CN101997512B - 固贴式薄膜体声波谐振器及其全绝缘布拉格反射栅制备方法 - Google Patents

固贴式薄膜体声波谐振器及其全绝缘布拉格反射栅制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101997512B
CN101997512B CN 201010522828 CN201010522828A CN101997512B CN 101997512 B CN101997512 B CN 101997512B CN 201010522828 CN201010522828 CN 201010522828 CN 201010522828 A CN201010522828 A CN 201010522828A CN 101997512 B CN101997512 B CN 101997512B
Authority
CN
China
Prior art keywords
acoustic impedance
film
substrate
rete
insulation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN 201010522828
Other languages
English (en)
Other versions
CN101997512A (zh
Inventor
朱嘉琦
刘罡
王赛
陆晓欣
刘远鹏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Harbin Institute of Technology
Original Assignee
Harbin Institute of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Harbin Institute of Technology filed Critical Harbin Institute of Technology
Priority to CN 201010522828 priority Critical patent/CN101997512B/zh
Publication of CN101997512A publication Critical patent/CN101997512A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101997512B publication Critical patent/CN101997512B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

固贴式薄膜体声波谐振器及其全绝缘布拉格反射栅制备方法，涉及一种固贴式薄膜体声波谐振器及其反射栅制备方法。解决了现有固贴式薄膜体声波谐振器应用中存在寄生电容，进而导致器件电声性能的大幅下降与不稳定的问题，所述谐振器为上下电极和压电薄膜组成的压电振荡堆三明治结构直接生长到全绝缘布拉格反射栅上面，全绝缘布拉格反射栅由3～7组高声阻抗膜层和低声阻抗膜层交替组成，所述制备方法，具体为：一、体系设计；二、基片清洗；三、沉积首层低声阻抗SiO2薄膜；四、沉积硅作为粘结层；五、沉积首层高声阻抗非晶金刚石薄膜；六、沉积硅薄膜作为粘结层；七、沉积第二层低声阻抗SiO2薄膜。本发明适用于电声性能要求稳定的应用领域。

Description

固贴式薄膜体声波谐振器及其全绝缘布拉格反射栅制备方法
技术领域
本发明涉及一种固贴式薄膜体声波谐振器及其反射栅制备方法。
背景技术
近年来，固贴式薄膜体声波谐振器(SMR-FBAR)技术取得了突破性进展，已在第三代无线通信系统中得到广泛应用，例如作为基本单元用来制作滤波器、双工器和振荡器等频率选择器件。SMR-FBAR是将上、下电极和压电薄膜构成的压电振荡堆，并将该三明治结构的压电震荡堆直接生长到由3～7组高/低声阻抗膜层分别交替而成的布拉格反射栅之上。图1是SMR-FBAR的结构示意图。SMR-FBAR的工作原理可简述为：利用压电薄膜将电能转化为声能，声波在布拉格反射栅的作用下被限制在压电振荡堆内，在压电振荡堆内形成谐振，谐振频率上的声波损耗最小，再由逆压电效应转化为电能。谐振器只能通过特定频率的声波，并通过级联实现带通滤波器的效果。3～7组高/低声阻抗膜层分别交替而成布拉格反射栅，其主要作用是利用相邻膜层声阻抗的差别反射声波，实现声波能量最大利用。目前，高声阻抗材料主要采用钨、钼等重金属，低声阻抗材料主要采用SiO2。然而，采用金属作为高声阻抗材料存在着严重的寄生电容问题。这是因为金属为导电材料，金属/电介质(SiO2)/金属构成一个设计中不希望存在的电容器，进而导致器件电声性能的大幅下降与不稳定。
发明内容
本发明为了解决现有固贴式薄膜体声波谐振器应用中存在寄生电容，进而导致器件电声性能的大幅下降与不稳定的问题，提出固贴式薄膜体声波谐振器及其全绝缘布拉格反射栅制备方法。
固贴式薄膜体声波谐振器，它包括上电极、下电极、压电薄膜、全绝缘布拉格反射栅和Si基底，上电极、下电极和压电薄膜组成以压电薄膜为中心的压电振荡堆三明治结构，压电振荡堆直接生长到全绝缘布拉格反射栅上面，全绝缘布拉格反射栅生长在Si基底上面。
全绝缘布拉格反射栅的制备方法，具体过程如下：
步骤一、体系设计：依据声学传输原理和固贴式薄膜体声波谐振器的工作机制，按照固贴式薄膜体声波谐振器工作频率的具体要求，获得高声阻抗材料非晶金刚石薄膜与低声阻抗材料SiO2薄膜的厚度，每层厚度应为声波波长的1/4；
步骤二、基片清洗：用丙酮、酒精将需制备固贴式薄膜体声波谐振器全绝缘布拉格反射栅的基片在超声波清洗机中依次清洗，超声波清洗机清洗的时间为10～30min，取出后用电吹风吹干；
步骤三、沉积首层低声阻抗SiO2薄膜：将清洗后的基片放入沉积系统中，在基片上沉积低声阻抗SiO2薄膜，所述沉积系统采用射频磁控溅射系统；
步骤四、沉积硅作为粘结层：在沉积低声阻抗SiO2薄膜之后，推上基底与硅靶之间的挡板，关闭O2阀门，待O2气流流量为零后移开挡板，开始沉积硅，根据沉积时间来控制膜厚；
步骤五、沉积首层高声阻抗非晶金刚石薄膜：将沉积完成粘结层之后的基片放入过滤阴极真空电弧沉积系统中，在粘结层之上沉积高声阻抗非晶金刚石薄膜；
步骤六、采用射频磁控溅射系统，在高声阻抗非晶金刚石薄膜之上沉积硅薄膜作为粘结层；
步骤七、在粘结层上沉积第二层低声阻抗SiO2薄膜：在步骤六完成之后，推上基底与硅靶之间的挡板，开启O2阀门，O2气体流量控制在4sccm～100sccm，待气流稳定后移开挡板，开始沉积SiO2，根据沉积时间来控制膜厚；
步骤八、重复步骤四至步骤七1～3次，得到不同层数的全绝缘结构布拉格反射栅。
发明效果：
1)与现有技术相比，本发明构建了一种全新的布拉格反射栅结构，其材料体系的全绝缘特性杜绝了产生寄生电容的可能。
2)与现有技术相比，本发明在保证绝缘特性基础上其声波反射效果也非常优良。研究证明由于非晶金刚石的声阻抗ZA与SiO2的声阻抗ZB比值为3.01～4.31，仅需2～3组叠层即可将负载阻抗降至很低的水平，从而实现良好的声波反射效果。
本发明的固贴式薄膜体声波谐振器适用于电声性能要求稳定的应用领域。
附图说明
图1为固贴式薄膜体声波谐振器的结构示意图。图2为非晶金刚石和SiO2构成的膜系结构的理论负载阻抗随叠层数的关系曲线图。
具体实施方式
具体实施方式一、结合图1说明本实施方式，固贴式薄膜体声波谐振器，它包括上电极1、下电极2、压电薄膜3、全绝缘布拉格反射栅4和Si基底5，上电极1、下电极2和压电薄膜3组成以压电薄膜3为中心的压电振荡堆三明治结构，压电振荡堆直接生长到全绝缘布拉格反射栅4上面，全绝缘布拉格反射栅4生长在Si基底5上。
具体实施方式二、本实施方式与具体实施方式一所述的固贴式薄膜体声波谐振器的区别在于，所述全绝缘布拉格反射栅4为1层低声阻抗膜层4-2，所述低声阻抗膜层4-2为SiO2薄膜。
本实施方式所述的全绝缘布拉格反射栅4为1层低声阻抗膜层4-2，结构简单。该低声阻抗膜层4-2可以是利用射频磁控溅射系统沉积SiO2薄膜。
具体实施方式三、本实施方式是对具体实施方式二所述的固贴式薄膜体声波谐振器的进一步限定，所述低声阻抗膜层4-2的膜层厚度为300～2000nm。
具体实施方式四、本实施方式与具体实施方式一所述的固贴式薄膜体声波谐振器的区别在于，全绝缘布拉格反射栅4由n层高声阻抗膜层4-1和m层低声阻抗膜层4-2交替叠加组成，高声阻抗膜层4-1和低声阻抗膜层4-2之间利用粘结层4-3站粘结在一起，低声阻抗膜层4-2直接生长在Si基底5上，高声阻抗膜层4-1为非晶金刚石薄膜，低声阻抗膜层4-2为SiO2薄膜，粘结层4-3为硅膜，其中n，m均为正整数，并且m＝n或者m＝n+1。
本实施方式所述的全绝缘布拉格反射栅4有多层膜层组成，结构比具体实施方式二或三复杂，全绝缘布拉格反射栅4只能使特定频率的波通过，本实施方式的这种高/低声阻抗膜层分别交替而成的结构，能够利用相邻膜层声阻抗的差别反射声波，实现声波能量最大利用，通过级联实现带通滤波器的效果，器件的电声性能的大幅提高并且稳定性好。
具体实施方式五、本实施方式是对具体实施方式四所述的固贴式薄膜体声波谐振器的进一步限定，高声阻抗膜层4-1的膜层厚度为100～500nm，低声阻抗膜层4-2的膜层厚度为300～2000nm，粘结层4-3的厚度为5～50nm。
具体实施方式六、本实施方式是对具体实施方式四或五所述的固贴式薄膜体声波谐振器的进一步限定，高声阻抗膜层4-1为利用过滤阴极真空电弧系统沉积的富sp3杂化的非晶金刚石薄膜；低声阻抗膜层4-2为利用射频磁控溅射系统沉积SiO2薄膜；粘结层4-3为采用射频磁控溅射系统制备的硅膜。
本发明所述的固贴式薄膜体声波谐振器的结构不局限于上述六种实施方式所述的结构，还可以是上述各实施方式所记载的技术特征的合理组合。
具体实施方式七、本实施方式是对具体实施方式四的进一步说明，1≤n≤3，1≤m≤4。
具体实施方式八、全绝缘布拉格反射栅的制备方法，具体过程如下：
步骤一、体系设计：依据声学传输原理和固贴式薄膜体声波谐振器的工作机制，按照固贴式薄膜体声波谐振器工作频率的具体要求，获得高声阻抗材料非晶金刚石薄膜与低声阻抗材料SiO2薄膜的厚度，每层厚度应为声波波长的1/4；
步骤二、基片清洗：用丙酮、酒精将需制备固贴式薄膜体声波谐振器全绝缘布拉格反射栅的基片在超声波清洗机中依次清洗，超声波清洗机清洗的时间为10～30min，取出后用电吹风吹干；
步骤三、沉积首层低声阻抗SiO2薄膜：将清洗后的基片放入沉积系统中，在基片上沉积低声阻抗SiO2薄膜，所述沉积系统采用射频磁控溅射系统；
步骤四、沉积硅作为粘结层：在沉积低声阻抗SiO2薄膜之后，推上基底与硅靶之间的挡板，关闭O2阀门，待O2气流流量为零后移开挡板，开始沉积硅，根据沉积时间来控制膜厚；
步骤五、沉积首层高声阻抗非晶金刚石薄膜：将沉积完成粘结层之后的基片放入过滤阴极真空电弧沉积系统中，在粘结层之上沉积高声阻抗非晶金刚石薄膜；
步骤六、采用射频磁控溅射系统，在高声阻抗非晶金刚石薄膜之上沉积硅薄膜作为粘结层；
步骤七、在粘结层上沉积第二层低声阻抗SiO2薄膜：在步骤六完成之后，推上基底与硅靶之间的挡板，开启O2阀门，O2气体流量控制在4sccm～100sccm，待气流稳定后移开挡板，开始沉积SiO2，根据沉积时间来控制膜厚；
步骤八、重复步骤四至步骤七1～3次，得到不同层数的全绝缘结构布拉格反射栅。
步骤一中高声阻抗材料非晶金刚石薄膜与低声阻抗材料SiO2薄膜的厚度均为声波波长的1/4，以保证最佳的声波反射效果，用公式表示为：
d＝vf/4
其中，d为膜层厚度，v为纵声波在材料中传播的速度，f为要求的谐振工作频率。
具体实施方式九、本实施方式是对具体实施方式八的进一步说明，具体实施方式七中步骤三具体为：
步骤三一、将步骤二获得的基片置于磁控溅射真空仓内的加热台上，通过真空获得系统将真空仓内抽成真空，当真空仓内真空度达到1.0×10-4～9.9×10-4Pa时，启动加热装置，加热至25～1000℃，并且保温30min～120min；
步骤三二、通入Ar气，当真空仓内压强为3～5Pa时，对基片表面进行反溅清洗10～20min；
步骤三三、反溅清洗完毕后，施加溅射功率起辉，溅射功率为60～500W，开启O2阀门，气体流量控制在4sccm～100sccm，对硅靶表面预溅射10～30min后，控制真空仓内气体压强为0.1～2Pa，移开基底与硅靶之间的挡板，开始向衬底表面镀膜，根据沉积时间来控制膜厚。
具体实施方式十、本实施方式是对具体实施方式八的进一步说明，具体实施方式七中步骤五具体为：
步骤五一、在步骤五获得的本底真空度为1.5～4.0×10-6Torr时，注入纯度为99.99％的氩气，使真空度上升至1.0～2.0×10-4Torr，用考夫曼离子枪刻蚀非晶金刚石沉积面4～7min，刻蚀1～2次，工作氩气流量为8ml/min，刻蚀亚粒子能量为800～1300eV，刻蚀后应间歇5～15min刻蚀后将卡盘转至沉积工作区；
步骤五二、沉积：采用不同梯度负偏压沉积碳离子，逐渐形成非晶金刚石薄膜的高声阻抗膜层，根据沉积时间来控制膜厚，沉积时衬底负偏压采用直流脉冲形式，梯度变化的范围为3600V至80V的任意变化区间，脉冲频率为100～1500Hz，脉冲宽度为5～25μs，对应的电弧电流为50～70A。
当所需沉积厚度在200nm以下时，可直接采用100V～80V的负偏压，当所需沉积厚度在200nm以上时，可先采用较高衬底偏压(3600V～2000V)以获得低应力的亚膜层，再在其上逐渐过渡至100V～80V的负偏压获得sp3杂化含量高的亚膜层。
具体实施方式十一、本实施方式是对具体实施方式八的进一步说明，具体实施方式七中步骤六具体为：
步骤六一、将步骤五获得的基片置于磁控溅射真空仓内的加热台上，通过真空获得系统将真空仓内抽成真空，当真空仓内真空度达到1.0×10-4～9.9×10-4Pa时，启动加热装置，加热至25～1000℃，并且保温30min～120min；
步骤六二、通入Ar气，当真空仓内压强为3～5Pa时，对基片表面进行反溅清洗10～20min；
步骤六三、反溅清洗完毕后，施加溅射功率起辉，溅射功率为60～500W，对硅靶表面预溅射10～30min后，控制真空仓内气体压强为0.1～2Pa，移开基底与硅靶之间的挡板，开始向衬底表面镀膜，根据沉积时间来控制膜厚。
图2中为多层膜的层数N与负载阻抗Zload之间的关系，当N＝n+m为奇数时，即m＝n+1时，负载阻抗Zload＝(Zl/Zh)N-1(Z2/ZS)，当N＝n+m为偶数时，即m＝n时，负载阻抗Zload＝(Zl/Zh)NZS，，其中Zl为低声阻抗膜层4-2的材料声阻抗，Zh为高声阻抗膜层4-1的材料声阻抗，ZS为Si基底5的材料声阻抗，图2中第一个点，即N＝0的点表示Si基底5的材料声阻抗。

Claims (9)

1.固贴式薄膜体声波谐振器，其特征在于它包括上电极(1)、下电极(2)、压电薄膜(3)、全绝缘布拉格反射栅(4)和Si基底(5)，上电极(1)、下电极(2)和压电薄膜(3)组成以压电薄膜(3)为中心的压电振荡堆三明治结构，压电振荡堆直接生长到全绝缘布拉格反射栅(4)上面，全绝缘布拉格反射栅(4)生长在Si基底(5)上，其中全绝缘布拉格反射栅(4)由n层高声阻抗膜层(4-1)和m层低声阻抗膜层(4-2)交替叠加组成，高声阻抗膜层(4-1)和低声阻抗膜层(4-2)之间利用粘结层(4-3)粘结在一起，低声阻抗膜层(4-2)直接生长在Si基底(5)上，高声阻抗膜层(4-1)为非晶金刚石薄膜，低声阻抗膜层(4-2)为SiO2薄膜，粘结层(4-3)为硅膜，其中n，m均为正整数，并且m=n或者m=n+1。
2.根据权利要求1所述的固贴式薄膜体声波谐振器，其特征在于全绝缘布拉格反射栅(4)为1层低声阻抗膜层(4-2)，所述低声阻抗膜层(4-2)为SiO2薄膜。
3.根据权利要求2所述的固贴式薄膜体声波谐振器，其特征在于低声阻抗膜层(4-2)的膜层厚度为300至2000nm。
4.根据权利要求1所述的固贴式薄膜体声波谐振器，其特征在于高声阻抗膜层(4-1)的膜层厚度为100至500nm，低声阻抗膜层(4-2)的膜层厚度为300至2000nm，粘结层(4-3)的厚度为5至50nm。
5.根据权利要求1所述的固贴式薄膜体声波谐振器，其特征在于高声阻抗膜层(4-1)为利用过滤阴极真空电弧系统沉积的富sp3杂化的非晶金刚石薄膜；低声阻抗膜层(4-2)为利用射频磁控溅射系统沉积SiO2薄膜；粘结层(4-3)为采用射频磁控溅射系统制备的硅膜。
6.一种根据权利要求1所述的固贴式薄膜体声波谐振器的全绝缘布拉格反射栅的制备方法，其特征在于具体过程如下：
步骤一、体系设计：依据声学传输原理和固贴式薄膜体声波谐振器的工作机制，按照固贴式薄膜体声波谐振器工作频率的具体要求，获得高声阻抗材料非晶金刚石薄膜与低声阻抗材料SiO2薄膜的厚度，每层厚度应为声波波长的1/4；
步骤二、基片清洗：用丙酮、酒精将需制备固贴式薄膜体声波谐振器的全绝缘布拉格反射栅的基片在超声波清洗机中依次清洗，超声波清洗机清洗的时间为10至30min，取出后用电吹风吹干；
步骤三、沉积首层低声阻抗SiO2薄膜：将清洗后的基片放入沉积系统中，在基片上沉积低声阻抗SiO2薄膜，所述沉积系统采用射频磁控溅射系统；
步骤四、沉积硅作为粘结层：在沉积低声阻抗SiO2薄膜之后，推上基底与硅靶之间的挡板，关闭O2阀门，待O2气流流量为零后移开挡板，开始沉积硅，根据沉积时间来控制膜厚；
步骤五、沉积首层高声阻抗非晶金刚石薄膜：将沉积完成粘结层之后的基片放入过滤阴极真空电弧沉积系统中，在粘结层之上沉积高声阻抗非晶金刚石薄膜；
步骤六、采用射频磁控溅射系统，在高声阻抗非晶金刚石薄膜之上沉积硅薄膜作为粘结层；
步骤七、在粘结层上沉积第二层低声阻抗SiO2薄膜：在步骤六完成之后，推上基底与硅靶之间的挡板，开启O2阀门，O2气体流量控制在4sccm至100sccm，待气流稳定后移开挡板，开始沉积SiO2，根据沉积时间来控制膜厚；
步骤八、重复步骤四至步骤七1至3次，得到不同层数的全绝缘结构布拉格反射栅。
7.根据权利要求6所述的全绝缘布拉格反射栅的制备方法，其特征在于步骤三所述的沉积首层低声阻抗SiO2薄膜的具体过程为：
步骤三一、将步骤二获得的基片置于磁控溅射真空仓内的加热台上，通过真空获得系统将真空仓内抽成真空，当真空仓内真空度达到1.0×10-4至9.9×10-4Pa时，启动加热装置，加热至25至1000℃，并且保温30min～120min；
步骤三二、通入氩气，当真空仓内压强为3至5Pa时，对基片表面进行反溅清洗10至20min；
步骤三三、反溅清洗完毕后，施加溅射功率起辉，溅射功率为60至500W，开启O2阀门，气体流量控制在4sccm至100sccm，对硅靶表面预溅射10至30min后，控制真空仓内气体压强为0.1至2Pa，移开基底与硅靶之间的挡板，开始向衬底表面镀膜，根据沉积时间来控制膜厚。
8.根据权利要求6所述的全绝缘布拉格反射栅的制备方法，其特征在于步骤五所述的沉积首层高声阻抗非晶金刚石薄膜的具体过程为：
步骤五一、在本底真空度为1.5至4.0×10-6Torr时，注入纯度为99.99%的氩气，使真空度上升至1.0至2.0×10-4Torr，用考夫曼离子枪刻蚀非晶金刚石沉积面4至7min，刻蚀1至2次，工作氩气流量为8ml/min，刻蚀亚粒子能量为800至1300eV，刻蚀后应间歇5至15min刻蚀后将卡盘转至沉积工作区；
步骤五二、沉积：采用不同梯度负偏压沉积碳离子，逐渐形成非晶金刚石薄膜的高声阻抗膜层，根据沉积时间来控制膜厚，沉积时衬底负偏压采用直流脉冲形式，梯度变化的范围为3600V至80V的任意变化区间，脉冲频率为100至1500Hz，脉冲宽度为5至25μs，对应的电弧电流为50至70A；
当所需沉积厚度在200nm以下时，采用100V至80V的负偏压，当所需沉积厚度在200nm以上时，先采用3600V至2000V的负偏压，获得低应力的亚膜层，再在其上逐渐过渡至100V至80V的负偏压获得sp3杂化含量高的亚膜层。
9.根据权利要求6所述的全绝缘布拉格反射栅的制备方法，其特征在于步骤六所述的沉积硅薄膜作为粘结层的具体过程为：
步骤六一、将步骤五获得的基片置于磁控溅射真空仓内的加热台上，通过真空获得系统将真空仓内抽成真空，当真空仓内真空度达到1.0×10-4至9.9×10-4Pa时，启动加热装置，加热至25至1000℃，并且保温30min至120min；
步骤六二、通入氩气，当真空仓内压强为3至5Pa时，对基片表面进行反溅清洗10至20min；
步骤六三、反溅清洗完毕后，施加溅射功率起辉，溅射功率为60至500W，对硅靶表面预溅射10至30min后，控制真空仓内气体压强为0.1至2Pa，移开基底与硅靶之间的挡板，开始向衬底表面镀膜，根据沉积时间来控制膜厚。
CN 201010522828 2010-10-28 2010-10-28 固贴式薄膜体声波谐振器及其全绝缘布拉格反射栅制备方法 Expired - Fee Related CN101997512B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201010522828 CN101997512B (zh) 2010-10-28 2010-10-28 固贴式薄膜体声波谐振器及其全绝缘布拉格反射栅制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201010522828 CN101997512B (zh) 2010-10-28 2010-10-28 固贴式薄膜体声波谐振器及其全绝缘布拉格反射栅制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101997512A CN101997512A (zh) 2011-03-30
CN101997512B true CN101997512B (zh) 2012-12-12

Family

ID=43787221

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201010522828 Expired - Fee Related CN101997512B (zh) 2010-10-28 2010-10-28 固贴式薄膜体声波谐振器及其全绝缘布拉格反射栅制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101997512B (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102571027A (zh) * 2012-02-27 2012-07-11 浙江瑞能通信科技有限公司 基于全金属布拉格反射层的薄膜体声波谐振器结构
KR101511001B1 (ko) * 2012-11-14 2015-04-10 엔지케이 인슐레이터 엘티디 복합 기판
CN106119796A (zh) * 2016-08-03 2016-11-16 广东工业大学 一种非晶金刚石涂层的制备方法
US11218132B2 (en) * 2017-12-12 2022-01-04 Ii-Vi Delaware, Inc. Acoustic resonator
CN109546985A (zh) * 2018-11-02 2019-03-29 天津大学 体声波谐振器及其制造方法
CN109545968B (zh) * 2018-11-15 2020-11-03 福州大学 基于自供电栅的有机薄膜晶体管及其制备方法
CN110224680A (zh) * 2019-05-13 2019-09-10 电子科技大学 一种固态反射型体声波谐振器及其制备方法
CN110417371B (zh) * 2019-06-25 2022-06-14 宁波华彰企业管理合伙企业(有限合伙) 基于声子晶体的薄膜体声波谐振器
CN110311643A (zh) * 2019-08-01 2019-10-08 杭州左蓝微电子技术有限公司 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法
CN112152581B (zh) * 2020-08-24 2022-02-08 杭州星阖科技有限公司 布拉格声波反射层结构及其制作方法和固态装配谐振器
CN112511125B (zh) * 2020-09-23 2024-01-26 广东广纳芯科技有限公司 声表面波器件的制造方法
CN112702038A (zh) * 2020-12-29 2021-04-23 武汉大学 可调谐的固贴式体声波谐振器
CN113049128B (zh) * 2021-03-09 2022-08-26 清华大学 压电薄膜式温度传感器及其制备方法
CN113411065A (zh) * 2021-06-18 2021-09-17 深圳市封神微电子有限公司 一种具有布拉格反射栅结构的体声波谐振器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1808898A (zh) * 2004-11-12 2006-07-26 因芬尼昂技术股份公司 薄膜体声波滤波装置及制造薄膜体声波滤波装置的方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1808898A (zh) * 2004-11-12 2006-07-26 因芬尼昂技术股份公司 薄膜体声波滤波装置及制造薄膜体声波滤波装置的方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
刘罡等.固贴式薄膜体声波谐振器用材料体系研究进展.《无机材料学报》.2010,第25卷(第12期),1233-1241. *
李勇等.ST34°切割石英上表面横波的金属栅阵反射特性.《南京大学学报(自然科学版)》.2007,第43卷(第1期),95-101. *

Also Published As

Publication number Publication date
CN101997512A (zh) 2011-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101997512B (zh) 固贴式薄膜体声波谐振器及其全绝缘布拉格反射栅制备方法
CN105703733A (zh) 一种固态装配型薄膜体声波谐振器的制备方法
KR20100057803A (ko) 다층 전극 제조 방법, ｂａｗ 공진기 및 그 제조 방법
CN112311347B (zh) 一种可提高薄膜体声波谐振器品质因子q值的结构
CN102083554B (zh) 利用介质阻挡放电的表面制备的方法和设备
CN103290367B (zh) 一种薄膜体声波谐振器下电极的制备方法
CN113690050A (zh) 可同时提高储能密度与储能效率的层状复合弛豫铁电材料及其制备方法
CN102084030B (zh) 在基片两侧同时沉积膜的方法和设备
CN103138702A (zh) 一种多层膜结构的声表面波器件及其制备方法
CN111342803A (zh) 薄膜体声波谐振器
CN106338347A (zh) 一种高温声表面波传感器的叉指电极材料及其制备方法
JP2021520755A (ja) フィルムバルク音響波共振器およびその製造方法
JP2011238747A (ja) プラズマｃｖｄ成膜装置および高周波電圧の印加方法
CN112953448A (zh) 新结构薄膜体声波谐振器及其制备方法
CN110504937B (zh) 一种薄膜体声波谐振器结构及其制备方法
CN110492860A (zh) 薄膜体声波谐振器及其制造方法
CN116865703A (zh) 一种横向耦合fbar及其制备方法与通信设备
CN116545402A (zh) 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法
CN105296946A (zh) 一种具有a轴高度取向的铌酸铋钙薄膜材料体系及制备方法
CN114124023B (zh) 一种多层同质的压电结构及制备方法
CN109637822B (zh) 一种高比表面积的TiN电极、制备方法及其应用
KR102381530B1 (ko) 고주파 마그네트론 스퍼터링법을 이용한 코벨라이트 박막의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 코벨라이트 박막을 이용한 박막태양전지
CN100435482C (zh) 薄膜声表面波器件的非晶金刚石增频衬底的制备方法
CN102983831A (zh) 一种声表面波（saw）换能器
CN112332798A (zh) 一种固态装配型薄膜体声波谐振器及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20121212

Termination date: 20131028