JPH07300684A - 金属薄膜パターンの形成方法 - Google Patents
金属薄膜パターンの形成方法Info
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- JPH07300684A JPH07300684A JP6091294A JP9129494A JPH07300684A JP H07300684 A JPH07300684 A JP H07300684A JP 6091294 A JP6091294 A JP 6091294A JP 9129494 A JP9129494 A JP 9129494A JP H07300684 A JPH07300684 A JP H07300684A
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- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は金属薄膜パターンの形成方法で、リ
フトオフ工法に関するものであり、寸法精度の高い薄膜
パターンを得ることを目的としている。 【構成】 金属薄膜パターンをリフトオフ法で形成する
時、金属薄膜層４３を形成する前に、リフトオフ用のフ
ォトレジストパターン６２と金属薄膜層４３との間に、
新たにリフトオフ下地層２０としてＡｌ2Ｏ3等酸化物あ
るいはセラミック系の材料による絶縁膜を一様にスパッ
タ形成する構成となっている。
フトオフ工法に関するものであり、寸法精度の高い薄膜
パターンを得ることを目的としている。 【構成】 金属薄膜パターンをリフトオフ法で形成する
時、金属薄膜層４３を形成する前に、リフトオフ用のフ
ォトレジストパターン６２と金属薄膜層４３との間に、
新たにリフトオフ下地層２０としてＡｌ2Ｏ3等酸化物あ
るいはセラミック系の材料による絶縁膜を一様にスパッ
タ形成する構成となっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録再生装置に使
用する薄膜磁気ヘッドをはじめ、薄膜デバイス等に関わ
る金属薄膜パターンの形成方法に関するものである。
用する薄膜磁気ヘッドをはじめ、薄膜デバイス等に関わ
る金属薄膜パターンの形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、上記金属薄膜パターンの形成のた
めの微細加工として、フォトリソグラフィ技術およびイ
オンミリング等の信頼性の高いドライエッチング法を用
いたドライプロセスが多く用いられてきた。しかし一方
では、装置起因する設備投資の増大や作業性から、また
微細加工後の下地の薄膜層や基板への影響からウェット
工法としてリフトオフ法も注目されてきた。
めの微細加工として、フォトリソグラフィ技術およびイ
オンミリング等の信頼性の高いドライエッチング法を用
いたドライプロセスが多く用いられてきた。しかし一方
では、装置起因する設備投資の増大や作業性から、また
微細加工後の下地の薄膜層や基板への影響からウェット
工法としてリフトオフ法も注目されてきた。
【０００３】以下に、金属薄膜パターンの形成方法でリ
フトオフ法を用いた従来の技術の一例を図４に示す。
フトオフ法を用いた従来の技術の一例を図４に示す。
【０００４】図４中、６２はフォトレジストパターン、
４１は基板、４３は金属薄膜層、４３ａは金属薄膜パタ
ーンである。図４（ａ）は、上記基板４１上に上記フォ
トレジスト６２が、金属薄膜パターン４３ａの反転パタ
ーン形状で形成されているプロセスを示している。上記
フォトレジストパターン６２にはイメージリバーサル型
のフォトレジストを用いており、形成パターンの断面の
テーパー角は逆テーパーで約７０度である。次いで同図
（ｂ）では、密着性向上のためＣｒ，Ｔｉ等の下地を有
するＣｕ，Ａｕ等からなる金属薄膜層４３をスパッタ形
成したプロセスを示す。そして同図（ｃ）に、上記フォ
トレジストパターン６２の剥離液に浸漬後超音波を加
え、上記フォトレジストパターン６２及び上記フォトレ
ジストパターン６２上の不要な金属薄膜層４３を除去し
たプロセスを示す。
４１は基板、４３は金属薄膜層、４３ａは金属薄膜パタ
ーンである。図４（ａ）は、上記基板４１上に上記フォ
トレジスト６２が、金属薄膜パターン４３ａの反転パタ
ーン形状で形成されているプロセスを示している。上記
フォトレジストパターン６２にはイメージリバーサル型
のフォトレジストを用いており、形成パターンの断面の
テーパー角は逆テーパーで約７０度である。次いで同図
（ｂ）では、密着性向上のためＣｒ，Ｔｉ等の下地を有
するＣｕ，Ａｕ等からなる金属薄膜層４３をスパッタ形
成したプロセスを示す。そして同図（ｃ）に、上記フォ
トレジストパターン６２の剥離液に浸漬後超音波を加
え、上記フォトレジストパターン６２及び上記フォトレ
ジストパターン６２上の不要な金属薄膜層４３を除去し
たプロセスを示す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな金属薄膜パターンの形成方法では、上記金属薄膜パ
ターン４３ａのパターンエッジに突起状の薄膜片が残
り、パターン寸法精度の劣化や上部に積層形成するＳｉ
Ｏ2からなる絶縁層（図示せず）のステップカバレージ
の悪い状態となる課題があった。特にリフトオフを行う
上記金属薄膜層４３は、上記フォトレジストパターン６
２の断面形状を初期状態に保つため、あるいは金属薄膜
特性確保のためスパッタ形成している。従って、スパッ
タの形成原理上、緻密で高密度な膜質を有し、かつ上記
フォトレジストパターン６２の側壁面に対しての回り込
み現象も考慮しなければならない。上記フォトレジスト
パターン６２の断面形状を逆テーパーにしても、高精度
で歩留まり良くリフトオフを行うには、従来の方法では
困難を伴い上記の課題が残る。
うな金属薄膜パターンの形成方法では、上記金属薄膜パ
ターン４３ａのパターンエッジに突起状の薄膜片が残
り、パターン寸法精度の劣化や上部に積層形成するＳｉ
Ｏ2からなる絶縁層（図示せず）のステップカバレージ
の悪い状態となる課題があった。特にリフトオフを行う
上記金属薄膜層４３は、上記フォトレジストパターン６
２の断面形状を初期状態に保つため、あるいは金属薄膜
特性確保のためスパッタ形成している。従って、スパッ
タの形成原理上、緻密で高密度な膜質を有し、かつ上記
フォトレジストパターン６２の側壁面に対しての回り込
み現象も考慮しなければならない。上記フォトレジスト
パターン６２の断面形状を逆テーパーにしても、高精度
で歩留まり良くリフトオフを行うには、従来の方法では
困難を伴い上記の課題が残る。
【０００６】本発明は、上記課題に鑑みリフトオフを行
うためのフォトレジストパターンを形成後、酸化物ある
いはセラミック系の材料からなる絶縁膜を上記フォトレ
ジストパターン上に一様にスパッタ形成し、上記絶縁膜
の上部に金属薄膜層を積層形成し、フォトレジストパタ
ーンの剥離液中で超音波を加えることにより同時にリフ
トオフを行うものである。従って、薄膜の内部応力が金
属薄膜と比較して小さく、より寸法精度の良いパターン
形成が可能な絶縁膜のリフトオフの作用で、上記金属薄
膜層のリフトオフのパターン寸法精度を上げるものであ
り、金属膜単体でのパターン形成と比較すると、形成パ
ターンエッジにはリフトオフの残りである突起状の金属
片の無い寸法精度の良好なパターンを得ることを実現す
る、金属薄膜パターンの形成方法を提供するものであ
る。
うためのフォトレジストパターンを形成後、酸化物ある
いはセラミック系の材料からなる絶縁膜を上記フォトレ
ジストパターン上に一様にスパッタ形成し、上記絶縁膜
の上部に金属薄膜層を積層形成し、フォトレジストパタ
ーンの剥離液中で超音波を加えることにより同時にリフ
トオフを行うものである。従って、薄膜の内部応力が金
属薄膜と比較して小さく、より寸法精度の良いパターン
形成が可能な絶縁膜のリフトオフの作用で、上記金属薄
膜層のリフトオフのパターン寸法精度を上げるものであ
り、金属膜単体でのパターン形成と比較すると、形成パ
ターンエッジにはリフトオフの残りである突起状の金属
片の無い寸法精度の良好なパターンを得ることを実現す
る、金属薄膜パターンの形成方法を提供するものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の金属薄膜パターンの形成方法では、リフトオ
フを行うためのフォトレジストパターンを形成後、酸化
物あるいはセラミック系等の材料からなる絶縁膜をスパ
ッタ形成し、上記絶縁膜の上部に本来リフトオフを行う
べき金属薄膜層を一様に積層形成した後、フォトレジス
トパターンの剥離液中で超音波に加え、同時にリフトオ
フを行うものである。
に本発明の金属薄膜パターンの形成方法では、リフトオ
フを行うためのフォトレジストパターンを形成後、酸化
物あるいはセラミック系等の材料からなる絶縁膜をスパ
ッタ形成し、上記絶縁膜の上部に本来リフトオフを行う
べき金属薄膜層を一様に積層形成した後、フォトレジス
トパターンの剥離液中で超音波に加え、同時にリフトオ
フを行うものである。
【０００８】
【作用】上記の方法により、金属薄膜のリフトオフに関
して、形成されたパターンエッジは下層に形成された絶
縁膜のリフトオフパターンエッジに制御される可能性が
高くなることから、応力も小さく硬くかつ脆弱な性質を
持つため、容易にリフトオフが可能な上記絶縁膜と同時
にリフトオフを行うことで、上記金属薄膜のパターンの
寸法精度の向上を実現する。
して、形成されたパターンエッジは下層に形成された絶
縁膜のリフトオフパターンエッジに制御される可能性が
高くなることから、応力も小さく硬くかつ脆弱な性質を
持つため、容易にリフトオフが可能な上記絶縁膜と同時
にリフトオフを行うことで、上記金属薄膜のパターンの
寸法精度の向上を実現する。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法に
おける第一の実施例について、図面を参考にしながら説
明を行う。
おける第一の実施例について、図面を参考にしながら説
明を行う。
【００１０】図１は本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
の第一の実施例における金属薄膜パターンのリフトオフ
工程の断面図である。
の第一の実施例における金属薄膜パターンのリフトオフ
工程の断面図である。
【００１１】図１中、２０はＡｌ2Ｏ3等の酸化物あるい
はセラミック系材料からなる絶縁膜で、リフトオフ下地
層である。４１は基板、４３は金属薄膜層、４３ａは金
属薄膜パターン、６２はリフトオフに用いるフォトレジ
ストパターンである。なお、従来例と同一の構成には同
じ番号を付した。
はセラミック系材料からなる絶縁膜で、リフトオフ下地
層である。４１は基板、４３は金属薄膜層、４３ａは金
属薄膜パターン、６２はリフトオフに用いるフォトレジ
ストパターンである。なお、従来例と同一の構成には同
じ番号を付した。
【００１２】図１（ａ）は基板４１上にフォトレジスト
パターン６２を金属薄膜パターン４３ａの反転パターン
で形成したプロセスを示す。上記フォトレジストパター
ン６２の断面形状におけるテーパー角は、逆テーパーで
約７０度である。同図（ｂ）では、上記金属薄膜パター
ン４３ａのリフトオフ後のパターンの寸法精度向上のた
め、Ａｌ2Ｏ3等の酸化物あるいはセラミック系材料から
なる絶縁膜をリフトオフ下地層２０として、基板水冷で
０．５μｍ程度以下の厚みでスパッタ形成したプロセス
を示す。同図（ｃ）では、上記リフトオフ下地層２０上
に金属薄膜層４３として上記基板４１との密着性向上の
ためのＣｒ，Ｔｉ等の下地層を有するＡｕ，Ｃｕ等の材
料を約１．０μｍの厚みで基板水冷でスパッタ形成した
プロセスを示している。さらに同図（ｄ）では、上記フ
ォトレジストパターン６２と上記フォトレジストパター
ン６２上の不要な金属薄膜層４３を、上記フォトレジス
トパターン６２の剥離液に浸漬、超音波を加えて除去し
たプロセスを示している。得られた金属薄膜パターン４
３ａのパターンエッジには、リフトオフで除去した残り
である突起状の薄膜金属片はなく、パターン寸法精度の
良好なものである。また、従来と比較して工程数の増加
は１であり、作業性も良好である。
パターン６２を金属薄膜パターン４３ａの反転パターン
で形成したプロセスを示す。上記フォトレジストパター
ン６２の断面形状におけるテーパー角は、逆テーパーで
約７０度である。同図（ｂ）では、上記金属薄膜パター
ン４３ａのリフトオフ後のパターンの寸法精度向上のた
め、Ａｌ2Ｏ3等の酸化物あるいはセラミック系材料から
なる絶縁膜をリフトオフ下地層２０として、基板水冷で
０．５μｍ程度以下の厚みでスパッタ形成したプロセス
を示す。同図（ｃ）では、上記リフトオフ下地層２０上
に金属薄膜層４３として上記基板４１との密着性向上の
ためのＣｒ，Ｔｉ等の下地層を有するＡｕ，Ｃｕ等の材
料を約１．０μｍの厚みで基板水冷でスパッタ形成した
プロセスを示している。さらに同図（ｄ）では、上記フ
ォトレジストパターン６２と上記フォトレジストパター
ン６２上の不要な金属薄膜層４３を、上記フォトレジス
トパターン６２の剥離液に浸漬、超音波を加えて除去し
たプロセスを示している。得られた金属薄膜パターン４
３ａのパターンエッジには、リフトオフで除去した残り
である突起状の薄膜金属片はなく、パターン寸法精度の
良好なものである。また、従来と比較して工程数の増加
は１であり、作業性も良好である。
【００１３】次いで、本発明の第２の実施例として薄膜
磁気ヘッドにおける上部磁性層の形成について以下に図
面を参考にしながら説明を行う。図２に薄膜磁気ヘッ
ド、特に再生原理として磁気抵抗効果を利用した再生専
用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの斜視図を示す。
磁気ヘッドにおける上部磁性層の形成について以下に図
面を参考にしながら説明を行う。図２に薄膜磁気ヘッ
ド、特に再生原理として磁気抵抗効果を利用した再生専
用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの斜視図を示す。
【００１４】図２中、３１は高透磁率強磁性体基板、３
２ａはフロント側の上部磁性層、３２ｂはバック側の上
部磁性層、３３は磁気記録媒体からの情報を磁気抵抗効
果で読み出すための磁気抵抗効果素子、３４はリード導
体、３５はギャップ層、３６はバックギャップ部、３７
は上記磁気抵抗効果素子３３を最適動作状態にするため
のバイアス導体である。上記構成膜は、直接あるいは絶
縁層（図示せず）を介して形成されている。
２ａはフロント側の上部磁性層、３２ｂはバック側の上
部磁性層、３３は磁気記録媒体からの情報を磁気抵抗効
果で読み出すための磁気抵抗効果素子、３４はリード導
体、３５はギャップ層、３６はバックギャップ部、３７
は上記磁気抵抗効果素子３３を最適動作状態にするため
のバイアス導体である。上記構成膜は、直接あるいは絶
縁層（図示せず）を介して形成されている。
【００１５】図３は上記本発明の第２の実施例における
上部磁性層のリフトオフ工程の断面図である。上記断面
は、図２中のＡ−Ａ′ラインに沿ったものである。図中
１０はＡｌ2Ｏ3等の酸化物およびセラミック系材料の絶
縁膜からなるリフトオフ下地膜、３１は高透磁率強磁性
体基板、３２は一様に形成された上部磁性層、３２ａ，
３２ｂはパターン形成後のフロントおよびバックの上部
磁性層、３３は磁気抵抗効果素子、３５はギャップ層、
３６はバックギャップ部、３７はバイアス導体、５１は
リフトオフに用いるフォトレジストパターンである。な
お、従来例と同一の構成には同じ番号を付した。
上部磁性層のリフトオフ工程の断面図である。上記断面
は、図２中のＡ−Ａ′ラインに沿ったものである。図中
１０はＡｌ2Ｏ3等の酸化物およびセラミック系材料の絶
縁膜からなるリフトオフ下地膜、３１は高透磁率強磁性
体基板、３２は一様に形成された上部磁性層、３２ａ，
３２ｂはパターン形成後のフロントおよびバックの上部
磁性層、３３は磁気抵抗効果素子、３５はギャップ層、
３６はバックギャップ部、３７はバイアス導体、５１は
リフトオフに用いるフォトレジストパターンである。な
お、従来例と同一の構成には同じ番号を付した。
【００１６】図３（ａ）は高透磁率強磁性体基板３１上
にＳｉＯ2等からなる絶縁層（図示せず）を介して磁気
抵抗効果素子３３を最適動作状態とするためのＡｕ，Ｃ
ｕ等からなるバイアス導体３７およびＮｉ−Ｆｅ薄膜等
からなる磁気抵抗効果素子３３を形成し、そして、ギャ
ップ層３５とバックギャップ部３６をフォトリソグラフ
ィ技術およびイオンミリング等のエッチング技術を駆使
し微細加工を行ったものを示している。さらに、リフト
オフを行うためのフォトレジストパターン５１の材料と
して、フォトレジストパターンの断面形状が逆台形にな
るイメージリバーサル型レジストを使用し、上記上部磁
性層、３２ａ，３２ｂの反転パターンを形成しているプ
ロセスを示している。形成した上記フォトレジストパタ
ーン５１は、厚みが約３μｍで断面形状のテーパー角は
逆テーパーの約７０度である。同図（ｂ）では、上記上
部磁性層３２ａ，３２ｂのリフトオフ後のパターンの寸
法精度向上のためのリフトオフ下地層１０として、Ａｌ
2Ｏ3等、酸化物あるいはセラミック系の材料からなる絶
縁膜を基板水冷で０．５μｍ程度以下の厚みでスパッタ
形成したプロセスを示す。次いで同図（ｃ）では、リフ
トオフ下地層１０上にＣｏ系合金等からなる上部磁性層
３２を基板水冷のスパッタ膜で約１．０μｍ形成したプ
ロセスを示し、さらに同図（ｄ）では、上記フォトレジ
ストパターン５１の剥離液に浸漬し、超音波を加え上記
フォトレジストパターン５１および上記フォトレジスト
パターン５１上の不要な金属薄膜層を除去したプロセス
を示す。得られた上部磁性層３２ａ，３２ｂのリフトオ
フ後のパターンエッジには、不要な金属薄膜の除去残り
である突起状の金属薄膜片は見られず、寸法精度の高い
パターン形成を実現した。
にＳｉＯ2等からなる絶縁層（図示せず）を介して磁気
抵抗効果素子３３を最適動作状態とするためのＡｕ，Ｃ
ｕ等からなるバイアス導体３７およびＮｉ−Ｆｅ薄膜等
からなる磁気抵抗効果素子３３を形成し、そして、ギャ
ップ層３５とバックギャップ部３６をフォトリソグラフ
ィ技術およびイオンミリング等のエッチング技術を駆使
し微細加工を行ったものを示している。さらに、リフト
オフを行うためのフォトレジストパターン５１の材料と
して、フォトレジストパターンの断面形状が逆台形にな
るイメージリバーサル型レジストを使用し、上記上部磁
性層、３２ａ，３２ｂの反転パターンを形成しているプ
ロセスを示している。形成した上記フォトレジストパタ
ーン５１は、厚みが約３μｍで断面形状のテーパー角は
逆テーパーの約７０度である。同図（ｂ）では、上記上
部磁性層３２ａ，３２ｂのリフトオフ後のパターンの寸
法精度向上のためのリフトオフ下地層１０として、Ａｌ
2Ｏ3等、酸化物あるいはセラミック系の材料からなる絶
縁膜を基板水冷で０．５μｍ程度以下の厚みでスパッタ
形成したプロセスを示す。次いで同図（ｃ）では、リフ
トオフ下地層１０上にＣｏ系合金等からなる上部磁性層
３２を基板水冷のスパッタ膜で約１．０μｍ形成したプ
ロセスを示し、さらに同図（ｄ）では、上記フォトレジ
ストパターン５１の剥離液に浸漬し、超音波を加え上記
フォトレジストパターン５１および上記フォトレジスト
パターン５１上の不要な金属薄膜層を除去したプロセス
を示す。得られた上部磁性層３２ａ，３２ｂのリフトオ
フ後のパターンエッジには、不要な金属薄膜の除去残り
である突起状の金属薄膜片は見られず、寸法精度の高い
パターン形成を実現した。
【００１７】一般に、リフトオフでパターンを作製する
重要な点として、リフトオフに使用するフォトレジスト
パターンの断面形状がある。本実施例で使用したフォト
レジストパターン６２，５１は断面形状が逆台形となる
ため、上記フォトレジストパターン６２，５１を上面か
らみると、上記フォトレジストパターン６２，５１にお
ける基板４１との境界面および側壁面は影になって見え
ない。蒸着薄膜では上記影の部分に薄膜は形成されにく
いが、形成時に基板温度を上げるため、上記フォトレジ
ストパターン５１，６２の断面形状に変化が生じやす
い。スパッタ膜では基板水冷での形成など低温での形成
が可能であるが、形成原理上上記影の部分に、所定の膜
厚よりもはるかに小さいながらも、薄膜が回り込んで形
成される。そして、上記回り込みの薄膜がリフトオフ後
の除去残りとなる。
重要な点として、リフトオフに使用するフォトレジスト
パターンの断面形状がある。本実施例で使用したフォト
レジストパターン６２，５１は断面形状が逆台形となる
ため、上記フォトレジストパターン６２，５１を上面か
らみると、上記フォトレジストパターン６２，５１にお
ける基板４１との境界面および側壁面は影になって見え
ない。蒸着薄膜では上記影の部分に薄膜は形成されにく
いが、形成時に基板温度を上げるため、上記フォトレジ
ストパターン５１，６２の断面形状に変化が生じやす
い。スパッタ膜では基板水冷での形成など低温での形成
が可能であるが、形成原理上上記影の部分に、所定の膜
厚よりもはるかに小さいながらも、薄膜が回り込んで形
成される。そして、上記回り込みの薄膜がリフトオフ後
の除去残りとなる。
【００１８】一方、同じスパッタ膜でも金属膜と比較す
ると、Ａｌ2Ｏ3等の酸化物およびセラミック系の膜は内
部応力が小さい、硬度が大きいが脆弱であるということ
から、瞬発的な外力に敏感に応答する。従って、上記実
施例におけるリフトオフ下地層２０，１０に金属薄膜と
比較して、よりリフトオフが容易な上記Ａｌ2Ｏ3等の材
料を用いることによる作用で、金属薄膜パターン４３
ａ、上部磁性層３２ａ，３２ｂの不要部分の除去が従来
よりも容易となる。そして、形成されたパターンエッジ
に突起上に薄膜金属片のない、寸法精度の良好な金属薄
膜パターンを従来よりも短時間で得ることを実現する。
そして、上記本発明における第２の実施例では、薄膜磁
気ヘッドにおける歩留まり及び信頼性の向上を実現す
る。
ると、Ａｌ2Ｏ3等の酸化物およびセラミック系の膜は内
部応力が小さい、硬度が大きいが脆弱であるということ
から、瞬発的な外力に敏感に応答する。従って、上記実
施例におけるリフトオフ下地層２０，１０に金属薄膜と
比較して、よりリフトオフが容易な上記Ａｌ2Ｏ3等の材
料を用いることによる作用で、金属薄膜パターン４３
ａ、上部磁性層３２ａ，３２ｂの不要部分の除去が従来
よりも容易となる。そして、形成されたパターンエッジ
に突起上に薄膜金属片のない、寸法精度の良好な金属薄
膜パターンを従来よりも短時間で得ることを実現する。
そして、上記本発明における第２の実施例では、薄膜磁
気ヘッドにおける歩留まり及び信頼性の向上を実現す
る。
【００１９】なお、本実施例ではフォトレジストパター
ン６２，５１の材料に、断面形状が逆台形となるイメー
ジリバーサル型フォトレジストを使用したが、イメージ
リバーサル処理を行ったフォトレジストパターン及びオ
ーバーハングを有するフォトレジストパターンを使用し
ても同様の結果が期待できる。
ン６２，５１の材料に、断面形状が逆台形となるイメー
ジリバーサル型フォトレジストを使用したが、イメージ
リバーサル処理を行ったフォトレジストパターン及びオ
ーバーハングを有するフォトレジストパターンを使用し
ても同様の結果が期待できる。
【００２０】
【発明の効果】上記したように本発明の金属薄膜パター
ンの形成方法では、リフトオフ法での形成で、リフトオ
フに用いるフォトレジストパターンと金属薄膜層の間に
リフトオフ下地層としてＡｌ2Ｏ3等の酸化物あるいはセ
ラミック系の材料からなる内部応力の小さい、硬度の大
きく脆弱な材料を用いた絶縁膜を一様にスパッタ形成し
ている。上記絶縁膜は上記の性質により、リフトオフに
おける不要薄膜の除去が容易に精度良く行える作用を有
し、上記絶縁膜をリフトオフ下地層として金属薄膜と同
時にリフトオフすることで、上記作用を上記金属薄膜の
リフトオフへも及ぼし、従来よりも短時間で寸法精度の
高いパターン形成を実現する。
ンの形成方法では、リフトオフ法での形成で、リフトオ
フに用いるフォトレジストパターンと金属薄膜層の間に
リフトオフ下地層としてＡｌ2Ｏ3等の酸化物あるいはセ
ラミック系の材料からなる内部応力の小さい、硬度の大
きく脆弱な材料を用いた絶縁膜を一様にスパッタ形成し
ている。上記絶縁膜は上記の性質により、リフトオフに
おける不要薄膜の除去が容易に精度良く行える作用を有
し、上記絶縁膜をリフトオフ下地層として金属薄膜と同
時にリフトオフすることで、上記作用を上記金属薄膜の
リフトオフへも及ぼし、従来よりも短時間で寸法精度の
高いパターン形成を実現する。
【図１】本発明の第１の実施例である金属薄膜パターン
の形成方法におけるリフトオフプロセスの断面図
の形成方法におけるリフトオフプロセスの断面図
【図２】磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの斜視図
【図３】本発明の第２の実施例である金属薄膜パターン
の形成方法における磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの上
部磁性層に関するリフトオフプロセスの断面図
の形成方法における磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの上
部磁性層に関するリフトオフプロセスの断面図
【図４】従来の金属薄膜パターンの形成方法におけるリ
フトオフプロセスの断面図
フトオフプロセスの断面図
１０，２０ リフトオフ下地層 ３１，４１ 高透磁率強磁性体基板 ３２，４２ 上部磁性層 ３２ａ，３２ｂ 上部磁性層 ３３ 磁気抵抗効果素子 ３４ リード導体 ３５ ギャップ層 ３６ バックギャップ部 ３７ バイアス導体 ４３ 薄膜導体コイル層 ４３ａ 薄膜導体コイル ５１，６２ フォトレジストパターン
Claims (3)
- 【請求項１】 リフトオフ工法に関わる金属薄膜パター
ンの形成方法で、リフトオフを行うために形成された、
フォトレジストパターンと金属薄膜層の間に、新たに薄
膜層をリフトオフ下地層として形成することを特徴とす
る金属薄膜パターンの形成方法。 - 【請求項２】 上記リフトオフ下地層は、酸化物または
セラミック系の材料で形成されることを特徴とする請求
項１記載の金属薄膜パターンの形成方法。 - 【請求項３】 上記金属薄膜パターンは、薄膜磁気ヘッ
ドの構成膜であることを特徴とする請求項１記載の金属
薄膜パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6091294A JPH07300684A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 金属薄膜パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6091294A JPH07300684A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 金属薄膜パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07300684A true JPH07300684A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14022459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6091294A Pending JPH07300684A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 金属薄膜パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07300684A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1005073A1 (en) * | 1998-11-27 | 2000-05-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of forming dielectric thin film pattern and method of forming laminate pattern comprising dielectric thin film and conductive thin film |
| DE102009055303A1 (de) | 2008-12-25 | 2010-07-01 | Ngk Insulators, Ltd., Nagoya | Verbundsubstrat und Verfahren zur Ausbildung eines Metallmusters |
-
1994
- 1994-04-28 JP JP6091294A patent/JPH07300684A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1005073A1 (en) * | 1998-11-27 | 2000-05-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of forming dielectric thin film pattern and method of forming laminate pattern comprising dielectric thin film and conductive thin film |
| KR100442700B1 (ko) * | 1998-11-27 | 2004-08-02 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 박막 패턴의 형성 방법 및 유전체 박막과 도체박막으로 구성된 적층 패턴의 형성 방법 |
| DE102009055303A1 (de) | 2008-12-25 | 2010-07-01 | Ngk Insulators, Ltd., Nagoya | Verbundsubstrat und Verfahren zur Ausbildung eines Metallmusters |
| US8420213B2 (en) | 2008-12-25 | 2013-04-16 | Ngk Insulators, Ltd. | Composite substrate and method for forming metal pattern |
| DE102009055303B4 (de) * | 2008-12-25 | 2015-05-13 | Ngk Insulators, Ltd. | Verbundsubstrat und Verfahren zur Ausbildung eines Metallmusters |
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