JP5301413B2 - 複合基板の製造方法 - Google Patents
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Description
共振器構造を有するSAWフィルタに用いられ、圧電基板と支持基板としてのSi基板とが接合された複合基板を製造する方法であって、
(a)抵抗率の異なるSi基板を用意し、Si基板の抵抗率ごとに、圧電基板の厚みtpzに対するSi基板の厚みtSiの比率rと共振器の共振周波数frにおけるTCF(以下、TCFfrという)との関係と、前記比率rと共振器の反共振周波数faにおけるTCF(以下、TCFfaという)との関係を調べる工程と、
(b)予めSi基板の抵抗率を設定し、該設定した抵抗率に対応するTCFfrの絶対値及びTCFfaの絶対値が20ppm/℃以下となるように今回使用する比率rを設定する工程と、
(c)前記圧電基板と前記Si基板とを接合し、前記工程(b)で設定した前記比率rとなるように前記圧電基板及び前記Si基板の少なくとも一方を研削及び/又は研磨する工程と、
を含むものである。
共振器構造を有するSAWフィルタに用いられ、圧電基板と支持基板としてのSi基板とが接合された複合基板を製造する方法であって、
(a)抵抗率の異なるSi基板を用意し、Si基板の抵抗率ごとに、圧電基板の厚みtpzに対するSi基板の厚みtSiの比率rとTCFfrとの関係と、前記比率rとTCFfaとの関係を調べる工程と、
(b)予め比率rを設定し、該設定した比率rに対応するTCFfrの絶対値及びTCFfaの絶対値が20ppm/℃以下となるように今回使用するSi基板の抵抗率を設定する工程と、
(c)前記圧電基板と前記工程(b)で設定した抵抗率を持つSi基板とを接合し、予め設定した比率rとなるように前記圧電基板及び前記Si基板の少なくとも一方を研削及び/又は研磨する工程と、
を含むものである。
支持基板として直径が100mm、厚みが250μm、抵抗率がρΩ・cmのSi(111)基板を用意し、圧電基板として直径が100mm、厚みが250μmのLT42°Yカット基板を用意した。そして、圧電基板の裏面と支持基板の表面にエポキシ系の有機接着剤をスピンコートにより均一に薄く塗布し、両者を重ね合わせた状態で有機接着剤を固化させて貼り合わせ基板を作製した。このときの有機接着層の厚みは約0.7μmとした。次に、この貼り合わせ基板の圧電基板を所定の厚みになるまで片面研磨機により研磨して複合基板を得た。なお、この複合基板の圧電基板の厚みtpzに対するSi基板の厚みtSiの割合を厚み比率r(=tSi/tpz)と称する。
抵抗率が2Ω・cm,1000Ω・cmのSi基板を用いて、上述した基本手順にしたがって厚み比率rを種々変更した1ポートSAW共振器を作製し、厚み比率rと共振器の共振周波数温度係数であるTCFfrとの関係をグラフ化した。なお、TCFfrは、基準温度を25℃として測定した。そのグラフを図1に示す。図1から明らかなように、厚み比率rとTCFfrとの関係はSi基板の抵抗率にかかわらず概ね同じであり、厚み比率rが4以上であればSi基板の抵抗率にかかわらずTCFfrの絶対値は20ppm/℃以内に収まることがわかる。
予め今回使用するSi基板が設定されている場合、複合基板は次のようにして作製する。すなわち、そのSi基板の抵抗率に対応するTCFfrの絶対値及びTCFfaの絶対値が20ppm/℃以下となる厚み比率rの数値範囲を図1及び図2からそれぞれ求め、両方の数値範囲の重複範囲に入る厚み比率rを選択設定する。なお、ここでは重複範囲は、TCFfaの絶対値が20ppm/℃以下となる厚み比率rの数値範囲になるため、TCFfrについて考慮するのを省略してもよい。そして、圧電基板とSi基板とを接合し、さきほど選択設定した比率rとなるように圧電基板及びSi基板の少なくとも一方を研削及び/又は研磨し、複合基板を得る。
Claims (3)
- 共振器構造を有するSAWフィルタに用いられ、圧電基板と支持基板としてのSi基板とが接合された複合基板を製造する方法であって、
(a)抵抗率の異なるSi基板を用意し、Si基板の抵抗率ごとに、圧電基板の厚みtpzに対するSi基板の厚みtSiの比率rと共振器の共振周波数frにおけるTCF(以下、TCFfrという)との関係と、前記比率rと共振器の反共振周波数faにおけるTCF(以下、TCFfaという)との関係を調べる工程と、
(b)予めSi基板の抵抗率を設定し、該設定した抵抗率に対応するTCFfrの絶対値及びTCFfaの絶対値が20ppm/℃以下となるように今回使用する比率rを設定する工程と、
(c)前記圧電基板と前記Si基板とを接合し、前記工程(b)で設定した前記比率rとなるように前記圧電基板及び前記Si基板の少なくとも一方を研削及び/又は研磨する工程と、
を含む複合基板の製造方法。 - 共振器構造を有するSAWフィルタに用いられ、圧電基板と支持基板としてのSi基板とが接合された複合基板を製造する方法であって、
(a)抵抗率の異なるSi基板を用意し、Si基板の抵抗率ごとに、圧電基板の厚みtpzに対するSi基板の厚みtSiの比率rとTCFfrとの関係と、前記比率rとTCFfaとの関係を調べる工程と、
(b)予め比率rを設定し、該設定した比率rに対応するTCFfrの絶対値及びTCFfaの絶対値が20ppm/℃以下となるように今回使用するSi基板の抵抗率を設定する工程と、
(c)前記圧電基板と前記工程(b)で設定した抵抗率を持つSi基板とを接合し、予め設定した比率rとなるように前記圧電基板及び前記Si基板の少なくとも一方を研削及び/又は研磨する工程と、
を含む複合基板の製造方法。 - 前記Si基板は、抵抗率が100Ω・cm以上である、
請求項1又は2に記載の複合基板の製造方法。
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