CN112511125B - 声表面波器件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种声表面波器件的制造方法，其采用非连续性低温溅射工艺。非连续性低温溅射工艺包括如下步骤：通过溅射以沉积第1薄膜层的第一步骤；在第1时间间隔内对所述沉积的第1薄膜层进行第1降温处理的第二步骤；对所述第1降温处理后的第1薄膜层进行等离子体轰击处理的第三步骤；在第2时间间隔内对所述等离子体轰击处理后的第1薄膜层进行第2降温处理的第四步骤；以及在进行了所述第2降温处理后的第1薄膜层上重复执行m次所述第一步骤至所述第四步骤以形成第2薄膜层至第m+1薄膜层的第五步骤，其中m为大于等于1的整数。
Description
技术领域
本发明涉及一种声表面波器件的制造方法，该声表面波器件可以是手机、基站等无线通讯设备的滤波器、射频收发前端的独立模块或集成模块。
背景技术
声表面波(SAW)、体声波(BAW)、以及薄膜体声波(FBAR)是当前可移动设备滤波器领域的三大主流技术。其中，低频和中频段又以SAW滤波器为主；其技术从Normal-SAW、TC-SAW，更进一步演进到IHP-SAW，以及未来的XBAR技术。IHP-SAW以其优异的温度补偿性能、以及较低的插入损耗，可比拟甚至超越部分BAW、FBAR滤波器，成为现阶段SAW滤波器产业的一大发展趋势。
IHP-SAW技术采用类似于SAW器件+SMR-BAW器件的多层反射栅结构的混合技术。这种混合结构技术既赋予其SAW器件单面加工工艺的简单化，又赋予其SMR-BAW器件的低能量泄露的特性。IHP-SAW的三大优点在于：1、高Q值；2、低频率温度系数(TCF)；3、良好的散热性。IHP-SAW器件采用SMR-BAW的多层反射栅结构可使更多的声表面波能量聚焦在衬底表面，从而降低声波在传播过程中的损耗，提高器件的Q值。高Q(Qmax约为3000，传统SAW Qmax约为1000)特性使其具有高的带外抑制、陡峭的通带边缘滚降、以及高的隔离度。IHP-SAW的TCF可以达到±8ppm/℃，进一步优化设计可以达到0ppm/℃，其良好的散热特性可保证器件在高功率下的稳定运行。
IHP-SAW的多层反射栅结构采用高声阻抗和低声阻抗交替堆叠的方式实现。其低声阻抗材料多采用TCF(Temperature Coefficient of Frequency)为正温度系数的材料，如二氧化硅；高声阻抗层常用低温度系数的材料，如SiN、W等。上述材料的成膜工艺有化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD：溅射、电子束蒸发)等，可实现的技术路径具有多种。但是，另一方面，具有如下这样的问题：一、同种薄膜材料的生长方式、工艺控制手段不同，制备的材料特性不同，从而，导致最终器件的性能差异较大；二、高温工艺下的铌酸锂、钽酸锂晶片变形较大，进一步结合热释电效应，容易导致碎片。
对于低声阻抗层，二氧化硅薄膜的常见制备工艺有热氧化、CVD、PVD、硅化合物溶液旋涂等方法。
常规的PVD工艺台阶覆盖能力较差，容易出现孔隙，且生长薄膜的致密性仍较差。
热氧化法的温度较高，一般为900度以上；而铌酸锂、钽酸锂晶片在高温下变形较大，不能经受快速降温的过程，且在热释电效应的共同作用下，容易导致晶片开裂。所以，此工艺生长的二氧化硅薄膜不能直接沉积在铌酸锂、钽酸锂单晶衬底上。
CVD工艺中，PECVD可进一步降低其沉积温度约200度；但是，低温生长工艺容易导致其薄膜中存在多余的-H、-OH、以及-CH3等悬挂官能团，导致薄膜的致密性(密度在2.17～2.65g/cm3之间变化)、机械特性(杨氏模量在66.3～74.8GPa之间变化)、以及温度补偿特性变差(热膨胀系数在0.55～0.75ppm之间变化)、机械损耗增加(损耗因子在8～20ppm之间变化)。800度以上的高温工艺处理可减少上述官能团的含量，但是，类似于热氧化，也不能和铌酸锂单晶直接接触。另外，关于CVD工艺生长的二氧化硅，温升所导致的气体释放现象会导致器件的力学性能发生变化，器件的性能不稳定。能看出，如专利文献CN 109891747中所描述的，所有和高温工艺相关的二氧化硅成膜工艺只能够在非钽酸锂、铌酸锂衬底上完成。更进一步，在IHP-SAW专利文献CN107408936中，仅描述了其多层堆叠结构可采用溅射法、真空蒸镀法等进行制备，并未描述具体细节。
另外，铌酸锂、钽酸锂晶体沿晶体a轴的温度系数约为16.13ppm/度，沿c轴方向的温度系数为2.17ppm/度，远大于二氧化硅材料的0.4～0.55ppm/度，温度系数的差异导致器件在高温下容易裂片。
高声阻抗非晶SiN薄膜的生长工艺类似于SiO2，CVD、PVD工艺也存在同样的问题。
同样地，关于W金属薄膜的CVD沉积工艺，WF6+SiH4反应温度要求在300～400度之间，所以，沉积的高温也会导致破裂。
另外，在之前的IHP-SAW滤波器的专利中，强调其器件多层之间高温下的稳定特性，其主要的原因是：常规集成电路工艺在向MEMS工艺移植、演进的过程中，延续集成电路的思维模式；然而，常规集成电路的高温工艺并不一定适合MEMS工艺。
现有技术文献
专利文献1：CN109891747A
专利文献2：CN107408936A
发明内容
综上，在高温工艺存在的生产中，由于热变形、以及热释电效应的存在，压电铌酸锂、钽酸锂晶片会发生吸附、变形，其热应力下的变形甚至达到1～3mm，某些工序下的破片率甚至可能达到千分之一，这对于生产是不可接受的。另外，其破片所导致的生产宕机，给高效率的自动化生产带来了极大不便。若对设备整体进行改造，特别是机械传输部分进行改造，则成本和时间投入太大。所以，本发明人提出采用低温工艺进行器件的整体制备。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种优化的声表面波滤波器的低温制备工艺，以提高滤波器生产过程中的效率，并降低其破片率。
本发明的声表面波器件的制造方法的第一方式中，包括如下工序：准备压电层的第一工序；在所述压电层上通过非连续性低温溅射工艺生长第1低声阻抗层的第二工序；在所述第1低声阻抗层上通过非连续性低温溅射工艺生长第1高声阻抗层的第三工序；在所述第1高声阻抗层上通过非连续性低温溅射工艺生长第2低声阻抗层的第四工序；在所述第2低声阻抗层上重复执行n次所述第三工序和所述第四工序的第五工序，其中n为大于等于0的整数；将最后形成的第n+2低声阻抗层键合到衬底上的第六工序；对于所述压电层沿着通过离子注入形成的界面进行智能剥离的第七工序，对所述压电层进行的离子注入是在准备压电层的第一工序中进行的或者是在所述第五工序之后立即进行的；以及对所述压电层的剥离后的表面进行抛光处理的第八工序，所述非连续性低温溅射工艺包括如下步骤：通过溅射以沉积第1薄膜层的第一步骤；在第1时间间隔内对所述沉积的第1薄膜层进行第1降温处理的第二步骤；对所述第1降温处理后的第1薄膜层进行等离子体轰击处理的第三步骤；在第2时间间隔内对所述等离子体轰击处理后的第1薄膜层进行第2降温处理的第四步骤；以及在进行了所述第2降温处理后的第1薄膜层上重复执行m次所述第一步骤至所述第四步骤以形成第2薄膜层至第m+1薄膜层的第五步骤，其中m为大于等于1的整数。
此外，本发明的声表面波器件的制造方法的第二方式在所述第一方式中，优选为，若将所述第一步骤至所述第四步骤的合计时间设为一个完整周期T，将所述第一步骤和所述第二步骤的合计时间设为td-b，将所述第三步骤和所述第四步骤的合计时间设为tb-d，则td-b≥(2/3)×T，tb-d≤(1/3)×T，若将所述第1时间间隔设为t1，将所述第2时间间隔设为t2，则t1≥(2/3)×td-b，t2≤(1/2)×tb-d。
此外，本发明的声表面波器件的制造方法的第三方式在所述第二方式中，优选为，所述一个完整周期T为0.5s～15s。
此外，本发明的声表面波器件的制造方法的第四方式在所述第一方式中，优选为，所述非连续性低温溅射工艺的沉积温度的范围控制在80℃～200℃之间。
此外，本发明的声表面波器件的制造方法的第五方式在所述第二方式中，优选为，所述一个完整周期T的沉积厚度为
此外，本发明的声表面波器件的制造方法的第六方式在所述第一方式中，优选为，所述第1低声阻抗层至第n+2低声阻抗层的材料为SiO2，所述第1高声阻抗层至第n+1高声阻抗层的材料为SiN。
发明效果
本发明通过非连续性低温溅射沉积工艺生长低声阻抗层和高声阻抗层，在沉积之后以及等离子体轰击之后，都会存在一定的时间间隔以对被沉积晶圆进行降温，以实现晶圆沉积温度的控制，从而可将沉积的温度控制在80～240度之间，进一步地可将薄膜沉积的温度控制在80～180度之间；并且通过低声阻抗/高声阻抗多层反射栅结构的低温沉积过程，可显著控制薄膜的破片率，提高生产效率。
附图说明
图1是示出本发明所制造的声表面波器件的整体结构的示意图。
图2是示出本发明的实施例1的低温沉积工艺的流程图。
图3是示出本发明的实施例2的低温沉积工艺的界面处理的流程图。
图4是示出本发明的实施例1的压电基底的离子注入的示意图。
图5是示出本发明的实施例1的作为第1低声阻抗层的二氧化硅的低温溅射沉积的示意图。
图6是示出本发明的实施例1的作为第1高声阻抗层的氮化硅的低温溅射沉积的示意图。
图7是示出本发明的实施例1的高/低声阻抗层交替溅射沉积的结构示意图。
图8是示出本发明的实施例1的低温键合过程的示意图。
图9是示出本发明的实施例1的低温键合后状态的示意图。
图10是示出本发明的实施例1的智能剥离的示意图。
图11是示出本发明的实施例1的智能剥离界面处理后状态的示意图。
图12是示出本发明的实施例3的低温沉积工艺的流程图。
图13是示出本发明的实施例4的低温沉积工艺的界面处理的流程图。
具体实施方式
下面，对于本发明所涉及的声表面波器件的制造方法的优选实施方式，使用附图进行说明。在各附图中，对于相同或相当的部分，附加相同标号进行说明。
<声表面波器件的整体结构>
图1是示出本发明所制造的声表面波器件的整体结构的示意图。
本发明所制造的声表面波器件包括：压电层10；低声阻抗层20A、20B、20C，该低声阻抗层例如是通过非连续性低温溅射工艺生长的二氧化硅层；以及高声阻抗层30A、30B，该高声阻抗层例如是通过非连续性低温溅射工艺生长的氮化硅层；以及键合的衬底层40。低声阻抗层20A、20B、20C以及高声阻抗层30A、30B构成IHP-SAW的多层反射栅结构，其中层数不限，高声阻抗层的层数≥1，低声阻抗层的层数≥1。此外，标号101表示压电基底的智能剥离界面。
压电层的材料可以是无机压电材料和有机压电材料，无机压电材料包括压电晶体和压电陶瓷。压电晶体一般是指压电单晶体，例如可以为水晶(石英晶体)、镓酸锂、锗酸锂、锗酸钛以及铁晶体管铌酸锂、钽酸锂等。压电陶瓷一般泛指压电多晶体，例如可以为钛酸钡BT、锆钛酸铅PZT、改性锆钛酸铅、偏铌酸铅、铌酸铅钡锂PBLN、改性钛酸铅PT等。有机压电材料又称压电聚合物，例如可以为聚偏氟乙烯(PVDF)(薄膜)及以它为代表的其他有机压电(薄膜)材料。此外，衬底层的材料例如可以为蓝宝石、Al2O3，碳化硅等。本申请中，压电层的材料和衬底层的材料没有特别限制，可根据需要进行适当改变。
下面，以低声阻抗层20A、20B、20C采用二氧化硅，高声阻抗层30A、30B采用氮化硅或钨(W)金属为例进行说明，但低声阻抗层以及高声阻抗层的材料并不局限于此，可根据需要进行适当改变。
实施例1.
本发明的实施例1的声表面波器件的制造方法包括如下工序：准备压电层的第一工序；在所述压电层上通过非连续性低温溅射工艺生长第1低声阻抗层的第二工序；在所述第1低声阻抗层上通过非连续性低温溅射工艺生长第1高声阻抗层的第三工序；在所述第1高声阻抗层上通过非连续性低温溅射工艺生长第2低声阻抗层的第四工序；在所述第2低声阻抗层上重复执行n次所述第三工序和所述第四工序的第五工序，其中n为大于等于0的整数；将最后形成的第n+2低声阻抗层键合到衬底上的第六工序；对于所述压电层沿着通过离子注入形成的界面进行智能剥离的第七工序，对所述压电层进行的离子注入是在准备压电层的第一工序中进行的或者是在所述第五工序之后立即进行的；以及对所述压电层的剥离后的表面进行抛光处理的第八工序，所述非连续性低温溅射工艺包括如下步骤：通过溅射以沉积第1薄膜层的第一步骤；在第1时间间隔内对所述沉积的第1薄膜层进行第1降温处理的第二步骤；对所述第1降温处理后的第1薄膜层进行等离子体轰击处理的第三步骤；在第2时间间隔内对所述等离子体轰击处理后的第1薄膜层进行第2降温处理的第四步骤；以及在进行了所述第2降温处理后的第1薄膜层上重复执行m次所述第一步骤至所述第四步骤以形成第2薄膜层至第m+1薄膜层的第五步骤，其中m为大于等于1的整数。
图2是示出本发明的实施例1的低温沉积工艺的流程图。
本发明的实施例1的低温沉积工艺主要包括非连续性低温二氧化硅溅射沉积过程、以及非连续性低温氮化硅溅射沉积过程。
<非连续性低温二氧化硅溅射沉积过程>
非连续性低温二氧化硅溅射沉积过程又分为溅射薄膜沉积过程以及等离子体轰击致密过程。二氧化硅薄膜的沉积过程都是在溅射薄膜沉积过程中完成。等离子体轰击致密过程采用独立的高密度等离子体轰击沉积阶段的二氧化硅表面，以夯实沉积的二氧化硅薄膜，提高其致密度；其轰击等离子体的产生结构可为ICP/CCP/ECR，可独立于沉积过程，也可以和沉积过程同时进行。由于等离子体轰击，会导致压电基底的温度升高，因此这是一个升温过程。
非连续性低温二氧化硅溅射沉积过程为了实现特定厚度的二氧化硅薄膜沉积，采用如下的多个循环周期进行沉积：第一周期溅射沉积阶段、第一周期等离子体轰击阶段；第二周期溅射沉积阶段、第二周期等离子体轰击阶段······，循环实现特定厚度薄膜的沉积。
非连续性低温二氧化硅溅射沉积过程又存在两个降温工艺过程：第一周期第一降温过程，时间间隔为t1，此降温过程来自于二氧化硅沉积后与等离子体轰击前之间的时间间隔，以降低从沉积到等离子体轰击两个工艺之间的温度累积，降低整体的基片温度；第一周期第二降温过程，时间间隔为t2，此降温过程来自于等离子体轰击后与二氧化硅沉积前之间的时间间隔，以降低从等离子体轰击到沉积两个工艺之间的温度累积，降低整体的基片温度。从而，可实现整个沉积过程的温度控制。
其中，通过腔壁、或基片降温装置来实现其沉积过程中的温升控制。腔壁、或基片的降温方式可为水冷、或背He降温，其降温效率保证沉积基片的温升在80～240度区间。优选地，其降温速率保证沉积基片的温升在80～180度区间。
本发明采用常规的PVD溅射工艺和等离子体轰击实现二氧化硅薄膜的低温、致密性生长。其中在低温生长的工艺控制中，采用非连续性沉积的工艺，每周期最终沉积厚度在2.075～16.6埃之间，每周期独立沉积完成之后，进行等离子体轰击处理，以使沉积的SiO2薄膜材料致密化，从而保证等离子轰击致密化的效率，夯实生长的氮化硅薄膜；其中，每两周期沉积过程之间的时间间隔控制在0.5～15s之间，通过腔壁、或基片降温装置来实现其沉积过程中的温升控制。
其中，每周期的沉积开始到等离子体轰击开始的时间td-b≥2/3整个完整的沉积+轰击+降温周期；每周期的等离子体轰击开始到沉积结束的时间tb-d≤1/3整个完整的沉积+轰击+降温周期。
并且，每周期的沉积结束到等离子体轰击开始的时间t1≥2/3×td-b，以延长降温时间，保证低温沉积的进行，将沉积温度控制在80～240度以内；每周期的等离子体轰击结束到沉积结束的时间t2≤1/2×tb-d，以减少两者之间的时间间隔，可减少等离子体轰击后待沉积表面杂质气体的吸附作用，以增加沉积表面的洁净度，增加沉积薄膜的结合力。
由于生长温度控制在240度以内，例如，其6寸晶圆的最大变形控制在1mm以内。
通过采用此工艺，生长的SiO2密度为2.3g/cm3(熔融石英密度在2.2g/cm3)，折射率可以控制在约1.46(测试波长为632nm)，平均薄膜的残余应力可控制在-400MPa以内，薄膜表面粗糙度可控制在0.3nm以内；并且机械破片率可控制在万分之一以内。
<非连续性低温氮化硅溅射沉积过程>
非连续性低温氮化硅溅射沉积过程又分为溅射薄膜沉积过程以及等离子体轰击致密过程。氮化硅薄膜的沉积过程都是在溅射薄膜沉积过程中完成。等离子体轰击致密过程采用独立的高密度等离子体轰击沉积阶段的二氧化硅表面，以夯实沉积的氮化硅薄膜，提高其致密度；其轰击等离子体的产生结构可为ICP/CCP/ECR，可独立于沉积过程，也可以和沉积过程同时进行。由于等离子体轰击，会导致压电基底的温度升高，因此这是一个升温过程。
非连续性低温氮化硅溅射沉积过程为了实现特定厚度的氮化硅薄膜沉积，采用如下的多个循环周期进行沉积：第一周期溅射沉积阶段、第一周期等离子体轰击阶段；第二周期溅射沉积阶段、第二周期等离子体轰击阶段······，循环实现特定厚度薄膜的沉积。
非连续性低温氮化硅溅射沉积过程又存在两个降温工艺过程：第一周期第一降温过程，时间间隔为t3，此降温过程来自于氮化硅沉积后与等离子体轰击前之间的时间间隔，以降低从沉积到等离子体轰击两个工艺之间的温度累积，降低整体的基片温度；第一周期第二降温过程，时间间隔为t4，此降温过程来自于等离子体轰击后与氮化硅沉积前之间的时间间隔，以降低从等离子体轰击到沉积两个工艺之间的温度累积，降低整体的基片温度。从而，可实现整个沉积过程的温度控制。
其中，通过腔壁、或基片降温装置来实现其沉积过程中的温升控制。腔壁、或基片的降温方式可为水冷、或背He降温，其降温效率保证沉积基片的温升在80～240度区间。优选地，其降温速率保证沉积基片的温升在80～180度区间。
本发明采用常规的PVD溅射工艺和等离子体轰击实现氮化硅薄膜的低温、致密性生长。本发明采用常规的PVD溅射工艺和等离子体轰击实现氮化硅薄膜的低温、致密性生长。其中在低温生长的工艺控制中，采用非连续性沉积的工艺，每周期最终沉积厚度在2～15埃之间，每周期独立沉积完成之后，进行等离子体轰击处理，以使沉积的SiO2薄膜材料致密化，从而保证等离子轰击致密化的效率，夯实生长的氮化硅薄膜；其中，每两周期沉积过程之间的时间间隔控制在0.5～15s之间，通过腔壁、或基片降温装置来实现其沉积过程中的温升控制。
其中，每周期的沉积开始到等离子体轰击开始的时间td-b≥2/3整个完整的沉积+轰击+降温周期；每周期的等离子体轰击开始到沉积结束的时间tb-d≤1/3整个完整的沉积+轰击+降温周期；每周期的沉积结束到等离子体轰击开始的时间t1≥2/3×td-b，以延长降温时间，保证低温沉积的进行；每周期的等离子体轰击结束到沉积结束的时间t2≤1/2×tb-d，以减少之间的时间间隔，可减少等离子体轰击后待沉积表面杂质气体的吸附作用，以增加沉积表面的洁净度，增加沉积薄膜的结合力。
其腔壁、或基片的降温方式可为水冷、或背He降温，其降温效率保证沉积基片的温升在80～240度区间。优选地，其降温速率保证沉积基片的温升在80～180度区间。
由于生长温度控制在240度以内，其6寸晶圆的最大变形控制在1mm以内。
通过采用此工艺，生长的氮化硅密度在3.0～3.1g/cm3(熔融石英密度在3.1g/cm3)，折射率可以控制在约2.0(测试波长为633nm)，平均薄膜的残余应力可控制在-200MPa以内，薄膜表面粗糙度可控制在0.3nm以内；并且机械破片率可控制在万分之一以内。
对于同一层薄膜材料，通过延长沉积的周期数来实现特定厚度薄膜的沉积。对于不同层之间，通过更改通入的反应气体来实现特定周期结构的制备。
<声表面波器件的整个制造方法>
图4是示出本发明的实施例1的压电基底的离子注入的示意图。
本发明由于是低温沉积工艺，在进行沉积之前，可完成Smart-Cut(智能剥离)的离子注入工序。注入离子为H+或者He离子，其浓度范围为1×1016～2×1017at/cm2。离子注入深度根据实际需要的基板厚度而定，优选地，离子注入深度为所制备的声表面波器件的频率波长的1～3.5倍。离子注入工序可在低温沉积工序之前，须严格控制离子注入工序的温度必须在240度以内，更高的温度可能会导致破片。此外，离子注入工序也可在多层反射栅薄膜沉积完成之后。
图5是示出本发明的实施例1的作为第1低声阻抗层的二氧化硅的低温溅射沉积的示意图。图6是示出本发明的实施例1的作为第1高声阻抗层的氮化硅的低温溅射沉积的示意图。图7是示出本发明的实施例1的高/低声阻抗层交替溅射沉积的结构示意图。
本发明所制造的声表面波器件包括：压电层10；低声阻抗层20A、20B、20C，该低声阻抗层例如是非连续性低温溅射工艺生长的二氧化硅层；以及高声阻抗层30A、30B，该高声阻抗层例如是非连续性低温溅射生长的氮化硅层；以及键合的衬底层40。低声阻抗层20A、20B、20C以及高声阻抗层30A、30B构成IHP-SAW的多层反射栅结构，其中层数不限，高声阻抗层的层数≥1，低声阻抗层的层数≥1。此外，标号101表示压电基底的智能剥离界面；标号102表示压电基底和第一低声阻抗层20A的接触面；标号203A、302B、203B、302C分别表示20A/30A、30A/20B、20B/30B、30B/20C每两层之间的交界面；200C表示最外层二氧化硅薄膜的外表面。
二氧化硅薄膜/氮化硅多层栅膜结构由按照上述图2描述的非连续性低温溅射生长工艺进行堆叠生长而成。
图8是示出本发明的实施例1的低温键合过程的示意图。图9是示出本发明的实施例1的低温键合后状态的示意图。
在低温键合之前，需要对键合衬底晶圆的正表面、以及沉积二氧化硅薄膜的正表面300C进行CMP抛光处理。键合的衬底晶圆可以是SiC、Al2O3或镀有蓝宝石的硅晶圆衬底。低温键合的温度控制在200度以内，且升降温速率必须控制在10度以内。
图10是示出本发明的实施例1的智能剥离的示意图。图11是示出本发明的实施例1的智能剥离界面处理后状态的示意图。
高温下的剥离过程中，其剥离温度小于等于500度；其剥离界面沿着离子注入沉积形成的界面101，剥离过程需要控制温度变化速率在10度以内。完成智能剥离之后，对剥离的表面101进行CMP处理。
此外，还可结合沉积电阻率，添加等待取片时间，从而可显著减少碎片率。
由此，本发明通过非连续性低温溅射沉积工艺生长低声阻抗层和高声阻抗层，在沉积之后以及等离子体轰击之后，都会存在一定的时间间隔以对被沉积晶圆进行降温，以实现晶圆沉积温度的控制，从而可将沉积的温度控制在80～240度之间，进一步地可将薄膜沉积的温度控制在80～180度之间，更进一步地控制在80～150度之间。通过低声阻抗/高声阻抗多层反射栅结构的低温沉积过程，可显著控制薄膜的破片率，提高生产效率。
实施例2.
本发明的实施例2的声表面波器件的制造方法包括如下工序：准备压电层的第一工序；在所述压电层上通过非连续性低温溅射工艺生长第1低声阻抗层的第二工序；在所述第1低声阻抗层的表面生长第1过渡层的第三工序；在所述第三工序之后通过非连续性低温溅射工艺生长第1高声阻抗层的第四工序；在所述第1高声阻抗层的表面生长第2过渡层的第五工序；在所述第五工序之后通过非连续性低温溅射工艺生长第2低声阻抗层的第六工序；在所述第2低声阻抗层上重复执行n次所述第三工序至所述第六工序的第七工序，其中n为大于等于0的整数；将最后形成的第n+2低声阻抗层键合到衬底上的第八工序；对于所述压电层沿着通过离子注入形成的界面进行智能剥离的第九工序，对所述压电层进行的离子注入是在准备压电层的第一工序中进行的或者是在所述第七工序之后立即进行的；以及对所述压电层的剥离后的表面进行抛光处理的第十工序，所述非连续性低温溅射工艺包括如下步骤：通过溅射以沉积第1薄膜层的第一步骤；在第1时间间隔内对所述沉积的第1薄膜层进行第1降温处理的第二步骤；对所述第1降温处理后的第1薄膜层进行等离子体轰击处理的第三步骤；在第2时间间隔内对所述等离子体轰击处理后的第1薄膜层进行第2降温处理的第四步骤；以及在进行了所述第2降温处理后的第1薄膜层上重复m次所述第一步骤至所述第四步骤以形成第2薄膜层至第m+1薄膜层的第五步骤，其中m为大于等于1的整数。
本发明的实施例2与实施例1的区别点主要在于，在高声阻抗层和低声阻抗层之间还生长一层过渡层，例如，在二氧化硅和氮化硅之间还生长一层过渡的SiON层。下面，主要针对实施例2与实施例1之间的区别点进行说明，除此以外的部分与实施例1相类似。
一般而言，氮化硅薄膜的生长残余应力都比较大，直接生长二氧化硅薄膜在力学器件的应用中可能会存在一定的潜在问题，因此需要生长一层过渡的SiON层以提高两者之间的粘附性。
图3是示出本发明的实施例2的低温沉积工艺的界面处理的流程图。
作为一个示例，过渡的SiON层通过如下的方式来形成。
在低声阻抗二氧化硅的表面生长氮化硅时，在SiO2沉积最后，以一定速率通入氮气，以一定速率关掉氧气供应，即对于SixOyNz层，y在逐渐减小，z在逐渐增加。其SixOyNz层的总厚度大约是20～50nm，过渡的SiON层的整个形成时间可控制在60～120s之间。
对于非连续性低温二氧化硅溅射沉积过程，仍保持每两周期沉积过程之间的时间间隔控制在0.5～15s之间，通过腔壁、或基片降温装置来实现其沉积过程中的温升控制。
其中，每周期的沉积开始到等离子体轰击开始的时间td-b≥2/3整个完整的沉积+轰击+降温周期；每周期的等离子体轰击开始到沉积结束的时间tb-d≤1/3整个完整的沉积+轰击+降温周期。
每周期的沉积结束到等离子体轰击开始的时间t1≥2/3×td-b，以延长降温时间，保证低温沉积的进行，控制沉积温度在80～240度以内；每周期的等离子体轰击结束到沉积结束的时间t2≤1/2×tb-d，以减少之间的时间间隔，可减少等离子体轰击后待沉积表面杂质气体的吸附作用，以增加沉积表面的洁净度，增加沉积薄膜的结合力。
在高声阻抗氮化硅的表面生长二氧化硅时，在SiN沉积最后，以一定速率通入氧气，以一定速率关掉氮气供应，即对于SixOyNz层，z在逐渐减小，y在逐渐增加。其SixOyNz层的总厚度大约是20～50nm，过渡的SiON层的整个形成时间可控制在60～120s之间。
对于非连续性低温氮化硅溅射沉积过程，仍保持每两周期沉积过程之间的时间间隔控制在0.5～15s之间，通过腔壁、或基片降温装置来实现其沉积过程中的温升控制。
其中，每周期的沉积开始到等离子体轰击开始的时间td-b≥2/3整个完整的沉积+轰击+降温周期；每周期的等离子体轰击开始到沉积结束的时间tb-d≤1/3整个完整的沉积+轰击+降温周期。
每周期的沉积结束到等离子体轰击开始的时间t1≥2/3×td-b，以延长降温时间，保证低温沉积的进行，控制沉积温度在80～240度以内；每周期的等离子体轰击结束到沉积结束的时间t2≤1/2×tb-d，以减少之间的时间间隔，可减少等离子体轰击后待沉积表面杂质气体的吸附作用，以增加沉积表面的洁净度，增加沉积薄膜的结合力。
此外，还可结合沉积电阻率，添加等待取片时间，从而可显著减少碎片率。
由此，本发明通过在二氧化硅和氮化硅之间进一步生长一层过渡的SiON层，从而可进一步优化低温工艺生长的二氧化硅/氮化硅多层反射栅结构。
实施例3.
本发明的实施例3的声表面波器件的制造方法包括如下工序：准备压电层的第一工序；在所述压电层上通过非连续性低温溅射工艺生长第1低声阻抗层的第二工序；在所述第1低声阻抗层上通过低温电子束蒸发工艺生长第1高声阻抗层的第三工序；在所述第1高声阻抗层上通过非连续性低温溅射工艺生长第2低声阻抗层的第四工序；在所述第2低声阻抗层上重复执行n次所述第三工序和所述第四工序的第五工序，其中n为大于等于0的整数；将最后形成的第n+2低声阻抗层键合到衬底上的第六工序；对于所述压电层沿着通过离子注入形成的界面进行智能剥离的第七工序，对所述压电层进行的离子注入是在准备压电层的第一工序中进行的或者是在所述第五工序之后立即进行的；以及对所述压电层的剥离后的表面进行抛光处理的第八工序，所述非连续性低温溅射工艺包括如下步骤：通过溅射以沉积第1薄膜层的第一步骤；在第1时间间隔内对所述沉积的第1薄膜层进行第1降温处理的第二步骤；对所述第1降温处理后的第1薄膜层进行等离子体轰击处理的第三步骤；在第2时间间隔内对所述等离子体轰击处理后的第1薄膜层进行第2降温处理的第四步骤；以及在进行了所述第2降温处理后的第1薄膜层上重复执行m次所述第一步骤至所述第四步骤以形成第2薄膜层至第m+1薄膜层的第五步骤，其中m为大于等于1的整数。
本发明的实施例3与实施例1的区别点主要在于，对于高声阻抗层30A、30B，采用通过低温电子束蒸发沉积过程来形成的钨(W)金属。下面，主要针对实施例3与实施例1之间的区别点进行说明，除此以外的部分与实施例1相类似。
图12是示出本发明的实施例3的低温沉积工艺的流程图。
本发明的实施例3的低温沉积工艺主要包括非连续性低温二氧化硅溅射沉积过程、W金属的低温电子束蒸发沉积过程。
其非连续性低温二氧化硅溅射沉积过程按照实施例1中的沉积工艺来实施。
在W金属的低温电子束蒸发工艺中，其薄膜的沉积速率控制在0.3～3nm/s之间，其沉积温度可控制在40度以内。
由于整个工艺的温度都可以控制在240度以内，进一步优选地，电子束蒸发控温可控制在180度以内，所以，机械破片率可控制在万分之一以内。
此外，还可结合沉积电阻率，添加等待取片时间，从而可显著减少碎片率。
由此，与实施例1相类似地，本发明可将沉积的温度控制在80～240度之间，进一步地可将薄膜沉积的温度控制在80～180度之间，更进一步地控制在80～150度之间，从而可显著控制薄膜的破片率，提高生产效率。
实施例4.
本发明的实施例4的声表面波器件的制造方法包括如下工序：准备压电层的第一工序；在所述压电层上通过非连续性低温溅射工艺生长第1低声阻抗层的第二工序；在所述第1低声阻抗层的表面通过非连续性低温溅射工艺生长第1粘附层的第三工序；在所述第三工序之后通过低温电子束蒸发工艺生长第1高声阻抗层的第四工序；在所述第1高声阻抗层的表面通过非连续性低温溅射工艺生长第2粘附层的第五工序；在所述第五工序之后通过非连续性低温溅射工艺生长第2低声阻抗层的第六工序；在所述第2低声阻抗层上重复执行n次所述第三工序至所述第六工序的第七工序，其中n为大于等于0的整数；将最后形成的第n+2低声阻抗层键合到衬底上的第八工序；对于所述压电层沿着通过离子注入形成的界面进行智能剥离的第九工序，对所述压电层进行的离子注入是在准备压电层的第一工序中进行的或者是在所述第七工序之后立即进行的；以及对所述压电层的剥离后的表面进行抛光处理的第十工序，所述非连续性低温溅射工艺包括如下步骤：通过溅射以沉积第1薄膜层的第一步骤；在第1时间间隔内对所述沉积的第1薄膜层进行第1降温处理的第二步骤；对所述第1降温处理后的第1薄膜层进行等离子体轰击处理的第三步骤；在第2时间间隔内对所述等离子体轰击处理后的第1薄膜层进行第2降温处理的第四步骤；以及在进行了所述第2降温处理后的第1薄膜层上重复m次所述第一步骤至所述第四步骤以形成第2薄膜层至第m+1薄膜层的第五步骤，其中m为大于等于1的整数。
本发明的实施例4与实施例3的区别点主要在于，在高声阻抗层和低声阻抗层之间还生长一层过渡层，例如，在二氧化硅和钨金属之间还生长一层过渡的Ti或者Ti/TiN粘附阻挡层。下面，主要针对实施例4与实施例3之间的区别点进行说明，除此以外的部分与实施例3相类似。
图13是示出本发明的实施例4的低温沉积工艺的界面处理的流程图。
W金属薄膜直接在二氧化硅上的粘附力相对较差，需要在W金属/二氧化硅的界面引入Ti或者Ti/TiN多层膜界面以增强其附着力。
在非连续性低温工艺生长的二氧化硅表面电子束蒸发W金属的界面，采用非连续性低温溅射工艺生长Ti/TiN多层膜界面，以增强成膜的致密性。
其中，Ti层的厚度控制在15～40nm，沉积速率控制在0.3～2nm/s之间。其中，仍保持每两周期沉积过程之间的时间间隔控制在0.5～15s之间，通过腔壁、或基片降温装置来实现其沉积过程中的温升控制。
其中，每周期的沉积开始到等离子体轰击开始的时间td-b≥2/3整个完整的沉积+轰击+降温周期；每周期的等离子体轰击开始到沉积结束的时间tb-d≤1/3整个完整的沉积+轰击+降温周期。
每周期的沉积结束到等离子体轰击开始的时间t1≥2/3×td-b，以延长降温时间，保证低温沉积的进行，控制沉积温度在80～240度以内；每周期的等离子体轰击结束到沉积结束的时间t2≤1/2×tb-d，以减少之间的时间间隔，可减少等离子体轰击后待沉积表面杂质气体的吸附作用，以增加沉积表面的洁净度，增加沉积薄膜的结合力。
其中，TiN层的厚度控制在10～20nm，沉积速率控制在0.3～1nm/s之间。其中，仍保持每两周期沉积过程之间的时间间隔控制在0.5～15s之间，通过腔壁、或基片降温装置以实现其沉积过程中的温升控制。TiN的溅射采用TiN靶材直接溅射。
其中，每周期的沉积开始到等离子体轰击开始的时间td-b≥2/3整个完整的沉积+轰击+降温周期；每周期的等离子体轰击开始到沉积结束的时间tb-d≤1/3整个完整的沉积+轰击+降温周期。
每周期的沉积结束到等离子体轰击开始的时间t1≥2/3×td-b，以延长降温时间，保证低温沉积的进行，控制沉积温度在80～240度以内；每周期的等离子体轰击结束到沉积结束的时间t2≤1/2×tb-d，以减少之间的时间间隔，可减少等离子体轰击后待沉积表面杂质气体的吸附作用，增加沉积薄膜的结合力。
在电子束蒸发W金属表面生长二氧化硅的界面，采用非连续性低温溅射工艺生长Ti金属薄膜。
其中，Ti层的厚度控制在15～40nm，沉积速率控制在0.3～2nm/s之间。其中，仍保持每两周期沉积过程之间的时间间隔控制在0.5～15s之间，通过腔壁、或基片降温装置以实现其沉积过程中的温升控制。
其中，每周期的沉积开始到等离子体轰击开始的时间td-b≥2/3整个完整的沉积+轰击+降温周期；每周期的等离子体轰击开始到沉积结束的时间tb-d≤1/3整个完整的沉积+轰击+降温周期。
每周期的沉积结束到等离子体轰击开始的时间t1≥2/3×td-b，以延长降温时间，保证低温沉积的进行，控制沉积温度在80～240度以内；每周期的等离子体轰击结束到沉积结束的时间t2≤1/2×tb-d，以减少之间的时间间隔，可减少等离子体轰击后待沉积表面杂质气体的吸附作用，增加沉积薄膜的结合力。
此外，对于同一层薄膜材料，通过延长沉积的周期数来实现特定厚度薄膜的沉积。对于不同层之间，通过更改通入的反应气体来实现特定周期结构的制备。
此外，还可结合沉积电阻率，添加等待取片时间，从而可显著减少碎片率。
由此，本发明通过在二氧化硅和钨金属之间，通过低温工艺进一步生长一层过渡的Ti或者Ti/TiN粘附阻挡层，从而可进一步优化通过低温工艺生长的多层反射栅结构。
上述具体实施方式中的记载仅仅只是本发明的一些实施例。对于本领域技术人员而言，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出进一步的变形和改进，这些变形和改进都包含在本发明的保护范围内。
在本申请中，如果没有特别的说明，本文所提到的所有实施方式以及优选实施方式可以相互组合形成新的技术方案。在本申请中，如果没有特别的说明，本文所提到的所有技术特征以及优选特征可以相互组合形成新的技术方案。
工业上的实用性
本发明的声表面波器件的制造方法可以被用于手机、基站等无线通讯设备的滤波器的制备；更进一步地，可以被用于手机、基站等无线通讯设备的射频收发前端的独立模块或集成模块的制备等方面的应用。
标号说明
10 压电层
20A、20B、20C 低声阻抗层
30A、30B 高声阻抗层
40 衬底层
101 压电基底的智能剥离界面
102 压电基底和低声阻抗层的接触面
203A、302B、203B、302C 交界面
200C、300C 最外层低声阻抗层的外表面。
Claims (28)
1.一种声表面波器件的制造方法，包括如下工序：
准备压电层的第一工序；
在所述压电层上通过非连续性低温溅射工艺生长第1低声阻抗层的第二工序；
在所述第1低声阻抗层上通过非连续性低温溅射工艺生长第1高声阻抗层的第三工序；
在所述第1高声阻抗层上通过非连续性低温溅射工艺生长第2低声阻抗层的第四工序；
在所述第2低声阻抗层上重复执行n次所述第三工序和所述第四工序的第五工序，其中n为大于等于0的整数；
将最后形成的第n+2低声阻抗层键合到衬底上的第六工序；
对于所述压电层沿着通过离子注入形成的界面进行智能剥离的第七工序，对所述压电层进行的离子注入是在准备压电层的第一工序中进行的或者是在所述第五工序之后立即进行的；以及
对所述压电层的剥离后的表面进行抛光处理的第八工序，
所述非连续性低温溅射工艺包括如下步骤：
通过溅射以沉积第1薄膜层的第一步骤；
在第1时间间隔内对所述沉积的第1薄膜层进行第1降温处理的第二步骤；
对所述第1降温处理后的第1薄膜层进行等离子体轰击处理的第三步骤；
在第2时间间隔内对所述等离子体轰击处理后的第1薄膜层进行第2降温处理的第四步骤；以及
在进行了所述第2降温处理后的第1薄膜层上重复执行m次所述第一步骤至所述第四步骤以形成第2薄膜层至第m+1薄膜层的第五步骤，其中m为大于等于1的整数。
2.如权利要求1所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，
若将所述第一步骤至所述第四步骤的合计时间设为一个完整周期T，将所述第一步骤和所述第二步骤的合计时间设为td-b，将所述第三步骤和所述第四步骤的合计时间设为tb-d，则td-b≥(2/3)×T，tb-d≤(1/3)×T，
若将所述第1时间间隔设为t1，将所述第2时间间隔设为t2，则t1≥(2/3)×td-b，t2≤(1/2)×tb-d。
3.如权利要求2所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，
所述一个完整周期T为0.5s～15s。
4.如权利要求1所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，
所述非连续性低温溅射工艺的沉积温度的范围控制在80℃～200℃之间。
5.如权利要求2所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，
所述一个完整周期T的沉积厚度为
6.如权利要求1所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，
所述第1低声阻抗层至第n+2低声阻抗层的材料为SiO2，所述第1高声阻抗层至第n+1高声阻抗层的材料为SiN。
7.一种声表面波器件的制造方法，包括如下工序：
准备压电层的第一工序；
在所述压电层上通过非连续性低温溅射工艺生长第1低声阻抗层的第二工序；
在所述第1低声阻抗层的表面生长第1过渡层的第三工序；
在所述第三工序之后通过非连续性低温溅射工艺生长第1高声阻抗层的第四工序；
在所述第1高声阻抗层的表面生长第2过渡层的第五工序；
在所述第五工序之后通过非连续性低温溅射工艺生长第2低声阻抗层的第六工序；
在所述第2低声阻抗层上重复执行n次所述第三工序至所述第六工序的第七工序，其中n为大于等于0的整数；
将最后形成的第n+2低声阻抗层键合到衬底上的第八工序；
对于所述压电层沿着通过离子注入形成的界面进行智能剥离的第九工序，对所述压电层进行的离子注入是在准备压电层的第一工序中进行的或者是在所述第七工序之后立即进行的；以及
对所述压电层的剥离后的表面进行抛光处理的第十工序，
所述非连续性低温溅射工艺包括如下步骤：
通过溅射以沉积第1薄膜层的第一步骤；
在第1时间间隔内对所述沉积的第1薄膜层进行第1降温处理的第二步骤；
对所述第1降温处理后的第1薄膜层进行等离子体轰击处理的第三步骤；
在第2时间间隔内对所述等离子体轰击处理后的第1薄膜层进行第2降温处理的第四步骤；以及
在进行了所述第2降温处理后的第1薄膜层上重复m次所述第一步骤至所述第四步骤以形成第2薄膜层至第m+1薄膜层的第五步骤，其中m为大于等于1的整数。
8.如权利要求7所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，
若将所述第一步骤至所述第四步骤的合计时间设为一个完整周期T，将所述第一步骤和所述第二步骤的合计时间设为td-b，将所述第三步骤和所述第四步骤的合计时间设为tb-d，则td-b≥(2/3)×T，tb-d≤(1/3)×T，
若将所述第1时间间隔设为t1，将所述第2时间间隔设为t2，则t1≥(2/3)×td-b，t2≤(1/2)×tb-d。
9.如权利要求8所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，
所述一个完整周期T为0.5s～15s。
10.如权利要求7所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，
所述非连续性低温溅射工艺的沉积温度的范围控制在80℃～200℃之间。
11.如权利要求8所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，
所述一个完整周期T的沉积厚度为
12.如权利要求7所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，
所述第1低声阻抗层至第n+2低声阻抗层的材料为SiO2，所述第1高声阻抗层至第n+1高声阻抗层的材料为SiN，
所述第1过渡层和所述第2过渡层都为SiON层。
13.如权利要求12所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，
所述SiON层的厚度为20nm～50nm。
14.一种声表面波器件的制造方法，包括如下工序：
准备压电层的第一工序；
在所述压电层上通过非连续性低温溅射工艺生长第1低声阻抗层的第二工序；
在所述第1低声阻抗层上通过低温电子束蒸发工艺生长第1高声阻抗层的第三工序；
在所述第1高声阻抗层上通过非连续性低温溅射工艺生长第2低声阻抗层的第四工序；
在所述第2低声阻抗层上重复执行n次所述第三工序和所述第四工序的第五工序，其中n为大于等于0的整数；
将最后形成的第n+2低声阻抗层键合到衬底上的第六工序；
对于所述压电层沿着通过离子注入形成的界面进行智能剥离的第七工序，对所述压电层进行的离子注入是在准备压电层的第一工序中进行的或者是在所述第五工序之后立即进行的；以及
对所述压电层的剥离后的表面进行抛光处理的第八工序，
所述非连续性低温溅射工艺包括如下步骤：
通过溅射以沉积第1薄膜层的第一步骤；
在第1时间间隔内对所述沉积的第1薄膜层进行第1降温处理的第二步骤；
对所述第1降温处理后的第1薄膜层进行等离子体轰击处理的第三步骤；
在第2时间间隔内对所述等离子体轰击处理后的第1薄膜层进行第2降温处理的第四步骤；以及
在进行了所述第2降温处理后的第1薄膜层上重复执行m次所述第一步骤至所述第四步骤以形成第2薄膜层至第m+1薄膜层的第五步骤，其中m为大于等于1的整数。
15.如权利要求14所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，
若将所述第一步骤至所述第四步骤的合计时间设为一个完整周期T，将所述第一步骤和所述第二步骤的合计时间设为td-b，将所述第三步骤和所述第四步骤的合计时间设为tb-d，则td-b≥(2/3)×T，tb-d≤(1/3)×T，
若将所述第1时间间隔设为t1，将所述第2时间间隔设为t2，则t1≥(2/3)×td-b，t2≤(1/2)×tb-d。
16.如权利要求15所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，
所述一个完整周期T为0.5s～15s。
17.如权利要求14所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，
所述非连续性低温溅射工艺中的沉积温度的范围控制在80℃～200℃之间。
18.如权利要求15所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，
所述一个完整周期T的沉积厚度为
19.如权利要求14所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，
所述第1低声阻抗层至第n+2低声阻抗层的材料为SiO2，所述第1高声阻抗层至第n+1高声阻抗层的材料为W。
20.如权利要求14所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，
所述低温电子束蒸发工艺中的沉积温度控制在40℃以内。
21.一种声表面波器件的制造方法，包括如下工序：
准备压电层的第一工序；
在所述压电层上通过非连续性低温溅射工艺生长第1低声阻抗层的第二工序；
在所述第1低声阻抗层的表面通过非连续性低温溅射工艺生长第1粘附层的第三工序；
在所述第三工序之后通过低温电子束蒸发工艺生长第1高声阻抗层的第四工序；
在所述第1高声阻抗层的表面通过非连续性低温溅射工艺生长第2粘附层的第五工序；
在所述第五工序之后通过非连续性低温溅射工艺生长第2低声阻抗层的第六工序；
在所述第2低声阻抗层上重复执行n次所述第三工序至所述第六工序的第七工序，其中n为大于等于0的整数；
将最后形成的第n+2低声阻抗层键合到衬底上的第八工序；
对于所述压电层沿着通过离子注入形成的界面进行智能剥离的第九工序，对所述压电层进行的离子注入是在准备压电层的第一工序中进行的或者是在所述第七工序之后立即进行的；以及
对所述压电层的剥离后的表面进行抛光处理的第十工序，
所述非连续性低温溅射工艺包括如下步骤：
通过溅射以沉积第1薄膜层的第一步骤；
在第1时间间隔内对所述沉积的第1薄膜层进行第1降温处理的第二步骤；
对所述第1降温处理后的第1薄膜层进行等离子体轰击处理的第三步骤；
在第2时间间隔内对所述等离子体轰击处理后的第1薄膜层进行第2降温处理的第四步骤；以及
在进行了所述第2降温处理后的第1薄膜层上重复m次所述第一步骤至所述第四步骤以形成第2薄膜层至第m+1薄膜层的第五步骤，其中m为大于等于1的整数。
22.如权利要求21所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，
若将所述第一步骤至所述第四步骤的合计时间设为一个完整周期T，将所述第一步骤和所述第二步骤的合计时间设为td-b，将所述第三步骤和所述第四步骤的合计时间设为tb-d，则td-b≥(2/3)×T，tb-d≤(1/3)×T，
若将所述第1时间间隔设为t1，将所述第2时间间隔设为t2，则t1≥(2/3)×td-b，t2≤(1/2)×tb-d。
23.如权利要求22所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，
所述一个完整周期T为0.5s～15s。
24.如权利要求21所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，
所述非连续性低温溅射工艺中的沉积温度的范围控制在80℃～200℃之间。
25.如权利要求22所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，
所述一个完整周期T的沉积厚度为
26.如权利要求21所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，
所述第1低声阻抗层至第n+2低声阻抗层的材料为SiO2，所述第1高声阻抗层至第n+1高声阻抗层的材料为W，
所述第1粘附层为Ti/TiN多层膜，所述第2粘附层为Ti层。
27.如权利要求21所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，
所述低温电子束蒸发工艺中的沉积温度控制在40℃以内。
28.如权利要求26所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，
作为所述第1粘附层的所述Ti/TiN多层膜中的Ti层的厚度为15～40nm，所述Ti/TiN多层膜中的TiN层的厚度为10～20nm，
作为所述第2粘附层的Ti层的厚度为15～40nm。
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