CN101785126B - 用于BAW谐振器的压电AlN的沉积 - Google Patents

用于BAW谐振器的压电AlN的沉积 Download PDF

Info

Publication number
CN101785126B
CN101785126B CN200880104120.9A CN200880104120A CN101785126B CN 101785126 B CN101785126 B CN 101785126B CN 200880104120 A CN200880104120 A CN 200880104120A CN 101785126 B CN101785126 B CN 101785126B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
aln
amorphous
deposition
acoustics
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN200880104120.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101785126A (zh
Inventor
S·乌皮利
G·布歇
A·米尔费奇利
N·S·阿尔真蒂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qorvo US Inc
Original Assignee
Triquint Semiconductor Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Triquint Semiconductor Inc filed Critical Triquint Semiconductor Inc
Publication of CN101785126A publication Critical patent/CN101785126A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101785126B publication Critical patent/CN101785126B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0617—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/175—Acoustic mirrors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
    • H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
    • H10N30/079—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing using intermediate layers, e.g. for growth control
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H2003/025—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks comprising an acoustic mirror

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

本发明涉及用于BAW谐振器的压电AlN的沉积。用于BAW谐振器的压电沉积，其中薄非晶AlN层在底电极之上，之后在该非晶AlN层上沉积第二AlN层，沉积发生在允许已沉积的AlN自组织成为所需柱状相的温度处。底电极在其下可以具有例如布拉格反射镜的声学隔离。披露了制备工艺的各种细节。

Description

用于BAW谐振器的压电AlN的沉积
技术领域
本发明涉及BAW(体声波)谐振器领域。
背景技术
压电谐振器常用于信号滤波和基准振荡器。这些谐振器通常被称为BAW(体声波谐振器)。相同或相似器件的其他缩写包括FBAR(膜体声波谐振器)或SMR(固态装配型谐振器)或TFR(薄膜谐振器)或SCF(叠层晶体滤波器)。
在限制能量损失方面谐振器必须尽量高效。这些器件并不是新出现的并且在文献中被很好的引证。
标准IC制备方法被用作基本制造顺序，包括沉积、光刻和蚀刻工艺。也可以采用MEMS技术以进行封装和与衬底进行谐振器声学隔离。
布拉格反射镜用于SMR器件中的声学隔离。在FBAR中，谐振器构建在膜片上。两种类型的隔离均设计用于防止自器件的能量损失。
滤波器的质量依赖于有效的压电转换。而此又进而依赖于压电材料通常为AlN的质量，所述压电材料在晶片上沉积成多晶薄膜。
在薄膜处理方面受过训练的人知道沉积具有受控结构(texture)的膜的两种方式。一种方式是提供合适衬底，其本身具有良好限定的晶体结构和与待生长的膜的结构的晶格匹配。这被称为外延或者准外延生长。另一种方式，与之相反，是避免衬底对膜沉积产生任何影响：可以得到作为能量(熵)最优化的自然结果的晶相。这通常涉及防止热力学干扰(当膜生长时，提供足够的能量和时间以在该膜的自组织过程中以其开始)。
附图说明
图1是提供本发明概述的流程图。
图2示出了由图1所示的工艺而得到的叠层。
图3示出了具有在声学隔离也就是布拉格反射镜上图案化的底电极的BAW衬底。
图4示出了具有在底电极上的非晶AlN层的叠层，其中底电极在布拉格反射镜上。
具体实施方式
本发明涉及使用利用种子层允许AlN膜的最优生长的工艺制备的BAW谐振器和滤波器，种子层自身由AlN构成且在非晶相在较低温度下使用溅射进行沉积。使用这些谐振器的滤波器可以设计为在宽频率范围内工作以应付实际上所有市场上的滤波器应用(例如，GSM、GPS、UMTS、PCS、WLAN、WIMAX等)。
体声波谐振器(BAW)的关键方面是质量因子(Q)和耦合系数keff2。Q值由电学和声学损失主导。耦合系数也同样依赖于在器件中起作用的压电层的固有耦合kt 2和在叠层中所使用的材料的选择与权衡这两者。
通过控制膜结构而获得AlN的优良系数kt 2。理想的AlN是由PVD典型地沉积出的柱状多晶膜。柱状(0002)定向结构是理想的从而使得膜压电系数或者其耦合kt 2最大。任何取向错误的颗粒将不仅当在其工作频率发挥作用时使得谐振器的压电效率降低，而且将潜在地产生副振荡模，该副振荡模可以被取向在与膜的主结构不同的方向的颗粒的存在所触发。
为了促进AlN的最佳(0002)取向，所述膜或者可以以单晶可以生长在具有匹配晶格结构的的单晶衬底上的方式沉积在良好取向的电极上，或者依照本发明被沉积在将使得AlN自组织成为所需柱状相(columnar phase)的非晶衬底上。
图1示出了本发明的概况。如其所示，以具有在合适的声学隔离上的图案化的底电极的衬底开始，在低温下沉积非晶AlN薄膜。然后在晶片处理之后，例如在常规的、相对高温度下沉积主压电膜，并且使其自组织成为所需的柱状相。一旦所述主压电膜被沉积，可以依照现有技术进行谐振器的完成。
通过使用多步骤AlN沉积制法，方法已限定为在底电极上提供薄非晶和介电AlN插入层，在该底电极上可生长具有所需质量的AlN压电膜上。图2示出了所得到的叠层。
因此提供了由在声学隔离上图案化的底电极构成的BAW衬底。在图3所示的情况下，利用布拉格反射镜提供所述声学隔离。于是谐振器被称为固态装配型谐振器(SMR)。替换方案是将谐振器构建在膜片上，于是谐振器被称为膜体声波谐振器(FBAR)。
图3示出了由具有高声学阻抗反差的交替膜的2.5双层构成的布拉格反射镜。此布拉格镜将BAW的有源区域与衬底隔离开并且确保能量保留在所述有源区域。在布拉格反射镜上，沉积并图案化电极。图3示出了平面化底电极。这对该器件不是必需的但是对于易于进一步处理是可取的。该电极可以是理想硬度的抛光金属，例如Ru、W或者更小量度(measure)的Mo或缓动层(still layer)与如Au或Al的易导电层的组合。
然后将衬底装载到AlN PVD沉积用具中。典型地，该用具以具有一些腔室的群集(cluster)出现并且可以在不中断真空情况下允许晶片从腔室到腔室的移动。通常的装置结合处理腔室(用于排气和加热)、用于金属膜的PVD沉积腔室(用于处理电极)和生长压电膜的第二反应PVD腔室。可从例如Aviza或者Unaxis公司商业购得这样的群集。
该工艺可以概述如下：
1.在低温(典型地低于200℃)下沉积薄(典型地在约50A到500A范围内)AlN膜。由于未提供足够能量以促进结晶取向，因此该膜是非晶态的。该工艺典型地为具有Al靶和富氮等离子体环境的PVD工艺。所得到的叠层如图4所示。
2.为了将晶片加热到更高温度，典型地在200℃到500℃之间，可以将该晶片移到处理腔室中。
3.晶片再次被移入到或者与上述1相同的腔室中，或者移入到群集中同样适于AlN沉积的另一腔室中。此时工艺的目的是为了在衬底上形成结晶膜。在合适的热度下，足够能量可给予AlN以自组织成为在热力学优先相：(0002)上的多晶结构膜。该结果在图2中示出。
上述相关要点包括：
1.上述1与3可以或者可以不发生在同样的腔室中。
2.在1中的非晶AlN可以或者可以不是化学计量的。
3.在1中沉积在光滑表面上的非晶AlN进而为步骤3中生长结晶AlN提供光滑表面。
4.在1和2之间可以或者可以不发生真空中断。
5.在1中沉积的AlN最好尽可能得薄以限制特性损失。
6.在步骤3中良好取向的AlN可以在低至200℃温度生长。
7.构成所述电极的金属的性质对AlN的生长没有影响。
8.结晶结构的AlN的生长也是腔室压力、功率和其他对于工艺工程师来说熟悉的典型参数的适当选择的结果。
9.对于每个晶片，1、2或3可以或者可以不必须一个接一个发生。例如整炉的晶片(典型地为25晶片批(wafer lot))可以经由1进行处理，然后个体的晶片仅每次一个地经由2和3进行处理。
本发明具有多个优点：
1.所沉积的非晶AlN膜为电介质，不必进行图案化。
2.非晶AlN膜将下面的电极表面进行密封并且将来自电极的电学和声学功能与衬底的形态功能去耦(与外延式AlN的生长不同，对于外延式AlN的生长，电极也需要执行良好取向衬底的功能)。这减轻了全部工艺集成的难度。
3.除已经必需的处理和AlN PVD沉积腔室外不需要额外的腔室。
4.AlN非晶插入层沉积所需要的额外工艺时间短并且仅偶然发生在与压电沉积本身潜在相同的群集工具上。
尽管出于说明目的而非限制目的在此已经披露并描述了本发明的优选实施方式，但是本领域技术人员可以理解在不脱离本发明的精神和范围情况下可以在其中做出各种形式和细节上的变化。

Claims (24)

1.在制备BAW的方法中，其改进包括：
提供图案化底电极；
在小于200℃的温度下在所述底电极上沉积非晶AlN层；
在非晶AlN层上沉积第二AlN层，该沉积发生在允许已沉积的AlN自组织成为所需柱状相的温度处。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第二层的所需柱状相是0002取向。
3.如权利要求1所述的方法，进一步包括在衬底上提供声学隔离，并且其中所述图案化底电极提供在所述声学隔离上。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述声学隔离是布拉格反射镜。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述非晶AlN层为大约50A到500A的厚度。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述非晶AlN层是化学计量AlN层。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述非晶AlN层不是化学计量AlN层。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述非晶AlN层通过在富氮环境中Al的PVD沉积而沉积。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述非晶AlN层和第二AlN层在相同处理腔室中沉积。
10.如权利要求1所述的方法，其中第二AlN层在200°到500℃的温度范围内沉积。
11.在制备BAW的方法中，其改进包括；
提供衬底；
在所述衬底上的声学隔离之上提供图案化底电极；
在小于200℃的温度下在所述底电极上沉积非晶AlN层；
在所述非晶AlN层上沉积第二AlN层，该沉积发生在允许已沉积的AlN自组织成为0002柱状相取向的温度处。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述声学隔离是布拉格反射镜。
13.如权利要求11所述的方法，其中所述非晶AlN层为大约50A到500A的厚度。
14.如权利要求11所述的方法，其中所述非晶AlN层是化学计量AlN层。
15.如权利要求11所述的方法，其中所述非晶AlN层不是化学计量AlN层。
16.如权利要求11所述的方法，其中所述非晶AlN层通过在富氮环境中Al的PVD沉积而沉积。
17.如权利要求11所述的方法，其中所述非晶AlN层和第二AlN层在相同处理腔室中沉积。
18.如权利要求11所述的方法，其中第二AlN层在200°到500℃的温度范围内沉积。
19.在制备BAW的方法中，其改进包括：
提供衬底；
在所述衬底上的声学隔离之上提供图案化底电极；
在小于200℃的温度下通过在富氮环境中Al的PVD沉积而在所述底电极上沉积大约50A到500A的厚度的非晶AlN层；
在所述非晶AlN层上沉积第二AlN层，该沉积发生在允许已沉积的AlN自组织成为0002柱状相取向的温度处。
20.如权利要求19所述的方法，其中所述声学隔离是布拉格反射镜。
21.如权利要求19所述的方法，其中所述非晶AlN层是化学计量AlN层。
22.如权利要求19所述的方法，其中所述非晶AlN层不是化学计量AlN层。
23.如权利要求19所述的方法，其中所述非晶AlN层和第二AlN层在相同处理腔室中沉积。
24.如权利要求19所述的方法，其中第二AlN层在200°到500℃的温度范围内沉积。
CN200880104120.9A 2007-08-24 2008-06-11 用于BAW谐振器的压电AlN的沉积 Expired - Fee Related CN101785126B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/895,454 US20090053401A1 (en) 2007-08-24 2007-08-24 Piezoelectric deposition for BAW resonators
US11/895454 2007-08-24
PCT/US2008/007282 WO2009029134A1 (en) 2007-08-24 2008-06-11 Deposition of piezoelectric aln for baw resonators

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101785126A CN101785126A (zh) 2010-07-21
CN101785126B true CN101785126B (zh) 2012-05-09

Family

ID=39832769

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200880104120.9A Expired - Fee Related CN101785126B (zh) 2007-08-24 2008-06-11 用于BAW谐振器的压电AlN的沉积

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20090053401A1 (zh)
CN (1) CN101785126B (zh)
DE (1) DE112008002279T5 (zh)
WO (1) WO2009029134A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016147688A1 (ja) * 2015-03-16 2016-09-22 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
US10587241B2 (en) 2016-03-29 2020-03-10 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Temperature compensated acoustic resonator device having thin seed interlayer
FR3097078B1 (fr) 2019-06-04 2021-06-18 Inst Polytechnique Grenoble Empilement multicouche piézoélectrique de nitrure d’aluminium, dispositif comprenant l’empilement et procédé de réalisation
CN111030634B (zh) * 2019-12-31 2021-04-16 诺思(天津)微系统有限责任公司 带电学隔离层的体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备
CN111245387B (zh) * 2020-02-14 2021-05-25 见闻录(浙江)半导体有限公司 一种固态装配谐振器的结构及制作工艺
CN111206213B (zh) * 2020-02-25 2021-08-13 西安交通大学 一种AlN非晶薄膜及其制备方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3039971B2 (ja) * 1989-09-19 2000-05-08 株式会社日立製作所 接合型圧電装置及び製造方法並びに接合型圧電素子
US5373268A (en) * 1993-02-01 1994-12-13 Motorola, Inc. Thin film resonator having stacked acoustic reflecting impedance matching layers and method
US6017816A (en) * 1997-02-25 2000-01-25 Mosel Vitelic Inc. Method of fabricating A1N anti-reflection coating on metal layer
US6060818A (en) * 1998-06-02 2000-05-09 Hewlett-Packard Company SBAR structures and method of fabrication of SBAR.FBAR film processing techniques for the manufacturing of SBAR/BAR filters
US6239536B1 (en) * 1998-09-08 2001-05-29 Tfr Technologies, Inc. Encapsulated thin-film resonator and fabrication method
US6291931B1 (en) * 1999-11-23 2001-09-18 Tfr Technologies, Inc. Piezoelectric resonator with layered electrodes
US6312568B2 (en) * 1999-12-07 2001-11-06 Applied Materials, Inc. Two-step AIN-PVD for improved film properties
US7043129B2 (en) * 2000-06-16 2006-05-09 Wayne State University Wide bandgap semiconductor waveguide structures
DE10035423C1 (de) * 2000-07-20 2001-11-22 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit einer Schichtenfolge zum ineinander Umwandeln von akustischen oder thermischen Signalen und elektrischen Spannungsänderungen und Verfahren zu dessen Herstellung
JP3858639B2 (ja) * 2000-08-31 2006-12-20 株式会社村田製作所 圧電共振子および電子機器
US6496085B2 (en) * 2001-01-02 2002-12-17 Nokia Mobile Phones Ltd Solidly mounted multi-resonator bulk acoustic wave filter with a patterned acoustic mirror
US6480074B1 (en) * 2001-04-27 2002-11-12 Nokia Mobile Phones Ltd. Method and system for wafer-level tuning of bulk acoustic wave resonators and filters by reducing thickness non-uniformity
DE10132181A1 (de) * 2001-07-03 2003-01-23 Epcos Ag Frequenzabstimmbarer Resonator
GB0116688D0 (en) * 2001-07-07 2001-08-29 Trikon Holdings Ltd Method of depositing aluminium nitride
DE60140319D1 (de) * 2001-11-06 2009-12-10 Avago Technologies Wireless Ip Filtereinrichtung und verfahren zur herstellung einer filtereinrichtung
US6767749B2 (en) * 2002-04-22 2004-07-27 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for making piezoelectric resonator and surface acoustic wave device using hydrogen implant layer splitting
JP2004072715A (ja) * 2002-06-11 2004-03-04 Murata Mfg Co Ltd 圧電薄膜共振子、圧電フィルタ、およびそれを有する電子部品
EP1540819A1 (en) * 2002-09-12 2005-06-15 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Bulk acoustic waver resonator with means for suppression of pass-band ripple in bulk acoustic wave filters
JP2005112641A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物半導体基板および窒化物半導体基板の製造方法
JP2005136115A (ja) * 2003-10-30 2005-05-26 Tdk Corp 電子デバイス及びその製造方法
JP2006019935A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Toshiba Corp 薄膜圧電共振器及びその製造方法
JP2006180304A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 圧電バルク共振子およびその製造方法、圧電バルク共振子を用いたフィルタ、それを用いた半導体集積回路装置、並びにそれを用いた高周波モジュール
SE0500647L (sv) * 2005-03-23 2006-09-24 Biosensor Applications Sweden Ab Publ Production of polycrystalline films for shear mode piezoelectric thin film resonators
KR101238360B1 (ko) * 2006-08-16 2013-03-04 삼성전자주식회사 공진기 및 그 제조 방법
KR100802109B1 (ko) * 2006-09-12 2008-02-11 삼성전자주식회사 공진기, 그것을 구비하는 장치 및 공진기의 제조 방법
JP4870541B2 (ja) * 2006-12-15 2012-02-08 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振器およびフィルタ
US7612488B1 (en) * 2007-01-16 2009-11-03 Maxim Integrated Products, Inc. Method to control BAW resonator top electrode edge during patterning
KR20090112766A (ko) * 2007-02-22 2009-10-28 모자이크 크리스탈즈 Ⅲ-족 금속 질화물 및 이의 제조

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
G.W Auner et al.Microstructure of low temperature grown AlN thin film on Si(111).《Journal of Applied Physics》.1999,第85卷(第11期), *
Loebl H P,ET AL.RF Bulk Acoustic Wave Resonators and Filters.《Journal of Electroceramics》.2004,第12卷(第1-2期), *

Also Published As

Publication number Publication date
DE112008002279T5 (de) 2010-07-22
US20090053401A1 (en) 2009-02-26
CN101785126A (zh) 2010-07-21
WO2009029134A1 (en) 2009-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11909380B2 (en) Acoustic resonator and method of manufacturing the same
CN109309483B (zh) 一种支撑型薄膜体声波谐振器的制备方法
EP1124269B1 (en) Method for producing resonator devices having piezoelectric films
CN101785126B (zh) 用于BAW谐振器的压电AlN的沉积
EP1672091B1 (en) Laminate containing wurtzrite crystal layer, and method for production thereof
US20120206216A1 (en) Acoustic wave device including a surface wave filter and a bulk wave filter, and method for making same
JP7432518B2 (ja) マルチプルレイヤシステム、製造方法およびマルチプルレイヤシステム上に形成されるｓａｗデバイス
EP0833446A2 (en) Surface acoustic wave device, substrate therefor, and method of manufacturing the substrate
CN107508571B (zh) 一种压电谐振器的制备方法和压电谐振器
CN113285014A (zh) 单晶掺杂薄膜、声波谐振器用压电薄膜及其制备方法
WO2022262256A1 (zh) 压电结构及其制造方法以及包括该压电结构的压电谐振器
CN112332798A (zh) 一种固态装配型薄膜体声波谐振器及其制作方法
US4501987A (en) Surface acoustic wave transducer using a split-finger electrode on a multi-layered substrate
CN107425821A (zh) 一种用于声波器件的低应力状态单晶AlN及其制备与应用
CN116131798A (zh) 一种固态体声波谐振器及其制作方法
CN207166465U (zh) 一种压电谐振器
KR20180102971A (ko) 박막 벌크 음향 공진기 및 그의 제조 방법
KR102135522B1 (ko) 압전 공진기의 제조방법 및 압전 공진기
US20230200246A1 (en) Layered solid state element comprising a ferroelectric layer and method for manufacturing the same
JP2710973B2 (ja) 強誘電体薄膜の製造方法
CN114696779A (zh) 单晶压电谐振器及其形成方法和滤波器以及电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.

Free format text: FORMER OWNER: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS INC.

Effective date: 20120313

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20120313

Address after: oregon

Applicant after: Triquint Semiconductor Inc

Address before: American California

Applicant before: Maxim Integrated Products Inc.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20161020

Address after: North Carolina

Patentee after: QORVO USA

Address before: oregon

Patentee before: Triquint Semiconductor Inc

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120509

Termination date: 20170611