ/4の周期になっているので、所定の入射角度におい
て高反射率を得ることができる。なお、約λ/4の周期
は、例えば、電子計算機により演算して最適化する。図
6は、第1の例としてのレーザーミラーのλ=193.
4nmの入射角度特性図である。
λ/4の周期になっているので、所定の入射角度におい
て高反射率を得ることができる。なお、約λ/4の周期
は、例えば、電子計算機により演算して最適化する。図
6は、第1の例としてのレーザーミラーのλ=193.
4nmの入射角度特性図である。
【0008】θ=45°にて高反射になるように設定し
た。設計入射角度付近ではs偏光、p偏光はそれぞれ9
5%以上の反射率を得ることができるが、95%以上の
高反射を示す入射角度幅が35°〜52°と狭く、それ
以外の角度では、急激に低下するので、広い入射角度に
おいて高反射が要求されるミラーには適さない。
た。設計入射角度付近ではs偏光、p偏光はそれぞれ9
5%以上の反射率を得ることができるが、95%以上の
高反射を示す入射角度幅が35°〜52°と狭く、それ
以外の角度では、急激に低下するので、広い入射角度に
おいて高反射が要求されるミラーには適さない。
【0009】第2の例としては図7に示す構成である。
基板11上に、約2000ÅのAl膜12が形成され、
さらにAl膜12が酸化により劣化することを防止する
ために保護膜(約1500ÅのMgF2膜)14が形成
されている。図8は、第2の例としてのレーザーミラー
のλ=193.4nmの入射角度特性図である。
基板11上に、約2000ÅのAl膜12が形成され、
さらにAl膜12が酸化により劣化することを防止する
ために保護膜(約1500ÅのMgF2膜)14が形成
されている。図8は、第2の例としてのレーザーミラー
のλ=193.4nmの入射角度特性図である。
【0010】入射角度特性は、第1の例の誘電体多層ミ
ラーよりも一様な反射特性を示すが、最大反射率は低
く、入射角度が大きくなるにつれてs偏光の反射率は上
昇し、p偏光の反射率は低下し、偏光成分が解離すると
いう特性を示す。このようなレーザーミラーをステッパ
ーの光学系に搭載した場合、結像ムラが生じ易いという
問題が生じる。また、低反射のミラーは光量が減少する
ため露光効率を低下させるとともに、熱吸収によるレー
ザー耐久性の低下、ミラー面の変化を引き起こしやすく
なる。
ラーよりも一様な反射特性を示すが、最大反射率は低
く、入射角度が大きくなるにつれてs偏光の反射率は上
昇し、p偏光の反射率は低下し、偏光成分が解離すると
いう特性を示す。このようなレーザーミラーをステッパ
ーの光学系に搭載した場合、結像ムラが生じ易いという
問題が生じる。また、低反射のミラーは光量が減少する
ため露光効率を低下させるとともに、熱吸収によるレー
ザー耐久性の低下、ミラー面の変化を引き起こしやすく
なる。
【0011】この問題は、ミラーの枚数が増加すればす
る程、増大する。
る程、増大する。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、か
かる問題点に鑑みて、紫外域において発振する光に対し
て、広い入射角度において高反射であり(入射角度特性
が良好であり)、かつ光線の入射角度変化に対する偏光
反射率の変動の小さな(偏光成分の分離が小さい)紫外
光用ミラーを提供することを目的とする。
かる問題点に鑑みて、紫外域において発振する光に対し
て、広い入射角度において高反射であり(入射角度特性
が良好であり)、かつ光線の入射角度変化に対する偏光
反射率の変動の小さな(偏光成分の分離が小さい)紫外
光用ミラーを提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明者は鋭意研究の結
果、本発明をするに至った。本発明は第一に「少なくと
も、基板と、前記基板上に形成されたアルミニウム膜
(Al)と、前記アルミニウム膜(Al)上に形成され
た低屈折率層、高屈折率層の交互層からなる誘電体多層
膜と、を備えた紫外光用ミラーであって、前記誘電体多
層膜の構成が、 L1/[H/L2]x であり、光学的膜厚が、2L1≒L2≒H=0.25〜
0.35λ、或いは2L1=L2=H=0.25〜0.3
5λの関係を満たすことを特徴とする紫外光用ミラー。
果、本発明をするに至った。本発明は第一に「少なくと
も、基板と、前記基板上に形成されたアルミニウム膜
(Al)と、前記アルミニウム膜(Al)上に形成され
た低屈折率層、高屈折率層の交互層からなる誘電体多層
膜と、を備えた紫外光用ミラーであって、前記誘電体多
層膜の構成が、 L1/[H/L2]x であり、光学的膜厚が、2L1≒L2≒H=0.25〜
0.35λ、或いは2L1=L2=H=0.25〜0.3
5λの関係を満たすことを特徴とする紫外光用ミラー。
【0014】但し、L1、L2:低屈折率層、H:高屈折
率層、X:1〜10の整数、λ:設計基準波長(請求項
1)」を提供する。 なお、2L1≒L2≒Hの近似の範囲は、15%程度の誤
差範囲をいう。また、本発明は第二に「前記高屈折率層
の材料がフッ化ネオジム(NdF3)、フッ化ランタン
(LaF3)、フッ化ガドリニウム(GdF3)、フッ化
ディスプロシウム(DyF3)、酸化アルミニウム(A
l2O3)、フッ化鉛(PbF2)、酸化ハフニウム(H
fO2)及びこれらの混合物又は化合物の群より選ばれ
た1つ以上の成分であり、前記低屈折率層の材料がフッ
化マグネシウム(MgF2)、フッ化アルミニウム(A
lF3)、フッ化ナトリウム(NaF)、フッ化リチウ
ム(LiF)、フッ化カルシウム(CaF2)、フッ化
バリウム(BaF2)、フッ化ストロンチウム(Sr
F2)、酸化シリコン(SiO2)、クライオライト(N
a3AlF6)、チオライト(Na5Al3F14)及びこれ
らの混合物又は化合物の群より選ばれた1つ以上の成分
であることを特徴とする請求項1記載の紫外光用ミラー
(請求項2)」を提供する。
率層、X:1〜10の整数、λ:設計基準波長(請求項
1)」を提供する。 なお、2L1≒L2≒Hの近似の範囲は、15%程度の誤
差範囲をいう。また、本発明は第二に「前記高屈折率層
の材料がフッ化ネオジム(NdF3)、フッ化ランタン
(LaF3)、フッ化ガドリニウム(GdF3)、フッ化
ディスプロシウム(DyF3)、酸化アルミニウム(A
l2O3)、フッ化鉛(PbF2)、酸化ハフニウム(H
fO2)及びこれらの混合物又は化合物の群より選ばれ
た1つ以上の成分であり、前記低屈折率層の材料がフッ
化マグネシウム(MgF2)、フッ化アルミニウム(A
lF3)、フッ化ナトリウム(NaF)、フッ化リチウ
ム(LiF)、フッ化カルシウム(CaF2)、フッ化
バリウム(BaF2)、フッ化ストロンチウム(Sr
F2)、酸化シリコン(SiO2)、クライオライト(N
a3AlF6)、チオライト(Na5Al3F14)及びこれ
らの混合物又は化合物の群より選ばれた1つ以上の成分
であることを特徴とする請求項1記載の紫外光用ミラー
(請求項2)」を提供する。
【0015】
【発明の実施形態】以下、本発明にかかる実施形態の紫
外光用ミラーを図面を参照しながら説明する。図1は第
1の実施形態の紫外光用ミラーの概略断面図である。第
1の実施形態の紫外光用ミラーは、精密に研磨された合
成石英ガラス基板1上に幾何学的膜厚が約2000Åの
Al膜2、光学的膜厚0.155λのフッ化マグネシウ
ム(低屈折率層)3が形成され、さらに、その上に光学
的膜厚0.29λのフッ化ランタン(高屈折率層)4と
光学的膜厚0.310λのフッ化マグネシウム(低屈折
率層)3からなる3対の交互層5が形成されている(フ
ッ化マグネシウムからなる低屈折率層3と3対の交互層
5を併せて誘電体多層膜という)。
外光用ミラーを図面を参照しながら説明する。図1は第
1の実施形態の紫外光用ミラーの概略断面図である。第
1の実施形態の紫外光用ミラーは、精密に研磨された合
成石英ガラス基板1上に幾何学的膜厚が約2000Åの
Al膜2、光学的膜厚0.155λのフッ化マグネシウ
ム(低屈折率層)3が形成され、さらに、その上に光学
的膜厚0.29λのフッ化ランタン(高屈折率層)4と
光学的膜厚0.310λのフッ化マグネシウム(低屈折
率層)3からなる3対の交互層5が形成されている(フ
ッ化マグネシウムからなる低屈折率層3と3対の交互層
5を併せて誘電体多層膜という)。
【0016】なお、各層の膜は、抵抗加熱蒸着法、イオ
ンビーム蒸着法、スパッタリング法などの公知の技術な
どにより基板上に形成される。3対の交互層の各層の光
学的膜厚は55゜の入射角でλ=193.4nmのレー
ザを入射した場合に、その光路長が約λ/4になるよう
に最適化され、193.4nm付近の高反射を確保して
いる。
ンビーム蒸着法、スパッタリング法などの公知の技術な
どにより基板上に形成される。3対の交互層の各層の光
学的膜厚は55゜の入射角でλ=193.4nmのレー
ザを入射した場合に、その光路長が約λ/4になるよう
に最適化され、193.4nm付近の高反射を確保して
いる。
【0017】さらに、基板1上に形成されたAl膜2と
3対の交互層5の間に低屈折率層3であるフッ化マグネ
シウムを挿入し、その膜厚を最適化することにより、A
l膜2、低屈折率層3、3対の交互層5からなる構成全
体により広い入射角度において高反射を示す、入射角度
依存性の小さい紫外光用ミラーを得ている。図2は、第
1の実施形態の紫外光用ミラーのλ=193.4nmに
おける入射角度特性図である。
3対の交互層5の間に低屈折率層3であるフッ化マグネ
シウムを挿入し、その膜厚を最適化することにより、A
l膜2、低屈折率層3、3対の交互層5からなる構成全
体により広い入射角度において高反射を示す、入射角度
依存性の小さい紫外光用ミラーを得ている。図2は、第
1の実施形態の紫外光用ミラーのλ=193.4nmに
おける入射角度特性図である。
【0018】図2から、入射角度θ=10〜80°の広
い入射角度において、反射率95%以上という高反射を
示し、入射角の変化に対して、反射率の偏光成分の解離
の小さい特性を示すことがわかる。図3は第2の実施形
態の紫外光用ミラーの概略断面図である。第2の実施形
態の紫外光用ミラーは、精密に研磨された合成石英ガラ
ス基板1上に幾何学的膜厚が約2000ÅのAl膜2、
光学的膜厚0.160λのフッ化マグネシウム(低屈折
率層)3が形成され、さらに、その上に光学的膜厚0.
29λのフッ化ランタン(高屈折率層)4と光学的膜厚
0.320λのフッ化マグネシウム(低屈折率層)3か
らなる4対の交互層6が形成されている(フッ化マグネ
シウムからなる低屈折率層3と4対の交互層6を併せて
誘電体多層膜という)。
い入射角度において、反射率95%以上という高反射を
示し、入射角の変化に対して、反射率の偏光成分の解離
の小さい特性を示すことがわかる。図3は第2の実施形
態の紫外光用ミラーの概略断面図である。第2の実施形
態の紫外光用ミラーは、精密に研磨された合成石英ガラ
ス基板1上に幾何学的膜厚が約2000ÅのAl膜2、
光学的膜厚0.160λのフッ化マグネシウム(低屈折
率層)3が形成され、さらに、その上に光学的膜厚0.
29λのフッ化ランタン(高屈折率層)4と光学的膜厚
0.320λのフッ化マグネシウム(低屈折率層)3か
らなる4対の交互層6が形成されている(フッ化マグネ
シウムからなる低屈折率層3と4対の交互層6を併せて
誘電体多層膜という)。
【0019】なお、各層の膜は、抵抗加熱蒸着法、イオ
ンビーム蒸着法、スパッタリング法などの公知の技術な
どにより基板上に形成される。4対の交互層の各層の光
学的膜厚は、60゜の入射角でλ=193.4nmのレ
ーザを入射した場合に、その光路長が約λ/4になるよ
うに最適化され、193.4nm付近の高反射を確保し
ている。
ンビーム蒸着法、スパッタリング法などの公知の技術な
どにより基板上に形成される。4対の交互層の各層の光
学的膜厚は、60゜の入射角でλ=193.4nmのレ
ーザを入射した場合に、その光路長が約λ/4になるよ
うに最適化され、193.4nm付近の高反射を確保し
ている。
【0020】さらに、基板上に形成されたAl膜2と4
対の交互層6の間に低屈折率層3であるフッ化マグネシ
ウムを挿入し、その膜厚を最適化することにより、Al
膜2、低屈折率層3、4対の交互層6からなる構成全体
により広い入射角度において高反射を示す、入射角度依
存性の小さい紫外光用ミラーを得ている。図4は、第2
の実施形態の紫外光用ミラーのλ=193.4nmにお
ける入射角度特性図である。
対の交互層6の間に低屈折率層3であるフッ化マグネシ
ウムを挿入し、その膜厚を最適化することにより、Al
膜2、低屈折率層3、4対の交互層6からなる構成全体
により広い入射角度において高反射を示す、入射角度依
存性の小さい紫外光用ミラーを得ている。図4は、第2
の実施形態の紫外光用ミラーのλ=193.4nmにお
ける入射角度特性図である。
【0021】図4から、入射角度θ=30〜70°の広
い入射角度において、反射率95%以上という高反射を
示し、入射角の変化に対して、反射率の偏光成分の解離
の小さい特性を示すことがわかる。図9は第3の実施形
態の紫外光用ミラーの概略断面図である。第3の実施形
態の紫外光用ミラーは、精密に研磨された合成石英ガラ
ス基板1上に幾何学的膜厚が約2000ÅのAl膜2、
光学的膜厚0.16λのフッ化アルミニウム(低屈折率
層)7が形成され、さらに、その上に光学的膜厚0.2
9λのフッ化ランタン(高屈折率層)4と光学的膜厚
0.32λのフッ化アルミニウム(低屈折率層)7から
なる3対の交互層8が形成され(フッ化アルミニウムか
らなる低屈折率層7と3対の交互層8を併せて誘電体多
層膜という)、その上に光学的膜厚0.29λのフッ化
ランタン(高屈折率層)と光学的膜厚 0.315λの
フッ化マグネシウム(低屈折率層)からなる保護層9が
形成されている。
い入射角度において、反射率95%以上という高反射を
示し、入射角の変化に対して、反射率の偏光成分の解離
の小さい特性を示すことがわかる。図9は第3の実施形
態の紫外光用ミラーの概略断面図である。第3の実施形
態の紫外光用ミラーは、精密に研磨された合成石英ガラ
ス基板1上に幾何学的膜厚が約2000ÅのAl膜2、
光学的膜厚0.16λのフッ化アルミニウム(低屈折率
層)7が形成され、さらに、その上に光学的膜厚0.2
9λのフッ化ランタン(高屈折率層)4と光学的膜厚
0.32λのフッ化アルミニウム(低屈折率層)7から
なる3対の交互層8が形成され(フッ化アルミニウムか
らなる低屈折率層7と3対の交互層8を併せて誘電体多
層膜という)、その上に光学的膜厚0.29λのフッ化
ランタン(高屈折率層)と光学的膜厚 0.315λの
フッ化マグネシウム(低屈折率層)からなる保護層9が
形成されている。
【0022】なお、各層の膜は、抵抗加熱蒸着法、イオ
ンビーム蒸着法、スパッタリング法などの公知の技術な
どにより基板上に形成される。3対の交互層の各層の光
学的膜厚は、約55゜の入射角でλ=193.4nmの
レーザを入射した場合に、その光路長が約λ/4になる
ように最適化され、193.4nm付近の高反射を確保
している。
ンビーム蒸着法、スパッタリング法などの公知の技術な
どにより基板上に形成される。3対の交互層の各層の光
学的膜厚は、約55゜の入射角でλ=193.4nmの
レーザを入射した場合に、その光路長が約λ/4になる
ように最適化され、193.4nm付近の高反射を確保
している。
【0023】さらに、基板上に形成されたAl膜2と3
対の交互層8の間に低屈折率層7であるフッ化アルミニ
ウムを挿入し、その膜厚を最適化することにより、Al
膜2、低屈折率層7、3対の交互層8からなる構成全体
により広い入射角度において高反射を示す、入射角度依
存性の小さい紫外光用ミラーを得ている。フッ化アルミ
ニウムは低屈折率層材料の中でもより低い屈折率(n=
1.39)を示すので有効な材料であるが、潮解性(10
0gの水に対して約0.5gの溶解度(25℃)を持っている)
を示すので耐環境性が悪い。
対の交互層8の間に低屈折率層7であるフッ化アルミニ
ウムを挿入し、その膜厚を最適化することにより、Al
膜2、低屈折率層7、3対の交互層8からなる構成全体
により広い入射角度において高反射を示す、入射角度依
存性の小さい紫外光用ミラーを得ている。フッ化アルミ
ニウムは低屈折率層材料の中でもより低い屈折率(n=
1.39)を示すので有効な材料であるが、潮解性(10
0gの水に対して約0.5gの溶解度(25℃)を持っている)
を示すので耐環境性が悪い。
【0024】そのため、所定の光学的膜厚を有する保護
膜を形成し、誘電体多層膜中に水分等が浸入するのを防
止している。図10は、第3の実施形態の紫外域レーザ
用紫外光用ミラーのλ=193.4nmにおける入射角
度特性図である。図10から、入射角度θ=22〜76
°の広い入射角度において、反射率95%以上という高
反射を示し、入射角の変化に対して、反射率の偏光成分
の解離の小さい特性を示すことがわかる。
膜を形成し、誘電体多層膜中に水分等が浸入するのを防
止している。図10は、第3の実施形態の紫外域レーザ
用紫外光用ミラーのλ=193.4nmにおける入射角
度特性図である。図10から、入射角度θ=22〜76
°の広い入射角度において、反射率95%以上という高
反射を示し、入射角の変化に対して、反射率の偏光成分
の解離の小さい特性を示すことがわかる。
【0025】本発明にかかる紫外光用ミラーの高屈折率
層の材料としては、フッ化ネオジム(NdF3)、フッ
化ランタン(LaF3)、フッ化ガドリニウム(Gd
F3)、フッ化ディスプロシウム(DyF3)、酸化アル
ミニウム(Al2O3)、フッ化鉛(PbF2)、酸化ハ
フニウム(HfO2)及びこれらの混合物又は化合物の
群より選ばれた1つ以上の成分であり、低屈折率層の材
料としては、フッ化マグネシウム(MgF2)、フッ化
アルミニウム(AlF3)、フッ化ナトリウム(Na
F)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化カルシウム
(CaF2)、フッ化バリウム(BaF2)、フッ化スト
ロンチウム(SrF2)、酸化シリコン(SiO2)、ク
ライオライト(Na3AlF6)、チオライト(Na5A
l3F14)これらの混合物又は化合物の群より選ばれた
1つ以上の成分が使用される。
層の材料としては、フッ化ネオジム(NdF3)、フッ
化ランタン(LaF3)、フッ化ガドリニウム(Gd
F3)、フッ化ディスプロシウム(DyF3)、酸化アル
ミニウム(Al2O3)、フッ化鉛(PbF2)、酸化ハ
フニウム(HfO2)及びこれらの混合物又は化合物の
群より選ばれた1つ以上の成分であり、低屈折率層の材
料としては、フッ化マグネシウム(MgF2)、フッ化
アルミニウム(AlF3)、フッ化ナトリウム(Na
F)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化カルシウム
(CaF2)、フッ化バリウム(BaF2)、フッ化スト
ロンチウム(SrF2)、酸化シリコン(SiO2)、ク
ライオライト(Na3AlF6)、チオライト(Na5A
l3F14)これらの混合物又は化合物の群より選ばれた
1つ以上の成分が使用される。
【0026】基板としては、基板上にAl膜を形成して
いるので、所定の形状に加工できることが可能な材料で
あれば、石英ガラス等の各種ガラス、蛍石、フッ化マグ
ネシウム等の光学結晶材料のレーザー光を透過する材料
も使用可能であるとともに、熱膨張率、熱伝導度の観点
から、セラミックス、シリコン、炭化珪素、タングステ
ンが使用される。また、これらの基板上にAl膜との密
着性を向上させる目的で結合層(中間層)を挿入しても
よい。結合層(中間層)としては、クロム、チタン等の
金属膜やその他の誘電体膜などが使用される。
いるので、所定の形状に加工できることが可能な材料で
あれば、石英ガラス等の各種ガラス、蛍石、フッ化マグ
ネシウム等の光学結晶材料のレーザー光を透過する材料
も使用可能であるとともに、熱膨張率、熱伝導度の観点
から、セラミックス、シリコン、炭化珪素、タングステ
ンが使用される。また、これらの基板上にAl膜との密
着性を向上させる目的で結合層(中間層)を挿入しても
よい。結合層(中間層)としては、クロム、チタン等の
金属膜やその他の誘電体膜などが使用される。
【0027】アルミ膜(Al)の幾何学的膜厚は、10
00Å程度あれば十分であるが、これ以上であっても差
し支えない。なお、本実施形態においては、レーザー光
を照射した例を示したが、これに限定されない。
00Å程度あれば十分であるが、これ以上であっても差
し支えない。なお、本実施形態においては、レーザー光
を照射した例を示したが、これに限定されない。
【0028】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明にかかる紫外
光用ミラーは、紫外域において発振する光に対して、広
い入射角度において高反射であり(入射角度特性が良好
であり)、かつ光線の入射角度変化に対する偏光反射率
の変動が小さい(偏光成分の分離が小さい)という特性
を有している。
光用ミラーは、紫外域において発振する光に対して、広
い入射角度において高反射であり(入射角度特性が良好
であり)、かつ光線の入射角度変化に対する偏光反射率
の変動が小さい(偏光成分の分離が小さい)という特性
を有している。
【0029】特に、250nm以下の紫外光において有
用である。従って、本発明にかかる紫外光用ミラーをス
テッパーの光学系に搭載した場合、結像ムラが生じると
いう問題が生じず、露光効率を低下させるという問題も
生じない。
用である。従って、本発明にかかる紫外光用ミラーをス
テッパーの光学系に搭載した場合、結像ムラが生じると
いう問題が生じず、露光効率を低下させるという問題も
生じない。
【図1】本発明にかかる第1の実施形態の紫外光用ミラ
ーの概略断面図である。
ーの概略断面図である。
【図2】本発明にかかる第1の実施形態の紫外光用ミラ
ーのλ=193.4nmにおける入射角度特性図であ
る。
ーのλ=193.4nmにおける入射角度特性図であ
る。
【図3】本発明にかかる第2の実施形態の紫外光用ミラ
ーの概略断面図である。
ーの概略断面図である。
【図4】本発明にかかる第2の実施形態の紫外光用ミラ
ーのλ=193.4nmにおける入射角度特性図であ
る。
ーのλ=193.4nmにおける入射角度特性図であ
る。
【図5】従来の第1の紫外光用ミラーの概略断面図であ
る。
る。
【図6】従来の第1の紫外光用ミラーのλ=193.4
nmにおける入射角度特性図である。
nmにおける入射角度特性図である。
【図7】従来の第2の紫外光用ミラーの概略断面図であ
る。
る。
【図8】従来の第2の紫外光用ミラーのλ=193.4
nmにおける入射角度特性図である。
nmにおける入射角度特性図である。
【図9】本発明にかかる第3の実施形態の紫外光用ミラ
ーの概略断面図である。
ーの概略断面図である。
【図10】本発明にかかる第3の実施形態の紫外光用ミ
ラーのλ=193.4nmにおける入射角度特性図であ
る。
ラーのλ=193.4nmにおける入射角度特性図であ
る。
1、11・・・基板 2、12・・・Al膜 3・・・フッ化マグネシウム(低屈折率層) 4・・・フッ化ランタン(高屈折率層) 5・・・3対の交互層 6・・・4対の交互層 7・・・フッ化アルミニウム(低屈折率層) 8・・・3対の交互層 9・・・保護層 13・・・誘電体交互層 14・・・保護膜
Claims (2)
- 【請求項1】少なくとも、基板と、 前記基板上に形成されたアルミニウム膜(Al)と、 前記アルミニウム膜(Al)上に形成された低屈折率
層、高屈折率層の交互層からなる誘電体多層膜と、を備
えた紫外光用ミラーであって、前記誘電体多層膜の構成
が、 L1/[H/L2]x であり、 光学的膜厚が、2L1≒L2≒H=0.25〜0.35
λ、或いは2L1=L2=H=0.25〜0.35λの関
係を満たすことを特徴とする紫外光用ミラー。 但し、L1、L2:低屈折率層、H:高屈折率層、X:1
〜10の整数、λ:設計基準波長 - 【請求項2】前記高屈折率層の材料がフッ化ネオジム
(NdF3)、フッ化ランタン(LaF3)、フッ化ガド
リニウム(GdF3)、フッ化ディスプロシウム(Dy
F3)、酸化アルミニウム(Al2O3)、フッ化鉛(P
bF2)、酸化ハフニウム(HfO2)及びこれらの混合
物又は化合物の群より選ばれた1つ以上の成分であり、
前記低屈折率層の材料がフッ化マグネシウム(Mg
F2)、フッ化アルミニウム(AlF3)、フッ化ナトリ
ウム(NaF)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化カ
ルシウム(CaF2)、フッ化バリウム(BaF2)、フ
ッ化ストロンチウム(SrF2)、酸化シリコン(Si
O2)、クライオライト(Na3AlF6)、チオライト
(Na5Al3F14)及びこれらの混合物又は化合物の群
より選ばれた1つ以上の成分であることを特徴とする請
求項1記載の紫外光用ミラー。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10352801A JPH11311704A (ja) | 1998-02-26 | 1998-12-11 | 紫外光用ミラー |
EP99103328A EP0939467A3 (en) | 1998-02-26 | 1999-02-19 | Mirror for an ultraviolet laser and method |
US09/256,668 US6310905B1 (en) | 1998-02-26 | 1999-02-25 | Mirror for an ultraviolet laser and method |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10-45465 | 1998-02-26 | ||
JP4546598 | 1998-02-26 | ||
JP10352801A JPH11311704A (ja) | 1998-02-26 | 1998-12-11 | 紫外光用ミラー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11311704A true JPH11311704A (ja) | 1999-11-09 |
Family
ID=26385459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10352801A Pending JPH11311704A (ja) | 1998-02-26 | 1998-12-11 | 紫外光用ミラー |
Country Status (3)
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US (1) | US6310905B1 (ja) |
EP (1) | EP0939467A3 (ja) |
JP (1) | JPH11311704A (ja) |
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- 1998-12-11 JP JP10352801A patent/JPH11311704A/ja active Pending
-
1999
- 1999-02-19 EP EP99103328A patent/EP0939467A3/en not_active Withdrawn
- 1999-02-25 US US09/256,668 patent/US6310905B1/en not_active Expired - Fee Related
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EP0939467A2 (en) | 1999-09-01 |
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