CN110417371B - 基于声子晶体的薄膜体声波谐振器 - Google Patents
基于声子晶体的薄膜体声波谐振器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110417371B CN110417371B CN201910557023.5A CN201910557023A CN110417371B CN 110417371 B CN110417371 B CN 110417371B CN 201910557023 A CN201910557023 A CN 201910557023A CN 110417371 B CN110417371 B CN 110417371B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- resonator
- piezoelectric
- bulk acoustic
- phononic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 34
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 6
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PILOURHZNVHRME-UHFFFAOYSA-N [Na].[Ba] Chemical compound [Na].[Ba] PILOURHZNVHRME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 2
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02102—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/0211—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/174—Membranes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/023—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the membrane type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本发明提供一种基于声子晶体的薄膜体声波谐振器，包括衬底；声子晶体层，声子晶体交叠沉积在衬底表面上，散射体周期排列在基体材料中，散射体的材料与基体不同；压电振荡堆层，由下至上包括底电极，压电材料薄膜和顶电极。本发明利用材料结构设计来加强薄膜体声波谐振器中纵波的反射，以及减少横向剪切波的耗损。散射体能够在特定的工作频率范围内对声波屏蔽，对应工作频率的声波将被完全反射，减小横向剪切波，提高谐振器的Q值。另外所述基于声子晶体的薄膜体声波谐振器不需要在衬底上设置空腔结构，增强了谐振器的稳定性，同时谐振器产生的热量可以有效的通过声子晶体传输和散热，增强了谐振器的散热能力，提高其功率容量。
Description
技术领域
本发明涉及谐振器技术领域，具体涉及一种基于声子晶体的薄膜体声波谐振器。
背景技术
随着无线通信的迅猛发展，无线信号变得越来越拥挤，对工作在射频频段的滤波器提出了集成化、微型化、低功耗、高性能、低成本等新的要求。传统的声表面波谐振器因为频率及承受功率等的限制，无法达到这样的技术指标。薄膜体声波谐振器(FBAR)由于具有CMOS工艺兼容、高品质因数(Q值)、低损耗、低温度系数、高的功率承载能力的特性逐渐成为射频滤波器研究的热点。
薄膜体声波谐振器是利用压电薄膜的压电效应，在上、下电极之间施加一个电信号，由于压电薄膜的压电效应会产生声信号，声信号在电极之间振荡，声波分为沿厚度震动模式和横向震动模式，其中只有满足声波全反射条件的厚度震动模式声波才会被保留下来，横向振动模式的声波将被消耗，保留下来的声信号再转化为电信号输出，从而实现电信号的选频。其中由于横向震动模式的声波造成了声波能量的损失，降低了能量转换效率，增大了FBAR的插入损耗，降低了品质因子Q值。
薄膜体声波谐振器可分为空气隙型、硅背面刻蚀型以及固态封装型。其中固态封装型薄膜体声波谐振器相对于空腔隙型和硅背面刻蚀型体声波谐振器，其加工工艺简单，机械稳定性和机械强度好。但是由于声波的反射依靠的是薄膜间的布拉格反射，不能将纵波完全反射，更加不能反射横向剪切波，故其器件的品质因子(Q值)不高，声波损耗较大。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的缺陷，提供一种基于声子晶体的薄膜体声波谐振器。通过在衬底上沉积声子晶体层，然后在声子晶体上依次沉积底电极，压电材料薄膜层和顶电极，使之形成压电薄膜堆叠结构，最后形成一种全新的基于声子晶体的薄膜体声波谐振器。
为实现上述目的，本发明提供的基于声子晶体的薄膜体声波谐振器，其特征在于：包括衬底、依次沉积在衬底正面上的声子晶体层和压电振荡堆结构；所述压电振荡堆结构包括底电极、压电材料薄膜层及顶电极的三明治结构；
所述声子晶体层包括多层交替沉积且周期排列的的声子晶体；所述每层声子晶体包括交替周期排列的散射体和基体；所述散射体和基体的材料不同，且材料的物理属性相差较大。
作为优选方案，所述衬底适用于薄膜体声波谐振器，为高阻硅、蓝宝石衬底或SOI衬底中任一种。
进一步地，所述声子晶体层中包含的散射体形状为柱体。
更进一步地，所述柱体为圆柱形、三棱柱、长方体或正六边形柱体中的一种或多种组合。
更进一步地，所述底电极和顶电极均为金属薄膜；所述压电材料薄膜层为具有压电效应的薄膜材料。
更进一步地，所述金属薄膜为钼、铂、金、银或铬中的任意一种；所述具有压电效应的薄膜材料为氮化铝、氧化锌、铌酸锂、PZT或铌酸钡钠中的任意一种。
本发明的优点及有益效果如下：
本发明的基于声子晶体的薄膜体声波谐振器，主要是利用材料结构设计来加强薄膜体声波谐振器中纵波的反射，以及减少横向剪切波的耗损。所述散射体在基体材料中周期排列的声子晶体层结构利用材料特性差异产生声子带隙结构，因此能够在特定的工作频率范围内对声波屏蔽，对应工作频率的声波将被完全反射，减小横向剪切波，提高谐振器的Q值。另外所述基于声子晶体的薄膜体声波谐振器不需要在衬底上设置空腔结构，增强了谐振器的稳定性，同时谐振器产生的热量可以有效的通过声子晶体传输和散热，增强了谐振器的散热能力，提高其功率容量。
附图说明
图1为本发明实施例一中涉及的第一种基于声子晶体的薄膜体声波谐振器的剖面图。
图2为本发明实施例二中涉及的第二种基于声子晶体的薄膜体声波谐振器的剖面图。
图3为本发明实施例三中涉及的第三种基于声子晶体的薄膜体声波谐振器的剖面图。
图4为本发明实施例三中涉及的第三种基于声子晶体的薄膜体声波谐振器的声子晶体层结构示意图。
图中：基于声子晶体的薄膜体声波谐振器10、衬底110、基体120、散射体130、声子晶体层140、底电极150、压电材料薄膜层160、顶电极170、压电振荡堆结构180。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步地详细地说明。
实施例一
如图1所示，本发明的基于声子晶体的薄膜体声波谐振器10包括衬底110，该衬底材料为高阻硅；包括形成在衬底正面的声子晶体层140，形成在该声子晶体层140上的压电振荡堆结构180；其中该声子晶体层包括多层周期排列的声子晶体，每层声子晶体以不同材料的散射体和基体交替周期排列而成，例如散射体130材料可选二氧化硅，空气等低声速材料，基体120材料可选钨，高阻硅，氮化铝等高声速材料；在本实施例中所述声子晶体中散射体结构为长方体，基体结构也为长方体；在本发明中声子晶体并不限于上诉结构和材料，所有适用于声子晶体的结构和材料都能应用于本发明的薄膜体声波谐振器。
实施例二
如图2所示，本发明的基于声子晶体的薄膜体声波谐振器10包括衬底110，该衬底材料为高阻硅；包括形成在衬底正面的声子晶体层140，形成在该声子晶体层140上的压电振荡堆结构180；其中该声子晶体层包括多层周期排列的声子晶体，每层声子晶体以不同材料的散射体和基体交替周期排列而成，例如散射体130材料可选二氧化硅，空气等低声速材料，基体120材料可选钨，高阻硅，氮化铝等高声速材料；在本实施例中所述声子晶体中散射体结构为正六边形柱体，基体结构为长方体；在本发明中声子晶体并不限于上诉结构和材料，所有适用于声子晶体的结构和材料都能应用于本发明的薄膜体声波谐振器。
实施例三
如图3-4所示，本发明的基于声子晶体的薄膜体声波谐振器10包括衬底110，该衬底材料为高阻硅；包括形成在衬底正面的声子晶体层140，形成在该声子晶体层140上的压电振荡堆180；其中该声子晶体层包括多层周期排列的声子晶体，每层声子晶体以不同材料的散射体和基体交替周期排列而成，例如散射体130材料可选二氧化硅，空气等低声速材料，基体120材料可选钨，高阻硅，氮化铝等高声速材料；在本实施例中所述声子晶体中散射体结构为正六边形柱体，基体结构为正六边形柱体；在本发明中声子晶体并不限于上诉结构和材料，所有适用于声子晶体的结构和材料都能应用于本发明的薄膜体声波谐振器。
Claims (1)
1.一种基于声子晶体的薄膜体声波谐振器，其特征在于：包括衬底(110)、依次沉积在衬底(110)正面上的声子晶体层(140)和压电振荡堆结构(180)；所述压电振荡堆结构(180)包括底电极(150)、压电材料薄膜层(160)及顶电极(170)的三明治结构；
所述声子晶体层(140)包括多层交替沉积且周期排列的的声子晶体，所述多层交替沉积呈现为相邻两层声子晶体错开排布；所述每层声子晶体包括交替周期排列的散射体(130)和基体(120)；所述散射体(130)和基体(120)的材料不同，且材料的物理属性相差较大；
所述衬底(110)适用于薄膜体声波谐振器，为高阻硅、蓝宝石衬底或SOI衬底中任一种；
所述声子晶体层(140)中包含的散射体形状为柱体；
所述柱体为正六边形柱体；
所述底电极(150)和顶电极(170)均为金属薄膜；所述压电材料薄膜层(160)为具有压电效应的薄膜材料；
所述金属薄膜为钼、铂、金、银或铬中的任意一种；所述具有压电效应的薄膜材料为氮化铝、氧化锌、铌酸锂、PZT或铌酸钡钠中的任意一种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910557023.5A CN110417371B (zh) | 2019-06-25 | 2019-06-25 | 基于声子晶体的薄膜体声波谐振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910557023.5A CN110417371B (zh) | 2019-06-25 | 2019-06-25 | 基于声子晶体的薄膜体声波谐振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110417371A CN110417371A (zh) | 2019-11-05 |
| CN110417371B true CN110417371B (zh) | 2022-06-14 |
Family
ID=68359833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910557023.5A Active CN110417371B (zh) | 2019-06-25 | 2019-06-25 | 基于声子晶体的薄膜体声波谐振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110417371B (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111464147B (zh) * | 2020-04-14 | 2021-06-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 滤波器及其提升功率容量的方法、多工器及通信设备 |
| CN111877058A (zh) * | 2020-08-12 | 2020-11-03 | 中南大学 | 一种基于三维声子晶体的浮置板轨道隔振器装置 |
| CN111988006A (zh) * | 2020-08-18 | 2020-11-24 | 武汉衍熙微器件有限公司 | 薄膜体声波谐振器及其制作方法 |
| CN112073024B (zh) * | 2020-09-14 | 2023-10-20 | 电子科技大学 | 一种差分输入输出式mems谐振器及其加工方法 |
| CN112367058A (zh) * | 2020-10-27 | 2021-02-12 | 武汉大学 | 一种用声子晶体结构封装的薄膜体声波谐振器 |
| CN112234949B (zh) * | 2020-10-29 | 2024-07-30 | 武汉敏声新技术有限公司 | 一种多频段可调谐的三维体声波谐振器 |
| CN112532206B (zh) * | 2020-12-16 | 2024-07-26 | 武汉敏声新技术有限公司 | 一种双工器 |
| CN113411065A (zh) * | 2021-06-18 | 2021-09-17 | 深圳市封神微电子有限公司 | 一种具有布拉格反射栅结构的体声波谐振器 |
| CN115514340A (zh) * | 2022-09-20 | 2022-12-23 | 武汉大学 | 带有声子晶体的横向激励体声波谐振器及制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012049174A1 (fr) * | 2010-10-15 | 2012-04-19 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Filtre passe bande à ondes acoustiques comprenant un guidage acoustique intégré avec conversion d'impédance et/ou de mode |
| CN107091686A (zh) * | 2017-05-09 | 2017-08-25 | 国网江西省电力公司电力科学研究院 | 一种采用多层耦合声子晶体的声波谐振器 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101997512B (zh) * | 2010-10-28 | 2012-12-12 | 哈尔滨工业大学 | 固贴式薄膜体声波谐振器及其全绝缘布拉格反射栅制备方法 |
| WO2014163729A2 (en) * | 2013-03-21 | 2014-10-09 | Marathe Radhika | Acoustic bandgap structures for integration of mems resonators |
| CN105703733A (zh) * | 2016-01-18 | 2016-06-22 | 佛山市艾佛光通科技有限公司 | 一种固态装配型薄膜体声波谐振器的制备方法 |
| US10622966B2 (en) * | 2017-07-26 | 2020-04-14 | Texas Instruments Incorporated | Bulk acoustic wave resonators having a phononic crystal acoustic mirror |
| US11218132B2 (en) * | 2017-12-12 | 2022-01-04 | Ii-Vi Delaware, Inc. | Acoustic resonator |
-
2019
- 2019-06-25 CN CN201910557023.5A patent/CN110417371B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012049174A1 (fr) * | 2010-10-15 | 2012-04-19 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Filtre passe bande à ondes acoustiques comprenant un guidage acoustique intégré avec conversion d'impédance et/ou de mode |
| CN107091686A (zh) * | 2017-05-09 | 2017-08-25 | 国网江西省电力公司电力科学研究院 | 一种采用多层耦合声子晶体的声波谐振器 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| "Surface and bulk acoustic waves in two-dimensional phononic crystal consisting of materials with general anisotropy";Tsung-Tsong Wu等;《Physical Review B》;20040310;第69卷(第9期);1-10 * |
| "弹性波声子晶体的物理效应研究";王振;《中国优秀博硕士学位论文全文数据库(博士) 工程科技Ⅰ辑》;20190615;B014-67 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110417371A (zh) | 2019-11-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110417371B (zh) | 基于声子晶体的薄膜体声波谐振器 | |
| EP4072013A1 (en) | Bulk acoustic resonator with electrode having void layer, filter, and electronic device | |
| JP3879643B2 (ja) | 圧電共振子、圧電フィルタ、通信装置 | |
| CN103166596B (zh) | 谐振器和滤波器 | |
| TWI734153B (zh) | 共振腔表面聲波（ｓａｗ）濾波器 | |
| WO2021102640A1 (zh) | 声波器件及其制作方法 | |
| CN111010138A (zh) | 高q值体声波谐振器 | |
| CN111082776B (zh) | 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 | |
| CN112234949B (zh) | 一种多频段可调谐的三维体声波谐振器 | |
| CN111010127B (zh) | 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法 | |
| JP5950363B2 (ja) | 弾性表面波変換器 | |
| CN111490748B (zh) | 一种薄膜体声波谐振器 | |
| CN113328719B (zh) | 具有温度补偿功能的固体装配型体声波谐振器 | |
| CN114584102A (zh) | 射频谐振器及滤波器 | |
| JP4055885B2 (ja) | 圧電薄膜振動素子、及びこれを用いたフィルタ | |
| CN113411065A (zh) | 一种具有布拉格反射栅结构的体声波谐振器 | |
| CN116781033A (zh) | 一种高频声波谐振器及其制备方法 | |
| CN112367058A (zh) | 一种用声子晶体结构封装的薄膜体声波谐振器 | |
| US20230090976A1 (en) | Bulk Acoustic Resonator and Filter | |
| CN216414272U (zh) | 一种压电薄膜声学谐振器 | |
| US20080180193A1 (en) | Dual mode piezoelectric filter, method of manufacturing the same, high frequency circuit component and communication device using the same | |
| CN112968685B (zh) | 带有沟槽结构的体声波谐振器 | |
| CN113411066A (zh) | 一种高频双声波模式的双saw谐振器结构及双saw滤波器 | |
| KR102561687B1 (ko) | Saw 필터 장치의 소스 억제를 위한 변환기 구조물 | |
| US11621691B2 (en) | Reflective structures for surface acoustic wave devices |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20220518 Address after: 315832 e2025, zone a, Room 401, building 1, No. 88, Meishan Qixing Road, Beilun District, Ningbo, Zhejiang Province Applicant after: Ningbo Huazhang enterprise management partnership (L.P.) Address before: 430072 Hubei Province, Wuhan city Wuchang District of Wuhan University Luojiashan Applicant before: WUHAN University |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220826 Address after: No.01, 4th floor, building D7, phase 3, Wuhan Software New Town, No.9 Huacheng Avenue, Donghu New Technology Development Zone, Wuhan City, Hubei Province, 430000 Patentee after: Wuhan Minsheng New Technology Co.,Ltd. Address before: 315832 e2025, zone a, Room 401, building 1, No. 88, Meishan Qixing Road, Beilun District, Ningbo, Zhejiang Province Patentee before: Ningbo Huazhang enterprise management partnership (L.P.) |
|
| TR01 | Transfer of patent right |