KR950001303A - 박막 적외선 센서구조 및 그 제조 방법 - Google Patents

박막 적외선 센서구조 및 그 제조 방법 Download PDF

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이돈희
조성문
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이헌조
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    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
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    • H—ELECTRICITY
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    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract

본 발명은 박막적외선 센서에 관한 것으로, 종래 박막적외선 센서는 기판상의 초전체박막위에 하부전극을 먼저 형성하고 상부전극은 기판을 에칭한 후에 형성하므로, 기판에칭시 초전체박막이 에칭용액에 노출되어 박막표면이 나빠질 수 있고, 상부전극을 기판계면상에 형성할 수 없어 소자의 패키징이 어려운 문제점이 있었다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 기판상에 (100)면으로 배향된 백금박막을 이용해 하부전극을 형성하고, 그 귀에 초전체박막을 형성하여 그 초전체박막의 C축 배향율을 향상시켜 센서의 감도를 높이고, 전극위에 초전체박막을 직접 형성할 수 있어 공정수에 따른 제조비용을 줄일 수 있고, 멤브레인 기판구조에 의해 제조공정의 안정화를 꾀할 수 있게 된다.

Description

박막적외선 센서 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명 박막적외선 센서의 구조도, 제 3 도는 제 2 도에 있어서 초전체박막의 X-선 회절 분석도.

Claims (7)

  1. 기판위에 하부전극과 센서의 감도를 높이는 초전체층과 적외선을 흡수하는 상부전극을 차례로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막적외선 센서.
  2. 제 1 항에 있어서, 하부전극과 초전체박막 사이의 끝단에 백금패드를 형성하는 것을 특징으로 하는 박막적외선 센서.
  3. 제 1 항에 있어서, 하부전극은 (100)면으로 에피택셜 성장된 백금박막을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막적외선 센서.
  4. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서 하부전극은 100∼600Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막적외선 센서.
  5. 제 1 항에 있어서, 기판은 (100)면을 갖는 MgO 단결정기판이나 SrTiO3단결정기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막적외선 센서.
  6. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서 기판은 두께가 얇은 멤브레인 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막적외선 센서.
  7. 제 1 항에 있어서, 초전체박막은 Pb1-xLaxTiO3(x:0∼0.15)의 강유전체로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막적외선 센서.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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