JPH0940499A - エキシマレーザーアニール処理装置 - Google Patents
エキシマレーザーアニール処理装置Info
- Publication number
- JPH0940499A JPH0940499A JP19317695A JP19317695A JPH0940499A JP H0940499 A JPH0940499 A JP H0940499A JP 19317695 A JP19317695 A JP 19317695A JP 19317695 A JP19317695 A JP 19317695A JP H0940499 A JPH0940499 A JP H0940499A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- excimer laser
- vacuum chamber
- processed
- film
- laser annealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 エキシマレーザー導入用窓（５）の直下の被
処理体（Ｍ）の部分で温度が低下することを防止する。 【解決手段】 真空チャンバ（１）に設けたエキシマレ
ーザー導入用窓（５）に、紫外線および可視光線を透過
し且つ赤外線を反射する赤外線反射膜（５２）を設け
る。 【効果】 被処理体（Ｍ）の予熱を良好に行うことが出
来るので、被処理体（Ｍ）のアニール処理を好適に行う
ことが出来る。
処理体（Ｍ）の部分で温度が低下することを防止する。 【解決手段】 真空チャンバ（１）に設けたエキシマレ
ーザー導入用窓（５）に、紫外線および可視光線を透過
し且つ赤外線を反射する赤外線反射膜（５２）を設け
る。 【効果】 被処理体（Ｍ）の予熱を良好に行うことが出
来るので、被処理体（Ｍ）のアニール処理を好適に行う
ことが出来る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エキシマレーザー
アニール処理装置に関し、さらに詳しくは、被処理体を
好適に予熱しうるエキシマレーザーアニール処理装置に
関するものである。
アニール処理装置に関し、さらに詳しくは、被処理体を
好適に予熱しうるエキシマレーザーアニール処理装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来のエキシマレーザーアニー
ル処理装置の一例を示す構成断面図である。このエキシ
マレーザーアニール処理装置２００は、アルミニウム製
の真空チャンバ１と、この真空チャンバ１内に配置され
その上面に被処理体Ｍを載置し得る基板載置台２と、こ
の基板載置台２の上面に埋設され前記被処理体Ｍを予熱
する抵抗線３と、前記基板載置台２を移動するためのレ
ール４と、前記真空チャンバ１の天井部１ａに設けたエ
キシマレーザー導入用窓２５０と、このエキシマレーザ
ー導入用窓２５０の上方に設けられエキシマレーザービ
ームＲを発生するエキシマレーザー発生装置６とから構
成される。前記被処理体Ｍは、絶縁基板Ｍ２上に非晶質
半導体薄膜Ｍ１を形成したものである。
ル処理装置の一例を示す構成断面図である。このエキシ
マレーザーアニール処理装置２００は、アルミニウム製
の真空チャンバ１と、この真空チャンバ１内に配置され
その上面に被処理体Ｍを載置し得る基板載置台２と、こ
の基板載置台２の上面に埋設され前記被処理体Ｍを予熱
する抵抗線３と、前記基板載置台２を移動するためのレ
ール４と、前記真空チャンバ１の天井部１ａに設けたエ
キシマレーザー導入用窓２５０と、このエキシマレーザ
ー導入用窓２５０の上方に設けられエキシマレーザービ
ームＲを発生するエキシマレーザー発生装置６とから構
成される。前記被処理体Ｍは、絶縁基板Ｍ２上に非晶質
半導体薄膜Ｍ１を形成したものである。
【０００３】図５は、エキシマレーザー導入用窓２５０
の断面図である。このエキシマレーザー導入用窓２５０
は、石英ガラス板５１の両面に紫外線反射防止膜（ＡＲ
コート）５３，５３を形成した構成である。
の断面図である。このエキシマレーザー導入用窓２５０
は、石英ガラス板５１の両面に紫外線反射防止膜（ＡＲ
コート）５３，５３を形成した構成である。
【０００４】エキシマレーザーアニール処理は次の手順
で行う。基板載置台２に被処理体Ｍを載置する。真空チ
ャンバ１の排気口１ｂから排気し、当該真空チャンバ１
内を１０-2〜１０-6Ｔｏｒｒの高真空とする。前記抵抗
線３に通電し、被処理体Ｍを４００℃程度に予熱する。
被処理体Ｍがエキシマレーザー導入用窓２５０の直下に
位置するように基板載置台２を移動させる。エキシマレ
ーザー発生装置６からエキシマレーザービームＲを発生
させる。エキシマレーザービームＲは、エキシマレーザ
ー導入用窓２５０を通って真空チャンバ１内に導入さ
れ、被処理体Ｍの表面に照射される。この状態で基板載
置台２を移動し、被処理体Ｍの非晶質半導体薄膜Ｍ１の
全面にエキシマレーザービームＲを照射する。これによ
り、非晶質半導体薄膜Ｍ１の結晶化を行うことができ
る。
で行う。基板載置台２に被処理体Ｍを載置する。真空チ
ャンバ１の排気口１ｂから排気し、当該真空チャンバ１
内を１０-2〜１０-6Ｔｏｒｒの高真空とする。前記抵抗
線３に通電し、被処理体Ｍを４００℃程度に予熱する。
被処理体Ｍがエキシマレーザー導入用窓２５０の直下に
位置するように基板載置台２を移動させる。エキシマレ
ーザー発生装置６からエキシマレーザービームＲを発生
させる。エキシマレーザービームＲは、エキシマレーザ
ー導入用窓２５０を通って真空チャンバ１内に導入さ
れ、被処理体Ｍの表面に照射される。この状態で基板載
置台２を移動し、被処理体Ｍの非晶質半導体薄膜Ｍ１の
全面にエキシマレーザービームＲを照射する。これによ
り、非晶質半導体薄膜Ｍ１の結晶化を行うことができ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のエキシマレーザ
ーアニール処理装置２００では、図６に示すように、非
晶質半導体薄膜Ｍ１が均一に予熱されず、エキシマレー
ザー導入用窓２５０の直下の部分の温度が低くなってし
まう。この理由は、真空チャンバ１内を１０-2〜１０-6
Ｔｏｒｒの高真空とするため、対流が起こらず、熱放射
が非晶質半導体薄膜Ｍ１の温度を低下させる主たる原因
となるが、エキシマレーザー導入用窓２５０の直下の非
晶質半導体薄膜Ｍ１の部分からはエキシマレーザー導入
用窓２５０を通して外部へ熱が放射されて大きく温度が
下がるのに対して、エキシマレーザー導入用窓２５０の
直下以外の非晶質半導体薄膜Ｍ１の部分ではアルミニウ
ム製の真空チャンバ１の天井部１ａで反射されて戻り実
質的な熱の放射が少なく温度があまり下がらないためで
ある。
ーアニール処理装置２００では、図６に示すように、非
晶質半導体薄膜Ｍ１が均一に予熱されず、エキシマレー
ザー導入用窓２５０の直下の部分の温度が低くなってし
まう。この理由は、真空チャンバ１内を１０-2〜１０-6
Ｔｏｒｒの高真空とするため、対流が起こらず、熱放射
が非晶質半導体薄膜Ｍ１の温度を低下させる主たる原因
となるが、エキシマレーザー導入用窓２５０の直下の非
晶質半導体薄膜Ｍ１の部分からはエキシマレーザー導入
用窓２５０を通して外部へ熱が放射されて大きく温度が
下がるのに対して、エキシマレーザー導入用窓２５０の
直下以外の非晶質半導体薄膜Ｍ１の部分ではアルミニウ
ム製の真空チャンバ１の天井部１ａで反射されて戻り実
質的な熱の放射が少なく温度があまり下がらないためで
ある。
【０００６】しかし、エキシマレーザー導入用窓２５０
の直下の部分は、エキシマレーザビームＲを照射する部
分であるため、その部分の温度が低くなってしまうと、
アニール処理に悪影響を及ぼすという問題点がある。そ
こで、本発明の目的は、エキシマレーザー導入用窓の直
下の部分での温度の低下を防止し、被処理体を好適に予
熱できるようにしたエキシマレーザーアニール処理装置
を提供することにある。
の直下の部分は、エキシマレーザビームＲを照射する部
分であるため、その部分の温度が低くなってしまうと、
アニール処理に悪影響を及ぼすという問題点がある。そ
こで、本発明の目的は、エキシマレーザー導入用窓の直
下の部分での温度の低下を防止し、被処理体を好適に予
熱できるようにしたエキシマレーザーアニール処理装置
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のエキシマレーザ
ーアニール処理装置（１００）は、被処理体（Ｍ）を収
容する真空チャンバ（１）と、この真空チャンバ（１）
内に設けられ且つ前記被処理体（Ｍ）を予熱する予熱手
段（３）と、前記真空チャンバ（１）外に設けられ且つ
エキシマレーザービーム（Ｒ）を発生するエキシマレー
ザー発生手段（６）と、前記真空チャンバ（１）の壁面
（１ａ）に設られ且つ前記被処理体（Ｍ）に照射するた
めに前記エキシマレーザービーム（Ｒ）を前記真空チャ
ンバ（１）の外部から内部に導入するためのエキシマレ
ーザー導入用窓（５）とを具備するエキシマレーザーア
ニール処理装置において、前記エキシマレーザー導入用
窓（５）が、紫外線および可視光線を透過し且つ赤外線
を反射することを特徴とするエキシマレーザーアニール
処理装置（１００）を提供する。なお、上記構成におい
て、紫外線および可視光線は波長７６０ｎｍ未満とし、
赤外線は波長７６０ｎｍ以上とする。エキシマレーザー
ビーム（Ｒ）の波長は紫外線の領域であるため、エキシ
マレーザービーム（Ｒ）の導入については何ら支障を生
じない。一方、熱の放射は赤外線の領域であるため、エ
キシマレーザー導入用窓（５）の直下の被処理体（Ｍ）
の部分からの熱の放射は、エキシマレーザー導入用窓
（５）で反射されて被処理体（Ｍ）に戻る。従って、実
質的な熱の放射が少なくなり、温度があまり下がらなく
なる。よって、好適に被処理体（Ｍ）を予熱できるよう
になる。なお、可視光線を透過するものとすれば、真空
チャンバ（１）の内部を外部から光学的に観察すること
が可能となる。
ーアニール処理装置（１００）は、被処理体（Ｍ）を収
容する真空チャンバ（１）と、この真空チャンバ（１）
内に設けられ且つ前記被処理体（Ｍ）を予熱する予熱手
段（３）と、前記真空チャンバ（１）外に設けられ且つ
エキシマレーザービーム（Ｒ）を発生するエキシマレー
ザー発生手段（６）と、前記真空チャンバ（１）の壁面
（１ａ）に設られ且つ前記被処理体（Ｍ）に照射するた
めに前記エキシマレーザービーム（Ｒ）を前記真空チャ
ンバ（１）の外部から内部に導入するためのエキシマレ
ーザー導入用窓（５）とを具備するエキシマレーザーア
ニール処理装置において、前記エキシマレーザー導入用
窓（５）が、紫外線および可視光線を透過し且つ赤外線
を反射することを特徴とするエキシマレーザーアニール
処理装置（１００）を提供する。なお、上記構成におい
て、紫外線および可視光線は波長７６０ｎｍ未満とし、
赤外線は波長７６０ｎｍ以上とする。エキシマレーザー
ビーム（Ｒ）の波長は紫外線の領域であるため、エキシ
マレーザービーム（Ｒ）の導入については何ら支障を生
じない。一方、熱の放射は赤外線の領域であるため、エ
キシマレーザー導入用窓（５）の直下の被処理体（Ｍ）
の部分からの熱の放射は、エキシマレーザー導入用窓
（５）で反射されて被処理体（Ｍ）に戻る。従って、実
質的な熱の放射が少なくなり、温度があまり下がらなく
なる。よって、好適に被処理体（Ｍ）を予熱できるよう
になる。なお、可視光線を透過するものとすれば、真空
チャンバ（１）の内部を外部から光学的に観察すること
が可能となる。
【０００８】上記構成のエキシマレーザーアニール処理
装置（１００）において、前記エキシマレーザー導入用
窓（５）が、石英ガラス板（５１）と、その石英ガラス
板（５１）の真空チャンバ（１）内部側の表面に形成さ
れた赤外線反射膜（５２）と、その赤外線反射膜（５
２）の真空チャンバ（１）内部側の表面および前記石英
ガラス板（５１）の真空チャンバ（１）外部側の表面に
形成された紫外線反射防止膜（５３，５３）とから構成
されることが好ましい。赤外線反射膜（５２）および紫
外線反射防止膜（５３，５３）を多層膜で形成すると
き、紫外線反射防止膜（５３，５３）の方が層数を少な
くできる。このため、硬くて丈夫な膜を造りやすい。そ
こで、赤外線反射膜（５２）より紫外線反射防止膜（５
３，５３）を外側にすると、傷つきにくくなり、好まし
い。
装置（１００）において、前記エキシマレーザー導入用
窓（５）が、石英ガラス板（５１）と、その石英ガラス
板（５１）の真空チャンバ（１）内部側の表面に形成さ
れた赤外線反射膜（５２）と、その赤外線反射膜（５
２）の真空チャンバ（１）内部側の表面および前記石英
ガラス板（５１）の真空チャンバ（１）外部側の表面に
形成された紫外線反射防止膜（５３，５３）とから構成
されることが好ましい。赤外線反射膜（５２）および紫
外線反射防止膜（５３，５３）を多層膜で形成すると
き、紫外線反射防止膜（５３，５３）の方が層数を少な
くできる。このため、硬くて丈夫な膜を造りやすい。そ
こで、赤外線反射膜（５２）より紫外線反射防止膜（５
３，５３）を外側にすると、傷つきにくくなり、好まし
い。
【０００９】また、上記構成のエキシマレーザーアニー
ル処理装置（１００）において、前記赤外線反射膜（５
２）が、金属蒸着膜または化合物蒸着膜で構成されるこ
とが好ましい。前記赤外線反射膜（５２）として金，
銀，銅などの金属蒸着膜または金属酸化物（ＳｉＯ2な
ど）や金属フッ化物（ＰｂＦ2，ＣｅＦ3，ＬａＦ3，Ｂ
ａＦ2，ＣａＦ2，ＭｇＦ2，ＬｉＦ，Ｎａ3ＡｌＦ6，Ｎ
ａＦなど）の化合物蒸着膜を用いると、紫外線および可
視光線の透過性が良く、且つ、赤外線の反射性が良いた
め、好ましい。
ル処理装置（１００）において、前記赤外線反射膜（５
２）が、金属蒸着膜または化合物蒸着膜で構成されるこ
とが好ましい。前記赤外線反射膜（５２）として金，
銀，銅などの金属蒸着膜または金属酸化物（ＳｉＯ2な
ど）や金属フッ化物（ＰｂＦ2，ＣｅＦ3，ＬａＦ3，Ｂ
ａＦ2，ＣａＦ2，ＭｇＦ2，ＬｉＦ，Ｎａ3ＡｌＦ6，Ｎ
ａＦなど）の化合物蒸着膜を用いると、紫外線および可
視光線の透過性が良く、且つ、赤外線の反射性が良いた
め、好ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図に示す実施形態により本
発明をさらに詳細に説明する。なお、これにより本発明
が限定されるものではない。図１は、本発明の一実施形
態のエキシマレーザーアニール処理装置を示す構成断面
図である。このエキシマレーザーアニール処理装置１０
０は、アルミニウム製の真空チャンバ１と、この真空チ
ャンバ１内に配置されその上面に被処理体Ｍを載置し得
る基板載置台２と、この基板載置台２の上面に埋設され
前記被処理体Ｍを予熱する抵抗線３と、前記基板載置台
２を移動するためのレール４と、前記真空チャンバ１の
天井部１ａに設けたエキシマレーザー導入用窓５と、こ
のエキシマレーザー導入用窓５の上方に設けられエキシ
マレーザービームＲを発生するエキシマレーザー発生装
置６とから構成される。前記被処理体Ｍは、絶縁基板Ｍ
２上に非晶質半導体薄膜Ｍ１を形成したものである。具
体的には、例えば３００ｍｍ×３００ｍｍ以上の大型の
ガラス基板上にアモルファスシリコン薄膜を形成したも
のである。
発明をさらに詳細に説明する。なお、これにより本発明
が限定されるものではない。図１は、本発明の一実施形
態のエキシマレーザーアニール処理装置を示す構成断面
図である。このエキシマレーザーアニール処理装置１０
０は、アルミニウム製の真空チャンバ１と、この真空チ
ャンバ１内に配置されその上面に被処理体Ｍを載置し得
る基板載置台２と、この基板載置台２の上面に埋設され
前記被処理体Ｍを予熱する抵抗線３と、前記基板載置台
２を移動するためのレール４と、前記真空チャンバ１の
天井部１ａに設けたエキシマレーザー導入用窓５と、こ
のエキシマレーザー導入用窓５の上方に設けられエキシ
マレーザービームＲを発生するエキシマレーザー発生装
置６とから構成される。前記被処理体Ｍは、絶縁基板Ｍ
２上に非晶質半導体薄膜Ｍ１を形成したものである。具
体的には、例えば３００ｍｍ×３００ｍｍ以上の大型の
ガラス基板上にアモルファスシリコン薄膜を形成したも
のである。
【００１１】図２は、エキシマレーザー導入用窓５の断
面図である。このエキシマレーザー導入用窓５は、石英
ガラス板５１の真空チャンバ１内部側の表面に赤外線反
射膜５２を形成し、その赤外線反射膜５２の真空チャン
バ１内部側の表面および前記石英ガラス板５１の真空チ
ャンバ１外部側の表面に紫外線反射防止膜５３，５３を
形成した構成である。サイズは例えば５ｍｍ×１５０ｍ
ｍ〜１５０ｍｍ×５００ｍｍ程度である。前記赤外線反
射膜５２は、例えば金蒸着膜であり、波長５００ｎｍ以
下を良く透過し、波長５５０ｎｍ以上を良く反射する。
従って、エキシマレーザービームＲ（波長１９３ｎｍ〜
３５１ｎｍ）および可視光線の一部を良く透過し、赤外
線（波長７５０ｎｍ〜１ｍｍ）を良く反射する。
面図である。このエキシマレーザー導入用窓５は、石英
ガラス板５１の真空チャンバ１内部側の表面に赤外線反
射膜５２を形成し、その赤外線反射膜５２の真空チャン
バ１内部側の表面および前記石英ガラス板５１の真空チ
ャンバ１外部側の表面に紫外線反射防止膜５３，５３を
形成した構成である。サイズは例えば５ｍｍ×１５０ｍ
ｍ〜１５０ｍｍ×５００ｍｍ程度である。前記赤外線反
射膜５２は、例えば金蒸着膜であり、波長５００ｎｍ以
下を良く透過し、波長５５０ｎｍ以上を良く反射する。
従って、エキシマレーザービームＲ（波長１９３ｎｍ〜
３５１ｎｍ）および可視光線の一部を良く透過し、赤外
線（波長７５０ｎｍ〜１ｍｍ）を良く反射する。
【００１２】エキシマレーザーアニール処理は次の手順
で行う。基板載置台２に被処理体Ｍを載置する。真空チ
ャンバ１の排気口１ｂから排気し、当該真空チャンバ１
内を１０-2〜１０-6Ｔｏｒｒの高真空とする。前記抵抗
線３に通電して、前記被処理体Ｍを１００℃〜５００℃
程度に予熱する。被処理体Ｍがエキシマレーザー導入用
窓５の直下に位置するように基板載置台２を移動させ
る。エキシマレーザー発生装置６からエキシマレーザー
ビームＲを発生させる。エキシマレーザービームＲは、
エキシマレーザー導入用窓５を通って真空チャンバ１内
に導入され、被処理体Ｍの表面に照射される。この状態
で基板載置台２を移動し、被処理体Ｍの非晶質半導体薄
膜Ｍ１の全面にエキシマレーザービームＲを照射する。
これにより、非晶質半導体薄膜Ｍ１の結晶化を行うこと
ができる。
で行う。基板載置台２に被処理体Ｍを載置する。真空チ
ャンバ１の排気口１ｂから排気し、当該真空チャンバ１
内を１０-2〜１０-6Ｔｏｒｒの高真空とする。前記抵抗
線３に通電して、前記被処理体Ｍを１００℃〜５００℃
程度に予熱する。被処理体Ｍがエキシマレーザー導入用
窓５の直下に位置するように基板載置台２を移動させ
る。エキシマレーザー発生装置６からエキシマレーザー
ビームＲを発生させる。エキシマレーザービームＲは、
エキシマレーザー導入用窓５を通って真空チャンバ１内
に導入され、被処理体Ｍの表面に照射される。この状態
で基板載置台２を移動し、被処理体Ｍの非晶質半導体薄
膜Ｍ１の全面にエキシマレーザービームＲを照射する。
これにより、非晶質半導体薄膜Ｍ１の結晶化を行うこと
ができる。
【００１３】図３に示すように、上記エキシマレーザー
アニール処理装置１００では、非晶質半導体薄膜Ｍ１が
均一に予熱され、エキシマレーザー導入用窓５の直下の
部分の温度が低くなってしまうことがない。すなわち、
エキシマレーザー導入用窓５の直下の非晶質半導体薄膜
Ｍ１の部分から熱が放射されても、エキシマレーザー導
入用窓５の赤外線反射膜５２で反射されて戻るため、実
質的な熱の放射が少なくなり、温度が下がらない。従っ
て、被処理体Ｍの非晶質半導体薄膜Ｍ１の結晶化を好適
に行うことが出来る。
アニール処理装置１００では、非晶質半導体薄膜Ｍ１が
均一に予熱され、エキシマレーザー導入用窓５の直下の
部分の温度が低くなってしまうことがない。すなわち、
エキシマレーザー導入用窓５の直下の非晶質半導体薄膜
Ｍ１の部分から熱が放射されても、エキシマレーザー導
入用窓５の赤外線反射膜５２で反射されて戻るため、実
質的な熱の放射が少なくなり、温度が下がらない。従っ
て、被処理体Ｍの非晶質半導体薄膜Ｍ１の結晶化を好適
に行うことが出来る。
【００１４】
【発明の効果】本発明のエキシマレーザーアニール処理
装置によれば、エキシマレーザー導入用窓（５）の直下
の被処理体（Ｍ）の部分で温度が低下することを防止す
ることが出来る。すなわち、被処理体（Ｍ）の予熱を良
好に行うことが出来る。この結果、被処理体（Ｍ）のア
ニール処理を好適に行うことが出来る。
装置によれば、エキシマレーザー導入用窓（５）の直下
の被処理体（Ｍ）の部分で温度が低下することを防止す
ることが出来る。すなわち、被処理体（Ｍ）の予熱を良
好に行うことが出来る。この結果、被処理体（Ｍ）のア
ニール処理を好適に行うことが出来る。
【図１】本発明の一実施形態のエキシマレーザーアニー
ル処理装置を示す構成断面図である。
ル処理装置を示す構成断面図である。
【図２】図１のエキシマレーザーアニール処理装置にお
けるエキシマレーザー導入用窓を示す構成断面図であ
る。
けるエキシマレーザー導入用窓を示す構成断面図であ
る。
【図３】図１のエキシマレーザーアニール処理装置にお
ける赤外線の反射状態を示す説明図（ａ）および被処理
体の表面温度分布を示すグラフ図（ｂ）である。
ける赤外線の反射状態を示す説明図（ａ）および被処理
体の表面温度分布を示すグラフ図（ｂ）である。
【図４】従来のエキシマレーザーアニール処理装置の一
例を示す構成断面図である。
例を示す構成断面図である。
【図５】図４のエキシマレーザーアニール処理装置にお
けるエキシマレーザー導入用窓を示す構成断面図であ
る。
けるエキシマレーザー導入用窓を示す構成断面図であ
る。
【図６】図５のエキシマレーザーアニール処理装置にお
ける赤外線の反射状態を示す説明図（ａ）および被処理
体の表面温度分布を示すグラフ図（ｂ）である。
ける赤外線の反射状態を示す説明図（ａ）および被処理
体の表面温度分布を示すグラフ図（ｂ）である。
１００ エキシマレーザーアニール処理装
置 １ 真空チャンバ １ａ 天井部 １ｂ 排気口 ２ 基板載置台 ３ 抵抗線 ４ レール ５ エキシマレーザー導入用窓 ５１ 石英ガラス板 ５２ 赤外線反射膜 ５３ 紫外線反射防止膜 ６ エキシマレーザー発生装置 Ｍ 被処理体 Ｍ１ 非晶質半導体薄膜 Ｍ２ 絶縁基板
置 １ 真空チャンバ １ａ 天井部 １ｂ 排気口 ２ 基板載置台 ３ 抵抗線 ４ レール ５ エキシマレーザー導入用窓 ５１ 石英ガラス板 ５２ 赤外線反射膜 ５３ 紫外線反射防止膜 ６ エキシマレーザー発生装置 Ｍ 被処理体 Ｍ１ 非晶質半導体薄膜 Ｍ２ 絶縁基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丸木 祐治 千葉県四街道市鷹の台一丁目３番 株式会 社日本製鋼所内
Claims (3)
- 【請求項１】 被処理体（Ｍ）を収容する真空チャンバ
（１）と、この真空チャンバ（１）内に設けられ且つ前
記被処理体（Ｍ）を予熱する予熱手段（３）と、前記真
空チャンバ（１）外に設けられ且つエキシマレーザービ
ーム（Ｒ）を発生するエキシマレーザー発生手段（６）
と、前記真空チャンバ（１）の壁面（１ａ）に設られ且
つ前記被処理体（Ｍ）に照射するために前記エキシマレ
ーザービーム（Ｒ）を前記真空チャンバ（１）の外部か
ら内部に導入するためのエキシマレーザー導入用窓
（５）とを具備するエキシマレーザーアニール処理装置
において、 前記エキシマレーザー導入用窓（５）が、紫外線および
可視光線を透過し且つ赤外線を反射することを特徴とす
るエキシマレーザーアニール処理装置（１００）。 - 【請求項２】 請求項１に記載のエキシマレーザーアニ
ール処理装置（１００）において、前記エキシマレーザ
ー導入用窓（５）が、石英ガラス板（５１）と、その石
英ガラス板（５１）の真空チャンバ（１）内部側の表面
に形成された赤外線反射膜（５２）と、その赤外線反射
膜（５２）の真空チャンバ（１）内部側の表面および前
記石英ガラス板（５１）の真空チャンバ（１）外部側の
表面に形成された紫外線反射防止膜（５３，５３）とか
らなることを特徴とするエキシマレーザーアニール処理
装置（１００）。 - 【請求項３】 請求項２に記載のエキシマレーザーアニ
ール処理装置（１００）において、前記赤外線反射膜
（５２）が、金属蒸着膜または化合物蒸着膜であること
を特徴とするエキシマレーザーアニール処理装置（１０
０）。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19317695A JPH0940499A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | エキシマレーザーアニール処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19317695A JPH0940499A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | エキシマレーザーアニール処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0940499A true JPH0940499A (ja) | 1997-02-10 |
Family
ID=16303573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19317695A Pending JPH0940499A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | エキシマレーザーアニール処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0940499A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6839374B2 (en) * | 2001-03-02 | 2005-01-04 | Corning Incorporated | Barium fluoride high repetition rate UV excimer laser |
| US6987240B2 (en) | 2002-04-18 | 2006-01-17 | Applied Materials, Inc. | Thermal flux processing by scanning |
| US7005601B2 (en) | 2002-04-18 | 2006-02-28 | Applied Materials, Inc. | Thermal flux processing by scanning |
| JP2009078947A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Japan Steel Works Ltd:The | 光照射方法および光照射装置 |
| JP2010283212A (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| JP2014535164A (ja) * | 2011-10-05 | 2014-12-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | レーザ処理システム内の粒子制御 |
-
1995
- 1995-07-28 JP JP19317695A patent/JPH0940499A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6839374B2 (en) * | 2001-03-02 | 2005-01-04 | Corning Incorporated | Barium fluoride high repetition rate UV excimer laser |
| US7872209B2 (en) | 2002-04-18 | 2011-01-18 | Applied Materials, Inc. | Thermal flux processing by scanning a focused line beam |
| US7005601B2 (en) | 2002-04-18 | 2006-02-28 | Applied Materials, Inc. | Thermal flux processing by scanning |
| US7078651B2 (en) * | 2002-04-18 | 2006-07-18 | Applied Materials Inc. | Thermal flux deposition by scanning |
| US6987240B2 (en) | 2002-04-18 | 2006-01-17 | Applied Materials, Inc. | Thermal flux processing by scanning |
| US7875829B2 (en) | 2002-04-18 | 2011-01-25 | Applied Materials, Inc. | Thermal flux processing by scanning a focused line beam |
| US8178819B2 (en) | 2002-04-18 | 2012-05-15 | Applied Materials, Inc. | Thermal flux processing by scanning a focused line beam |
| US8288685B2 (en) | 2002-04-18 | 2012-10-16 | Applied Materials, Inc. | Thermal flux processing by scanning a focused line beam |
| JP2009078947A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Japan Steel Works Ltd:The | 光照射方法および光照射装置 |
| JP2010283212A (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| JP2014535164A (ja) * | 2011-10-05 | 2014-12-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | レーザ処理システム内の粒子制御 |
| US9579750B2 (en) | 2011-10-05 | 2017-02-28 | Applied Materials, Inc. | Particle control in laser processing systems |
| JP2017085145A (ja) * | 2011-10-05 | 2017-05-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | レーザ処理システム内の粒子制御 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20020098422A1 (en) | Lithography mask blank and method of manufacturing the same | |
| JPS5939031A (ja) | フオスフオシリケ−トガラスをリフロ−するための方法 | |
| JPH0940499A (ja) | エキシマレーザーアニール処理装置 | |
| JP6646590B2 (ja) | 酸化ニッケル層上に結晶化した銀製の機能層を含む材料 | |
| JPH08139047A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3136393B2 (ja) | レーザーアニール処理装置 | |
| JPH1174216A (ja) | パルス光照射方法およびパルス光照射装置 | |
| JP2023042316A (ja) | 光学フィルタ、光学フィルタ部品、殺菌装置、及び光学フィルタの製造方法 | |
| JPH07234315A (ja) | 光学多層膜フィルタ | |
| US5368647A (en) | Photo-excited processing apparatus for manufacturing a semiconductor device that uses a cylindrical reflecting surface | |
| JP2686498B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| US4608272A (en) | Method of reducing optical coating absorptance | |
| JP3466865B2 (ja) | 光学部品及びその製造方法並びに製造装置 | |
| JP2971022B2 (ja) | 半導体成膜装置 | |
| JPH05102077A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| US11789358B2 (en) | Extreme ultraviolet mask blank defect reduction | |
| JP2677860B2 (ja) | レーザ光照射装置 | |
| JPH07294705A (ja) | 紫外線照射後処理方法 | |
| JP2712194B2 (ja) | 光学用反射鏡とその製造方法 | |
| JPH06235806A (ja) | レーザ用反射鏡 | |
| JP3102959B2 (ja) | 高耐久性薄膜 | |
| JPH0729844A (ja) | 半導体基板の赤外線加熱方法及び赤外線加熱装置 | |
| JPS63260018A (ja) | ランプアニ−ル装置 | |
| US11480865B2 (en) | Method and apparatus to improve EUV mask blank flatness | |
| KR102061424B1 (ko) | 로이 유리 어닐링 장치 |