KR101238360B1 - 공진기 및 그 제조 방법 - Google Patents

공진기 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101238360B1
KR101238360B1 KR20060077224A KR20060077224A KR101238360B1 KR 101238360 B1 KR101238360 B1 KR 101238360B1 KR 20060077224 A KR20060077224 A KR 20060077224A KR 20060077224 A KR20060077224 A KR 20060077224A KR 101238360 B1 KR101238360 B1 KR 101238360B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
resonator
forming
metal
active region
Prior art date
Application number
KR20060077224A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080015632A (ko
Inventor
이주호
박해석
이상훈
김덕환
설상철
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR20060077224A priority Critical patent/KR101238360B1/ko
Priority to US11/657,587 priority patent/US7795692B2/en
Priority to JP2007125518A priority patent/JP4685832B2/ja
Priority to EP20070113055 priority patent/EP1890380A1/en
Publication of KR20080015632A publication Critical patent/KR20080015632A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101238360B1 publication Critical patent/KR101238360B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02118—Means for compensation or elimination of undesirable effects of lateral leakage between adjacent resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/173—Air-gaps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H2003/021—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the air-gap type

Abstract

본 발명의 공진기는, 기판, 및 기판상에 차례로 적층된 제1전극, 압전막 및 제2전극을 구비하고, 공진을 발생하는 활성영역과 공진을 발생하지 않은 비활성영역으로 구분된 공진부를 포함하며, 제1 및 제2전극 중 적어도 하나는 비활성영역 부분의 적어도 일부가 비활성영역 부분과 다른 두께를 가지도록 형성된 것을 특징으로 한다.
FBAR, 공진부, 전극, 비활성영역, 금속막

Description

공진기 및 그 제조 방법 {Resonator and the method thereof}
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 공진기로써 박막 벌크 음향 공진기를 예시하는 평면도.
도 2는 도 1의 선 I-I를 도시한 단면도.
도 3a 내지 도 3g는 도 2에 도시한 공진기의 제조방법을 설명하는 단면도.
도 4는 도 2에 도시한 공진기의 변형예를 예시하는 단면도.
도 5는 도 2에 도시한 공진기의 다른 변형예를 예시하는 단면도.
도 6은 본 발명에 따라 금속막을 형성한 공진기와 금속막을 형성하지 않은 공진기의 통과특성을 비교하는 스미스 챠트(Smith's chart).
도 7a 및 도 7b는 도 2에 도시한 공진기의 또 다른 변형예들을 예시하는 단면도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100..공진기 110..기판
111..에어 캐비티 희생층 패턴 112.. 에어 캐비티
120..절연층 130: 멤브레인
135.. 공진부 140..제1전극
150..압전막 160..제2전극
170, 170', 170", 170"', 170""..금속막 180..전극패드
본 발명은 공진현상을 이용하여 특정주파수의 진동 또는 파(wave)를 추출하는 공진기 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 이동통신기기, 화학 및 바이오기기 등의 급속한 발달에 따라, 이러한 기기에서 사용되는 소형 경량필터, 오실레이터(Oscillator), 공진소자(Resonant element), 음향공진 질량센서(Acoustic Resonant Mass Sensor) 등의 수요도 증대하고 있다.
이러한 소형 경량필터, 오실레이터, 공진소자, 음향공진 질량센서 등을 구현하는 수단으로는 박막 벌크 음향 공진기(Film Bulk Acoustic Resonator: 이하 "FBAR"이라 함)가 알려져 있다. FBAR은 최소한의 비용으로 대량 생산이 가능하며, 초소형으로 구현할 수 있다는 장점이 있다. 또한, 필터의 주요한 특성인 높은 품질 계수 (Quality Factor: Q)값을 구현하는 것이 가능하고, 마이크로주파수 대역에서도 사용이 가능하며, 특히 PCS(Personal Communication System)와 DCS(Digital Cordless System) 대역까지도 구현할 수 있다는 장점이 있다.
일반적으로, FBAR은 기판상에 제1전극, 압전막(Piezoelectric layer) 및 제2전극을 차례로 적층하여 구현되는 공진부를 포함하는 구조로 이루어진다.
FBAR의 동작원리를 살펴보면, 먼저 제1 및 2전극에 전기에너지를 인가하여 압전막 내에 전계를 유기시키면, 이 전계는 압전막의 압전 현상을 유발시켜 공진부가 소정 방향으로 진동하도록 한다. 그 결과, 진동방향과 동일한 방향으로 음향파(Bulk Acoustic Wave)가 발생하여 공진을 일으키게 된다.
그러나, FBAR은 실제동작시 삽입손실(Insertion Loss)을 발생한다. 이러한 손실은 FBAR가 공진을 발생할 때 기계적인 에너지가 열에너지로 변화되거나, 측방향 모드(Lateral Mode)형태로 변환된 음향파 형태의 에너지(Acoustic Energy)가 활성영역(Active Area) 바깥쪽이나 기판으로 유출되어 발생한다.
이러한 손실을 줄이기 위해, 미국특허 제6,812,619호에는 공진이 발생하는 활성영역의 외곽부(Edge)에 좁은 폭의 프레임형 층(Frame-like layer)이 형성된 공진기가 제안되어 있다. 프레임형 층은 상부전극의 활성영역 부분의 외곽부와 중심부의 높이가 서로 달라지도록 형성된다. 따라서, 공진기는 공진시 프레임 층의 폭과 프레임 층이 형성된 상부전극의 활성영역 부분의 외곽부와 중심부 사이의 주파수 차이에 의해 활성영역의 외곽부와 중심부 사이의 주파수 차이를 발생한다. 그 결과, 측방향 모드형태로 변환된 음향파가 활성영역 바깥쪽으로 유출되는 것이 방지되며, 이에 따라 활성영역의 중심부에서는 균일한 공진이 발생한다. 하지만, 이 공진기는 프레임형 층이 상부전극의 활성영역 부분의 외곽부의 높이를 변화시키도록 형성되기 때문에, 활성영역의 외곽부에서의 공진특성, 특히 압전박막계수값(Kt2 effective 값)이 변화되는 단점이 있다.
또한, FBAR의 삽입손실은 FBAR을 구성하는 전극의 전기전도도에 따른 전기저 항에 영향을 받는다. 따라서, 전극의 전기전도도에 따른 손실을 줄이기 위해서는 전극의 두께를 증가시키거나 전기전도도가 높은 재질로 전극을 형성하는 것 바람직하다. 그러나, 이것은 제작코스트를 상승시키므로 한계가 있다. 그러므로, 전극의 두께를 크게 증가시키거나 전극을 전기전도도가 높은 고가의 재질로 형성하지 않고도, 전극의 전기저항에 따른 FBAR의 삽입손실을 최소화할 수 있는 방법이 요구되고 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 공진이 발생하는 활성영역과 공진이 발생하지 않는 비활성영역에서의 전극의 두께를 다르게 하여 공진특성을 향상시키고 삽입손실을 줄일 수 있는 공진기 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 공진이 발생하는 활성영역외의 전극의 부분에 금속막을 추가 형성하여, 전극의 두께를 증가시키거나 전극을 전기전도도가 높은 고가의 재질로 형성하지 않고도 전극의 전기저항에 따른 삽입손실을 줄일 수 있는 공진기 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시양태에 따른 공진기는, 기판, 및 기판상에 차례로 적층된 제1전극, 압전막 및 제2전극을 구비하고, 공진을 발생하는 활성영역과 공진을 발생하지 않은 비활성영역으로 구분된 공진부를 포함하며, 제1 및 제2전극 중 적어도 하나는 비활성영역 부분의 적어도 일부가 활성영 역 부분과 다른 두께를 가지도록 형성된 것을 특징으로 한다.
제1 및 제2전극 중 적어도 하나는 비활성영역 부분의 적어도 일부가 활성영역 부분 보다 큰 두께를 가지도록 비활성영역 부분의 적어도 일부에 형성된 금속막을 구비할 수 있다.
금속막은 제1전극의 하면, 제1전극의 상면, 제2전극의 하면, 및 제2전극의 상면 중 적어도 한 곳에 형성될 수 있다. 이때, 금속막은 제1 및 제2전극 중 적어도 하나의 활성영역 부분을 에워싸는 띠 형태로 형성되는 것이 바람직하다. 선택적으로, 금속막은 띠 형태의 중간을 따라 형성된 적어도 하나의 홈 및 관통홀을 구비할 수 있다.
금속막은 공진부의 제1 및 제2전극을 외부회로와 전기적으로 연결하는 전극패드의 형성시 전극패드와 동일한 금속이나 제1 및 제2전극과 동일한 금속으로 형성된 것이 바람직하다.
또, 금속막은 금(Au), 티탄(Ti), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 백금(Pt), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 또는 니켈(Ni)로 형성된 것이 바람직하다.
선택적으로, 금속막은 제1 및 제2전극 중 적어도 하나의 활성영역 부분의 외곽부가 활성영역 부분의 중심부 보다 더 큰 두께를 가지도록 활성영역 부분의 외곽부에서도 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시양태에 따른 공진기의 제조방법은, 기판상에 제1전극, 압전막 및 제2전극을 차례로 적층하여 공진부를 형성하는 단계, 및 제1 및 제2전극 중 적어도 하나의 비활성영역 부분의 적어도 일부에 금속막을 형성하는 단계를 포 함하는 것을 특징으로 한다.
공진부를 형성하는 단계는 기판상에 희생층을 형성하는 단계, 희생층상에 멤브레인을 형성하는 단계, 멤브레인상에 제1전극, 압전막, 및 제2전극을 차례로 형성하는 단계, 및 희생층을 제거하는 단계로 수행될 수 있다.
금속막을 형성하는 단계는 금속층을 형성하는 단계, 및 금속층을 소정패턴으로 패터닝하는 단계로 수행될 수 있다.
금속층을 형성하는 단계는 멤브레인을 형성한 후, 제1전극을 형성한 후, 압전막을 형성한 후, 및 제2전극을 형성한 후 중 적어도 한 시점에서 수행되는 것이 바람직하다. 이때, 금속층을 형성하는 단계가 제2전극을 형성한 후 수행될 경우, 금속막은 제1 및 제2전극을 외부회로와 전기적으로 연결하는 전극패드와 함께 전극패드와 동일한 금속이나 제1 및 제2전극과 동일한 금속으로 형성되는 것이 바람직하다. 또, 금속층은 금(Au), 티탄(Ti), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 백금(Pt), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 또는 니켈(Ni)로 형성된 것이 바람직하다.
금속층을 소정패턴으로 패터닝하는 단계는 금속층을 제1 및 제2전극 중 적어도 하나의 활성영역 부분을 에워싸는 띠 형태로 패터닝하는 것으로 수행하는 것이 바람직하다. 이때, 띠 형태는 중간을 따라 형성된 적어도 하나의 홈 및 관통홀 중의 하나를 구비할 수 있다.
희생층을 제거하는 단계는 금속층을 소정패턴으로 패터닝하는 단계후에 수행된다.
선택적으로, 본 발명의 공진기의 제조방법은 제1 및 제2전극 중 적어도 하나 의 활성영역 부분의 외곽부에 금속막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 공진기 및 그 제조방법을 상세히 설명하기로 한다.
도 1는 본 발명의 일실시예에 따른 공진기로써 박막 벌크 음향 공진기(Film Bulk Acoustic Resonator : 이하 "FBAR"이라 함)를 예시하는 평면도이고, 도 2는 도 1의 선 I-I을 따라 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 FBAR(100)은 기판(110), 절연층(120), 에어 캐비티(112), 및 공진부(135)를 구비한다.
기판(110)은 통상의 실리콘 기판으로 구성된다.
기판(110)의 상면에는 기판(110)에 대해 공진부(135)를 전기적으로 격리시키는 절연층(120)이 마련된다. 절연층(120)은 이산화규소(SiO2)나 산화알루미늄(Al2O2)을 화학 기상 증착법(Chemical vapor deposition), RF 마그네트론 스퍼터링(RF Magnetron Sputtering)법, 또는 에바포레이션(Evaporation) 법으로 기판(110) 상에 증착하는 것에 의해 형성된다.
절연층(120)상에는 에어 캐비티(112)가 배치된다. 에어 캐비티(112)는 공진부(135)가 소정 방향으로 진동할 수 있도록 공진부(135)의 하부에 위치한다. 에어 캐비티(112)는 후술하는 바와 같이 절연층(123)상에 에어 캐비티 희생층 패턴(111; 도 3b 참조)을 형성한 다음 에어 캐비티 희생층 패턴(111)상에 멤브레인(130)을 형성한 후 에어 캐비티 희생층 패턴(111)을 에칭하여 제거하는 공정에 의해 형성된 다.
공진부(135)는 에어 캐비티(112)의 상부에 위치되도록 차례로 적층된 제1전극(140), 압전막(150) 및 제2전극(160)을 구비한다.
제1전극(140)은 에어 캐비티(112)를 구성하는 멤브레인(130)의 상면에 배치된다. 제1전극(140)은 금속과 같은 통상의 도전성 물질로 형성된다. 구체적으로, 제1전극(140)은 금(Au), 티탄(Ti), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 백금(Pt), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 또는 니켈(Ni)로 구성될 수 있다.
압전막(150)은 절연층(120), 멤브레인(130) 및 제1전극(140)의 상면을 덮도록 배치된다. 압전막(150)은 전기적 에너지를 탄성파 형태의 기계적 에너지로 변환하는 압전효과를 일으키는 부분으로, 질화알루미늄(AlN), 산화아연(ZnO), 납 지르코늄 티타늄 산화물(PZT; PbZrTiO) 등으로 형성된다.
제2전극(160)은 압전막(150)상에 배치된다. 제2전극(160)은 제1전극(140)과 마찬가지로, 금(Au), 티탄(Ti), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 백금(Pt), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 또는 니켈(Ni)과 같은 도전성 물질로 형성된다.
이러한 공진부(135)는 활성영역과 비활성영역으로 구분된다. 도 2에 도시한 바와 같이, 공진부(135)의 활성영역은 제1 및 2전극(140, 160)에 RF(Radio Frequency) 신호와 같은 전기에너지가 인가되어 압전막(150) 내에 전계가 유기될 때 압전 현상에 의해 소정 방향으로 진동하여 공진하는 영역으로, 에어 캐비티(112) 위쪽에서 제1전극(140), 압전막(150) 및 제2전극(160)이 모두 수직방향으로 겹쳐진 부분이다. 즉, 도 2에 도시한 실시예에서, 공진부(135)의 활성영역의 오른쪽 부분은 제1전극(140)의 오른쪽 단부에 의해 규정되고, 왼쪽 부분은 에어 캐비티(112)의 왼쪽단부에 의해 규정된다. 공진부(135)의 비활성영역은 제1 및 2전극(140, 160)에 전기에너지가 인가되더라도 압전 현상에 의해 공진하지 않는 영역으로, 활성영역 밖에서 압전막(150) 및 제2전극(160)만 겹쳐지는 부분이다.
이와 같이 구성된 공진부(135)는 상술한 압전막(150)의 압전(piezo electric) 효과를 이용하여 특정주파수의 무선신호를 필터링한다. 즉, 제2전극(160)을 통해 인가되는 RF신호는 공진부(135)를 거쳐 제1전극(140) 방향으로 출력될 수 있다. 이 경우, 공진부(135)는 압전막(150)에 발생하는 진동에 따른 일정한 공진주파수를 가지므로, 입력된 RF 신호 중 공진부(135)의 공진 주파수와 일치하는 신호만이 출력되게 된다.
그러나, 이러한 공진부(135)는 종래기술의 설명에서 언급한 바와 같이, 동작시 측방향 모드형태로 변환된 음향파 형태의 에너지가 활성영역 바깥쪽이나 기판(110)으로 유출되어 손실을 발생한다.
이러한 손실을 방지하기 위하여, 공진부(135)의 비활성영역에 위치한 제2전극(160)상에는 금속막(170)이 배치된다. 도 1에 도시한 바와 같이, 금속막(170)은 제2 전극(160)의 활성영역 부분을 에워싸는 소정 폭을 갖는 폐곡선 띠 형태로 형성된다. 또, 금속막(170)은 전기전도도가 높은 금속, 예를들면 금(Au), 티탄(Ti), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 백금(Pt), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 또는 니켈(Ni)로 형성된다.
금속막(170)은 공진부(135)의 제1 및 제2전극(140, 160)을 외부 회로에 연결 하는 전극패드(180; 도 1 참조)의 형성시 전극패드(180)와 함께 전극패드(180)와 동일한 금속으로 형성될 수 있다. 이때, 전극패드(180)는 위에서 설명한 금속막(170)의 재료와 동일한 재료로 형성된다.
이와 같이 구성된 금속막(170)은 제2전극(160)의 비활성영역 부분의 두께가 활성영역 부분의 두께보다 더 크도록 함으로써, 공진부(135)의 공진시 활성영역과 비활성영역 사이에서 주파수 차이를 발생한다. 그 결과, 측방향 모드형태로 변환된 음향파가 공진부(135)의 활성영역 바깥쪽으로 유출되는 것이 방지되며, 이에 따라 활성영역에서는 균일한 공진이 발생하게 된다.
또, 금속막(170)은 제2전극(160)에 접촉하여 배치되므로 제2전극(160)의 두께를 증가시키는 효과를 제공할 뿐 아니라, 전기전도도가 높은 금속으로 형성되므로 특정한 재질, 예를들면 금(Au), 티탄(Ti), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 백금(Pt), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 또는 니켈(Ni)로 형성된 제2전극(160)과 결합하여 제2전극(160)의 전기전도도를 개선하는 역할을 한다. 그 결과, 제2전극(160)의 두께와 재질에 따라 불가피하게 발생되었던 전기저항에 의한 삽입손실이 개선되게 된다.
본 출원인의 실험결과에 따르면, 도 6에 예시한 바와 같이, 본 발명에 따라 금속막(170)을 형성한 경우 공진부(135)의 통과특성(S21)은 금속막(170)을 형성하지 않는 경우의 공진부의 통과특성(S21') 보다 스미스 챠트(Smith's chart)상의 원에서부터 덜 벗어나는 개선된 결과를 나타냄을 알 수 있다.
이상에서, 금속막(170)은 제2전극(160)의 상면에 배치된 것으로, 예시 및 설 명하였지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 예를들면, 금속막(170')은, 음향파가 활성영역 바깥쪽으로 유출되는 것을 방지하고 전기저항에 의한 삽입손실을 개선할 수 있는 위치, 즉 공진부(135)의 비활성영역에서 제1전극(140)의 하면(도시하지 않음), 제1전극(140)의 상면(170'; 도 4 참조), 또는 제2전극(160)의 하면(도시하지 않음)에 배치될 수도 있다.
또, 금속막(170)은 제2전극(160)의 비활성영역 부분에만 배치된 것으로 예시 및 설명하였지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 예를들면, 도 5에 도시한 바와 같이, 금속막(170")은 제2전극(160; 또는 제1전극)의 비활성영역 부분에 배치됨과 동시에, 위에서 설명한 공진특성 및 삽입손실 개선효과를 저하시키지 않는 범위에서 제2전극(160; 또는 제1전극)의 활성영역 부분의 외곽부(Edge) 까지도 더 연장되도록 형성될 수 있다.
또한, 금속막(170)은 균일한 두께를 갖는 평편한 폐곡선 띠 형태로 구성된 것으로 예시 및 설명하였지만, 도 7a 및 도 7b에 도시한 바와 같이, 금속막(170"', 170"")은 폐곡선 띠 형태의 중간을 따라 형성된 적어도 하나의 폐곡선 형태의 홈(171) 또는 관통홀(172)을 구비할 수 있다. 홈(171) 또는 관통홀(172)은 공진시 금속막이 형성된 부분에서의 주파수 특성을 변화시킴으로써, 측방향 모드형태로 변환된 음향파가 공진부(135)의 활성영역 바깥쪽으로 유출되는 것을 이중으로 방지하는 역할을 한다. 따라서, 이 경우 FBAR의 삽입손실은 홈(171) 또는 관통홀(172)을 형성하지 않은 금속막을 구비하는 FBAR 보다 더 감소될 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 FBAR(100)은 공진부(135)의 활 성영역과 비활성영역에서의 제1 또는 제2전극(140, 또는 160)의 부분의 두께를 서로 다르게 하는 추가 금속막(170, 170', 170", 170"', 또는 170"")을 형성함으로써, 공진부(135)의 공진특성을 향상시키고 입력손실을 줄일 수 있게 된다.
다음으로, 이상과 같이 구성된 도 1 및 도 2에 도시한 FBAR(100)를 제조하는 방법을 도 1 내지 도 3g 를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이, 기판(110)의 상면에는 이산화규소(SiO2) 또는 산화알루미늄(Al2O2)로 이루어진 절연층(120)이 증착된다.
이어서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 에어 캐비티 희생층 패턴(111)을 형성하기 위해, 절연층(120)상에는 희생층(도시하지 않음)이 형성된다. 희생층은 추후 에어 캐비티 희생층 패턴(111)이 에칭공정으로 제거될 수 있도록, 후속 전극 및 압전막의 성막이 용이하고 에칭이 용이한 폴리 실리콘과 같은 물질로 형성된다. 희생층은 포토리소그래피 공정으로 형성된 에어 캐비티(112)의 패턴을 갖는 희생층 마스크패턴(도시하지 않음)을 마스크로 사용하여 에칭되고, 희생층 마스크패턴은 제거된다. 그 결과, 기판(110)의 절연층(120)상에는 에어 캐비티 희생층 패턴(111)이 형성된다. 에어 캐비티 희생층 패턴(111)는 추후 에칭공정으로 제거되어 에어 캐비티(112)의 내면의 형태를 규정한다.
그후, 에어 캐비티 희생층 패턴(111)이 형성된 기판(110)상에는 도 3c에 도시한 바와 같이, 멤브레인(130)이 신축성 유전체 물질인 실리콘 질화막, 또는 실리콘 산화막으로 형성된다.
멤브레인(130)에 형성된 후, 도 3d 내지 도 3f에 도시된 바와 같이, 멤브레인(130) 상에는 제1전극(140), 압전막(150) 및 제2전극(160)가 차례로 적층되어 공진부(135)가 형성된다.
보다 상세히 설명하면, 먼저, 멤브레인(130)의 상부표면 전면에 걸쳐서 금(Au), 티탄(Ti), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 백금(Pt), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 또는 니켈(Ni)과 같은 도전성 물질로 이루어진 제1금속층(도시하지 않음)이 소정 두께로 증착된다. 제1금속층은 포토리소그래피 공정으로 형성된, 제1전극(140)의 패턴을 갖는 제1전극 패턴(도시하지 않음)을 마스크로 사용하여 에칭하거나, 레이저 트리밍 방법으로 패터닝되고, 그 결과, 도 3d에 도시한 바와 같이, 멤브레인(130)과 절연층(120)의 일정영역을 노출하는 제1전극(140)이 형성된다.
그 다음, 노출된 멤브레인(130)과 절연층(120) 및 제1전극(140)의 상부표면에 질화알루미늄(AlN), 산화아연(ZnO), 또는 납 지르코늄 티타늄 산화물(PZT)로 이루어진 압전층(도시하지 않음)이 소정 두께로 증착된다. 압전층은 제1전극(140)과 마찬가지로 에칭 공정이나 레이저 트리밍 방법으로 패터닝되고, 그 결과, 도 1 및 도 3e에 도시한 바와 같이, 추후 전극패드(180)를 형성할 제1전극(140)의 일정영역 및 절연층(120)을 노출하는 압전막(150)이 형성된다.
그후, 압전막(150)의 상면 전면에 금(Au), 티탄(Ti), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 백금(Pt), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 또는 니켈(Ni)과 같은 도전성 물질로 이루어진 제2금속층(도시하지 않음)이 증착된다. 제2금속층은 제1전극(140)과 마찬가지로 에칭 공정이나 레이저 트리밍 방법으로 패터닝되고, 그 결 과, 도 3f에 도시한 바와 같이, 전극패드(180)를 형성할 제1전극(140)의 일정영역과 압전막(150) 및 절연층(120)의 소정 영역을 노출하는 제2전극(160)이 형성된다.
이와 같이, 공진부(135)가 형성된 후, 금속막(170)과 전극패드(180)를 형성하기 위해, 제2전극(160)이 형성된 기판(110)의 전면에는 금(Au), 티탄(Ti), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 백금(Pt), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 또는 니켈(Ni)와 같은 전기전도도가 높은 금속으로 이루어진 제3금속층이 소정 두께로 증착된다. 제3금속층은 포토리소그래피 공정으로 형성된, 금속막(170)과 전극패드(180)의 패턴을 갖는 금속막/전극패드 패턴(도시하지 않음)을 마스크로 사용하는 에칭 공정이나, 리프트 오프(Lift off) 방법으로 패터닝된다. 그 결과, 도 1 및 도 3g에 도시한 바와 같이, 기판(110)상에는 금속막(180)과 전극패드(170)가 형성된다.
다음으로, 에어 캐비티(112)를 형성하기 위해, 에어 캐비티 희생층 패턴(111)은 에어 캐비티 희상층 패턴(111)의 희생층 물질에 관하여 에칭 선택성을 갖는 용매를 사용하는 습식에칭, 또는 XeF2 가스를 이용한 에칭공정으로 제거된다. 이때, 에어 캐비티 희생층 패턴(111)은 기판(110)에 형성된 에칭 통로(도시하지 않음)를 통해 제거될 수 있다. 그 결과, 기판(110)상에는 에어 캐비티(112)가 형성되고, FBAR(100)을 제조하는 공정은 완료된다.
이상에서 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 공진기 및 그 제조방법은 공진 이 발생하는 활성영역과 공진이 발생하지 않는 비활성영역에서의 전극의 두께를 다르게 하는 추가 금속박막을 형성함으로써, 공진부의 공진특성을 향상시키고 입력손실을 줄이는 효과를 제공한다.
또한, 본 발명에 따른 공진기 및 그 제조방법은 공진이 발생하는 활성영역외의 전극의 부분에 금속막을 추가 형성함으로써, 전극의 두께를 증가시키거나 전극을 전기전도도가 높은 고가의 재질로 형성하지 않고도 전극의 전기저항에 따른 입력손실을 줄일 수 있는 효과를 제공한다.
이상에서, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어 져서는 안 될 것이다.

Claims (18)

  1. 기판; 및
    상기 기판상에 차례로 적층된 제1전극, 압전막 및 제2전극을 구비하고, 공진을 발생하는 활성영역과 공진을 발생하지 않은 비활성영역으로 구분된 공진부를 포함하며,
    상기 압전막은 상기 제1전극의 상면 전체를 덮도록 배치되며,
    상기 제1 및 제2전극 중 적어도 하나는 비활성영역 부분의 적어도 일부가 활성영역 부분 보다 큰 두께를 가지도록 상기 비활성영역 부분의 상기 적어도 일부에 형성된 금속막을 포함하며,
    상기 금속막은 상기 제1 및 제2전극 중 상기 적어도 하나의 상기 활성영역 부분을 에워싸는 폐곡선 띠 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 공진기.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 금속막은 상기 제1전극의 하면, 상기 제1전극의 상면, 상기 제2전극의 하면, 및 상기 제2전극의 상면 중 적어도 한 곳에 형성된 것을 특징으로 하는 공진기.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 금속막은 상기 폐곡선 띠 형태의 중간을 따라 형성된 적어도 하나의 홈 및 적어도 하나의 관통홀 중의 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 공진기.
  6. 제1항에 있어서, 상기 금속막은 상기 공진부의 상기 제1 및 제2전극을 외부회로와 전기적으로 연결하는 전극패드의 형성시 상기 전극패드와 동일한 금속 및 상기 제1 및 제2 금속과 동일한 금속 중 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 공진기.
  7. 제1항에 있어서. 상기 금속막은 금(Au), 티탄(Ti), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 백금(Pt), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 및 니켈(Ni) 중의 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 공진기.
  8. 제1항에 있어서, 상기 금속막은 상기 제1 및 제2전극 중 상기 적어도 하나의 상기 활성영역 부분의 외곽부가 상기 활성영역 부분의 중심부 보다 더 큰 두께를 가지도록 상기 활성영역 부분의 상기 외곽부에도 형성된 것을 특징으로 하는 공진기.
  9. 기판상에 제1전극, 압전막 및 제2전극을 차례로 적층하여 공진부를 형성하는 단계; 및
    상기 제1 및 제2전극 중 적어도 하나의 비활성영역 부분의 적어도 일부에 금속막을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 압전막은 상기 제1전극의 상면 전체를 덮도록 배치되며,
    상기 금속막을 형성하는 단계는,
    금속층을 형성하는 단계; 및
    상기 금속층을 상기 제1 및 제2전극 중 적어도 하나의 활성영역 부분을 에워싸는 폐곡선 띠 형태로 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 공진기의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 공진부를 형성하는 단계는,
    상기 기판상에 희생층을 형성하는 단계;
    상기 희생층상에 멤브레인을 형성하는 단계;
    상기 멤브레인상에 상기 제1전극, 상기 압전막, 및 상기 제2전극을 차례로 형성하는 단계; 및
    상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 공진기의 제조방법.
  11. 삭제
  12. 제10항에 있어서, 상기 금속층을 형성하는 단계는 상기 멤브레인을 형성한 후, 상기 제1전극을 형성한 후, 상기 압전막을 형성한 후, 및 상기 제2전극을 형성한 후 중 적어도 한 시점에서 수행되는 것을 특징으로 하는 공진기의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 금속층을 형성하는 단계가 상기 제2전극을 형성한 후 수행될 경우, 상기 금속막은 상기 공진부의 상기 제1 및 제2전극을 외부회로와 전기적으로 연결하는 전극패드와 함께 상기 전극패드와 동일한 금속 및 상기 제1 및 제2 금속과 동일한 금속 중 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 공진기의 제조방법.
  14. 제10항에 있어서, 상기 금속층은 금(Au), 티탄(Ti), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 백금(Pt), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 및 니켈(Ni) 중의 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 공진기의 제조방법.
  15. 삭제
  16. 제10항에 있어서, 상기 폐곡선 띠 형태는 중간을 따라 형성된 적어도 하나의 홈 및 관통홀 중의 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 공진기의 제조방법.
  17. 제10항에 있어서, 상기 희생층을 제거하는 단계는 상기 금속층을 소정패턴으로 패터닝하는 단계 후 수행되는 것을 특징으로 하는 공진기의 제조방법.
  18. 제9항에 있어서, 상기 제1 및 제2전극 중 상기 적어도 하나의 상기 활성영역 부분의 외곽부에 금속막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공진기의 제조방법.
KR20060077224A 2006-08-16 2006-08-16 공진기 및 그 제조 방법 KR101238360B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20060077224A KR101238360B1 (ko) 2006-08-16 2006-08-16 공진기 및 그 제조 방법
US11/657,587 US7795692B2 (en) 2006-08-16 2007-01-25 Resonator and fabrication method thereof
JP2007125518A JP4685832B2 (ja) 2006-08-16 2007-05-10 共振器およびその製造方法
EP20070113055 EP1890380A1 (en) 2006-08-16 2007-07-24 Resonator and fabrication method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20060077224A KR101238360B1 (ko) 2006-08-16 2006-08-16 공진기 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080015632A KR20080015632A (ko) 2008-02-20
KR101238360B1 true KR101238360B1 (ko) 2013-03-04

Family

ID=38699669

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20060077224A KR101238360B1 (ko) 2006-08-16 2006-08-16 공진기 및 그 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7795692B2 (ko)
EP (1) EP1890380A1 (ko)
JP (1) JP4685832B2 (ko)
KR (1) KR101238360B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112532200A (zh) * 2020-11-11 2021-03-19 武汉衍熙微器件有限公司 声波器件的制作方法及声波器件
US11437975B2 (en) 2019-09-06 2022-09-06 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk acoustic resonator and filter device

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006035874B3 (de) * 2006-08-01 2008-02-07 Epcos Ag Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Filter
US20090053401A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Maxim Integrated Products, Inc. Piezoelectric deposition for BAW resonators
US8512800B2 (en) 2007-12-04 2013-08-20 Triquint Semiconductor, Inc. Optimal acoustic impedance materials for polished substrate coating to suppress passband ripple in BAW resonators and filters
US7768364B2 (en) * 2008-06-09 2010-08-03 Maxim Integrated Products, Inc. Bulk acoustic resonators with multi-layer electrodes
JP5293557B2 (ja) 2008-12-17 2013-09-18 セイコーエプソン株式会社 超音波トランスデューサー、超音波トランスデューサーアレイ及び超音波デバイス
US8456257B1 (en) * 2009-11-12 2013-06-04 Triquint Semiconductor, Inc. Bulk acoustic wave devices and method for spurious mode suppression
KR101708893B1 (ko) 2010-09-01 2017-03-08 삼성전자주식회사 체적 음향 공진기 구조 및 제조 방법
US8791776B2 (en) * 2011-01-19 2014-07-29 Wei Pang Acoustic wave resonator having a gasket
US9991871B2 (en) * 2011-02-28 2018-06-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator comprising a ring
US9425764B2 (en) * 2012-10-25 2016-08-23 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features
US9444426B2 (en) 2012-10-25 2016-09-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature
US9590165B2 (en) 2011-03-29 2017-03-07 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator comprising aluminum scandium nitride and temperature compensation feature
KR101945723B1 (ko) * 2011-10-25 2019-02-11 삼성전자주식회사 박막 벌크 음향 공진기 및 박막 벌크 음향 공진기의 제조방법
KR101856060B1 (ko) * 2011-12-01 2018-05-10 삼성전자주식회사 체적 음향 공진기
KR101973423B1 (ko) * 2014-12-08 2019-04-29 삼성전기주식회사 음향 공진기 및 그 제조 방법
US10084425B2 (en) 2015-05-29 2018-09-25 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure having comprising a plurality of connection-side contacts
US10396755B2 (en) 2016-02-17 2019-08-27 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Resonator having frame and method of manufacturing the same
JP7036487B2 (ja) * 2016-07-07 2022-03-15 サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド． 弾性波フィルタ装置及びその製造方法
KR101922878B1 (ko) * 2016-07-14 2018-11-29 삼성전기 주식회사 탄성파 공진기 장치
US10756700B2 (en) * 2016-07-14 2020-08-25 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk acoustic wave resonator device
CN109642891A (zh) * 2016-08-11 2019-04-16 Qorvo美国公司 具有受控放置的功能化材料的声谐振器装置
KR102154650B1 (ko) * 2016-08-26 2020-09-10 삼성전기주식회사 체적 음향 공진기 및 이를 구비하는 필터
US10734968B2 (en) 2016-08-26 2020-08-04 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk acoustic resonator and filter including the same
US10715099B2 (en) 2016-10-28 2020-07-14 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk acoustic wave resonator and method for manufacturing the same
JP6556113B2 (ja) * 2016-12-21 2019-08-07 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ
US10873316B2 (en) * 2017-03-02 2020-12-22 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Acoustic resonator and method of manufacturing the same
KR102052795B1 (ko) * 2017-03-23 2019-12-09 삼성전기주식회사 음향 공진기
US11418168B2 (en) * 2017-05-30 2022-08-16 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Acoustic resonator and method for manufacturing the same
JP2019193168A (ja) * 2018-04-26 2019-10-31 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． バルク音響共振器及びその製造方法
US11469735B2 (en) * 2018-11-28 2022-10-11 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device, filter, and multiplexer
KR102212376B1 (ko) * 2018-12-13 2021-02-04 (주)와이솔 압전 박막 공진기
KR102149386B1 (ko) * 2019-04-16 2020-08-28 삼성전기주식회사 음향 공진기 및 음향 공진기 필터
CN113872553A (zh) * 2020-06-30 2021-12-31 诺思(天津)微系统有限责任公司 体声波谐振器及制造方法、滤波器及电子设备
CN115276589A (zh) * 2021-04-30 2022-11-01 诺思(天津)微系统有限责任公司 体声波谐振器、滤波器及电子设备
CN115276598A (zh) * 2021-04-30 2022-11-01 诺思(天津)微系统有限责任公司 体声波谐振器及制造方法、滤波器及电子设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006027873A1 (ja) * 2004-09-10 2006-03-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. 圧電薄膜共振子

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60189307A (ja) * 1984-03-09 1985-09-26 Toshiba Corp 圧電薄膜共振器およびその製造方法
KR950001303A (ko) * 1993-06-22 1995-01-03 이헌조 박막 적외선 센서구조 및 그 제조 방법
US5612536A (en) * 1994-02-07 1997-03-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thin film sensor element and method of manufacturing the same
US5692279A (en) * 1995-08-17 1997-12-02 Motorola Method of making a monolithic thin film resonator lattice filter
JP3296158B2 (ja) 1995-09-01 2002-06-24 株式会社村田製作所 圧電薄膜振動子
WO1998052280A1 (fr) * 1997-05-13 1998-11-19 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Dispositif a couche mince piezo-electrique
US6396200B2 (en) 1998-01-16 2002-05-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Thin film piezoelectric element
EP1078453B1 (de) * 1998-05-08 2003-04-16 Infineon Technologies AG Dünnfilm-piezoresonator
FI107660B (fi) 1999-07-19 2001-09-14 Nokia Mobile Phones Ltd Resonaattorirakenne
JP2005236337A (ja) * 2001-05-11 2005-09-02 Ube Ind Ltd 薄膜音響共振器及びその製造方法
DE10241425B4 (de) 2002-09-06 2015-06-18 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitender Resonator mit Unterdrückung störender Nebenmoden
JP4128836B2 (ja) 2002-09-27 2008-07-30 Ｔｄｋ株式会社 薄膜圧電共振子、それを用いたフィルタ及びデュプレクサ
JP2005159402A (ja) 2003-11-20 2005-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 音響共振器
JP2006019935A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Toshiba Corp 薄膜圧電共振器及びその製造方法
JP4431891B2 (ja) * 2004-12-28 2010-03-17 セイコーエプソン株式会社 圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、薄膜圧電共振子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、および電子機器
JP4803183B2 (ja) * 2005-11-04 2011-10-26 株式会社村田製作所 圧電薄膜共振子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006027873A1 (ja) * 2004-09-10 2006-03-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. 圧電薄膜共振子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11437975B2 (en) 2019-09-06 2022-09-06 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk acoustic resonator and filter device
CN112532200A (zh) * 2020-11-11 2021-03-19 武汉衍熙微器件有限公司 声波器件的制作方法及声波器件

Also Published As

Publication number Publication date
EP1890380A1 (en) 2008-02-20
KR20080015632A (ko) 2008-02-20
US20080042780A1 (en) 2008-02-21
JP2008048380A (ja) 2008-02-28
JP4685832B2 (ja) 2011-05-18
US7795692B2 (en) 2010-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101238360B1 (ko) 공진기 및 그 제조 방법
KR100622398B1 (ko) 필름 벌크 음향 공진기 및 그 제조 방법
JP6388411B2 (ja) 音響共振器及びその製造方法
US7253705B2 (en) Air-gap type thin-film bulk acoustic resonator and fabrication method therefor
JP5319491B2 (ja) 圧電薄膜共振子
KR100662865B1 (ko) 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법
KR101901696B1 (ko) 체적 음향 공진기 및 이를 포함하는 필터
JP3985965B2 (ja) 金属膜の内部応力を用いた薄膜バルク音響共振器の製造方法および共振器
JP4903636B2 (ja) 共振器、それを備えた装置、および共振器の製造方法
JP2018148548A (ja) 音響共振器及びその製造方法
CN107317561B (zh) 体声波谐振器及其制造方法
JP4520415B2 (ja) 圧電薄膜共振器及びその製作方法
CN108988812B (zh) 声波谐振器及用于制造声波谐振器的方法
KR20130044905A (ko) 박막 벌크 음향 공진기 및 박막 벌크 음향 공진기의 제조방법
KR102066958B1 (ko) 필터
KR20180131313A (ko) 음향 공진기 및 그의 제조 방법
KR20180131314A (ko) 음향 공진기 및 그의 제조 방법
KR102172636B1 (ko) 체적 음향 공진기
KR102029527B1 (ko) 체적 음향 공진기
JP5340876B2 (ja) 弾性波デバイス、フィルタ、通信モジュール、通信装置
KR20160130691A (ko) 체적 음향 공진기 및 이를 포함하는 필터

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160119

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170119

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180119

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190116

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200120

Year of fee payment: 8