JPWO2014077213A1

JPWO2014077213A1 - 複合基板

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Publication number: JPWO2014077213A1
Application number: JP2014514654A
Authority: JP
Inventors: 知義多井; 康範岩崎; 裕二堀; 喬紘山寺; 良祐服部; 鈴木　健吾; 健吾鈴木
Original assignee: NGK Insulators Ltd; NGK Ceramic Device Co Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd; NGK Ceramic Device Co Ltd
Priority date: 2012-11-14
Filing date: 2013-11-11
Publication date: 2017-01-05
Anticipated expiration: 2033-11-11
Also published as: KR101511001B1; WO2014077213A1; JP5583876B1; CN103947110A; CN103947110B; US20140210317A1; EP2787638A4; KR20140095048A; EP2787638A1; US8907547B2; EP2787638B1

Abstract

本発明の複合基板は、タンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムの単結晶基板である圧電基板と、シリコンの単結晶基板である支持基板とが、アモルファス層を介して接合された複合基板である。アモルファス層は、Ａｒを３ａｔｍ％〜１４ａｔｍ％含有している。また、アモルファス層は、圧電基板から複合基板に向かって第１層、第２層及び第３層を有している。このうち、第１層は、第２層及び第３層に比べて圧電基板を構成する元素（Ｔａなど）を多く含有し、第３層は、第１層及び第２層に比べて支持基板を構成する元素（Ｓｉ）を多く含有し、第２層は、第１層及び第３層に比べてＡｒを多く含有する。

Description

本発明は、複合基板に関する。

弾性表面波素子（ＳＡＷ素子）は、携帯電話機のような通信機器におけるバンドパスフィルタとして幅広く使用されている。こうしたＳＡＷ素子は、例えば、タンタル酸リチウム（ＬＴ）やニオブ酸リチウム（ＬＮ）のような圧電基板と、サファイヤやシリコンのような支持基板とを接合した複合基板を利用して作製される。ＬＴやＬＮのような圧電基板は、電気機械結合係数が大きいため広帯域のフィルタ特性を実現するのに有利ではあるが、温度安定性に劣るという欠点がある。一方、サファイヤやシリコンのような支持基板は、温度安定性に優れているが、電気機械結合係数が小さいという欠点がある。これに対して、両者を接合した複合基板は、大きな電気機械結合係数と優れた温度安定性を有するという利点がある。

特許文献１には、こうした複合基板として、圧電基板と支持基板との接合面を不活性ガス又は酸素のイオンビーム、中性化ビーム又はプラズマにより活性化させたあと、両基板を常温下又は１００℃以下の加熱処理下で接合したものが開示されている。また、接合後に、２００℃以下の比較的低温のアニール処理を施すことで、両基板間の接合強度を一層向上させることも開示されている。更に、Ａｒ原子の照射ビームにより両基板の接合面を活性化させたあと両基板の接合面同士を貼り合わせると、基板間にアモルファス層を有する複合基板が形成されることも開示されている。このような基板間にアモルファス層を有する複合基板は、特許文献２にも開示されている。

特開２００４−３４３３５９号公報特開２００５−２５２５５０号公報

ところで、このような複合基板は、例えば切断してチップ状にしたあと、高温プロセス工程を行うことがある。このような高温時において、複合基板の両基板間の接合強度が低いと基板の剥離が生じることがあった。

本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、圧電基板と支持基板とを接合した複合基板において、両基板間の接合強度を十分高くすることを主目的とする。

本発明の複合基板は、
タンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムの単結晶基板である圧電基板と、シリコンの単結晶基板である支持基板とが、アモルファス層を介して接合された複合基板であって、
前記アモルファス層は、Ａｒを３ａｔｍ％〜１４ａｔｍ％含有するものである。

この複合基板によれば、両基板間の接合強度を十分高くすることができる。その理由は現在のところ定かではないが、アモルファス層が３ａｔｍ％〜１４ａｔｍ％のＡｒを含有することが接合強度に寄与していると考えられる。ここで、アモルファス層は例えば１層だけで形成されていてもよいし、２層以上から形成されていてもよい。アモルファス層全体としてＡｒを３ａｔｍ％〜１４ａｔｍ％含有していれば、接合強度を十分高くする効果が得られる。なお、アモルファス層は、全体としてＡｒを３ａｔｍ％〜１０ａｔｍ％含有するものとしてもよい。

本発明の複合基板において、前記アモルファス層は、厚さが４ｎｍ〜１２ｎｍであることが好ましい。こうすれば、４００℃以上の耐熱性を確保することができるからである。

本発明の複合基板において、前記アモルファス層は、前記圧電基板から前記複合基板に向かって第１層、第２層及び第３層を有し、前記第１層は、前記第２層及び前記第３層に比べて前記圧電基板を構成する元素を多く含有し、前記第３層は、前記第１層及び前記第２層に比べて前記支持基板を構成する元素を多く含有し、前記第２層は、前記第１層及び前記第３層に比べてＡｒを多く含有することが好ましい。こうすれば、アモルファス層が２層からなる場合に比べて、両基板間の接合強度をさらに高くすることができる。

この場合において、前記第３層は、前記第１層及び前記第２層に比べて厚さが厚いことが好ましい。アモルファス層が３層である複合基板を実際に作製すると、第３層が第１層及び第２層に比べて厚い構造となっていることから、これが接合強度の向上に寄与していると考えられる。この場合、第３層は、第１層の厚さと第２層の厚さとの和よりも厚くなっていてもよい。

本発明の複合基板は、Ｆｅの含有率が検出限界以下（０．１ａｔｍ％未満）であることが好ましい。Ｆｅが混入していると、複合基板を利用して作製したＳＡＷ素子などのデバイスに悪い影響を与えることがあるため好ましくない。例えば、Ｆｅが混入していると、電界が漏れてエネルギーが放散されてしまうことがある。

本発明の複合基板において、圧電基板としては、タンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムの単結晶基板を使用する。また、圧電基板の大きさは、特に限定するものではないが、例えば、直径が５０ｍｍ〜１５０ｍｍ、厚さが１０μｍ〜５０μｍである。支持基板としては、シリコンの単結晶基板を使用する。また、支持基板の大きさは、特に限定するものではないが、例えば、直径が５０ｍｍ〜１５０ｍｍ、厚さが１００μｍ〜５００μｍである。アモルファス層は、圧電基板から複合基板に向かって第１層、第２層及び第３層を有していることが好ましい。この場合、第１〜第３層は、いずれもＡｒを含有している。第１層は、第２層及び第３層に比べて圧電基板を構成する元素（Ｔａ，Ｎｂなど）を多く含有し、第３層は、第１層及び第２層に比べて支持基板を構成する元素（Ｓｉ）を多く含有し、第２層は、第１層及び第３層に比べてＡｒを多く含有する。

本発明の複合基板の製法は、
（ａ）タンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムの単結晶基板である圧電基板と、シリコンの単結晶基板である支持基板とを用意する工程と、
（ｂ）前記圧電基板の接合面及び前記支持基板の接合面に真空中でＡｒ中性原子ビームを照射する工程と、
（ｃ）前記圧電基板及び前記支持基板を冷却する工程と、
（ｄ）前記圧電基板のビーム照射面と前記支持基板のビーム照射面とを接触させ、加圧して両基板を接合する工程と、
（ｅ）接合後、前記圧電基板を所定厚さになるまで研磨加工し、その後２００℃を超える温度でアニールを行う工程と、
を含むものである。

この複合基板の製法によれば、上述した本発明の複合基板を比較的容易に作製することができる。

工程（ａ）では、圧電基板として、例えば、３６°回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板、４２°回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板、Ｘカット１１２．２°回転Ｙ伝搬ＬＴ基板、１２７．８６°回転ＹカットＸ伝搬ＬＮ基板、ＹカットＺ伝搬ＬＮ基板、６４°回転ＹカットＸ伝搬ＬＮ基板などを用意する。また、支持基板として、例えば、チョクラルスキー法又はフローティングゾーン法によって作製された単結晶Ｓｉ基板を用意する。

工程（ｂ）では、Ａｒ中性原子ビームを使用する。なお、Ａｒ中性原子ビームに代えてＡｒイオンビームを使用してもよい。ただし、Ａｒイオンビームを使用すると、真空チャンバーの材料（例えばＦｅやＣｒなど）が接合面に混入するおそれがあることから、Ａｒ中性原子ビームを使用することが好ましい。また、アモルファス層を３層構造とする場合には、Ａｒ中性原子ビームを使用することが好ましい。

工程（ｃ）では、圧電基板及び支持基板を冷却する。冷却せずに接合した場合には、両基板が熱膨張差の大きい状態で接合されるため、接合後に剥離しやすくなる。圧電基板及び支持基板を２０〜５０℃に冷却するのが好ましく、２０〜３０℃に冷却するのがより好ましい。

工程（ｄ）では、圧電基板のビーム照射面と支持基板のビーム照射面とを接触させ、加圧して両基板を接合する。加圧時の圧力は、基板の大きさ等を考慮して適宜設定すればよい。

工程（ｅ）では、圧電基板を所定厚さ（例えば１０〜５０μｍ）になるまで研磨加工し、その後２００℃を超える温度でアニールを行う。こうすることにより、熱応力の発生が低減される。また、両基板の接合強度も向上する。アニール温度は２４０〜２８０℃とするのが好ましく、２５０〜２７０℃とするのがより好ましい。この工程（ｅ）では、接合後研磨加工前に、８０℃以上の温度（好ましくは８０〜１１０℃の温度）でアニールを行うことが好ましい。こうすれば、接合強度が一層向上する。

実施例１の複合基板のＴＥＭによる断面写真。実施例１の複合基板を構成するＬＴ基板のＥＤＸのグラフ。実施例１の複合基板を構成するアモルファス層第１層のＥＤＸのグラフ。実施例１の複合基板を構成するアモルファス層第２層のＥＤＸのグラフ。実施例１の複合基板を構成するアモルファス層第３層のＥＤＸのグラフ。実施例１の複合基板を構成するＳｉ基板のＥＤＸのグラフ。比較例３の複合基板のＴＥＭによる断面写真。比較例３の複合基板を構成するＬＴ基板のＥＤＸのグラフ。比較例３の複合基板を構成するアモルファス層第１層のＥＤＸのグラフ。比較例３の複合基板を構成するアモルファス層第２層のＥＤＸのグラフ。比較例３の複合基板を構成するＳｉ基板のＥＤＸのグラフ。クラックオープニング法の説明図。

［実施例１］
両面が鏡面の厚み２３０μｍのＬＴ基板と、両面が鏡面の厚み２５０μｍのＳｉ基板を用意した。ＬＴ基板としては、弾性表面波の伝搬方向であるＸ軸を中心に、Ｙ軸からＺ軸に４２°回転した、４２°回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板（４２°Ｙ−ＸＬＴ）を用いた。それぞれの基板の接合面を洗浄して表面の汚れを取った後、真空チャンバーに導入した。１０^-6Ｐａ台の真空中で、それぞれの基板の接合面に高速Ａｒ中性原子ビーム（加速電圧１ｋＶ、Ａｒ流量６０ｓｃｃｍ）を７０ｓｅｃ間照射した。照射後、１０分間そのまま放置して各基板を２６〜２８℃に冷却した。ついでＬＴ基板のビーム照射面とＳｉ基板のビーム照射面とを接触させた後、４．９０ｋＮで２分間加圧して両基板を接合した。接合後、ＬＴ基板を厚みが３０μｍになるまで研磨加工し、その後２６０℃でアニールを行い、複合基板を得た。

この複合基板を切断しＴＥＭ（透過電子顕微鏡）で断面の観察を行った。その結果を図１に示す。図１からアモルファス層の厚さは７ｎｍであった。アモルファス層は、ＬＴ基板からＳｉ基板に向かって第１層、第２層、第３層を有していた。また、第３層は、第１層及び第２層よりも厚かった。ＬＴ基板、アモルファス層を構成する第１〜第３層及びＳｉ基板について、ＥＤＸで組成分析、元素分析を行った。組成分析の結果を図２〜図６に示す。図２〜図６中、「point n」（ｎは１〜５の整数）は図１の「*n」の位置を示す。この点は後述の表１も同じである。組成分析の結果から明らかなように、第１〜第３層のいずれにもＡｒが検出された。なお、図２〜図６中のＭｏのピークはサンプルホルダーに由来するものである。また、元素分析の結果を表１に示す。表１から明らかなように、Ａｒ原子は、第１層には５ａｔｍ％、第２層には９ａｔｍ％、第３層には３ａｔｍ％含まれていた。また、Ｆｅ原子は、すべてにおいて全く検出されなかった。なお、アモルファス層全体では、Ａｒ原子は８ａｔｍ％含まれていた。また、複合基板から切り出した２ｍｍ角のチップをホットプレート上で加熱した。室温から徐々に加熱し、３００℃を超えるまで加熱したが、クラック、剥がれ等の破損は見られなかった。ホットプレートではそれ以上の加熱は難しいため、チップを急速アニール炉内に投入し４００℃まで急速に加熱した。炉から取り出したところ、チップの破損は一切認められなかった。

［実施例２］
高速Ａｒ中性原子ビームを２０ｓｅｃ間照射した以外は、実施例１と同様にして複合基板を作製し、その一部を切断しＴＥＭで断面の観察を行った。その結果、アモルファス層の厚さは約４ｎｍであった。アモルファス層は、ＬＴ基板からＳｉ基板に向かって第１層、第２層、第３層を有していた。第３層は、第１層や第２層よりも厚かった。ＬＴ基板、アモルファス層を構成する第１〜第３層及びＳｉ基板について、ＥＤＸで組成分析、元素分析を行った。組成分析の結果、第１〜第３層のいずれにもＡｒが検出された。また、元素分析の結果、Ａｒ原子は、第１層には１．５ａｔｍ％、第２層には３．９ａｔｍ％、第３層には０．７ａｔｍ％含まれていた。また、Ｆｅ原子は、すべてにおいて全く検出されなかった。なお、アモルファス層全体では、Ａｒ原子は３．０ａｔｍ％含まれていた。第１層は、第２層及び第３層に比べて圧電基板を構成する元素（Ｔａ）を多く含有し、第３層は、第１層及び第２層に比べて支持基板を構成する元素（Ｓｉ）を多く含有していた。また、実施例１と同様にして２ｍｍ角のチップをホットプレート上で加熱したところ、４００℃直後でＬＴ基板が剥離した。

［実施例３］
高速Ａｒ中性原子ビームを２６５ｓｅｃ間照射した以外は、実施例１と同様にして複合基板を作製し、その一部を切断しＴＥＭで断面の観察を行った。その結果、アモルファス層の厚さは約１２ｎｍであった。アモルファス層は、ＬＴ基板からＳｉ基板に向かって第１層、第２層、第３層を有していた。第３層は、第１層や第２層よりも厚かった。ＬＴ基板、アモルファス層を構成する第１〜第３層及びＳｉ基板について、ＥＤＸで組成分析、元素分析を行った。組成分析の結果、第１〜第３層のいずれにもＡｒが検出された。また、元素分析の結果、Ａｒ原子は、第１層には１０．８ａｔｍ％、第２層には１６．３ａｔｍ％、第３層には８．４ａｔｍ％含まれていた。また、Ｆｅ原子は、すべてにおいて全く検出されなかった。なお、アモルファス層全体では、Ａｒ原子は１４ａｔｍ％含まれていた。第１層は、第２層及び第３層に比べて圧電基板を構成する元素（Ｔａ）を多く含有し、第３層は、第１層及び第２層に比べて支持基板を構成する元素（Ｓｉ）を多く含有していた。また、実施例１と同様にして２ｍｍ角のチップをホットプレート上で加熱したところ、４００℃直後でＬＴ基板が剥離した。

［実施例４］
Ａｒ中性原子ビームの代わりにＡｒイオンビームを照射した以外は、実施例１と同様にしてその一部を切断しＴＥＭで断面の観察を行った。その結果、アモルファス層の厚さは８ｎｍであった。アモルファス層は、ＬＴ基板からＳｉ基板に向かって第１層、第２層を有していた。ＬＴ基板、アモルファス層を構成する第１層、第２層及びＳｉ基板について、ＥＤＸで組成分析、元素分析を行った。組成分析の結果、第１層、第２層のいずれにもＡｒが検出された。また、元素分析の結果、Ａｒ原子は、第１層には３ａｔｍ％、第２層には４ａｔｍ％含まれていた。また、Ｆｅ原子は、すべてにおいて全く検出されなかった。なお、アモルファス層全体では、Ａｒ原子は５ａｔｍ％含まれていた。また、この複合基板から切り出した２ｍｍ角のチップをホットプレート上で加熱したところ、３５０℃でＬＴ基板が剥離した。

［実施例５］
ＬＴ基板からＬＮ基板に代えた以外は、実施例１と同様にして複合基板を作製し、その一部を切断しＴＥＭで断面の観察を行った。その結果、アモルファス層の厚さは約５ｎｍであった。アモルファス層は、ＬＮ基板からＳｉ基板に向かって第１層、第２層、第３層を有していた。第３層は、第１層や第２層よりも厚かった。ＬＮ基板、アモルファス層を構成する第１〜第３層及びＳｉ基板について、ＥＤＸで組成分析、元素分析を行った。組成分析の結果、第１〜第３層のいずれにもＡｒが検出された。また、元素分析の結果、Ａｒ原子は、第１層には３．１ａｔｍ％、第２層には６．３ａｔｍ％、第３層には１．６ａｔｍ％含まれていた。また、Ｆｅ原子は、すべてにおいて全く検出されなかった。なお、アモルファス層全体では、Ａｒ原子は５．４ａｔｍ％含まれていた。第１層は、第２層及び第３層に比べて圧電基板を構成する元素（Ｎｂ）を多く含有し、第３層は、第１層及び第２層に比べて支持基板を構成する元素（Ｓｉ）を多く含有していた。また、実施例１と同様にして２ｍｍ角のチップをホットプレート上で加熱したところ、４００℃直後でＬＮ基板が剥離した。

［比較例１］
高速Ａｒ中性原子ビームを１５ｓｅｃ間照射した以外は、実施例１と同様にして複合基板を作製し、その一部を切断しＴＥＭで断面の観察を行った。その結果、アモルファス層の厚さは約２．５ｎｍであった。アモルファス層は、ＬＴ基板からＳｉ基板に向かって第１層、第２層、第３層を有していた。第３層は、第１層や第２層よりも厚かった。ＬＴ基板、アモルファス層を構成する第１〜第３層及びＳｉ基板について、ＥＤＸで組成分析、元素分析を行った。組成分析の結果、第１〜第３層のいずれにもＡｒが検出された。また、元素分析の結果、Ａｒ原子は、第１層には１ａｔｍ％、第２層には３ａｔｍ％、第３層には０．４ａｔｍ％含まれていた。また、Ｆｅ原子は、すべてにおいて全く検出されなかった。なお、アモルファス層全体では、Ａｒ原子は２ａｔｍ％含まれていた。また、実施例１と同様にして２ｍｍ角のチップをホットプレート上で加熱したところ、３００℃直後でＬＴ基板が剥離した。

［比較例２］
高速Ａｒ中性原子ビームを６００ｓｅｃ間照射した以外は、実施例１と同様にして複合基板を作製し、その一部を切断しＴＥＭで断面の観察を行った。その結果、アモルファス層の厚さは約１５ｎｍであった。アモルファス層は、ＬＴ基板からＳｉ基板に向かって第１層、第２層、第３層を有していた。第３層は、第１層や第２層よりも厚かった。ＬＴ基板、アモルファス層を構成する第１〜第３層及びＳｉ基板について、ＥＤＸで組成分析、元素分析を行った。組成分析の結果、第１〜第３層のいずれにもＡｒが検出された。また、元素分析の結果、Ａｒ原子は、第１層には１５ａｔｍ％、第２層には２１ａｔｍ％、第３層には１３ａｔｍ％含まれていた。また、Ｆｅ原子は、すべてにおいて全く検出されなかった。なお、アモルファス層全体では、Ａｒ原子は１８ａｔｍ％含まれていた。また、実施例１と同様にして２ｍｍ角のチップをホットプレート上で加熱したところ、３００℃直後でＬＴ基板が剥離した。

［比較例３］
ＬＴ基板とＳｉ基板とが２層のアモルファス層を介して接合された複合基板を入手し、実施例１と同様にしてその一部を切断しＴＥＭで断面の観察を行った。その結果を図７に示す。図７からアモルファス層の厚さは５ｎｍであった。アモルファス層は、ＬＴ基板からＳｉ基板に向かって第１層、第２層を有していた。ＬＴ基板、アモルファス層を構成する第１層、第２層及びＳｉ基板について、ＥＤＸで組成分析、元素分析を行った。組成分析の結果を図８〜図１１に示す。組成分析の結果から明らかなように、第１層、第２層のいずれにもＡｒが検出された。また、元素分析の結果を表２に示す。表２から明らかなように、Ａｒ原子は、第１層には１ａｔｍ％、第２層には２ａｔｍ％含まれていた。また、Ｆｅ原子は、すべてにおいて全く検出されなかった。なお、アモルファス層全体では、Ａｒ原子は２ａｔｍ％含まれていた。また、この複合基板から切り出した２ｍｍ角のチップをホットプレート上で加熱したところ、２８０℃でＬＴ基板が剥離した。

なお、Ａｒ中性原子ビームの照射時間を種々変更して複合基板を作製し、作製した複合基板から切り出した２ｍｍ角のチップをホットプレート上で加熱したところ、比較例１〜３を超える耐熱性を確保するにはアモルファス層全体でのＡｒ量を３ａｔｍ％〜１０ａｔｍ％とすることが有効であり、さらにアモルファス層の厚みを４ｎｍ〜１２ｎｍにすれば４００℃以上の耐熱性が確保できることが分かった。また、アモルファス層全体でのＡｒ量が３ａｔｍ％〜１４ａｔｍ％の範囲でも、比較例１〜３を超える耐熱性を確保できることがわかった。また、いずれの複合基板も、アモルファス層は、ＬＴ基板からＳｉ基板に向かって第１層、第２層、第３層を有しており、第３層が第１層や第２層よりも厚かった。また、Ａｒ原子のａｔｍ％は、第２層が第１層や第３層よりも高かった。なお、Ａｒ中性原子ビームの代わりにＡｒイオンビームを使用した場合には、真空チャンバーに由来するＦｅがアモルファス層に３０ａｔｍ％以上混入してしまった。また、アモルファス層は２層に分かれて形成されていた。

［接合強度の評価］
実施例１〜５及び比較例１〜３において、圧電基板と支持基板とを接合した貼り合わせ基板（研磨加工を行う前のもの）の接合強度を評価した。接合強度は、下記に示すクラックオープニング法（図１２参照）により評価した。貼り合わせ基板の圧電基板と支持基板との接合界面に、厚み（ｔ_b）が１００μｍのブレードを挿入し、両基板の外周部を機械的に剥離させた。ブレード先端から最も剥離が進展した箇所までの距離（Ｌ）を測長し、以下の式を用いて表面エネルギー（γ）を算出し、これを接合強度とした。また、実施例１において研磨加工を行う前の貼り合わせ基板を８０℃、７２時間加熱（アニール）したものを、実施例６の貼り合わせ基板とした。この実施例６の貼り合わせ基板の接合強度も同じ手法により評価した。なお、１つの貼り合わせ基板につき、複数箇所で接合強度を測定した。その結果を表３に示す。表３から明らかなように、実施例１〜５は比較例１〜３に比べて接合強度が高く、特に実施例１〜３，５が接合強度が高いことがわかった。また、実施例６は、実施例１よりも更に接合強度が高いことがわかった。

γ：表面エネルギー
Ｌ：ブレード先端から最も剥離が進展した箇所までの距離
ｔ_w1：圧電基板の厚み
ｔ_w2：支持基板の厚み
Ｅ₁：圧電基板のヤング率
Ｅ₂：支持基板のヤング率
ｔ_b：ブレードの厚み

本出願は、２０１２年１１月１４日に出願された日本国特許出願第２０１２−２５００７１号を優先権主張の基礎としており、引用によりその内容の全てが本明細書に含まれる。

本発明は、ＳＡＷ素子などの弾性波デバイスに利用可能である。

Claims

タンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムの単結晶基板である圧電基板と、シリコンの単結晶基板である支持基板とが、アモルファス層を介して接合された複合基板であって、
前記アモルファス層は、Ａｒを３ａｔｍ％〜１４ａｔｍ％含有する、
複合基板。
前記アモルファス層は、厚さが４ｎｍ〜１２ｎｍである、
請求項１に記載の複合基板。
前記アモルファス層は、前記圧電基板から前記複合基板に向かって第１層、第２層及び第３層を有し、前記第１層は、前記第２層及び前記第３層に比べて前記圧電基板を構成する元素を多く含有し、前記第３層は、前記第１層及び前記第２層に比べて前記支持基板を構成する元素を多く含有し、前記第２層は、前記第１層及び前記第３層に比べてＡｒを多く含有する、
請求項１又は２に記載の複合基板。
前記第３層は、前記第１層及び前記第２層に比べて厚さが厚い、
請求項３に記載の複合基板。
Ｆｅの含有率が検出限界以下である、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の複合基板。