CN116781033A - 一种高频声波谐振器及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 43
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 26
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 235000019687 Lamb Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 17
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 17
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 17
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02118—Means for compensation or elimination of undesirable effects of lateral leakage between adjacent resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0504—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/131—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials consisting of a multilayered structure
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/023—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the membrane type
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Abstract
本发明涉及微电子器件领域，特别涉及一种高频声波谐振器及其制备方法。该高频声波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指换能器；其中，支撑衬底的声速不低于5000米/秒；高频声波谐振器的目标模式是由纵向电场激励产生的准体波模式；叉指换能器的厚度与叉指换能器的材料密度呈反比；目标模式的声速小于支撑衬底的声速。基于异质集成衬底，在简化声波谐振器结构的同时，降低欧姆损耗，提高高阶模式的机电耦合系数。
Description
技术领域
本发明涉及微电子器件领域，特别涉及一种高频声波谐振器及其制备方法。
背景技术
现代通讯行业对信号质量的要求越来越高以及对通信频谱资源的争夺越演越烈。低损耗、宽带宽、可调谐以及温度稳定性已经成为通讯行业的普遍追求目标。声学谐振器因其体积小、带宽大、Q值高目前已经广泛应用于通信领域。声学谐振器包括声表面波(Surface Acoustic Wave，SAW)谐振器和体声波(Bulk Acoustic Wave，BAW)谐振器。
相关技术中，BAW谐振器由于其的谐振频率与器件厚度成反比，通常采用降低压电薄膜的厚度来提高谐振器的频率。然而随着频率的提高，悬空的压电薄膜逐渐变薄，结构变得更加脆弱且散热变得更加艰难。并且通常通过顶部叉指电极以及悬浮底电极的结构来激发一阶的板波模式来满足高频需求。然而对于单晶压电材料来说，形成图案化的悬浮底电极非常困难，而且高频时电极宽度较小，欧姆损耗较大。因此，如何在简化谐振器结构、减小欧姆损耗的同时，使谐振器拥有较大的机电耦合系数，成为其实现高性能高频应用的关键。
发明内容
为解决上述技术问题，本申请于一方面公开了一种高频声波谐振器，其包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指换能器；
其中，支撑衬底的声速不低于5000米/秒；高频声波谐振器的目标模式是由纵向电场激励产生的准体波模式；叉指换能器的厚度与叉指换能器的材料密度呈反比；目标模式的声速小于支撑衬底的声速。
于一个可行的实施例中，叉指换能器的周期与目标模式的频率的乘积大于或者等于支撑衬底的声速的80％，且小于支撑衬底的声速。
于一个可行的实施例中，准体波模式包括水平剪切波模式、兰姆波模式和瑞利模式的一阶及其高阶模式。
于一个可行的实施例中，叉指换能器的厚度为预设值与参考叉指换能器的厚度的乘积；
预设值为参考叉指换能器的材料密度与叉指换能器的材料密度的比值；
参考叉指换能器的材料为纯铝或铝含量超过95％的合金时，所述参考叉指换能器的厚度大于或者等于所述高频声波谐振器的15％的波长。
于一个可行的实施例中，当叉指换能器的材料为铝，压电薄膜的材料为X切铌酸锂，以及支撑衬底的材料为6H-碳化硅时，叉指换能器的厚度为0.2倍的波长。
于一个可行的实施例中，当叉指换能器的材料为铝，压电薄膜的材料为X切铌酸锂，以及支撑衬底的材料为蓝宝石时，叉指换能器的厚度为0.18～0.19倍的波长。
于一个可行的实施例中，当叉指换能器的材料为铝，压电薄膜的材料为X切钽酸锂，以及支撑衬底的材料为蓝宝石时，叉指换能器的厚度为0.19～0.2倍的波长。
于一个可行的实施例中，压电薄膜包括铌酸锂、钽酸锂、铌酸钾、氮化铝、掺钪氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅或铌镁酸铅-钛酸铅晶体中的至少一种。
于一个可行的实施例中，叉指换能器为单层金属薄膜、多层金属薄膜、金属与非金属组成的复合薄膜中的任一种。
本申请于另一方面还公开了一种高频声波谐振器的制备方法，其包括：
提供一顶层设有压电薄膜的支撑衬底；支撑衬底的声速不低于5000米/秒；
在压电薄膜上制备叉指换能器；叉指换能器的厚度与叉指换能器的材料密度呈反比；高频声波谐振器的目标模式是由纵向电场激励产生的准体波模式；目标模式的声速小于支撑衬底的声速。
采用上述技术方案，本申请提供的高频声波谐振器具有如下有益效果：
该高频声波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指换能器；其中，支撑衬底的声速不低于5000米/秒；高频声波谐振器的目标模式是由纵向电场激励产生的准体波模式；叉指换能器的厚度与叉指换能器的材料密度呈反比；目标模式的声速小于支撑衬底的声速。如此，可以有效降低阶模式的机电耦合系数，相对的，提升了高阶模式的机电耦合系数，且通过将高阶模式的声速设置成低于支撑衬底的声速，从而可以避免声波向支撑衬底泄露，使声波能量被约束在衬底表面。与此同时，通过上述叉指换能器厚度的设置，意味着更低的欧姆损耗，这对于波长小电极宽度小的高频谐振器十分重要，且该高频声波谐振器还有具有结构简单的优点。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种高频声波谐振器的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的不同叉指换能器的厚度对应的仿真导纳曲线；
图3是图2中S1模式对应的振型图；
图4是本申请实施例提供的第一种高频声波谐振器对应的仿真导纳曲线；
图5是图4中目标模式对应的振型图；
图6是本申请实施例提供的第二种高频声波谐振器对应的仿真导纳曲线；
图7是图6中目标模式对应的振型图；
图8是本申请实施例提供的第三种高频声波谐振器对应的仿真导纳曲线；
图9是本申请实施例提供的第四种高频声波谐振器对应的仿真导纳曲线；
图10是图8中目标模式对应的振型图；
图11是图9中目标模式对应的振型图；
图12是本申请实施例提供的一种高频声波谐振器的制备方法的流程示意图。
以下对附图作补充说明：
1-支撑衬底；2-压电薄膜；3-叉指换能器。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本申请至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含的包括一个或者更多个该特征。而且，术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
为了下面的详细描述的目的，应当理解，本发明可采用各种替代的变化和步骤顺序，除非明确规定相反。此外，除了在任何操作实例中，或者以其他方式指出的情况下，表示例如说明书和权利要求中使用的成分的量的所有数字应被理解为在所有情况下被术语“约”修饰。因此，除非相反指出，否则在以下说明书和所附权利要求中阐述的数值参数是根据本发明所要获得的期望性能而变化的近似值。至少并不是试图将等同原则的适用限制在权利要求的范围内，每个数值参数至少应该根据报告的有效数字的个数并通过应用普通舍入技术来解释。
尽管阐述本发明的广泛范围的数值范围和参数是近似值，但是具体实例中列出的数值尽可能精确地报告。然而，任何数值固有地包含由其各自测试测量中发现的标准偏差必然产生的某些误差。
当本文中公开一个数值范围时，上述范围视为连续，且包括该范围的最小值及最大值，以及这种最小值与最大值之间的每一个值。进一步地，当范围是指整数时，包括该范围的最小值与最大值之间的每一个整数。此外，当提供多个范围描述特征或特性时，可以合并该范围。换言之，除非另有指明，否则本文中所公开之所有范围应理解为包括其中所归入的任何及所有的子范围。例如，从“1至10”的指定范围应视为包括最小值1与最大值10之间的任何及所有的子范围。范围1至10的示例性子范围包括但不限于1至6.1、3.5至7.8、5.5至10等。
声波谐振器的频率主要由压电薄膜的厚度、压电材料的体声波声速以及负载决定，所以一般谐振器的结构为由下至上依次设置的衬底、悬浮底电极、压电薄膜和顶电极，通过顶部电极以及悬浮底电极的结构来激发一阶的板波模式来满足高频需求。然而对于单晶压电材料来说，形成图案化的悬浮底电极非常困难，而且高频时电极宽度较小，欧姆损耗较大；且还通过降低压电薄膜的厚度来提高频率，但该种方式会造成悬空的压电薄膜结构变得脆弱，散热性也较差；这使得如何在简化谐振器结构、减小欧姆损耗的同时，使谐振器拥有较大的机电耦合系数，成为其实现高性能高频应用的关键。为此，请参阅图1，本申请提供了一种高频声波谐振器，其包括由下至上依次层叠的支撑衬底1、压电薄膜2和叉指换能器3；其中，支撑衬底1的声速不低于5000米/秒；高频声波谐振器的目标模式是由纵向电场激励产生的准体波模式；叉指换能器3的厚度与叉指换能器3的材料密度呈反比；目标模式的声速小于支撑衬底1的声速。由于该谐振器没有底电极，有效避免了底电极带来的寄生电容和寄生模式，简化声波谐振器结构，还能降低欧姆损耗，提高高阶模式的机电耦合系数，使其能够更好的应用于高频高性能。
于一个可行的实施例中，叉指换能器3的周期与目标模式的频率的乘积(即目标模式的声速)大于或者等于支撑衬底1的声速的80％，且小于支撑衬底1的声速。从而能够在避免声波能量向支撑衬底1泄露的同时，提高高阶板波的机电耦合系数的同时降低低阶模式的机电耦合系数，降低欧姆损耗，提高功率容量。
其中，该叉指换能器3包括相对的第一汇流条和第二汇流条；第一汇流条设有多个间隔设置的第一电极；第二汇流条上设有多个间隔排列的第二电极，多个第一电极与多个第二电极交错间隔排列，形成叉指电极；可选的，相邻的第二电极的距离等于相邻的第一电极的距离。可选的，叉指换能器3的周期为多个第一电极中相邻的第一电极的中心之间的间隔距离，或者多个第二电极中相邻的第二电极的中心之间的间隔距离。
于一个可行的实施例中，准体波模式包括水平剪切波模式、兰姆波模式和瑞利模式的一阶及其高阶模式，比如一阶对称型兰姆波(S1)、一阶水平剪切波的高阶模态(SH1)、一阶反对称型兰姆波(A1)以及一阶瑞利模式(Sezawa)。
于一个可行的实施例中，叉指换能器3的厚度为预设值与参考叉指换能器的厚度的乘积；预设值为参考叉指换能器的材料密度与叉指换能器3的材料密度的比值；参考叉指换能器的材料为纯铝或铝含量超过95％的合金时，所述参考叉指换能器的厚度大于或者等于所述高频声波谐振器的15％的波长。具体的，假设参考叉指换能器的材料为纯铝或铝含量超过95％的合金，叉指换能器3的厚度d≥(ρ0/ρ1)×0.15λ，其中，ρ0为参考叉指换能器的材料密度，ρ1为本申请中叉指换能器3的材料密度，λ为高频声波谐振器的波长；例如，当叉指换能器的材料为铂时，ρ0/ρ1为1/8，所需厚度可以设置为1/4倍的参考叉指换能器的厚度。当叉指换能器的材料为铜，ρ0/ρ1为1/3.3，所需厚度可以设置为1/2倍的参考叉指换能器的厚度。上述叉指换能器厚度的设置，意味着更低的欧姆损耗，这对于波长小电极宽度小的高频谐振器十分重要，且该高频声波谐振器还有具有结构简单的优点。
于一个可行的实施例中，当叉指换能器3的材料为铝，压电薄膜2的材料为X切铌酸锂，以及支撑衬底1的材料为6H-碳化硅时，叉指换能器3的厚度为0.2倍的波长。于另一个可行的实施例中，当叉指换能器3的材料为铝，压电薄膜2的材料为X切铌酸锂，以及支撑衬底1的材料为蓝宝石时，叉指换能器3的厚度为0.18～0.19倍的波长。于另一个可行的实施例中，当叉指换能器3的材料为铝，压电薄膜2的材料为X切钽酸锂，以及支撑衬底1的材料为蓝宝石时，叉指换能器3的厚度为0.19～0.2倍的波长。从而均可以使得到的谐振器具有结构简单，即不需要底电极，更低的欧姆损耗，且能够避免声波向支撑衬底泄露，使声波能量被约束在衬底表面的优点。
于一个可行的实施例中，压电薄膜2为铌酸锂、钽酸锂、铌酸钾、氮化铝、掺钪氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅或铌镁酸铅-钛酸铅晶体中的至少一种。
于一个可行的实施例中，叉指换能器3为单层金属薄膜、多层金属薄膜、金属与非金属组成的复合薄膜中的任一种。可选的，金属薄膜的材料可以是纯金属、合金、掺杂非金属元素中的任一种。
为了便于理解本申请的技术方案以及说明本申请的有益效果，以下将以具体实施例进行阐述。
实施例1
提供一种如图1所示结构的声波谐振器，请参阅图2和图3，图2所示为不同叉指换能器的厚度对应的仿真导纳曲线；图3所示为图2中S1模式对应的振型图。该声波谐振器的压电薄膜2为X切铌酸锂薄膜，铌酸锂的欧拉角为(30，90，-90)，支撑衬底1为6H-碳化硅，叉指换能器3的材料为铝；目标模式为高阶板波模式，该谐振器的波长均1.6微米。其中，图2中的曲线a对应叉指换能器3的厚度80纳米时的仿真导纳曲线，可以看出，当叉指换能器3的厚度为80纳米时，模式包括S0和SH1，通过进一步比较可知，S0模式的导纳比为90dB左右，而SH1模式的导纳比为40dB左右，所以叉指换能器3的厚度为80纳米的S0模式最强，在高声速的6H-碳化硅的作用下，S0模式的声速达到7544m/s。图2中的曲线b对应叉指换能器3的厚度160纳米时的仿真导纳曲线，可以看出，当叉指换能器3的厚度达到160nm时，SH1模式最强，此时S0模式的声速下降且机电耦合系数大幅下降，加上临近频率的SH1模式的存在，导致S0模式已经不再适合作为目标模式。由此可以说明，S0模式只有在叉指换能器3厚度较薄时适合作为目标模式，但是较薄的叉指换能器3意味着更大的欧姆损耗，限制了谐振器的品质因子，而SH1模式也由于谐振频率与S0相近而无法用作目标模式。当厚度进一步增加到240纳米，新的高阶板波模式出现，如图2中的曲线c对应叉指换能器3的厚度240纳米时的仿真导纳曲线，可以看出，此时的目标模式为S1模式，其振型如图3所示，该S1模式主要由纵向电场激发，其大量振动能量进入到叉指换能器3之中，此时谐振腔由压电薄膜2和叉指换能器3构成；图2中的曲线d对应叉指换能器3的厚度320纳米时的仿真导纳曲线可以看出，当叉指换能器3的厚度达到320nm时，此时叉指换能器3的厚度达到波长的0.2倍，SH1和S0模式均大幅减弱，且远离该目标模式S1，此时激发的高阶板波有望用于高性能的高频滤波器中，其声速高达8576m/s，比叉指换能器3厚度为80nm时的目标模式S0还要高，在现有光刻技术条件下可以轻松满足7GHz以下所有频段的频率需求。
可以理解的是，上述仅示例了以叉指换能器3的材料为铝的情况，实际上，若叉指换能器3的材料为金、银、铂或者合金等金属材料，由于其材料密度相对于铝均较高，所以以产生的高阶板波模式为目标模式所对应的叉指换能器3的厚度相对于铝较小，例如，当铝的厚度设置成大于0.15倍的波长时，将铝更换为金，则叉指换能器3的厚度可以设置成0.05倍的波长。本申请中的厚电极是指相对于现有通常设置的同种材料的电极厚度来说。
通过上述图2的分析可以了解，本申请提供这种厚电极方案有助于降低欧姆损耗，提高功率容量，以及利于实现高品质因子的谐振器，该高阶模式主要由纵向电场激发，但是仅仅利用了顶部的叉指换能器3提供的纵向电场分量就获得了较大的机电耦合系数，因此不需要底电极，结构十分简单。因此该高阶板波谐振器的工艺十分简单，且具有高声速，低欧姆损耗的特点，适合用于实现高频高性能声波谐振器。
实施例2
请参阅图4和图5，图4所示为第一种高频声波谐振器对应的仿真导纳曲线；图5所示为图4中目标模式对应的振型图。该声波谐振器的压电薄膜2为X切铌酸锂薄膜，铌酸锂的欧拉角为(30，90，-90)，支撑衬底1为蓝宝石，蓝宝石的欧拉角为(44.5，125，0)，叉指换能器3的材料为铝，且厚度为230纳米，达到波长的0.184倍；该谐振器的波长为1.25微米；从图4可以看出，该高频声波谐振器不仅实现了接近5GHz的谐振频率，其机电耦合系数达到了14.1％，足以满足部分高频频段的需求，从图5可以看出，其目标模式为S1模式，且其的振动能量有相当一部分进入到叉指换能器3之中，此时谐振腔由压电薄膜2和叉指换能器3构成，进一步验证了其具有较高的机电耦合系数。
实施例3
请参阅图6和图7，图6所示为第二种高频声波谐振器对应的仿真导纳曲线；图7所示为图6中目标模式对应的振型图。该声波谐振器的压电薄膜2为X切钽酸锂，钽酸锂的欧拉角为(30，90，-90)，支撑衬底1为蓝宝石，蓝宝石的欧拉角为(44.5，125，0)，叉指换能器3的材料为铝，且厚度为230纳米，达到波长的0.192倍；该谐振器的波长均1.2微米；从图4可以看出，该高频声波谐振器不仅实现了接近5GHz的谐振频率，其机电耦合系数达到了5.9％，已经与氮化铝基的FBAR相当，从图5可以看出，其目标模式为S1模式，且大量振动能量进入到叉指换能器3之中，此时谐振腔由压电薄膜2和叉指换能器3构成，进一步验证了其具有较高的机电耦合系数。
实施例4
声波谐振器的压电薄膜2为Y36切铌酸锂，铌酸锂的欧拉角为(0，54，0)，支撑衬底1为蓝宝石，蓝宝石的欧拉角为(48，125，0)，叉指换能器3的材料为铝，且厚度为260纳米，达到波长的0.186倍；假设且该谐振器的波长均1.4微米；从图8可以看出，该高频声波谐振器不仅实现了接近4.5GHz的谐振频率，其机电耦合系数达到了13.1％，其目标模式为一阶瑞利模式(Sezawa)模式，当电极材料为铂电极时，需要的电极厚度有所下降，铂电极厚度为波长的0.046倍，相应的仿真导纳曲线和目标模式振型图如图9所示，频率与图9基本一致，机电耦合系数为11.6％。且从图8和图9中目标模式对应的振型图(如图10和图11)可以看出，其目标模式为一阶瑞利模式(Sezawa)，且大量振动能量进入到叉指换能器3之中，此时谐振腔由压电薄膜2和叉指换能器3构成，进一步验证了其具有较高的机电耦合系数。
实施例5
请参阅图12，本申请还公开了一种高频声波谐振器的制备方法，其包括：
S1201：提供一顶层设有压电薄膜2的支撑衬底1；支撑衬底1的声速不低于5000米/秒。
可选的，步骤S1201中的顶层设有压电薄膜2的支撑衬底1可以通过离子注入剥离工艺、键合研磨工艺或薄膜生长工艺来制备；其中，离子注入剥离工艺具体可以是，先提供一压电晶圆；由注入面向该压电晶圆进行离子注入，从而在压电晶圆的中部形成缺陷层，然后通过注入面与支撑衬底1进行键合，再沿缺陷层进行退火剥离和抛光处理，得到顶层设有压电薄膜2的支撑衬底1；键合研磨工艺具体可以是，将压电晶圆与支撑衬底1直接进行键合，再对压电晶圆进行研磨处理，直至达到所需厚度；薄膜生长工艺具体可以是，直接在支撑衬底1上进行外延生长压电薄膜2。
S1202：在压电薄膜2上制备叉指换能器3；叉指换能器3的厚度与叉指换能器3的材料密度呈反比；高频声波谐振器的目标模式是由纵向电场激励产生的准体波模式；目标模式的声速小于支撑衬底1的声速。
在步骤S1202中，具体可以采用溅射或者沉积工艺先在压电薄膜2上形成金属电极层，再结合光刻工艺进行图形化，得到叉指换能器3。
以上所述仅为本申请可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种高频声波谐振器，其特征在于，包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指换能器；
其中，所述支撑衬底的声速不低于5000米/秒；所述高频声波谐振器的目标模式是由纵向电场激励产生的准体波模式；所述叉指换能器的厚度与叉指换能器的材料密度呈反比；所述目标模式的声速小于所述支撑衬底的声速。
2.根据权利要求1所述的高频声波谐振器，其特征在于，所述叉指换能器的周期与所述目标模式的频率的乘积大于或者等于所述支撑衬底的声速的80％，且小于所述支撑衬底的声速。
3.根据权利要求1所述的高频声波谐振器，其特征在于，所述叉指换能器的厚度为预设值与参考叉指换能器的厚度的乘积；
所述预设值为所述参考叉指换能器的材料密度与所述叉指换能器的材料密度的比值；
所述参考叉指换能器的材料为纯铝或铝含量超过95％的合金时，所述参考叉指换能器的厚度大于或者等于所述高频声波谐振器的15％的波长。
4.根据权利要求1所述的高频声波谐振器，其特征在于，所述准体波模式包括水平剪切波模式、兰姆波模式和瑞利模式的一阶及其高阶模式。
5.根据权利要求4所述的高频声波谐振器，其特征在于，当所述叉指换能器的材料为铝，所述压电薄膜的材料为X切铌酸锂，以及所述支撑衬底的材料为6H-碳化硅时，所述叉指换能器的厚度为0.2倍的波长。
6.根据权利要求4所述的高频声波谐振器，其特征在于，当所述叉指换能器的材料为铝，所述压电薄膜的材料为X切铌酸锂，以及所述支撑衬底的材料为蓝宝石时，所述叉指换能器的厚度为0.18～0.19倍的波长。
7.根据权利要求4所述的高频声波谐振器，其特征在于，当所述叉指换能器的材料为铝，所述压电薄膜的材料为X切钽酸锂，以及所述支撑衬底的材料为蓝宝石时，所述叉指换能器的厚度为0.19～0.2倍的波长。
8.根据权利要求1所述的高频声波谐振器，其特征在于，所述压电薄膜包括铌酸锂、钽酸锂、铌酸钾、氮化铝、掺钪氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅或铌镁酸铅-钛酸铅晶体中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的高频声波谐振器，其特征在于，所述叉指换能器为单层金属薄膜、多层金属薄膜、金属与非金属组成的复合薄膜中的任一种。
10.一种高频声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括：
提供一顶层设有压电薄膜的支撑衬底；所述支撑衬底的声速不低于5000米/秒；
在所述压电薄膜上制备叉指换能器；所述叉指换能器的厚度与叉指换能器的材料密度呈反比；所述高频声波谐振器的目标模式是由纵向电场激励产生的准体波模式；所述目标模式的声速小于所述支撑衬底的声速。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310678398.3A CN116781033A (zh) | 2023-06-08 | 2023-06-08 | 一种高频声波谐振器及其制备方法 |
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| Country | Link |
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| CN (1) | CN116781033A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117526897A (zh) * | 2024-01-04 | 2024-02-06 | 苏州达波新材科技有限公司 | 双模声表面波器件及其制备方法 |
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2023
- 2023-06-08 CN CN202310678398.3A patent/CN116781033A/zh active Pending
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| CN117526897A (zh) * | 2024-01-04 | 2024-02-06 | 苏州达波新材科技有限公司 | 双模声表面波器件及其制备方法 |
| CN117526897B (zh) * | 2024-01-04 | 2024-03-22 | 苏州达波新材科技有限公司 | 双模声表面波器件及其制备方法 |
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