JP2021520755A - フィルムバルク音響波共振器およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本願の実施例によって提供されるフィルムバルク音響波共振器の製造方法は、
SOI基板の第1面上に下部電極を形成することと、
前記SOI基板の第1面および下部電極上に圧電層を形成することと、
前記圧電層上にトップ電極を形成することと、
SOI基板の第1面とは反対側の第2面上にエアキャビティを形成することとを含む。
さらに、本願の実施例は、前記フィルムバルク音響波共振器の製造方法によって形成されるフィルムバルク音響波共振器を提供する。
1)本願の実施例によって提供されるフィルムバルク音響波共振器の製造方法は、基板としてSOIを使用し、デバイス製造コストを低減し、製造された共振器は低消費電力、高集積度、低コスト、良好な耐放射特性などの特徴を有する。
2)本願の実施例によって提供されるフィルムバルク音響波共振器の製造方法は、プロセスが簡単であり、基板上にエッチング停止層および支持層を成長させる必要がなく、停止層および支持層構造はSOI基板中の絶縁層に置き換えられる。
3)本願の実施例によって提供されるフィルムバルク音響波共振器の製造方法は、選択的イオン注入によって高ドープシリコンを形成し、高ドープシリコンを電極として使用し、従来の電極によって引き起こされる段差構造の影響を解消する。
4)SOI基板のトップ層Siが(111)結晶配向である場合、AlNフィルム結晶の品質を大幅に向上させ、それによってデバイスの性能を効果的に向上させることができる。
5)本願の実施例によって提供されるフィルムバルク音響波共振器の製造方法は、SOI基板上にグラフェン、金属Mo、金属Wなどの材料の薄層を調製してからAlNフィルムを成長させることで、AlNフィルム結晶の品質を向上させることもできる。
6)本願の実施例によって提供されるフィルムバルク音響波共振器は、5G技術またはより高い性能要件を備えたデバイスの将来の開発によってもたらされる技術的要件を満たすことができる。
SOI基板の第1面上に下部電極を形成することと、
前記SOI基板の第1面および下部電極上に圧電層を形成することと、
前記圧電層上にトップ電極を形成することと、
SOI基板の第1面とは反対側の第2面上にエアキャビティを形成することと、を含む。
この技術的解決策、その実施過程および原理などを以下にさらに説明する。
図7および図8を参照して、フィルムバルク音響波共振器は、SOI基板7と、SOI基板7の第1面(表面)上に順番配置された下部電極3、圧電層6およびトップ電極1と、を含み、SOI基板7の第2面(裏面)にエアキャビティ5が設けられ、エアキャビティの深さは約200μmであり、前記エアキャビティの面積は約150μm×150μmであり、下部電極3は選択された領域のSOI基板7のトップ層シリコン71がイオン注入によって形成された高ドープ導電シリコン層であり、圧電層6の下部電極3に対応する領域に、外部と連通するスルーホール2がさらに設けられ、エアキャビティ5がSOI基板7の裏面基板73内に設けられ、SOI基板7はトップ層シリコン71、裏面基板73およびトップ層シリコン71と裏面基板73間に設けられた酸化層72を含み、トップ電極1はPt電極を使用する。実際の用途では、フィルムバルク音響波共振器の両側に2つのテストG電極4がさらに設けられる。
1)SOI基板を用意し、アセトンとイソプロパノールを使用して超音波洗浄した基板構造が図2に示され、基板の厚さが50nm〜1μmである。
2)フォトリソグラフィによりパターン化し、SOI基板のトップ層シリコン上に選択イオン注入によって一部のトップ層シリコンが高ドープ導電シリコンに形成され、パターン化された高ドープ導電シリコンを下部電極として使用し、得られたデバイスの構造が図3に示される。
3)気相エピタキシャル成長(MOVCD)またはマグネトロンスパッタリング成長によって、SOI基板のトップ層シリコンおよび下部電極上に高C軸配向のAlN圧電フィルムを圧電層として形成し、形成されたデバイス構造が図4に示される。
4)圧電層上にICPによってスルーホールをエッチングし、形成されたデバイスの構造が図5に示される。
5)圧電層上に電子ビーム蒸発によってトップ電極を形成しパターン化し、トップ電極はPt電極であり、形成されたデバイスの構造が図6に示される。
6)基板の裏面をエッチングしてエアキャビティを形成し、形成されたフィルムバルク音響波共振器の構造が図7に示される。
Claims (15)
- SOI基板の第1面上に下部電極を形成するステップと、
前記SOI基板の第1面および下部電極上に圧電層を形成するステップと、
前記圧電層上にトップ電極を形成するステップと、
SOI基板の第1面とは反対側の第2面上にエアキャビティを形成するステップとを含む、ことを特徴とするフィルムバルク音響波共振器の製造方法。 - イオン注入によってSOI基板のトップ層シリコンを処理し、少なくとも選択された領域のトップ層シリコンが高ドープ導電シリコン層に形成され、その後、前記高ドープ導電シリコン層をパターン化して前記下部電極を形成するステップを含む、ことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- SOI基板の第1面において選択された領域上に導電フィルム層を直接形成し、その後、前記導電フィルム層をパターン化して前記下部電極を形成するステップを含む、ことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記導電フィルム層の材料にはグラフェン、モリブデン、タングステンのいずれか1つを含む、ことを特徴とする請求項3に記載の製造方法。
- 気相エピタキシャル成長またはマグネトロンスパッタリング成長によって前記圧電層を形成するステップを含む、ことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記圧電層の材料にはAlNを含む、ことを特徴とする請求項5に記載の製造方法。
- 前記圧電層はC軸配向のAlN圧電フィルムである、ことを特徴とする請求項6に記載の製造方法。
- 前記SOI基板の第1面および下部電極上に圧電フィルムを形成した後にパターン化して前記圧電層を形成するステップを含む、ことを特徴とする請求項5に記載の製造方法。
- 前記圧電層の下部電極に対応する一部の領域に、外部と連通するスルーホールがさらに設けられる、ことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 誘導結合プラズマエッチング技術によって前記圧電層上に前記スルーホールを形成するステップを含む、ことを特徴とする請求項9に記載の製造方法。
- 電子ビーム蒸発によってトップ電極層を形成した後にパターン化して前記トップ電極を形成するステップを含み、好ましくは、前記トップ電極はPt電極を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記SOI基板の配向は(111)または(100)である、ことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記エアキャビティはSOI基板の裏面基板内に形成される、ことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記エアキャビティの深さは50〜1000μmであり、前記エアキャビティの面積は10μm×10μm〜1mm×1mmである、ことを特徴とする請求項13に記載の製造方法。
- 請求項1〜14のいずれか1項に記載のフィルムバルク音響波共振器の製造方法によって形成されるフィルムバルク音響波共振器。
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