JP2002290182A

JP2002290182A - 表面弾性波素子用基板の製造方法

Info

Publication number: JP2002290182A
Application number: JP2001089530A
Authority: JP
Inventors: Natsuo Tatsumi; 夏生辰巳; Takahiro Imai; 貴浩今井
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2001-03-27
Filing date: 2001-03-27
Publication date: 2002-10-04

Abstract

(57)【要約】【課題】品質の良好な圧電体薄膜を高音速
基板の上に形成できれば、高周波帯域に使用できる最適
な表面弾性波素子用基板とすることができる。【解決手段】高音速基板の表面を鏡面加工し、
除去する時に圧電体薄膜に損傷を与えない材料で構成す
る支持基板上に圧電体薄膜を形成し、高音速基板と圧電
体薄膜を親水化処理した後、加熱処理して一体化し、そ
の後前記支持基板を酸処理などの方法で除去すれば、高
周波帯域に使用できる最適な表面弾性波素子用基板を得
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波帯域で使用
可能な表面弾性波素子及び光学素子材料に用いられる圧
電体薄膜を有する表面弾性波素子用基板およびその製造
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】固体表面を伝播する表面弾性波を利用す
る表面弾性波素子は、小型、軽量で温度安定性が高く、
位相特性に優れるなど種々の特徴を有している。近年の
移動体通信や衛星通信などの分野におけるマルチチャン
ネル化・高周波化に伴い、高周波帯域で使用可能な表面
弾性波素子の開発が要請されている。その手段として、
表面弾性波の伝播速度の速い材料を使用する方法かある
いは、電極ピッチを狭くする方法が考えられた。このう
ち電極ピッチは、半導体素子の製造技術に依存してお
り、限界がある。表面弾性波の伝播速度の速い材料とし
ては、ダイヤモンドが最も速い。

【０００３】そこで、特開平７−３２１５９６号公報な
どにあるようにダイヤモンド上にＬｉＮｂＯ₃層を配置
した積層構造が提案されている。この文献によれば、ダ
イヤモンド（１１１）面上にＣ軸配向したＬｉＮｂＯ₃
が圧電体膜としてＲＦマグネトロンスパッタリング法に
より形成されている。また、特開平８−３２３９８号公
報では、表面弾性波の波長とＬｉＮｂＯ₃層の厚さの組
合せを工夫して、表面弾性波の伝播速度７０００ｍ／ｓ
以上を達成している。これらＲＦマグネトロンスパッタ
リング法によって高品質なＬｉＮｂＯ₃薄膜を得るため
には、成膜時の基板温度は、高い方が望ましい。

【０００４】ところが、基板温度を上げると、ダイヤモ
ンド膜の温度も上がる。ダイヤモンドとＬｉＮｂＯ₃と
は、その熱膨張係数が大きく異なるので、成膜温度を上
げると成膜後の冷却過程や取り出し時に、ダイヤモンド
とＬｉＮｂＯ₃が剥離するという問題がある。また、ダ
イヤモンドは高温で酸化し易く、このためダイヤモンド
の結晶性が劣化するという問題がある。さらに、ＲＦマ
グネトロンスパッタリング法では、圧電体膜の成膜時に
ダイヤモンドがプラズマにさらされて同様にダイヤモン
ドの膜質が劣化するという問題がある。これらの問題を
解決するために成膜時の温度を下げるとＬｉＮｂＯ₃薄
膜の品質（配向性）が悪くなるという問題がある。

【０００５】そこで、特開平８−３１６７８２号公報に
は、高音速薄膜であるダイヤモンド上に白金等化学的に
安定な材料からなる保護膜を形成した後、品質の高い圧
電体薄膜を形成する方法が示されている。しかし、この
方法では白金とダイヤモンドあるいは白金とＬｉＮｂＯ
₃との密着性が悪く、素子形成の工程中に剥離するとい
う問題がある。さらに、ＬｉＮｂＯ₃からなる圧電体層
とダイヤモンドからなる高音速薄膜との間に導電性があ
ると電気機械結合係数が大幅に低下するという理論予測
が特開平８−３２３９８号公報に示されている。

【０００６】また、特開平２−６２１０８号公報には、
剛板と圧電板を接着剤を介して貼り合わせて一体の基板
としたものが示されている。しかし、界面の接着剤は剛
板よりも弾性定数が低いため、剛板と圧電体を直接接合
する方法に比べて、表面弾性波の伝播速度の増加は得ら
れない。さらに、伝播速度は、圧電体の膜厚に依存して
変化する。したがって、圧電体薄膜は、１０〜１０００
ｎｍの膜厚で、ウェハー面内全体において均一にする必
要がある。しかし、接着を行うためには、圧電体にある
程度以上の剛性が必要なので、圧電体薄膜の厚みは数百
μｍ以上が必要である。数百μｍ以上の厚みの圧電体薄
膜を接着した後、研磨等の方法によって圧電体薄膜の厚
みを１０〜１０００ｎｍにすることは極めて困難であ
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解消するためになされたものであり、ダイヤモンドな
どの高音速基板上に、高音速基板の伝播速度等の品質を
低下させることなく、結晶性や電気機械結合係数や伝播
損失等の品質が優れた圧電体薄膜を直接貼り合わせるこ
とにより形成した表面弾性波素子用基板およびその製造
方法を提供するものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、圧電体薄膜を
成膜するときに用いる支持基板を、該支持基板を圧電体
薄膜から除去する際に該圧電体を損傷することなく除去
できるような材料とする。そして、該支持基板上に圧電
体薄膜を成膜した後、圧電体薄膜と高音速基板とを貼り
合わせ、最後に前記支持基板を除去することにより、高
品質な圧電体薄膜を形成した高音速基板を得る製造方法
である。この時高音速基板の少なくとも圧電体薄膜を貼
り合わせる面はその粗さがＲｍａｘで０．１μｍ以下に
鏡面加工されていることが望ましい。

【０００９】前記高音速基板は、高音速薄膜とそれを保
持する基板とから成る複合体であってもよい。また、前
記圧電体薄膜の支持基板は、その材料に限定はないが、
支持基板上に、圧電体薄膜から除去する際に圧電体薄膜
を損傷させない材料から成る除去層を形成した複合体で
あってもよい。

【００１０】さらに、前記高音速基板もしくは高音速薄
膜は、例えばダイヤモンドあるいはダイヤモンド状炭素
である。また、前記圧電体薄膜は、例えばＬｉＮｂＯ₃
またはＬｉＴａＯ₃またはそれらの固溶体であり、その
支持基板は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）である。ま
た、支持基板が、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）、ガリウム
砒素（ＧａＡｓ）あるいはサファイア（Ａｌ₂Ｏ₃）であ
ってその上に酸化亜鉛（ＺｎＯ）もしくは酸化マグネシ
ウム（ＭｇＯ）からなる除去層が形成されているもので
あってもよい。

【００１１】このようにすれば、高品質な圧電体薄膜を
高音速基板上に直接貼り合わせ、その後圧電体薄膜の支
持基板を圧電体薄膜を損傷することなく除去でき、高音
速基板もしくは高音速薄膜の品質は劣化しないので、高
周波帯域で使用可能な表面弾性波素子用の基板として最
適な材料を提供することが可能となる。

【００１２】

【発明の実施の形態】図１を参照して、実施の形態を説
明する。図において、１は表面弾性波素子用基板、１２
は圧電体薄膜、１３は高音速基板、１５は圧電体薄膜
（１２）の支持基板である。本発明では、圧電体薄膜
（１２）の支持基板（１５）として、該支持基板を圧電
体薄膜から除去する際に該圧電体薄膜を損傷することな
く除去できるような材料を選び、該支持基板上に高品質
な圧電体薄膜を成膜する。このようにすれば、成膜時の
基板温度を上げて圧電体薄膜の品質を向上させても、該
支持基板が損傷するだけで、表面弾性波素子を構成する
高音速基板の結晶品質には何ら影響がないので、高性能
な表面弾性波素子を得ることができる。また、該支持基
板は、最終的には除去するので、表面弾性波素子の性能
には関係なく、圧電体薄膜の形成と該支持基板の除去方
法との関係から最適な材料を選ぶことができる。圧電体
薄膜の成膜方法は、スパッター法、ＣＶＤ法、真空蒸着
法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション
法等従来から知られている薄膜形成方法を採ることがで
きる。

【００１３】高音速基板（１３）の圧電体薄膜を貼り合
わせる面は、Ｒｍａｘ０．１μｍ以下に鏡面加工するこ
とが望ましい。その後、高音速薄膜と圧電体薄膜の少な
くとも貼り合わせる面を親水化処理した後、貼り合わせ
てから加熱処理することにより、両者は一体化する。圧
電体薄膜と高音速基板との貼り合わせは、電気機械結合
係数や伝播損失などの品質の高い圧電体薄膜を得るため
の成膜温度である５００℃以上の温度よりも低温である
３００℃以下の温度で行うことができるので、前記高音
速基板の劣化や熱膨張差に起因する剥離などの問題を回
避することができる。貼り合わせた後、圧電体薄膜の支
持基板を酸処理など支持基板材料によって最適な処理を
行い除去することにより、表面弾性波素子用基板（１）
が得られる。

【００１４】高音速基板は、その強度の観点からある程
度の厚みが必要であるが、高音速基板は一般的には高価
であるので、図２に示すように、高音速薄膜（２３）を
それを保持する基板（２１）の上に成膜した複合体を用
いれば経済的である。また図３に示すように、前記圧電
体薄膜の支持基板（３５）は、その材料に限定はない
が、支持基板上に圧電体薄膜から除去する際に圧電体薄
膜を損傷させない材料から成る除去層（３６）を形成し
た複合体であってもよい。

【００１５】さらに、本発明の好ましい実施形態の一つ
として、前記高音速基板もしくは高音速薄膜は、例えば
ダイヤモンドあるいはダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）を
選ぶ。その際、ダイヤモンドあるいはダイヤモンド状炭
素は、気相合成法によって基材上に作製した多結晶ダイ
ヤモンドあるいはＤＬＣを用いるのが経済的である。ま
た、ダイヤモンドあるいはＤＬＣの厚みは、薄すぎると
表面弾性波素子の性能が低下するので厚い方がよいが、
厚さが厚くなるとコストがかさむので、基材とともに用
いる場合は、５〜２０μｍが好ましい。基材を除去して
多結晶ダイヤモンドの自立膜として用いる場合でも５μ
ｍ以上の厚みがあれば良いが、薄いと作業中のハンドリ
ングによる割れ等が発生するので、数百μｍの厚みにし
た方が取扱が容易になる。いずれの形態で用いるかは、
最終的な表面弾性波素子に要求される特性とコストから
適宜選択できる。ダイヤモンドあるいはＤＬＣの気相合
成は、マイクロ波プラズマ法や熱フィラメント法など従
来から知られている方法で行うことができる。

【００１６】ダイヤモンドあるいはＤＬＣの気相合成時
の基材は、ダイヤモンドあるいはＤＬＣが合成できるも
のであれば何でもよいが、Ｓｉウェハーが一般的に用い
られる。合成後のダイヤモンドあるいはＤＬＣの表面
は、ダイヤモンド砥石を用いて、鏡面加工する。この
時、ダイヤモンドあるいはＤＬＣ表面の表面粗さが、Ｒ
ｍａｘで０．１μｍ以下になるまで研磨加工することが
望ましい。Ｒｍａｘが０．１μｍを超えると、圧電体薄
膜を貼り合わせた時に、部分的に貼り合わせができない
箇所が発生するので、このような表面弾性波素子用基板
から多数の表面弾性波素子を作製した時に所望の性能が
得られない素子が多数できる。つまり、表面弾性波素子
の歩留りが低下する。さらに、研磨後ダイヤモンドある
いはＤＬＣの表面を酸素終端にするために、大気中で３
００℃以上の温度で熱処理することが好ましい。これ
は、ダイヤモンドあるいはＤＬＣの表面を酸素終端にし
た方が、圧電体薄膜との密着強度の向上が図れるためで
ある。すなわち全面均一に密着させることができる。ま
た熱処理温度は、ダイヤモンドの場合は、６００℃以
下、ＤＬＣの場合は５００℃以下でなければ、酸化によ
り劣化する。

【００１７】また、本発明の好ましい別の実施形態とし
て、前記圧電体薄膜はＬｉ（Ｔａ_xＮｂ_1-x）Ｏ₃（ただ
し、０≦ｘ≦１）であり、その支持基板は、酸化マグネ
シウム（ＭｇＯ）である組合せが選ばれる。このような
組合せの場合、例えばＬｉＮｂＯ₃は耐酸性が高いこと
が知られており、ＭｇＯは酸に容易に溶解するので、高
音速基板と貼り合わせた後、塩酸等の酸に浸せば、Ｍｇ
Ｏを容易に除去することができる。また、この場合の、
Ｌｉ（Ｔａ_xＮｂ_1-x）Ｏ₃（ただし、０≦ｘ≦１）の成
膜方法は、スパッター法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、イオ
ンプレーティング法、レーザーアブレーション法等の薄
膜形成技術を用いることができる。この中で、ＲＦマグ
ネトロンスパッター法が圧電体薄膜の結晶性や電気機械
結合係数や伝播損失などの品質並びに膜厚を容易に制御
できることなどから好ましい。圧電体薄膜の厚みは、表
面弾性波素子の性能を最大に引き出すために、１０〜１
０００ｎｍが好ましい。さらに、支持基板を酸化シリコ
ン（ＳｉＯ₂）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）あるいはサ
ファイア（Ａｌ₂Ｏ₃）として、その上に酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）もしくは酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる除去
層を形成した後、前記の方法によりＬｉ（Ｔａ_xＮ
ｂ_1-x）Ｏ₃（ただし、０≦ｘ≦１）を形成する方法でも
所望のＬｉ（Ｔａ_xＮｂ_1-x）Ｏ₃（ただし、０≦ｘ≦
１）を形成した高音速基板を得ることができる。除去層
の厚みは、成膜するＬｉ（Ｔａ_xＮｂ_x-1）Ｏ ₃の品質に
影響を与えない程度であればよいが、好ましくは、０．
１〜１０μｍである。

【００１８】

【実施例１】図１に示すように、高音速基板（１３）と
して、厚さ３００μｍの多結晶ダイヤモンドを用意し
た。多結晶ダイヤモンドは、単結晶Ｓｉを基材として、
マイクロ波プラズマ気相合成法で合成し、成長面をダイ
ヤモンド砥石を用いて研磨して、表面粗さをＲｍａｘ
０．０８μｍとした。その後、フッ硝酸にて単結晶Ｓｉ
基材を溶解除去した後、大気中、３００℃で１時間熱処
理を施した。

【００１９】支持基板（１５）として厚さ０．５ｍｍの
ＭｇＯの板を用意した。その上に、ＲＦスパッタリング
法により、ＬｉＮｂＯ₃薄膜を５００ｎｍ成膜し、圧電
体薄膜基板（１４）を得た。この時、成膜条件は、基板
温度５５０℃、圧力１．３３Ｐａ、雰囲気はＡｒ：Ｏ₂
＝１：１、ＲＦパワーは１００Ｗであった。成膜後、Ｌ
ｉＮｂＯ₃薄膜をＸ線回折分析したところ、ｃ軸配向し
ていた。

【００２０】前記高音速基板（１３）と圧電体薄膜基板
（１４）の各々の表面を親水化処理液に１０分間浸け
た。親水化処理液は、過酸化水素水、水酸化アンモニウ
ムならびに純水からなり、体積比で、１：１：６とした
ものである。その後、親水化処理液から取り出し、両方
の表面を純水で数分間洗浄した。そして、各々の表面を
接触させ、窒素雰囲気中で２００℃２時間加熱して接着
した。

【００２１】その後、前記接着した基板を希塩酸に浸
し、支持基板であるＭｇＯ（１５）を溶解し、除去し
た。このようにすることによって、図１に示すような、
高音速基板上に圧電体薄膜が５００ｎｍ形成された高音
速基板（１）を得ることができた。

【００２２】

【実施例２】図２に示すように、高音速基板（２８）と
して、厚さ１ｍｍの単結晶Ｓｉ（２１）上に熱フィラメ
ント気相合成法で多結晶ダイヤモンド（２３）を約２５
μｍ形成した後、ダイヤモンド表面を鏡面加工した。鏡
面加工後のダイヤモンドの厚みは、１５μｍであり、ま
たその表面粗さは、Ｒｍａｘ０．０７μｍであった。そ
の後、該高音速基板（２８）を大気中、３００℃で１時
間熱処理した。

【００２３】支持基板（２５）として、厚さ０．５ｍｍ
のＭｇＯの板を用意した。その上に、実施例１と同様
に、ＲＦスパッタリング法により、ＬｉＮｂＯ₃薄膜を
５００ｎｍ成膜し、圧電体薄膜基板（２４）を得た。

【００２４】前記高音速基板（２８）と圧電体薄膜基板
（２４）を実施例１と同様に親水化処理後、洗浄し、貼
り合わせて窒素雰囲気中で加熱して一体化した。

【００２５】前記一体化したものを希塩酸に浸し、Ｍｇ
Ｏを溶解除去して、圧電体薄膜を形成した高音速薄膜基
板（２）を得た。

【００２６】

【実施例３】図３に示すように、高音速基板（３８）と
して、厚さ１ｍｍの単結晶Ｓｉ（３１）上に熱フィラメ
ント気相合成法で多結晶ダイヤモンド（３３）を約２０
μｍ形成した後、ダイヤモンド表面を鏡面加工した。鏡
面加工後のダイヤモンドの厚みは、１２μｍであり、ま
たその表面粗さは、Ｒｍａｘ０．０７μｍであった。そ
の後、高音速基板（３８）を大気中、３００℃で１時間
熱処理を行った。

【００２７】圧電体薄膜（３４）を得るための準備とし
て、厚さ１ｍｍのＳｉＯ₂基板（３５）を用意し、その
表面にＲＦマグネトロンスパッタリング法により、Ｚｎ
Ｏ薄膜（３６）を５００ｎｍの厚さに形成した。この時
の成膜温度は、３８０℃であり、成膜雰囲気はＡｒ：Ｏ
₂＝１：１で、圧力は１．３３Ｐａ（１０ｍｔｏｒ
ｒ）、ＲＦパワーは１５０Ｗとした。成膜したＺｎＯの
Ｘ線回折分析を行ったところ、ｃ軸配向していることが
判った。このＺｎＯ薄膜が除去層である。

【００２８】次いで、前記ＳｉＯ₂基板上のＺｎＯ薄膜
の表面に同じくＲＦマグネトロンスパッタリング法によ
り、圧電体薄膜（３２）としてＬｉＮｂＯ₃薄膜を３０
０ｎｍの厚さに形成し、圧電体薄膜基板（３４）を得
た。この時の成膜温度は、５５０℃であり、成膜雰囲気
はＡｒ：Ｏ₂=１：１で、圧力は１．３３Ｐａ（１０ｍｔ
ｏｒｒ）、ＲＦパワーは１００Ｗとした。このＬｉＮｂ
Ｏ₃薄膜をＸ線回折分析したところ、ｃ軸配向している
ことが判った。

【００２９】その後、実施例１と同様に、高音速薄膜基
板と圧電体薄膜基板を親水化処理し、洗浄した後貼り合
わせ、窒素雰囲気中で２００℃２時間熱処理を施し、両
者を一体化した。

【００３０】その後、前記貼り合わせた基板を希塩酸に
浸し、ＺｎＯ薄膜（３６）を溶解し、ＳｉＯ₂基板（３
５）を除去した。このようにすることによって、図３に
示すような、高音速薄膜基板上に圧電体薄膜が形成され
た高音速基板（３）を得ることができた。

【００３１】

【実施例４】図４に示すように、高音速基板（４３）と
して、多結晶ダイヤモンドを用意した。多結晶ダイヤモ
ンドは、熱フィラメント気相合成法で多結晶Ｓｉを基材
として、約３００μｍ合成後、成長面をダイヤモンド砥
石で研磨して、表面粗さをＲｍａｘ０．０９μｍとし
た。鏡面加工後のダイヤモンドの厚みは、２５０μｍで
あった。多結晶Ｓｉ基材をフッ硝酸にて溶解除去した
後、大気中３００℃で１時間熱処理を施した。

【００３２】圧電体薄膜（４４）を得るための準備とし
て、０．５ｍｍの厚さのサファイア基板（４５）を用意
し、その表面にＲＦマグネトロンスパッタリング法によ
り、ＺｎＯ薄膜（４６）を２００ｎｍの厚さに形成し
た。この時の成膜温度は、３８０℃であり、成膜雰囲気
はＡｒ：Ｏ₂＝１：１で、圧力は１．３３Ｐａ、ＲＦパ
ワーは１５０Ｗとした。成膜したＺｎＯのＸ線回折分析
を行ったところ、ｃ軸配向していることが判った。この
ＺｎＯ薄膜が除去層である。

【００３３】次いで、前記サファイア基板上のＺｎＯ薄
膜の表面に同じくＲＦマグネトロンスパッタリング法に
より、圧電体薄膜（４２）としてＬｉＮｂＯ₃薄膜を５
００ｎｍの厚さに形成し、圧電体薄膜基板（４４）を得
た。この時の成膜温度は、５５０℃であり、成膜雰囲気
はＡｒ：Ｏ₂=１：１で、圧力は１．３３Ｐａ、ＲＦパワ
ーは１００Ｗとした。このＬｉＮｂＯ₃薄膜をＸ線回折
分析したところ、ｃ軸配向していることが判った。

【００３４】その後、実施例１と同様に、高音速薄膜基
板と圧電体薄膜基板を親水化処理し、洗浄した後貼り合
わせ、窒素雰囲気中で２００℃２時間熱処理を施し、両
者を一体化した。

【００３５】その後、前記貼り合わせた基板を希塩酸に
浸し、ＺｎＯ薄膜（４６）を溶解し、サファイア基板
（４５）を除去した。このようにすることによって、図
４に示すような、高音速基板上に圧電体薄膜が形成され
た高音速基板（４）を得ることができた。

【００３６】

【実施例５】実施例２と同様に、図２に示すように、高
音速基板（２８）として、厚さ１ｍｍの単結晶Ｓｉ（２
１）上に熱フィラメント気相合成法で多結晶ダイヤモン
ド（２３）を約２５μｍ形成した後、ダイヤモンド表面
を鏡面加工した。鏡面加工後のダイヤモンドの厚みは、
１２μｍであり、またその表面粗さは、Ｒｍａｘ０．０
８μｍであった。その後、該高音速基板を大気中で３０
０℃、１時間熱処理した。

【００３７】支持基板（２５）として、厚さ０．５ｍｍ
のＭｇＯの板を用意した。その上に、実施例１と同様
に、ＲＦスパッタリング法により、ＬｉＴａ_0.5Ｎｂ_0.5
Ｏ₃薄膜を５００ｎｍ成膜し、圧電体薄膜基板（２４）
を得た。

【００３８】前記高音速基板（２８）と圧電体薄膜基板
（２４）を実施例１と同様に親水化処理後、洗浄し、貼
り合わせて窒素雰囲気中で加熱して一体化した。

【００３９】前記一体化したものを希塩酸に浸し、Ｍｇ
Ｏを溶解除去して、圧電体薄膜を形成した高音速薄膜基
板（２）を得た。

【００４０】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、高品質な
高音速基板もしくは高音速薄膜基板の上に結晶性や電気
機械結合係数や伝播損失等の品質が優れた圧電体薄膜を
形成することができる。従来知られている圧電体薄膜の
形成方法では、高音速基板もしくは高音速薄膜基板の品
質と圧電体薄膜の品質とがトレードオフの関係にあるの
で、高周波帯域で使用可能な表面弾性波素子用基板とし
て最適な品質の基板を得ることは困難であったが、本発
明の方法によればそのような用途に最適な表面弾性波素
子用基板を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態のひとつを示す断面図であ
る。

【図２】本発明の実施形態のひとつを示す断面図であ
る。

【図３】本発明の実施形態のひとつを示す断面図であ
る。

【図４】本発明の実施形態のひとつを示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１、２、３、４：表面弾性波素子用基板１２、２２、３２、４２：圧電体薄膜１３、４３：高音速基板２３、３３：高音速薄膜１５、２５、３５、４５：支持基板３６、４６：除去層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】支持基板がその上に成膜される圧電体薄
膜を損傷することなく除去できるような材料であって、
該支持基板上に圧電体薄膜を成膜した後、該圧電体薄膜
と高音速基板とを貼り合わせ、最後に前記支持基板を除
去することを特徴とする表面弾性波素子用基板の製造方
法。
【請求項２】前記高音速基板が、高音速薄膜とそれを
支持する基板とから成る複合体であることを特徴とする
請求項１に記載の表面弾性波素子用基板の製造方法。
【請求項３】前記圧電体薄膜の支持基板が、圧電体薄
膜を損傷することなく除去できる材料から成る除去層と
それを支持する基板とから成ることを特徴とする請求項
１に記載の表面弾性波素子用基板の製造方法。
【請求項４】前記高音速基板または高音速薄膜が、ダ
イヤモンドもしくはダイヤモンド状炭素であることを特
徴とする請求項１乃至２に記載の表面弾性波素子用基板
の製造方法。
【請求項５】前記圧電体薄膜が、Ｌｉ（Ｔａ_xＮ
ｂ_1-x）Ｏ₃（但し０≦ｘ≦１）であることを特徴とする
請求項１に記載の表面弾性波素子用基板の製造方法。
【請求項６】前記支持基板が、酸化マグネシウムであ
ることを特徴とする請求項１に記載の表面弾性波素子用
基板の製造方法。
【請求項７】前記除去層が、酸化亜鉛もしくは酸化マ
グネシウムであって、それを支持する基板が酸化シリコ
ン、ガリウム砒素もしくはサファイアであることを特徴
とする請求項３に記載の表面弾性波素子用基板の製造方
法。