JPH11328622A

JPH11328622A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法

Info

Publication number: JPH11328622A
Application number: JP13230098A
Authority: JP
Inventors: Harumi Sato; 晴美佐藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1998-05-14
Filing date: 1998-05-14
Publication date: 1999-11-30

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気抵抗効果素子の両脇に磁性膜や導電体膜
が配されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを製造する際
に、それらの境界部分を最適な形状に精度良く形成でき
るようにする。【解決手段】磁性膜７及び導電体膜８をスパッタリン
グにより成膜する。このとき、下層部が内方に食い込ん
だアンダーカット形状のレジストパターン６ｃをマスク
とする。また、ターゲットと基板との距離を十分に離し
ておき、レジストパターン６ｃのアンダーカット部分に
スパッタ粒子が入り込まないようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスクド
ライブ等で使用される磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、感磁素子
として磁気抵抗効果素子を用いた再生専用磁気ヘッドで
あり、ハードディスクドライブ等において実用化されて
いる。

【０００３】このような磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一
例を図２５及び図２６に示す。なお、図２５は、磁気抵
抗効果型磁気ヘッド１００を上方から見た平面図であ
り、一部を透過させて図示している。また、図２６は、
磁気抵抗効果型磁気ヘッド１００を記録媒体対向面の側
から見た正面図である。換言すれば、図２６は、磁気抵
抗効果型磁気ヘッド１００を図２５の矢印Ａ１で示す方
向から見た正面図である。

【０００４】図２５及び図２６に示す磁気抵抗効果型磁
気ヘッド１００は、磁気抵抗効果素子１０１と、磁気抵
抗効果素子１０１の両脇にそれぞれ配された磁性膜１０
２と、磁性膜１０２の上に配された導電体膜１０３とを
備えており、これらが一対の磁気シールド１０４，１０
５によって絶縁膜１０６，１０７を介して挟持されてな
る。

【０００５】ここで、磁性膜１０２は、磁気抵抗効果素
子１０１の動作の安定化を図るために、磁気抵抗効果素
子１０１にバイアス磁界を印加するためのものであり、
保磁力の高い硬質磁性材料からなる、いわゆる永久磁石
膜である。そして、このような磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドにおいては、図２６に示すように、磁気抵抗効果素子
１０１と磁性膜１０２との磁気的結合を良好な状態とす
るために、磁気抵抗効果素子１０１の側面をゆるやかな
テーパー形状として、このテーパ形状となっている側面
において、磁性膜１０２が磁気抵抗効果素子１０１に接
触するようにしている。

【０００６】この磁気抵抗効果型磁気ヘッド１００を用
いて記録媒体から情報信号を再生する際は、磁気抵抗効
果素子１０１と対向するように記録媒体を走行させ、当
該記録媒体からの信号磁界を、磁気抵抗効果素子１０１
によって検出する。ここで、磁気抵抗効果素子１０１に
よる信号磁界の検出は、導電体膜１０３を介して磁気抵
抗効果素子１０１にセンス電流を供給し、当該センス電
流の電圧変化を検出することにより行う。

【０００７】なお、この磁気抵抗効果型磁気ヘッド１０
０では、磁性膜１０２及び導電体膜１０３に挟まれた部
分が、磁気抵抗効果素子１０１の感磁部となり、その部
分の幅Ｔ₁が磁気抵抗効果型磁気ヘッド１００の再生ト
ラック幅となる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図２５及び
図２６に示したような磁気抵抗効果型磁気ヘッド１００
では、特に磁気抵抗効果素子１０１と磁性膜１０２及び
導電体膜１０３との境界部分を、最適な形状に精度良く
形成することが非常に難しいという問題があった。

【０００９】上記磁気抵抗効果型磁気ヘッド１００にお
いて、磁気抵抗効果素子１０１は、レジストパターンを
マスクとしてエッチングすることにより所定の形状にパ
ターニングされるが、このとき、レジストパターンの側
面に被エッチング物が堆積し、当該堆積物がレジストパ
ターン剥離後も磁気抵抗効果素子１０１のエッジの部分
に残存してしまう場合がある。

【００１０】また、上記磁気抵抗効果型磁気ヘッド１０
０において、磁性膜１０２及び導電体膜１０３は、磁気
抵抗効果素子１０１をパターニングする際にマスクとし
て用いたレジストパターンを残したまま、全面に磁性膜
１０２及び導電体膜１０３を成膜し、その後、レジスト
パターンを当該レジストパターン上に堆積した磁性膜１
０２及び導電体膜１０３と共に除去することにより形成
されるが、このとき、レジストパターンの側面にも磁性
膜１０２や導電体膜１０３が堆積し、当該堆積物がレジ
ストパターン剥離後も磁気抵抗効果素子１０１のエッジ
の部分に残存してしまう場合がある。

【００１１】このように、レジストパターンの側面に堆
積した堆積物がレジストパターン剥離後も磁気抵抗効果
素子１０１のエッジの部分に残存してしまうと、磁気抵
抗効果素子１０１の上に形成される絶縁膜１０７のステ
ップカバレージが劣化し、磁気抵抗効果素子１０１と上
層磁気シールド１０５との絶縁を確保できなくなってし
まう。

【００１２】このような問題に対処するために、図２７
に示すように、磁気抵抗効果素子１０１をパターニング
する際のマスクとなるレジストパターン１０８を、下層
部が内方に食い込んだアンダーカット形状とする手法が
提案されている。なお、図２７は、アンダーカット形状
のレジストパターン１０８をマスクとして、磁気抵抗効
果素子１０１をパターニングした後、磁性膜１０２及び
導電体膜１０３を成膜した状態を示している。このよう
にレジストパターン１０８をアンダーカット形状として
おけば、レジストパターン１０８の側面に不要な堆積物
が存在していたとしても、当該堆積物を確実に磁気抵抗
効果素子１０１から分離して除去することができる。

【００１３】しかしながら、レジストパターン１０８を
アンダーカット形状とした場合には、磁性膜１０２や導
電体膜１０３の成膜時に、図２７中の矢印Ａ２，Ａ３に
示すように、アンダーカット部分に磁性膜１０２や導電
体膜１０３が入り込んでしまうという問題が新たに生じ
る。アンダーカット部分に磁性膜１０２や導電体膜１０
３が入り込むということは、磁性膜１０２や導電体膜１
０３の一部が、磁気抵抗効果素子１０１のテーパー形状
となっている側面だけでなく、磁気抵抗効果素子１０１
の上面にまで堆積してしまうということである。

【００１４】このように、磁性膜１０２や導電体膜１０
３が、磁気抵抗効果素子１０１のテーパー形状となって
いる側面だけでなく、磁気抵抗効果素子１０１の上面に
まで堆積してしまうと、図２７に示すように、磁性膜１
０２及び導電体膜１０３に挟まれた部分の幅Ｔ₂が狭く
なってしまう。これは、再生トラック幅が、想定してい
たものよりも小さくなってしまうということである。す
なわち、アンダーカット形状のレジストパターン１０８
を用いた場合には、再生トラック幅制御を精度良く行う
ことが難しいという問題が新たに生じていた。

【００１５】また、磁性膜１０２や導電体膜１０３が、
磁気抵抗効果素子１０１のテーパー形状となっている側
面だけでなく、磁気抵抗効果素子１０１の上面にまで堆
積してしまうと、磁性膜１０２と磁気抵抗効果素子１０
１との磁気的結合状態も不安定なものとなり、磁性膜１
０２から磁気抵抗効果素子１０１に対して有効なバイア
ス磁界が印加されなくなる場合がある。このようになる
と、磁気抵抗効果素子１０１の動作が不安定になり、磁
気抵抗効果型磁気ヘッド１００の再生特性が大幅に劣化
する。換言すれば、アンダーカット形状のレジストパタ
ーン１０８を用いた場合には、磁性膜１０２と磁気抵抗
効果素子１０１との磁気的結合状態を良好なものとする
のが難しく、磁気抵抗効果素子１０１の動作が不安定に
なりやすかった。

【００１６】本発明は、以上のような従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製造方法として、磁気抵抗効果素子と磁性膜や導電体膜
との境界部分を最適な形状に精度良く形成することが可
能な製造方法を提供することを目的としている。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気抵抗効
果型磁気ヘッドの製造方法は、磁気抵抗効果素子となる
磁気抵抗効果膜を基板上に成膜する工程と、下層部が内
方に食い込んだアンダーカット形状のレジストパターン
を上記磁気抵抗効果膜上に形成する工程と、上記レジス
トパターンをマスクとして上記磁気抵抗効果膜をエッチ
ングし、所定の形状の磁気抵抗効果素子を形成する工程
と、上記レジストパターンを残した状態で、磁性体ター
ゲットを用いて、上記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界
を印加するための磁性膜をスパッタリングにより成膜す
る工程と、上記レジストパターンを残した状態で、導電
体ターゲットを用いて、上記磁気抵抗効果素子にセンス
電流を供給する電極となる導電体膜をスパッタリングに
より成膜する工程と、上記レジストパターンを、当該レ
ジストパターン上に堆積した磁性膜及び導電体膜と共に
除去する工程とを有する。

【００１８】そして、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの製造方法は、上記磁性膜をスパッタリングによ
り成膜する際に、磁性体ターゲットのスパッタ領域と基
板の磁気抵抗効果素子形成領域とを結ぶ仮想線と、基板
表面とが成す角度の最小値が６０度以上となるように、
上記磁性体ターゲットと上記基板とを対向させて配置す
ることを特徴としている。

【００１９】以上のような本発明に係る磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの製造方法では、アンダーカット形状のレジ
ストパターンを用いるようにしているので、磁気抵抗効
果膜のエッチング時や磁性膜や導電体膜の成膜時に、レ
ジストパターンの側面に不要な堆積物が堆積したとして
も、当該堆積物を確実に磁気抵抗効果素子から分離して
除去することができる。

【００２０】しかも、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの製造方法では、磁性膜をスパッタリングにより
成膜する際に、磁性体ターゲットのスパッタ領域と基板
の磁気抵抗効果素子形成領域とを結ぶ仮想線と、基板表
面とが成す角度の最小値が６０度以上となるように、磁
性体ターゲットと基板とを対向させて配置するようにし
ている。したがって、磁性体ターゲットをスパッタする
ことにより磁性体ターゲットから叩き出されて基板に入
射するスパッタ粒子は、基板に対してほぼ垂直に入射す
る成分が大多数となり、基板に対して斜めに入射する成
分は非常に少なくなる。そのため、レジストパターンの
アンダーカット部分にスパッタ粒子が入射するようなこ
とは殆ど無くなり、その結果、磁気抵抗効果素子の上面
にまで磁性膜が堆積してしまうようなことは殆ど無くな
る。

【００２１】なお、上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製
造方法においては、上記導電体膜をスパッタリングによ
り成膜する際も、導電体ターゲットのスパッタ領域と基
板の磁気抵抗効果素子形成領域とを結ぶ仮想線と、基板
表面とが成す角度の最小値が６０度以上となるように、
上記導電体ターゲットと上記基板とを対向させて配置す
ることが好ましい。

【００２２】この場合、導電体ターゲットをスパッタす
ることにより導電体ターゲットから叩き出されて基板に
入射するスパッタ粒子は、基板に対してほぼ垂直に入射
する成分が大多数となり、基板に対して斜めに入射する
成分は非常に少なくなる。そのため、レジストパターン
のアンダーカット部分にスパッタ粒子が入射するような
ことは殆ど無くなり、その結果、磁気抵抗効果素子の上
面にまで導電体膜が堆積してしまうようなことは殆ど無
くなる。

【００２３】また、上記磁性膜や上記導電体膜をスパッ
タリングにより成膜する際のスパッタガス圧は、０．５
mTorr以下とすることが好ましい。スパッタリング時の
スパッタガス圧を０．５mTorr以下とすれば、スパッタ
粒子の直進性が非常に高まり、レジストパターンのアン
ダーカット部分へのスパッタ粒子の入射が更に少なくな
り、磁気抵抗効果素子上面への磁性膜や導電体膜の堆積
を更に低減することができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造プロセスの具体的
な一例を挙げ、図面を参照しながら詳細に説明する。

【００２５】磁気抵抗効果型磁気ヘッドを作製する際
は、先ず、図１に示すように、表面が鏡面加工され十分
に平坦化された基板１の上に、磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの下層磁気シールドとなる軟磁性膜２を、スパッタリ
ング等により成膜する。ここで、基板１の材料として
は、加工特性等の観点から、例えばＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣが
好適であり、また、軟磁性膜２の材料としては、軟磁気
特性等の観点から、例えばセンダストが好適である。

【００２６】次に、図２に示すように、軟磁性膜２を所
定の形状にエッチングする。具体的には、先ず、感光性
を有する樹脂からなるレジストを軟磁性膜２の上に塗布
してレジスト層を形成し、その後、当該レジスト層に対
してプリベーク処理を施す。次に、所望するパターンに
対応するようにレジスト層を露光し、その後、露光した
箇所のレジスト層を現像液にて溶解して除去し、その
後、ポストベーク処理を施す。これにより、露光した箇
所のレジスト層が除去され、所定の形状にパターニング
されたレジストパターンが得られる。次に、所定の形状
にパターニングされたレジストパターンをマスクとして
軟磁性膜２をエッチングする。その後、レジストパター
ンを除去することにより、図２に示すように、所定の形
状とされた軟磁性膜２が得られる。なお、軟磁性膜２の
形状は、後工程で形成される磁気抵抗効果素子の下層を
磁気的にシールドするのに十分な大きさとなるようにし
ておく。

【００２７】次に、図３に示すように、所定の形状とさ
れた軟磁性膜２を覆うように、非磁性絶縁膜３をスパッ
タリング等により成膜する。ここで、非磁性絶縁膜３の
材料としては、絶縁特性や耐磨耗性等の観点から、例え
ばＡｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂が好適である。

【００２８】次に、図４に示すように、非磁性絶縁膜３
の表面を、軟磁性膜２の表面が露呈するまで研磨する。

【００２９】次に、図５に示すように、磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの下層磁気ギャップとなる非磁性絶縁膜４
を、スパッタリング等により成膜する。ここで、非磁性
絶縁膜４の材料としては、絶縁特性や耐磨耗性等の観点
から、例えばＡｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂が好適である。

【００３０】次に、図６に示すように、非磁性絶縁膜４
の上に、磁気抵抗効果素子となる磁気抵抗効果膜５を成
膜する。なお、本発明において、磁気抵抗効果素子の種
類は特に限定されるものではなく、例えば、異方性磁気
抵抗効果を利用した磁気抵抗効果素子を用いても良い
し、或いは、スピンバルブを利用した巨大磁気抵抗効果
素子を用いても良い。異方性磁気抵抗効果を利用した磁
気抵抗効果素子を用いる場合、磁気抵抗効果膜５は、例
えば、Ｔａ／ＮｉＦｅＮｂ／Ｔａ／ＮｉＦｅ／Ｔａを、
この順にスパッタリング等により順次成膜して形成す
る。また、スピンバルブを利用した巨大磁気抵抗効果素
子を用いる場合、磁気抵抗効果膜５は、例えば、Ｔａ／
ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ／Ｃｕ／ＣｏＦｅ／ＩｎＭｎ／Ｔａ
を、この順にスパッタリング等により順次成膜して形成
する。

【００３１】次に、図７に示すように、磁気抵抗効果膜
５の上に、レジスト層６を形成する。ここで、レジスト
層６を形成する際は、先ず、非感光性で現像液に可溶な
樹脂からなる第１のレジスト６ａを薄く塗布し、その
後、加熱処理を施し、当該第１のレジスト６ａを硬化さ
せる。次に、感光性を有する樹脂からなる第２のレジス
ト６ｂを、第１のレジスト６ａの上に厚く塗布し、その
後、当該第２のレジスト６ｂに対してプリベーク処理を
施す。なお、第１のレジスト６ａには、現像液によって
溶解させたときの溶解速度が速いものを用い、第２のレ
ジスト６ｂには、現像液によって溶解させたときの溶解
速度が遅いものを用いる。

【００３２】次に、図８に示すように、フォトリソグラ
フィ技術を用いて、レジスト層６を所定の形状にパター
ニングし、レジストパターン６ｃを形成する。ここで、
レジスト層６を所定の形状にパターニングしてレジスト
パターン６ｃを形成する際は、先ず、所望するパターン
に対応するようにレジスト層６を露光する。次に、露光
した箇所のレジスト層６を現像液にて溶解して除去し、
その後、ポストベーク処理を施す。これにより、露光し
た箇所のレジスト層６が除去され、図８に示すように、
所定の形状とされたレジストパターン６ｃが得られる。

【００３３】ここで、レジストパターン６ｃは、現像液
によって溶解させたときの溶解速度が速い第１のレジス
ト６ａと、現像液によって溶解させたときの溶解速度が
遅い第２のレジスト６ｂとを積層して形成している。し
たがって、レジストパターン６ｃは、上層部である第２
のレジスト６ｂよりも、下層部である第１のレジスト６
ａの部分のほうが、現像液によってより多くエッチング
され、図８に示すように、下層部が内方に食い込んだア
ンダーカット形状となる。また、レジストパターン６ｃ
のうち、上層部である第２のレジスト６ｂは、図８に示
すように、その断面形状が台形状となるようにパターニ
ングする。

【００３４】次に、図９に示すように、所定の形状にパ
ターニングされたレジストパターン６ｃをマスクとし
て、磁気抵抗効果膜５をエッチングする。このとき、レ
ジストパターン６ｃのうち、上層部である第２のレジス
ト６ｂの断面形状が台形状とされているので、当該レジ
ストパターン６ｃをマスクとしてエッチングされた磁気
抵抗効果膜５の側面部分は、図９に示すように、テーパ
ー形状となる。

【００３５】次に、図１０に示すように、レジストパタ
ーン６ｃを残したまま、保磁力の高い硬質磁性材料から
なる磁性膜７と、電気抵抗の低い導電材料からなる導電
体膜８とをスパッタリングによりこの順に成膜する。な
お、磁性膜７及び導電体膜８の成膜条件については、後
で詳細に説明する。

【００３６】ここで、磁性膜７は、磁気抵抗効果素子の
動作の安定化を図るために、磁気抵抗効果素子にバイア
ス磁界を印加するためのものであり、例えば、Ｃｒ／Ｃ
ｏＣｒＰｔをこの順にスパッタリングにより順次成膜し
て形成する。なお、磁性膜７の膜厚は、磁気抵抗効果膜
５の膜厚と同程度とすることが好ましく、具体的には２
０〜５０ｎｍ程度とする。一方、導電体膜８は、磁気抵
抗効果素子にセンス電流を供給するための電極となるも
のであり、例えば、ＴｉＷ／Ｔａをこの順にスパッタリ
ングにより順次成膜して形成する。なお、導電体膜８の
膜厚は、４０〜１００ｎｍ程度とする。

【００３７】ここで、磁気抵抗効果膜５の側面部分はテ
ーパ形状となっているので、磁気抵抗効果膜５の側面が
垂直に切り立っているような場合に比べて、磁気抵抗効
果膜５と磁性膜７との接触部面積が大きくなっている。
このように、磁気抵抗効果膜５の側面部分をテーパ形状
とし、磁気抵抗効果膜５と磁性膜７との接触部面積を大
きくすることにより、磁気抵抗効果膜５と磁性膜７との
磁気的結合状態が良好なものとなる。その結果、磁性膜
７による磁気抵抗効果素子の動作の安定化の効果がより
高く得られ、磁気抵抗効果素子の動作をより安定なもの
とすることができる。

【００３８】次に、図１１及び図１２に示すように、レ
ジストパターン６ｃを、当該レジストパターン６ｃの上
に成膜された磁性膜７及び導電体膜８と共に除去する。
なお、図１２は、レジストパターン６ｃを除去した状態
を上方から見た平面図である。

【００３９】このとき、レジストパターン６ｃは、下層
部が内方に食い込んだアンダーカット形状となっている
ので、磁気抵抗効果膜５のエッチング時にレジストパタ
ーン６ｃの側面に被エッチング物が堆積していたとして
も、レジストパターン６ｃの剥離時に、レジストパター
ン６ｃの側面に堆積した被エッチング物が磁気抵抗効果
膜５の上に残存するようなことは無く、レジストパター
ン６ｃの側面に堆積した不要な堆積物は、磁気抵抗効果
膜５から分離され確実に取り除かれる。同様に、磁性膜
７や導電体膜８の成膜時に、レジストパターン６ｃの側
面に磁性膜７や導電体膜８が堆積していたとしても、レ
ジストパターン６ｃがアンダーカット形状となっている
ので、レジストパターン６ｃの剥離時に、レジストパタ
ーン６ｃの側面に堆積した磁性膜７や導電体膜８が磁気
抵抗効果膜５の上に残存するようなことは無く、レジス
トパターン６ｃの側面に堆積した不要な磁性膜７及び導
電体膜８は、磁気抵抗効果膜５から分離され確実に取り
除かれる。

【００４０】ところで、図８に示したようにレジストパ
ターン６ｃを形成するにあたって、当該レジストパター
ン６ｃの下層部の内方に食い込んでいる部分の大きさｔ
₁（以下、アンダーカット量ｔ₁と称する。）は、第１の
レジスト６ａに対する加熱処理条件や、レジスト層６の
現像時間などを調整することにより、制御可能である。

【００４１】そして、レジストパターン６ｃを形成する
にあたっては、第１のレジスト６ａに対する加熱処理条
件や、レジスト層６の現像時間などを調整することによ
り、アンダーカット量ｔ₁が３００ｎｍ程度以上となる
ように形成することが好ましい。アンダーカット量ｔ₁
が、３００ｎｍよりも小さいと、レジストパターン６ｃ
の下層部の内方への食い込み量が少なすぎ、レジストパ
ターン６ｃの側面に堆積した不要な堆積物が、レジスト
パターン６ｃを剥離したときに磁気抵抗効果膜５の上に
残存してしまう場合がある。一方、アンダーカット量ｔ
₁の上限は、図１１に示すように磁性膜７及び導電体膜
８に挟まれた部分の磁気抵抗効果膜５の間隔をｔ₂とし
たとき、ｔ₂／２である。したがって、アンダーカット
量ｔ₁は、３００ｎｍ≦ｔ₁＜ｔ₂／２の範囲内とするこ
とが好ましい。

【００４２】ここで、磁性膜７及び導電体膜８に挟まれ
た部分の磁気抵抗効果膜５の間隔ｔ₂は、作製される磁
気抵抗効果型磁気ヘッドの再生トラック幅に相当し、具
体的には、この間隔ｔ₂は、近年の高記録密度化に対応
するために、２．０μｍ程度以下とすることが望まれて
おり、この場合、アンダーカット量ｔ₁は、２．０μｍ
／２以下とする必要がある。したがって、アンダーカッ
ト量ｔ₁は、３００ｎｍ≦ｔ₁＜１０００ｎｍの範囲内と
することが好ましい。

【００４３】次に、図１３及び図１４に示すように、磁
気抵抗効果膜５及び導電体膜８の上に、所定の形状のレ
ジストパターン９を形成する。なお、図１４は、図１３
のＸ₁−Ｘ₂における断面図である。

【００４４】レジストパターン９を形成する際は、先
ず、感光性を有する樹脂からなるレジストを塗布してレ
ジスト層を形成し、その後、当該レジスト層に対してプ
リベーク処理を施す。次に、所望するパターンに対応す
るようにレジスト層を露光し、その後、露光した箇所の
レジスト層を現像液にて溶解して除去し、その後、ポス
トベーク処理を施す。これにより、露光した箇所のレジ
スト層が除去され、図１３及び図１４に示すように、所
定の形状とされたレジストパターン９が得られる。

【００４５】次に、所定の形状にパターニングされたレ
ジストパターン９をマスクとして、磁気抵抗効果膜５を
エッチングし、その後、レジストパターン９を除去す
る。なお、ここでは、磁気抵抗効果膜５をエッチングす
るだけでなく、磁性膜７や導電体膜８の一部、すなわ
ち、レジストパターン９によって覆われていない部分の
磁性膜７や導電体膜８もエッチングする。これにより、
図１５及び図１６に示すように、磁気抵抗効果膜５が所
定の形状にエッチングされてなる磁気抵抗効果素子５ａ
が、非磁性絶縁膜４の上に形成される。なお、図１６
は、磁気抵抗効果膜５をエッチングした後、レジストパ
ターン９を除去した状態を上方から見た平面図である。

【００４６】次に、図１７及び図１８に示すように、磁
気抵抗効果型磁気ヘッドの上層磁気ギャップとなる非磁
性絶縁膜１０を、スパッタリング等により成膜する。こ
こで、非磁性絶縁膜１０の材料としては、絶縁特性や耐
磨耗性等の観点から、例えばＡｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂が好適
である。なお、図１７は、非磁性絶縁膜１０が成膜され
た状態を上方から見た平面図であり、一部を透過させて
図示している。また、図１８は、図１７のＸ₃−Ｘ₄にお
ける断面図である。

【００４７】次に、図１９に示すように、磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの上層磁気シールドとなる軟磁性膜１１
を、スパッタリング等により成膜する。ここで、軟磁性
膜１１の材料としては、軟磁気特性等の観点から、例え
ばＮｉ−Ｆｅ系合金が好適である。

【００４８】次に、図２０に示すように、非磁性絶縁材
料からなる保護膜１２をスパッタリング等により成膜す
る。ここで、保護膜１２の材料としては、絶縁特性や耐
磨耗性等の観点から、例えばＡｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂が好適
である。

【００４９】以上の工程で、磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造に係る薄膜プロセスが完了する。その後、図２１
に示すように、磁気抵抗効果素子５ａが形成された側の
側面を、磁気抵抗効果素子５ａの端部が露呈するまで研
磨したり、また、基板１から磁気抵抗効果型磁気ヘッド
を切り出して所定の形状とするなどの機械加工を施すこ
とにより、磁気抵抗効果型磁気ヘッドが完成する。な
お、図２１は、磁気抵抗効果素子５ａが形成された側の
側面を、磁気抵抗効果素子５ａの端部が露呈するまで研
磨した状態を上方から見た平面図であり、一部を透過さ
せて図示している。

【００５０】なお、以上の説明では、１つの磁気抵抗効
果型磁気ヘッドにだけ着目して説明してきたが、実際に
は、１つの基板上に磁気抵抗効果素子等を多数作製し、
１つの基板から多数の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを得る
ようにする。

【００５１】以上のように作製された磁気抵抗効果型磁
気ヘッドでは、図２１に示すように磁気抵抗効果素子５
ａの端部が露呈した側の面が、記録媒体対向面Ｓとな
る。すなわち、この磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用いて
記録媒体から情報信号を再生する際は、磁気抵抗効果素
子５ａの端部が露呈した側の面に対向するように記録媒
体を走行させ、当該記録媒体からの信号磁界を、記録媒
体対向面Ｓに端部が露呈した磁気抵抗効果素子５ａによ
って検出する。ここで、磁気抵抗効果素子５ａによる信
号磁界の検出は、導電体膜８を介して磁気抵抗効果素子
５ａにセンス電流を供給し、当該センス電流の電圧変化
を検出することにより行う。

【００５２】なお、この磁気抵抗効果型磁気ヘッドで
は、図２１に示すように、磁性膜７及び導電体膜８に挟
まれた部分の磁気抵抗効果素子５ａの間隔ｔ₃が再生ト
ラック幅となる。換言すれば、図８乃至図９に示した工
程で、レジストパターン６ｃをマスクとして磁気抵抗効
果膜５をエッチングすることにより、この磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの再生トラック幅が規定される。

【００５３】そして、以上のように磁気抵抗効果型磁気
ヘッドを作製した場合には、図８乃至図１０に示したよ
うに、レジストパターン６ｃを下層部が内方に食い込ん
だアンダーカット形状としているので、レジストパター
ン６ｃの側面に堆積した不要な堆積物が磁気抵抗効果素
子５ａの上に残存するようなことはない。したがって、
磁気抵抗効果素子５ｃの上に不要な堆積物が残存するよ
うなことはなく、磁気抵抗効果素子５ａの上面は一様な
平面となっている。その結果、磁気抵抗効果素子５ａの
上に形成される非磁性絶縁膜１０は、磁気抵抗効果素子
５ａの全面にわたって均一に形成され、その絶縁特性
は、非常に良好なものとなる。

【００５４】したがって、この磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドでは、下層磁気シールドとなる軟磁性膜２と、上層磁
気シールドとなる軟磁性膜１１との間隔を狭くしても、
それらと磁気抵抗効果素子５ａとの間の絶縁性を十分に
確保することができる。すなわち、この磁気抵抗効果型
磁気ヘッドでは、磁気抵抗効果素子５ａと磁気シールド
との間の絶縁性を確保しつつ、上層磁気シールドと下層
磁気シールドとの間隔をより狭くすることができ、更な
る高記録密度化に対応することができる。

【００５５】なお、上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドにお
いては、導電体膜８をそのまま外部接続用端子とするの
ではなく、導電体膜８の磁気抵抗効果素子５ａと接続さ
れていない側に、より電気抵抗の低い第２の導電体膜を
接続し、当該第２の導電体膜の端部を外部接続用端子と
しても良い。ここで、第２の導電体膜は、Ｃｕ等のよう
に電気抵抗の低い材料を、メッキ等により出来るだけ厚
く形成すると良い。このように、電気抵抗の低い第２の
導電体膜を介して磁気抵抗効果素子５ａにセンス電流を
供給するようにすることで、外部接続用端子から磁気抵
抗効果素子５ａに至るセンス電流の経路の抵抗値をより
低くすることができ、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの再生
特性をより向上することができる。

【００５６】また、上述の説明では、再生専用磁気ヘッ
ドである磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造プロセスにつ
いてだけ説明したが、記録再生用磁気ヘッドを所望する
場合には、上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの上に、記録
用磁気ヘッドとしてインダクティブ型磁気ヘッドを積層
形成するようにしてもよい。

【００５７】上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの上にイン
ダクティブ型磁気ヘッドを積層形成する場合は、保護膜
１２の上にインダクティブ型磁気ヘッドを薄膜プロセス
により新たに形成するようにしても良いし、或いは、磁
気抵抗効果型磁気ヘッドの上層磁気シールドとなってい
る軟磁性膜１１を、インダクティブ型磁気ヘッドの下層
磁気コアとして用いて、この軟磁性膜１１の上に、イン
ダクティブ型磁気ヘッドを構成する磁気ギャップ膜、薄
膜コイル及び上層磁気コア等を形成するようにしても良
い。

【００５８】なお、本発明を適用して製造される磁気抵
抗効果型磁気ヘッドは、ハードディスクドライブ用に限
定されるものではなく、磁気記録の分野において広く使
用可能であり、例えば、記録媒体としてフレキシブルデ
ィスクを用いる磁気記録再生装置や、記録媒体として磁
気テープを用いる磁気記録再生装置等にも使用可能であ
る。

【００５９】つぎに、上述のように磁気抵抗効果型磁気
ヘッドを作製する際の磁性膜７及び導電体膜８の成膜条
件について詳細に説明する。

【００６０】磁性膜７及び導電体膜８は、スパッタリン
グにより成膜する。そして、このとき、図２２に示すよ
うに、磁性膜７や導電体膜８の材料となる円盤状のター
ゲット２１と、磁性膜７の成膜の前までの薄膜プロセス
が完了した円盤状の基板２２とを対向させて配置して、
ターゲット２１をスパッタする。このとき、ターゲット
２１をスパッタすることによりターゲット２１から叩き
出されたスパッタ粒子は、対向配置された基板２２に入
射し、このスパッタ粒子が基板２２の上に堆積すること
により基板２２の上に磁性膜７や導電体膜８が成膜され
る。なお、磁性膜７や導電体膜８を、複数の薄膜を積層
して形成する際は、成膜する薄膜に応じてターゲット２
１を交換する。

【００６１】そして、本発明では、このように磁性膜７
や導電体膜８をスパッタリングにより成膜するにあたっ
て、ターゲット２１と基板２２との間隔ｔ₄を十分に離
して、ターゲット２１のスパッタ領域と基板２２の磁気
抵抗効果素子形成領域とを結ぶ仮想線と、基板表面とが
成す角度の最小値が６０度以上となるようにする。

【００６２】なお、図２２の例では、円盤状のターゲッ
ト２１の全面をスパッタするものとしている。すなわ
ち、ターゲット２１のスパッタ領域は、当該ターゲット
表面全体である。このようにスパッタ領域をターゲット
表面全体とした場合には、ターゲット２１を無駄なく有
効に活用することができる。また、図２２の例では、円
盤状の基板２２のほぼ全面を活用して磁気抵抗効果型磁
気ヘッドを作製するものとしている。すなわち、磁気抵
抗効果素子形成領域は、ほぼ基板表面全体である。この
ように基板２２のほぼ全面を活用して磁気抵抗効果型磁
気ヘッドを作製した場合には、１つの基板２２からより
多くの磁気抵抗効果型磁気ヘッドを作製することがで
き、低コスト化を図ることができる。

【００６３】このように、ターゲット２１のスパッタ領
域を当該ターゲット表面全体とし、且つ、磁気抵抗効果
素子形成領域をほぼ基板表面全体とした場合には、図２
２に示すように、ターゲット２１の一方の端部から基板
２２の他方の端部に至る仮想線Ｌ１が、ターゲット２１
のスパッタ領域と磁気抵抗効果素子形成領域とを結ぶ仮
想線のうち、基板表面と成す角度が最小の仮想線とな
る。そこで、この仮想線Ｌ１と基板表面とが成す角度θ
が、６０度以上となるようにする。

【００６４】具体的には、例えば、ターゲット２１の直
径ｔ₅が１５０ｍｍであり、基板２２の直径ｔ₆が１００
ｍｍの場合には、基板２２の中心とターゲット２１の中
心とが一致するように、ターゲット２１と基板２２とを
対向配置し、それらの間隔ｔ₄を２１７ｍｍ以上とす
る。このようにすれば、仮想線Ｌ１と基板表面とが成す
角度θが、６０度以上となる。

【００６５】このように、仮想線Ｌ１と基板表面とが成
す角度θが十分に大きくなっていれば、ターゲット２１
をスパッタすることによりターゲット２１から叩き出さ
れて基板２２に入射するスパッタ粒子は、基板２２に対
してほぼ垂直に入射する成分が大多数となり、基板２２
に対して斜めに入射する成分は非常に少なくなる。その
結果、レジストパターン６ｃのアンダーカット部分にス
パッタ粒子が入射するようなことは殆ど無くなり、図１
０に示したように、磁気抵抗効果膜５の上面にまで磁性
膜７や導電体膜８が堆積するようなこと無く、磁性膜７
や導電体膜８が形成される。

【００６６】なお、仮想線Ｌ１と基板表面とが成す角度
θを多少なりとも大きくすれば、スパッタ粒子の直進性
が上がり、レジストパターン６ｃのアンダーカット部分
へのスパッタ粒子の入射は抑制されるが、磁気抵抗効果
型磁気ヘッドとして要求される特性を満たすようにする
ためには、この角度θを十分に大きくする必要がある。
そこで、本発明者は、この角度θを変化させて、複数の
磁気抵抗効果型磁気ヘッドを作製し、それらの特性を評
価した。その結果、この角度θが６０度以上となってい
れば、十分に良好な特性の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを
作製できることが確認された。そこで、本発明において
は、この角度θを６０度以上とするように規定してい
る。なお、この角度θは、当然の事ながら、９０度未満
である。したがって、この角度θは、スパッタリング装
置の構造的制約や成膜効率等を考慮して、６０°≦θ＜
９０°の範囲で適宜設定するようにすればよい。

【００６７】なお、以上のように磁性膜７や導電体膜８
をスパッタリングにより成膜する際、スパッタガス圧
は、スパッタ粒子の直進性を上げるという観点からは、
出来るだけ低い方が好ましい。そこで、スパッタガスと
してＡｒを使用し、そのガス圧を０．５mTorr以下とし
て、磁性膜７や導電体膜８の成膜を行ったところ、レジ
ストパターン６ｃのアンダーカット部分へのスパッタ粒
子の入射が更に減少することが確認された。したがっ
て、磁性膜７や導電体膜８をスパッタリングにより成膜
する際のスパッタガス圧は、０．５mTorr以下とするこ
とが好ましい。

【００６８】ただし、スパッタガス圧があまり低すぎる
と、成膜効率が悪くなり生産性が低下するし、また、ス
パッタガスをプラズマ化してスパッタリングするため
に、スパッタガス圧は少なくとも０．１mTorr程度は必
要である。したがって、スパッタガス圧は、成膜効率等
を考慮して、０．１mTorr〜０．５mTorrの範囲で適宜設
定するようにすると良い。

【００６９】最後に、スパッタ条件とスパッタ粒子の直
進性との関係を、実験を行い調べた結果について説明す
る。

【００７０】本実験では、基板−ターゲット間の距離
と、スパッタガス圧とを変化させて、図２３に示すよう
に、凹部３０ａを有する基板３０の上に、スパッタリン
グによりＣｒ膜３１の成膜を行った。

【００７１】具体的には、まず、基板３０とＣｒターゲ
ットとの間の距離を４００ｍｍ、スパッタガス圧を０．
５mTorrとしてＣｒ膜３１を成膜した。このとき、Ｃｒ
ターゲットのスパッタ領域と基板３０の凹部３０ａとを
結ぶ仮想線と、基板表面とが成す角度の最小値は、７０
度程度であった。つぎに、基板３０とＣｒターゲットと
の間の距離を４０ｍｍ、スパッタガス圧を５mTorrとし
てＣｒ膜３１を成膜した。このとき、Ｃｒターゲットの
スパッタ領域と基板３０の凹部３０ａとを結ぶ仮想線
と、基板表面とが成す角度の最小値は、２０度程度であ
った。

【００７２】そして、それぞれの場合について、成膜さ
れたＣｒ膜３１のボトム・カバレージを測定した。ここ
で、ボトム・カバレージとは、基板３０の凹部３０ａの
底面に成膜されたＣｒ膜３１ａの膜厚ｔ₇と、基板３０
のその他の部分に成膜されたＣｒ膜３１ｂの膜厚ｔ₈と
の比ｔ₇／ｔ₈のことである。そして、このようなボトム
・カバレージの測定を、基板３０に形成された凹部３０
ａのアスペクト比を様々に変えて行った。ここで、基板
３０に形成された凹部３０ａのアスペクト比とは、当該
凹部３０ａの深さｔ₉と幅ｔ₁₀の比ｔ₉／ｔ₁₀のことであ
る。

【００７３】以上のような実験の結果を図２４に示す。
図２４から分かるように、基板３０とＣｒターゲットと
の間の距離を４０ｍｍ、スパッタガス圧を５mTorrとし
てＣｒ膜３１を成膜した場合には、ボトム・カバレージ
が低いが、基板３０とＣｒターゲットとの間の距離を４
００ｍｍ、スパッタガス圧を０．５mTorrとして場合に
は、ボトム・カバレージが１００％に近い値となってい
る。このことから、基板−ターゲット間の距離を離すこ
とにより、また、スパッタガス圧を低くすることによ
り、スパッタ粒子の直進性が上がることが分かる。

【００７４】以上の実験の結果からも、基板とターゲッ
トとの間の距離を十分に離して上記角度θを大きくした
り、或いは、スパッタガス圧を低くしたりすることによ
り、スパッタ粒子の直進性が上がることが分かる。そし
て、スパッタ粒子の直進性が上がれば、上述のように磁
性膜７や導電体膜８を成膜する際に、レジストパターン
６ｃのアンダーカット部分にスパッタ粒子が入射するよ
うなことは殆ど無くなる。その結果、磁気抵抗効果膜５
の上面にまで磁性膜７や導電体膜８が堆積してしまうよ
うなことは殆ど無くなり、非常に特性に優れた磁気抵抗
効果型磁気ヘッドを作製することが可能となる。

【００７５】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、磁気抵抗効果素子と磁性膜や導電体膜との境界部
分を最適な形状に精度良く形成することが可能となる。
したがって、本発明によれば、非常に特性の優れた磁気
抵抗効果型磁気ヘッドを製造することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製造工程を順次示す図であり、下層磁気シールドとなる
軟磁性膜を基板上に形成した状態を示す断面図である。

【図２】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製造工程を順次示す図であり、下層磁気シールドとなる
軟磁性膜を所定の形状にエッチングした状態を示す断面
図である。

【図３】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製造工程を順次示す図であり、下層磁気シールドとなる
軟磁性膜上に非磁性絶縁膜を形成した状態を示す断面図
である。

【図４】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製造工程を順次示す図であり、非磁性絶縁膜を軟磁性膜
の表面が露呈するまで研磨した状態を示す断面図であ
る。

【図５】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製造工程を順次示す図であり、下層磁気ギャップとなる
非磁性絶縁膜を形成した状態を示す断面図である。

【図６】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製造工程を順次示す図であり、磁気抵抗効果素子となる
磁気抵抗効果膜を形成した状態を示す断面図である。

【図７】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製造工程を順次示す図であり、磁気抵抗効果膜上にレジ
スト層を形成した状態を示す断面図である。

【図８】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製造工程を順次示す図であり、磁気抵抗効果膜上に形成
したレジスト層を所定の形状にパターニングした状態を
示す断面図である。

【図９】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製造工程を順次示す図であり、レジストパターンをマス
クとして磁気抵抗効果膜をエッチングした状態を示す断
面図である。

【図１０】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造工程を順次示す図であり、レジストパターンを残
したまま、磁性膜と導電体膜とを形成した状態を示す断
面図である。

【図１１】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造工程を順次示す図であり、レジストパターンを、
当該レジストパターン上に堆積した磁性膜及び導電体膜
と共に除去した状態を示す断面図である。

【図１２】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造工程を順次示す図であり、レジストパターンを、
当該レジストパターン上に堆積した磁性膜及び導電体膜
と共に除去した状態を示す平面図である。

【図１３】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造工程を順次示す図であり、磁気抵抗効果膜及び導
電体膜の上に、所定の形状のレジストパターンを形成し
た状態を示す平面図である。

【図１４】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造工程を順次示す図であり、磁気抵抗効果膜及び導
電体膜の上に、所定の形状のレジストパターンを形成し
た状態を示す断面図である。

【図１５】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造工程を順次示す図であり、レジストパターンをマ
スクとして磁気抵抗効果膜をエッチングして磁気抵抗効
果素子を形成した状態を示す断面図である。

【図１６】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造工程を順次示す図であり、レジストパターンをマ
スクとして磁気抵抗効果膜をエッチングして磁気抵抗効
果素子を形成した状態を示す平面図である。

【図１７】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造工程を順次示す図であり、上層磁気ギャップとな
る非磁性絶縁膜を形成した状態を示す平面図である。

【図１８】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造工程を順次示す図であり、上層磁気ギャップとな
る非磁性絶縁膜を形成した状態を示す断面図である。

【図１９】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造工程を順次示す図であり、上層磁気シールドとな
る軟磁性膜を形成した状態を示す断面図である。

【図２０】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造工程を順次示す図であり、保護膜を形成した状態
を示す断面図である。

【図２１】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造工程を順次示す図であり、磁気抵抗効果素子が形
成された側の側面を研磨した状態を示す平面図である。

【図２２】ターゲットと基板とを対向配置した状態を示
す図である。

【図２３】スパッタ条件とスパッタ粒子の直進性との関
係を調べた実験を説明するための図であり、凹部が形成
された基板上にスパッタリングによりＣｒ膜を成膜した
状態を示す断面図である。

【図２４】スパッタ条件とスパッタ粒子の直進性との関
係を調べた実験の結果を示す図である。

【図２５】磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一例について、
その要部を示す平面図である。

【図２６】図２５に示した磁気抵抗効果型磁気ヘッドを
記録媒体対向面側から見た正面図である。

【図２７】アンダーカット形状のレジストパターンをマ
スクとして、磁気抵抗効果素子をパターニングした後、
磁性膜及び導電体膜を成膜した状態を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１基板、２軟磁性膜（下層磁気シールド）、３
非磁性絶縁膜、４非磁性絶縁膜（下層磁気ギャッ
プ）、５磁気抵抗効果膜、５ａ磁気抵抗効果素
子、６レジスト層、６ａ第１のレジスト、６
ｂ第２のレジスト、６ｃレジストパターン、７
磁性膜、８導電体膜、９レジストパターン、
１０非磁性絶縁膜（上層磁気ギャップ）、１１
軟磁性膜（上層磁気シールド）、１２保護膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気抵抗効果素子となる磁気抵抗効果膜
を基板上に成膜する工程と、下層部が内方に食い込んだアンダーカット形状のレジス
トパターンを上記磁気抵抗効果膜上に形成する工程と、上記レジストパターンをマスクとして上記磁気抵抗効果
膜をエッチングし、所定の形状の磁気抵抗効果素子を形
成する工程と、上記レジストパターンを残した状態で、磁性体ターゲッ
トを用いて、上記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印
加するための磁性膜をスパッタリングにより成膜する工
程と、上記レジストパターンを残した状態で、導電体ターゲッ
トを用いて、上記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給
する電極となる導電体膜をスパッタリングにより成膜す
る工程と、上記レジストパターンを、当該レジストパターン上に堆
積した磁性膜及び導電体膜と共に除去する工程とを有
し、上記磁性膜をスパッタリングにより成膜する際に、磁性
体ターゲットのスパッタ領域と基板の磁気抵抗効果素子
形成領域とを結ぶ仮想線と、基板表面とが成す角度の最
小値が６０度以上となるように、上記磁性体ターゲット
と上記基板とを対向させて配置することを特徴とする磁
気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】上記導電体膜をスパッタリングにより成
膜する際に、導電体ターゲットのスパッタ領域と基板の
磁気抵抗効果素子形成領域とを結ぶ仮想線と、基板表面
とが成す角度の最小値が６０度以上となるように、上記
導電体ターゲットと上記基板とを対向させて配置するこ
とを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの製造方法。
【請求項３】上記磁性膜をスパッタリングにより成膜
する際のスパッタガス圧を０．５mTorr以下とすること
を特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造方法。
【請求項４】上記導電体膜をスパッタリングにより成
膜する際のスパッタガス圧を０．５mTorr以下とするこ
とを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの製造方法。