KR920001677A - 격리막 제조방법 - Google Patents

격리막 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR920001677A
KR920001677A KR1019900008547A KR900008547A KR920001677A KR 920001677 A KR920001677 A KR 920001677A KR 1019900008547 A KR1019900008547 A KR 1019900008547A KR 900008547 A KR900008547 A KR 900008547A KR 920001677 A KR920001677 A KR 920001677A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
isolation
separator manufacturing
isolation film
manufacturing
Prior art date
Application number
KR1019900008547A
Other languages
English (en)
Other versions
KR930005478B1 (ko
Inventor
최용규
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 금성일렉트론 주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019900008547A priority Critical patent/KR930005478B1/ko
Publication of KR920001677A publication Critical patent/KR920001677A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR930005478B1 publication Critical patent/KR930005478B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76Making of isolation regions between components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Element Separation (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

격리막 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a~e도는 종래의 격리막 제조공정도.
제2a~f도는 본 발명에 따른 격리막 제조 공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 실리콘기판 2 : 산화막
2a : 함몰산화막 3 : 에피텍셜층
4 : 격리막 5 : 단결정결함

Claims (1)

  1. IC내 소자간의 격리를 위해 사용되는 격리막 형성부위에 함몰산화막을 형성한후 단결정막인 에피텍셜층을 성장시킴으로서 의도적인 결정결함을 형성하여 불순물을 선택적으로 확산시켜 격리막을 제조하는 것을 특징으로 하는 격리막 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900008547A 1990-06-11 1990-06-11 격리막 제조방법 KR930005478B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900008547A KR930005478B1 (ko) 1990-06-11 1990-06-11 격리막 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900008547A KR930005478B1 (ko) 1990-06-11 1990-06-11 격리막 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920001677A true KR920001677A (ko) 1992-01-30
KR930005478B1 KR930005478B1 (ko) 1993-06-22

Family

ID=19299971

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900008547A KR930005478B1 (ko) 1990-06-11 1990-06-11 격리막 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR930005478B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR930005478B1 (ko) 1993-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920001677A (ko) 격리막 제조방법
KR900010945A (ko) 화합물반도체 디바이스의 제조방법과 화합물 반도체 디바이스
KR920003448A (ko) 바이폴라 소자의 메몰층 형성방법
KR920003546A (ko) 반도체 제조방법
KR860000704A (ko) 반도 체장치의 제법
KR920017213A (ko) 반도체 장치의 소자격리 방법
KR880010508A (ko) 반도체장치와 그 제조방법
KR910010632A (ko) 식각과 열화산화 기술에 의한 에스오아이(soi)의 제조방법
KR970052785A (ko) 반도체 소자 제조방법
KR960019576A (ko) 롬(rom)의 게이트절연막 형성방법
KR890005851A (ko) 반도체 장치의 소자분리 방법
KR910010633A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR890007431A (ko) 선택적으로 산화된 기판상에 에피택셜 실리콘층과 다결정 실리콘층을 동시에 성장시키는 증착방법
KR940016448A (ko) 평탄한 박막을 갖는 반도체기판의 제조방법
KR920015451A (ko) 트랜지스터의 격리층 형성방법
KR910005472A (ko) 반도체 소자의 dc 제조 방법
KR910013514A (ko) 반도체소자의 소자분리 산화막 제조방법
KR920013668A (ko) 반도체 장치의 소자격리 방법
KR920015433A (ko) 모스 트렌지스터 공정방법
KR890011087A (ko) 반도체소자 제조방법
KR920020595A (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR920013743A (ko) 열산화막 공정을 이용한 게이트 형성방법
KR920015633A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR970054532A (ko) 반도체소자의 소자분리막 제조방법
KR970053478A (ko) 반도체 장치의 소자 분리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20040331

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee